專利名稱：電路部件連接用粘接劑及使用該粘接劑的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路部件連接用粘接劑及使用該粘接劑的半導(dǎo)體裝置。更具體地涉 及以倒裝接合方式通過加熱、加壓向電路基板連接半導(dǎo)體元件用的電路部件連接用粘接 劑、其中分散有導(dǎo)電粒子的電路部件連接用粘接劑(電路部件連接用各向異性導(dǎo)電粘接 劑)及使用它們的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
通常，作為通過倒裝接合方式將半導(dǎo)體芯片(以下有時簡稱為“芯片”)直接 安裝于電路基板的方式，已知有在半導(dǎo)體芯片的電極部分形成焊凸并焊接于電路基板的 方式，對設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的突起電極涂布導(dǎo)電性粘接劑并電連接于電路基板電極的方法。對于這些方式，在各種環(huán)境下暴露時，由于連接的芯片和基板的熱膨脹系數(shù)差 而在連接界面會產(chǎn)生應(yīng)力，從而存在連接可靠性降低的問題。因此，為了緩和連接界面 的應(yīng)力，研究了通常在芯片和基板的間隙填充環(huán)氧樹脂等底部填料的方式。底部填料的填充方式有在連接芯片和基板后注入低粘度的液態(tài)樹脂的方式以 及在基板上設(shè)置底部填料后搭載芯片的方式。另一方面，作為事先在基板上設(shè)置底部填 料后搭載芯片的方法，有涂布液態(tài)樹脂的方法和粘貼膜狀樹脂的方法。然而，在涂布液態(tài)樹脂時利用分配器難以進(jìn)行精密涂布量的控制，在近年的芯 片薄型化中，由于過多的涂布因而在接合時滲出的樹脂會逸出到芯片的側(cè)面，污染接合 工具，從而需要對工具進(jìn)行洗滌，成為量產(chǎn)時工藝煩雜的原因。另外，粘貼膜狀樹脂的情況，通過控制樹脂的厚度容易形成最佳樹脂量，然而 在將膜粘貼于基板時需要稱為臨時壓合工序的膜粘貼工序。在臨時壓合工序中，使用分 割成寬度大于目標(biāo)芯片寬度的卷軸狀膠帶，對應(yīng)于芯片尺寸，半切斷存在于卷軸狀膠帶 的基材上的粘接劑，在粘接劑不反應(yīng)程度的溫度下通過熱壓粘貼于基板。由于膜向芯片搭載位置的供給精度較差，為了確保成品率，通過臨時壓合粘貼 的膜通常大于芯片尺寸。因此，與鄰接部件間需要有富余的距離，在高密度化安裝時成 為妨礙。另一方面，與微小芯片等對應(yīng)的微細(xì)寬度的卷軸加工是困難的，需要粘貼大于 芯片尺寸的膜來應(yīng)對，需要多余的安裝面積。因此，作為供給與芯片尺寸相同尺寸的粘接劑的方法，提出了在晶片狀態(tài)供給 粘接劑后，在通過切割等進(jìn)行芯片加工的同時也進(jìn)行粘接劑的加工，得到帶粘接劑的芯 片的方法(參照例如專利文獻(xiàn)1和2)。專利文獻(xiàn)1:日本特許第2833111號說明書
專利文獻(xiàn)2 日本特開2006-049482號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，以往提出的晶片前置型的底部填充法存在如下所述的問題，并沒有被市 場化。例如專利文獻(xiàn)1的方法，是對晶片粘貼膜狀粘接劑后利用切割進(jìn)行單片化而得到 帶粘接膜的芯片的方法。根據(jù)上述方法，其為制作晶片/粘接劑/分隔物(separator)的層疊體、對其切割 后剝離分隔物而得到帶粘接劑的芯片的方法，但是在切斷層疊體時，粘接劑和分隔物剝 離，結(jié)果是存在單片化的半導(dǎo)體芯片會飛散、流出的問題。接著，專利文獻(xiàn)2的方法是與具有粘著材料層和粘接劑層的晶片加工用膠帶有 關(guān)的方法，提供了將晶片粘貼于晶片加工用膠帶后進(jìn)行切割、拾取，然后將單片化的芯 片倒裝片連接于基板的方法。然而，通常，在倒裝片安裝中，為了將芯片電路面的稱為凸塊的端子與相對的 基板側(cè)的端子連接，利用倒裝片接合器將芯片側(cè)的位置對準(zhǔn)標(biāo)識(定位標(biāo)識)和基板側(cè)的 位置對準(zhǔn)標(biāo)識的位置對準(zhǔn)并進(jìn)行粘貼，與此相對，在芯片的電路面粘貼有粘接劑時粘接 劑會覆蓋電路面的位置對準(zhǔn)標(biāo)識，產(chǎn)生不能對準(zhǔn)位置的問題，在專利文獻(xiàn)2中并沒有提 供對應(yīng)該問題的對策。另一方面，作為得到樹脂的透明性的技術(shù)，在日本特許第3408301號說明書中 記載了包括絕緣性粘接劑以及分散在粘接劑中的導(dǎo)電粒子和透明玻璃粒子的各向異性導(dǎo) 電膜。但是，由于玻璃粒子為非晶質(zhì)，線膨脹系數(shù)大，難以實現(xiàn)作為倒裝片安裝后的特 性所必需的低線膨脹系數(shù)。因此，本發(fā)明的目的在于提供，在未固化狀態(tài)下對晶片的密合性優(yōu)異且附于晶 片的定位標(biāo)識的識別性高，在固化后芯片和基板的粘接性以及連接可靠性優(yōu)異的電路部 件連接用粘接劑及使用該粘接劑的半導(dǎo)體裝置。解決問題的手段本發(fā)明涉及下述內(nèi)容。(1) 一種電路部件連接用粘接劑，其介于具有突出的連接端子的半導(dǎo)體芯片和形 成有配線圖案的基板之間，通過加壓、加熱，電連接相對的所述連接端子和所述配線圖 案的同時粘接所述半導(dǎo)體芯片和所述基板；所述電路部件連接用粘接劑包括樹脂組合物和分散在該樹脂組合物中的復(fù)合 氧化物粒子，所述樹脂組合物含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂和使該交聯(lián)性樹脂形成交聯(lián) 結(jié)構(gòu)的固化劑。(2)上述(1)所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述樹脂組合物和所述復(fù)合 氧化物粒子的折射率差為士0.06范圍內(nèi)。(3)上述(1)或(2)所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合氧化物粒子 由折射率為1.5 1.7且包含2種以上金屬元素的復(fù)合氧化物構(gòu)成。(4)上述(1) (3)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合 氧化物粒子是由含有選自鋁和鎂中的至少一種金屬元素以及該金屬元素以外的金屬元素或準(zhǔn)金屬元素的氧化物所構(gòu)成的粒子。(5)上述(4)所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述準(zhǔn)金屬元素為硅元素和 /或硼元素。(6)上述(1) (5)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合 氧化物粒子為比重4以下的由復(fù)合氧化物所構(gòu)成的粒子。(7) 一種電路部件連接用粘接劑，其介于具有突出的連接端子的半導(dǎo)體芯片和形 成有配線圖案的基板之間，通過加壓、加熱，電連接相對的所述連接端子和所述配線圖 案的同時粘接所述半導(dǎo)體芯片和所述基板；所述電路部件連接用粘接劑包括樹脂組合物和分散在該樹脂組合物中的含有 堇青石粒子的復(fù)合氧化物粒子，所述樹脂組合物含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂和使該交 聯(lián)性樹脂形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的固化劑。(8)上述(1) (7)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合 氧化物粒子為平均粒徑3 μ m以下的復(fù)合氧化物粒子。(9)上述⑴ ⑶的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，相對于所 述樹脂組合物100重量份含有25 200重量份所述復(fù)合氧化物粒子。(10)上述(1) (9)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述電路 部件連接用粘接劑在未固化時的可見光平行透射率為15 100%。(11)上述(1) (10)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述 電路部件連接用粘接劑在180°C加熱20秒鐘后以差示掃描量熱計(Differential Scanning Calorimeter, DSC)測定的反應(yīng)率為80%以上。(12)上述(1) (11)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述電 路部件連接用粘接劑固化后在40°C 100°C的線膨脹系數(shù)為70X10_6/°C以下。(13)上述(1) (12)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述熱 塑性樹脂為重均分子量100萬以下、玻璃化溫度(Tg) 40°C以下且在側(cè)鏈具有與所述交聯(lián) 性樹脂反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚性樹脂，所述交聯(lián)性樹脂為環(huán)氧樹脂，所述固化劑為微囊型 固化劑。(14)上述(1) (13)的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，分散有 平均粒徑3 5 μ m的導(dǎo)電粒子。(15) 一種半導(dǎo)體裝置，其具備上述(1) (14)的任意一項所述的電路部件連接 用粘接劑電連接具有連接端子的半導(dǎo)體芯片和形成有配線圖案的基板而成的電子部件。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供在未固化狀態(tài)下對晶片的密合性優(yōu)異且附于晶片的定位 標(biāo)識的識別性高，在固化后芯片和基板的粘接性以及連接可靠性優(yōu)異的電路部件連接用 粘接劑及使用該粘接劑的半導(dǎo)體裝置。即，提供滿足下述特性的優(yōu)化的電路部件連接用 粘接劑、其中分散有導(dǎo)電粒子的電路部件連接用各向異性導(dǎo)電粘接劑以及使用它們的半 導(dǎo)體裝置通過對晶片的密合性和對切割膠帶的密合性的優(yōu)化而兼顧切割時的剝離抑制 和切割后的簡便剝離性，抑制毛刺、裂紋等的產(chǎn)生而進(jìn)行切割所需的未固化時的膜的高 彈性化，能夠以高精度將切割后的粘接劑芯片與電路基板對準(zhǔn)的樹脂的定位標(biāo)識的識別 性，在芯片安裝時能夠以低溫且短時間固化的高反應(yīng)性，填料高填充引起的低熱膨脹化下的高連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明的電路部件連接用粘接劑，作為可以對應(yīng)窄間距化和窄間隙化的前 置的底部填充法，切割時沒有污染，并且在切割后可以簡便地從切割膠帶剝離而得到帶 粘接劑的半導(dǎo)體芯片。進(jìn)而，可以兼顧實現(xiàn)帶粘接劑芯片的高精度的位置對準(zhǔn)的透明性 以及低熱膨脹系數(shù)化引起的高連接可靠性。


圖1為第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑的截面圖。圖2為第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑的截面圖。圖3為表示具有突出的連接端子的半導(dǎo)體芯片的截面圖。圖4為表示形成有配線圖案的基板的截面圖。圖5為表示用第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接并粘接半導(dǎo)體 芯片和基板而成的電子部件的截面圖。圖6為表示用第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接并粘接半導(dǎo)體 芯片和基板而成的電子部件的截面圖。圖7為表示用第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接并粘接半導(dǎo)體 芯片和基板而成的電子部件的截面圖。圖8為表示圖5所示的電子部件的制造工藝的一個方式的截面圖；(a)為表示半 導(dǎo)體芯片層疊有第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑的層疊體的截面圖，(b)為表 示基板的截面圖。圖9為表示圖6或圖7所示的電子部件的制造工藝的一種方式的截面圖。(a)為 表示半導(dǎo)體芯片層疊有第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑的層疊體的截面圖， (b)為表示基板的截面圖。圖10為表示具有用第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接半導(dǎo)體芯 片和基板而成的電子部件的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖11為表示電路部件連接用粘接劑的透過性的圖。符號說明1…第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑、2…第二實施方式涉及的電路 部件連接用粘接劑、3…半導(dǎo)體芯片、4…基板、5…電子部件搭載基板、10…粘接劑、 12…導(dǎo)電粒子、20…半導(dǎo)體部件、22，42…連接端子、30，40…絕緣基板、32…配線圖 案、34…焊球
具體實施例方式下面參照

優(yōu)選的實施方式。這里，附圖的說明中同一要素賦予同一符 號，省略重復(fù)的說明。另外，為了容易理解對附圖的部分結(jié)構(gòu)夸大描述，尺寸比率不一 定與說明的情況一致。圖1為本發(fā)明的第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑的截面圖，圖2為本 發(fā)明的第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑的截面圖。圖1所示的第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑1為膜狀粘接劑，由粘接劑10構(gòu)成，該粘接劑10包括含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂和固化劑的樹脂組合物以及分 散在該樹脂組合物中的復(fù)合氧化物粒子。圖2所示的第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑2為膜狀粘接劑，由粘接 劑10和分散在該粘接劑10中的平均粒徑為3 5 μ m的導(dǎo)電粒子12構(gòu)成，所述粘接劑 10包括含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂和固化劑的樹脂組合物以及分散在該樹脂組合物中 的復(fù)合氧化物粒子。圖3為表示由本發(fā)明的電路部件連接用粘接劑接合的、具有突出的連接端子的 半導(dǎo)體芯片的截面圖。圖3所示的半導(dǎo)體芯片3具有半導(dǎo)體部件20和在其主面突出形成 的連接端子22。圖4為表示由本發(fā)明的電路部件連接用粘接劑接合的、形成有配線圖案的基板 的截面圖。圖4所示的基板4具有絕緣基板30和在其主面形成的配線圖案(電極)32。圖5為表示用第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接并粘接半導(dǎo)體 芯片和基板而成的電子部件的截面圖。就圖5所示的電子部件來說，具有半導(dǎo)體部件20 和連接端子22的半導(dǎo)體芯片3與具有絕緣基板30和配線圖案32的基板4以連接端子22 和配線圖案32相對的方式配置，通過由粘接劑10構(gòu)成的第一實施方式涉及的電路部件連 接用粘接劑1，半導(dǎo)體芯片3和基板4被粘接，同時實現(xiàn)連接端子22和配線圖案32的接 觸，兩者被電連接。圖6為表示用第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接并粘接半導(dǎo)體 芯片和基板而成的電子部件的截面圖。就圖6所示的電子部件來說，具有半導(dǎo)體部件20 和連接端子22的半導(dǎo)體芯片3與具有絕緣基板30和配線圖案32的基板4以連接端子22 和配線圖案32相對的方式配置，通過由粘接劑10和導(dǎo)電粒子12構(gòu)成的第二實施方式涉 及的電路部件連接用粘接劑2，半導(dǎo)體芯片3和基板4被粘接，同時實現(xiàn)連接端子22和配 線圖案32的接觸，兩者被電連接。另外，導(dǎo)電粒子12存在于連接端子22間或者配線圖 案32間不短路的位置。圖7為表示用第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接并粘接半導(dǎo)體 芯片和基板而成的電子部件的截面圖，表示與圖6所示的電子部件不同的情況。就圖7 所示的電子部件來說，具有半導(dǎo)體部件20和連接端子22的半導(dǎo)體芯片3與具有絕緣基板 30和配線圖案32的基板4以連接端子22和配線圖案32相對的方式配置，通過由粘接劑 10和導(dǎo)電粒子12構(gòu)成的第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑2，半導(dǎo)體芯片3和 基板4被粘接，同時介由導(dǎo)電粒子12實現(xiàn)連接端子22和配線圖案32的接觸，兩者被電 連接。另外，不參與電連接的導(dǎo)電粒子12存在于連接端子22間或者配線圖案32間不短 路的位置。圖8為表示圖5所示的電子部件的制造工藝的一個方式的截面圖。圖8(a)為表 示在具有半導(dǎo)體部件20和連接端子22的半導(dǎo)體芯片3的連接端子22側(cè)層疊有由粘接劑 10構(gòu)成的第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑1的層疊體的截面圖，圖8(b)為表 示具有絕緣基板30和配線圖案32的基板4的截面圖。如圖8所示，通過以連接端子22 和配線圖案32相對的方式壓合圖8(a)的層疊體和圖8(b)的基板，在加壓狀態(tài)加熱電路 部件連接用粘接劑1，從而可以得到圖5所示的電子部件。圖9為表示圖6或圖7所示的電子部件的制造工藝的一個方式的截面圖。圖9 (a)為表示在具有半導(dǎo)體部件20和連接端子22的半導(dǎo)體芯片3的連接端子22側(cè)層疊有由粘 接劑10和導(dǎo)電粒子12構(gòu)成的第二實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑2的層疊體的截 面圖，圖9(b)為表示具有絕緣基板30和配線圖案32的基板4的截面圖。如圖9所示， 通過以連接端子22和配線圖案32相對的方式壓合圖9 (a)的層疊體和圖9(b)的基板，在 加壓狀態(tài)加熱電路部件連接用粘接劑2，從而可以得到圖6或7所示的電子部件。圖10為表示用第一實施方式涉及的電路部件連接用粘接劑電連接具有半導(dǎo)體芯 片和基板而成的電子部件的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖10所示的半導(dǎo)體裝置由電子部件和 搭載該部件的電子部件搭載基板構(gòu)成。構(gòu)成圖10的半導(dǎo)體裝置的電子部件中，具有半導(dǎo) 體部件20和連接端子22的半導(dǎo)體芯片3與在絕緣基板30的一個面具有配線圖案32、在 另一個面具有焊球34的基板4以連接端子22和配線圖案32相對的方式來配置，通過由 粘接劑10構(gòu)成的第一實施方式的電路部件連接用粘接劑1，半導(dǎo)體芯片3和基板4被粘 接，同時實現(xiàn)連接端子22和配線圖案32的接觸，兩者被電連接。另外，配線圖案32和 焊球34通過形成在絕緣基板30中的導(dǎo)孔(未圖示)實現(xiàn)導(dǎo)通。并且，圖10所示的半導(dǎo) 體裝置如下形成通過焊球34位于電子部件搭載基板5的連接端子42上的方式配置上述 的電子部件和在絕緣基板40形成有連接端子42的電子部件搭載基板5，使其電連接。本發(fā)明中半導(dǎo)體芯片3中使用的連接端子22可以采用利用金線形成的金制柱狀 凸塊，通過熱壓、超聲波并用熱壓機(jī)將金屬球固定于半導(dǎo)體芯片的電極而形成的連接端 子以及通過鍍敷、蒸鍍形成的連接端子。突出的連接端子22不必一定由單一金屬構(gòu)成，也可以含有金、銀、銅、鎳、 銦、鈀、錫、鉍等多種金屬成分，也可以是層疊這些金屬的金屬層而成的形態(tài)。并且， 具有突出的連接端子22的半導(dǎo)體芯片3也可以是具有突出的連接端子的半導(dǎo)體晶片的狀 態(tài)。為了半導(dǎo)體芯片3的突出的連接端子22與形成有配線圖案32的基板4相對來 配置，半導(dǎo)體芯片3優(yōu)選在與突出的連接端子22相同的面上具有位置對準(zhǔn)標(biāo)識(定位標(biāo) 識)。形成有配線圖案32的電路基板4所使用的電路基板可以是通常的電路基板，也可 以是半導(dǎo)體芯片。電路基板的情形中，配線圖案32，可以形成在將環(huán)氧樹脂、具有苯并三嗪骨架 的樹脂浸透玻璃布或無紡布而形成的絕緣基板30上或者具有裝配層的基板上，也可以通 過蝕刻除去形成在聚酰亞胺、玻璃、陶瓷等絕緣基板30表面的銅等的金屬層的多余部分 來形成，或者還可以對絕緣基板30表面進(jìn)行鍍敷、蒸鍍等來形成。配線圖案32不必一定由單一金屬構(gòu)成，也可以含有金、銀、銅、鎳、銦、鈀、 錫、鉍等多種金屬成分，也可以是這些金屬的金屬層被層疊的形態(tài)。進(jìn)而，基板為半導(dǎo) 體芯片的情況下，配線圖案32通常由鋁構(gòu)成，但也可以在其表面形成金、銀、銅、鎳、 銦、鈀、錫、鉍等的金屬層。在半導(dǎo)體芯片的具有突出連接端子的面粘貼有電路部件連接用粘接劑的狀態(tài)可 以如下得到將按照芯片化前具有突出的連接端子的半導(dǎo)體晶片、配置在半導(dǎo)體晶片的 突出的連接端子面的電路部件連接用粘接劑、在電路部件連接用粘接劑側(cè)配置有粘著層 的切割膠帶的順序?qū)盈B而成的層疊體通過切割切成單片，從切割膠帶剝離單片化的帶電 路部件連接用粘接劑的半導(dǎo)體芯片。在半導(dǎo)體芯片的具有突出連接端子的面粘貼有電路部件連接用粘接劑的狀態(tài)還可以如下得到在芯片化前具有突出的連接端子的半導(dǎo)體晶 片的連接端子面配置電路部件連接用粘接劑，按照使粘著層接觸上述半導(dǎo)體晶片的沒有 配置電路部件連接用粘接劑的面的方式來配置切割膠帶得到層疊體，通過切割將該層疊 體切成單片，從切割膠帶剝離單片化的帶電路部件連接用粘接劑的半導(dǎo)體芯片。在條形基材上涂布有粘著材料的切割膠帶可以適用市售的切割膠帶。通過UV 紫外線照射進(jìn)行粘著層的固化、粘著力減小而且容易剝離層疊在粘著面的被粘著體這樣 的放射線反應(yīng)型的切割膠帶可以適用市售品。電路部件連接用粘接劑來說，粘貼在半導(dǎo)體芯片的具有突出連接端子的面的狀 態(tài)中，優(yōu)選透過電路部件連接用粘接劑可以識別形成在芯片的電路面上的位置對準(zhǔn)標(biāo) 識。位置對準(zhǔn)標(biāo)識可以用通常的搭載在倒裝片接合機(jī)是的芯片識別用裝置來進(jìn)行識別。該識別裝置通常由具有鹵燈的鹵光源、光波導(dǎo)、照射裝置及CCD照相機(jī)構(gòu)成。 關(guān)于由CCD照相機(jī)獲取的圖像，通過圖像處理裝置判斷與事先存儲的對準(zhǔn)用圖像圖案的 一致性，進(jìn)行位置對準(zhǔn)作業(yè)。本發(fā)明中所說的能夠識別位置對準(zhǔn)標(biāo)識，是指使用倒裝片接合機(jī)的芯片識別用 裝置獲取的位置對準(zhǔn)標(biāo)識的圖像與存儲的位置對準(zhǔn)標(biāo)識的圖像的一致性良好，能夠進(jìn)行 位置對準(zhǔn)作業(yè)。例如使用愛立發(fā)株式會社制造的商品名倒裝片接合機(jī)CB-1050的設(shè)備，在具有 突出連接端子的面粘貼有電路部件連接用粘接劑的層疊體的與連接端子面相反的面吸引 層疊體至倒裝片接合機(jī)的吸附管口后，由裝置內(nèi)的識別裝置透過粘接劑層對形成在半導(dǎo) 體芯片表面的識別標(biāo)識進(jìn)行拍攝，與事先存儲在圖像處理裝置的半導(dǎo)體芯片的識別標(biāo)識 一致而能夠?qū)?zhǔn)的情況可以選擇作為可識別的電路部件連接用粘接劑，不能對準(zhǔn)的情況 可以選擇作為不可識別的電路部件連接用粘接劑。電路部件連接用粘接劑未固化時的平行透射率優(yōu)選為15 100%，更優(yōu)選為 18 100%，進(jìn)一步優(yōu)選為25 100%。平行透射率小于15%時，會有不能利用倒裝片 接合機(jī)進(jìn)行識別標(biāo)識的識別，不能進(jìn)行位置對準(zhǔn)作業(yè)的傾向。平行透射率可以使用日本電色株式會社制造的濁度計、商品名NDH2000，利用 積分球式光電光度法進(jìn)行測定。例如將膜厚50 μ m的帝人杜邦薄膜株式會社制造的PET 膜(Purex、全光線透過率90.45、濁度4.47)作為基準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行校正后，在PET基材上涂 布厚度25 μ m的電路連接用粘接劑，對其進(jìn)行測定。由測定結(jié)果可以求出濁度、全光線 透過率、擴(kuò)散透過率及平行透射率?？梢姽馔高^率可以由株式會社日立制作所制造的商品名U-3310型分光光度計 進(jìn)行測定。例如可以將膜厚50 μ m的帝人杜邦薄膜株式會社制造的PET膜(Purex、 555nm、透過率86.03作為基準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行基線校正測定后，在PET基材上涂布厚度 25 μ m的電路連接用粘接劑，測定400nm SOOnm的可見光區(qū)域的透過率。就倒裝片接 合機(jī)中使用的鹵光源和光波導(dǎo)的波長相對強(qiáng)度來說，550nm 600nm最強(qiáng)，因而本發(fā)明 中可以取555nm的透過率進(jìn)行透過率的比較。就電路部件連接用粘接劑來說，在180°C加熱20秒鐘后由DSC測定的反應(yīng)率優(yōu) 選為80%以上。反應(yīng)率更優(yōu)選為84%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為86%以上。這里，反應(yīng)率例 如可以通過下述方法測定。首先，在鋁制測定容器中稱量2 IOmg反應(yīng)前的電路部件連接用粘接劑，使用DSC以20°C/分鐘的升溫速度從30°C至300°C進(jìn)行放熱量測定，求 出初期放熱量。接著，使用熱壓裝置的加熱頭在180°C加熱電路部件連接用粘接劑20秒 鐘，得到加熱后的電路部件連接用粘接劑。取2 IOmg該電路部件連接用粘接劑，在與 上述同樣的條件下由DSC進(jìn)行放熱量測定，將其設(shè)為加熱后放熱量。于是，通過下述式 由得到的放熱量算出反應(yīng)率(％ )。(初期放熱量_加熱后放熱量)/ (初期放熱量)X 100電路部件連接用粘接劑優(yōu)選UV照射后對切割膠帶的粘接力為ΙΟΝ/m以下，且 對半導(dǎo)體晶片的粘接力為70N/m以上。UV照射后對切割膠帶的粘接力大于ΙΟΝ/m時， 切割后從切割膠帶剝離單片化的帶電路部件連接用粘接劑的半導(dǎo)體芯片的作業(yè)中往往會 發(fā)生芯片破壞、粘接劑層變形。另一方面，對半導(dǎo)體晶片的粘接力小于70N/m時，由 于切割時刀片的旋轉(zhuǎn)切削引起的沖擊和水壓的影響，在芯片和粘接劑界面往往會發(fā)生剝 罔。電路部件連接用粘接劑與UV照射后的切割膠帶的粘接力例如可以由下述方法測 定。首先，通過加熱溫度設(shè)定為80°C的層壓機(jī)將電路部件連接用粘接劑層壓于晶片后， 使UV照射前的切割膠帶的粘著面接觸電路部件連接用粘接劑并在40°C進(jìn)行層壓，然后 在切割膠帶側(cè)以15mW進(jìn)行300mJ左右的UV照射。接著，對UV照射后的切割膠帶切 入IOmm寬度的切口，準(zhǔn)備拉伸測定用的短條。隨后，將晶片按壓在工作臺上，將制成短條的切割膠帶的一端固定在拉伸測定 機(jī)的拉伸夾具上，剝離電路部件連接用粘接劑和UV照射后的切割膠帶，進(jìn)行90°剝離 試驗。通過該測定可以測定電路部件連接用粘接劑和UV照射后的切割膠帶的粘接力。電路部件連接用粘接劑和半導(dǎo)體晶片的粘接力例如可以由下述方法測定。首 先，通過加熱溫度設(shè)定為80°C的層壓機(jī)將電路部件連接用粘接劑層壓于晶片后，使粘著 面朝向電路部件連接用粘接劑粘貼KAPTON (注冊商標(biāo))膠帶(日東電工株式會社制造、 寬度10mm、厚度25 μ m)而充分密合，然后對粘接了 KAPTON (注冊商標(biāo))膠帶的電路 部件連接用粘接劑切入IOmm寬度的切口。將加工好的電路部件連接用粘接劑和KAPTON(注冊商標(biāo))膠帶的層疊體的一端 從晶片剝離，固定于拉伸測定機(jī)的拉伸夾具。將晶片按壓在工作臺上，提拉短條，將電 路部件連接用粘接劑從晶片剝離，進(jìn)行90°剝離試驗。通過該測定可以測定電路部件連 接用粘接劑和半導(dǎo)體晶片的粘接力。就電路部件連接用粘接劑來說，連接后為了抑制半導(dǎo)體芯片和電路基板連接后 的溫度變化、加熱吸濕引起的膨脹等，實現(xiàn)高連接可靠性，固化后在40 100°C的線膨 脹系數(shù)優(yōu)選為70X10_6/°C以下，更優(yōu)選為60X10_7°C以下，進(jìn)一步優(yōu)選為55X10_6/°C以 下，特別優(yōu)選為50X10_6/°C以下。固化后的線膨脹系數(shù)大于70X10_6/°C時，由于安裝后 的溫度變化和加熱吸濕引起的膨脹，在半導(dǎo)體芯片的連接端子和電路基板的配線間往往 不能保持電連接。電路部件連接用粘接劑包括粘接樹脂組合物和復(fù)合氧化物粒子，粘接樹脂組合 物的平行透射率優(yōu)選為15%以上，更優(yōu)選為30%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40%以上。如果 平行透射率為40%以上，則即使高填充了復(fù)合氧化物粒子的情況也能夠滿足規(guī)定的透過 率，因此優(yōu)選。如果粘接樹脂組合物的平行透射率小于15%，則即使在不添加復(fù)合氧化物粒子的狀態(tài)下，也往往不能由倒裝片接合機(jī)進(jìn)行識別標(biāo)識的識別，不能進(jìn)行位置對準(zhǔn) 作業(yè)。本發(fā)明中使用的復(fù)合氧化物粒子的折射率優(yōu)選為1.5 1.7，更優(yōu)選為1.53 1.65。如果復(fù)合氧化物粒子的折射率小于1.5，配合于粘接樹脂組合物中時與樹脂組合物 的折射差變大，因而光透過電路部件連接用粘接劑的內(nèi)部時會發(fā)生散射，不能進(jìn)行位置 對準(zhǔn)。另一方面，折射率大于1.7的情況，同樣與樹脂的折射率差變大，從而往往會發(fā) 生散射而不能對準(zhǔn)位置。折射率可以使用阿貝折射計以鈉D線(589nm)作為光源進(jìn)行測 定。本發(fā)明中使用的復(fù)合氧化物粒子優(yōu)選平均粒徑為15μιη以下且最大粒徑為 40 μ m以下的粒子；平均粒徑更優(yōu)選為5 μ m以下，平均粒徑進(jìn)一步優(yōu)選為3 μ m以下。 復(fù)合氧化物粒子特別優(yōu)選平均粒徑為3 μ m以下且最大粒徑為20 μ m以下的粒子；進(jìn)一 步特別優(yōu)選平均粒徑為3 μ m以下且最大粒徑為5 μ m以下的粒子。平均粒徑大于15 μ m 時，復(fù)合氧化物粒子嚙入芯片的凸塊(連接端子)和電路基板(形成有配線圖案的基 板)的電極之間，特別是低壓安裝的情況下或凸塊的材質(zhì)為鎳等硬質(zhì)的情況下變得無法 埋入，從而妨礙電連接，是不優(yōu)選的。另外，最大粒徑大于40 μ m時，可能變得比芯片 和基板的間隙還大，往往會成為在安裝時由于加壓而損壞芯片的電路或基板的電路的原 因。另外，本發(fā)明中使用的復(fù)合氧化物粒子的比重優(yōu)選為4以下，更優(yōu)選為2 4， 進(jìn)一步優(yōu)選為2 3.2。比重大于4時，添加到粘接樹脂組合物的清漆中時，由于比重差 大，會成為在清漆中發(fā)生沉降的原因，往往得不到復(fù)合氧化物粒子均勻分散的電路部件 連接用粘接劑。另外，本發(fā)明中使用的復(fù)合氧化物粒子與粘接樹脂組合物的折射率差優(yōu)選為 士0.06以內(nèi)，更優(yōu)選為士0.02以內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選為士0.01以內(nèi)。折射率差超過士0.06 時，添加到粘接樹脂組合物中會減小透過率，會有在粘貼于半導(dǎo)體芯片的具有突出連接 端子的面的狀態(tài)下不能透過電路部件連接用粘接劑來識別在芯片的電路面形成的位置對 準(zhǔn)標(biāo)識的情況。作為這樣的復(fù)合氧化物，折射率為1.5 1.7、與粘接樹脂組合物的折射率差 為士0.06以內(nèi)的復(fù)合氧化物是特別良好的；作為這樣的復(fù)合氧化物可舉出例如包含鋅、 鋁、銻、鐿、釔、銦、鉺、鋨、鎘、鈣、鉀、銀、鉻、鈷、釤、鏑、鋯、錫、鈰、鎢、 鍶、鉭、鈦、鐵、銅、鈉、鈮、鎳、釩、鉿、鈀、鋇、鉍、鐠、鈹、鎂、錳、鉬、銪、
鑭、磷、镥、釕、銠、硼等金屬元素的氧化物。這些物質(zhì)也可以混合使用。復(fù)合氧化物優(yōu)選為包含2種以上金屬作為原料、且具有與原料金屬單獨形成氧 化物時的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的化合物。特別優(yōu)選為由在原料中包含選自鋁、鎂或鈦中的至 少一種金屬元素以及2種以上其他元素的氧化物的化合物構(gòu)成的復(fù)合氧化物粒子。作為 這種復(fù)合氧化物可舉出硼酸鋁、堇青石、鎂橄欖石、莫來石等。復(fù)合氧化物也可以是 鋁、硅的復(fù)合氧化物中鎂這樣的金屬被元素置換的化合物。另外，本發(fā)明中硅元素、硼 元素這樣的準(zhǔn)金屬元素(半金屬)也用作構(gòu)成復(fù)合氧化物的金屬。復(fù)合氧化物粒子的線膨脹系數(shù)，在0 700°C以下的溫度范圍優(yōu)選為7 X 10_6/V 以下，更優(yōu)選為3X10_6/°C以下。熱膨脹系數(shù)大于7X10_6/°C時，為了降低電路部件連接用粘接劑的熱膨脹系數(shù)有時需要大量添加復(fù)合氧化物粒子。從折射率可以微調(diào)節(jié)和低線膨脹的角度考慮，復(fù)合氧化物進(jìn)一步優(yōu)選為堇青 石。堇青石為通常由MgO · Al2O3 · SiO2構(gòu)成的組成所表示的化合物，折射率為1.54。 Mg0/Al203/Si02&比例為2/2/5，通過稍微改變該比例可以微調(diào)節(jié)折射率。另外，結(jié)晶 時的線膨脹系數(shù)顯示為2X10_6/°C以下。包含在電路部件連接用粘接劑中的復(fù)合氧化物 粒子優(yōu)選含有堇青石粒子。復(fù)合氧化物粒子可以僅由堇青石粒子構(gòu)成，也可以含有堇青 石粒子以外的復(fù)合氧化物粒子。后者的情況下，以復(fù)合氧化物粒子總量為基準(zhǔn)，堇青石 粒子的含量優(yōu)選為50重量％以上，更優(yōu)選為70重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90重量％以 上。在電路部件連接用粘接劑中，相對樹脂組合物100重量份，復(fù)合氧化物粒子的 含量優(yōu)選為25 200重量份。該含量更優(yōu)選為25 150重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為50 150 重量份，特別優(yōu)選為75 125重量份。如果復(fù)合氧化物粒子的配合量小于25重量份， 有時會導(dǎo)致電路部件連接用粘接劑的線膨脹系數(shù)的增大和彈性模量的降低，此時壓合后 半導(dǎo)體芯片和基板的連接可靠性會降低。另一方面，如果復(fù)合氧化物粒子的配合量大于 200重量份，由于電路部件連接用粘接劑的熔融粘度增加，半導(dǎo)體的突出電極和基板的電 路有時難以充分地連接。電路部件連接用粘接劑含有樹脂組合物和分散在該樹脂組合物中的復(fù)合氧化物 粒子，樹脂組合物含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂及可使該樹脂形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的固化劑。 在不妨礙本發(fā)明效果的程度，樹脂組合物或電路部件連接用粘接劑也可以含有其他添加 劑(填料、增塑劑、著色劑、交聯(lián)助劑等)。另外，樹脂組合物也可以僅由熱塑性樹脂、 交聯(lián)性樹脂及可使該樹脂形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的固化劑構(gòu)成，電路部件連接用粘接劑也可以僅 由樹脂組合物和分散在該樹脂組合物中的復(fù)合氧化物粒子構(gòu)成。作為樹脂組合物含有的熱塑性樹脂，可舉出聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)、乙烯 系共聚物(乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯共 聚物等)、苯乙烯系嵌段共聚物、丙烯酸系聚合物(指具有(甲基)丙烯酰基的單體的聚 合物)、丙烯酸系共聚物(指包含具有(甲基)丙烯?；膯误w作為共聚單體的共聚物)、 苯氧基樹脂，優(yōu)選丙烯酸系聚合物、丙烯酸系共聚物或苯氧基樹脂。熱塑性樹脂的重均 分子量優(yōu)選為100萬以下，更優(yōu)選為50萬以下，進(jìn)一步優(yōu)選為30萬以下。另外，熱塑 性樹脂的Tg優(yōu)選為40°C以下，更優(yōu)選為35°C以下。樹脂組合物含有的交聯(lián)性樹脂為通過加熱、光照射等賦予能量在共同使用的固 化劑作用下三維交聯(lián)的樹脂(三維交聯(lián)樹脂)，優(yōu)選具有可通過熱或光與固化劑反應(yīng)的 官能團(tuán)的樹脂。作為這樣的交聯(lián)性樹脂，可舉出環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、三嗪 樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、氰基丙烯酸酯樹脂、酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、蜜 胺樹脂、脲樹脂、聚氨酯樹脂、聚異氰酸酯樹脂、呋喃樹脂、間苯二酚樹脂、二甲苯樹 脂、苯胍胺樹脂、酞酸二烯丙酯樹脂、有機(jī)硅樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、硅氧烷改性 環(huán)氧樹脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸酯樹脂等，這些樹脂可以單獨使用或 者作為2種以上的混合物來使用。使這樣的交聯(lián)性樹脂形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的固化劑可以按照交聯(lián)性樹脂的反應(yīng)性(官 能團(tuán)的種類等)來決定。作為固化劑，可以例示酚系、咪唑系、酰胼系、硫醇系、苯并v惡嗪、三氟化硼-胺絡(luò)合物、锍鹽、胺酰亞胺、多元胺的鹽、雙氰胺、有機(jī)過氧化物系 固化劑。為了延長使用時間，這些固化劑也可以由聚氨酯系、聚酯系的高分子物質(zhì)等被 覆而微囊化。熱塑性樹脂優(yōu)選為重均分子量100萬以下(優(yōu)選50萬以下、更優(yōu)選30萬以下)、 Tg 40°C以下(優(yōu)選35°C以下)且在側(cè)鏈包含至少一處可與交聯(lián)性樹脂反應(yīng)的官能團(tuán)的共 聚性樹脂，固化劑優(yōu)選微囊型固化劑。特別優(yōu)選將這樣的共聚性樹脂和微囊型固化劑并 用。另外，Tg(玻璃化溫度)可以通過JISK7121 “塑料的轉(zhuǎn)變溫度測定方法”規(guī)定的 DSC法來測定。作為重均分子量100萬以下、Tg 40°C以下且在側(cè)鏈包含至少一處可與交聯(lián)性樹 脂反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚性樹脂，優(yōu)選在側(cè)鏈包含環(huán)氧基、羧基、羥基等作為可與交聯(lián)性 樹脂反應(yīng)的官能團(tuán)的丙烯酸系共聚物。特別優(yōu)選使用丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮 水甘油酯等作為丙烯酸系共聚物的原料而得到的含環(huán)氧基丙烯酸系共聚物。作為共聚性樹脂的共聚所用的原料可以使用(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙 烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，或甲基丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙 烯酸糠酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸三甲基 環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸三環(huán)癸酯、四環(huán)十二烷基-3-丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯，苯 乙烯、乙烯基甲苯、聚丙二醇單甲基丙烯酸酯、丙烯酸羥乙酯、丙烯腈、甲基丙烯酸芐 酯、環(huán)己基馬來酰亞胺等。微囊型固化劑是指，以固化劑為核，實質(zhì)上由聚氨酯、聚苯乙烯、明膠、聚異 氰酸酯等高分子物質(zhì)或硅酸鈣、沸石等無機(jī)物以及鎳、銅等的金屬薄膜等被膜覆蓋的物 質(zhì)。微囊型固化劑的平均粒徑優(yōu)選為 ο μ m以下，更優(yōu)選為5 μ m以下。除了微囊型固化劑以外，樹脂組合物還可以包含非微囊型的固化劑。另外，為 了增大粘接強(qiáng)度，樹脂組合物也可以包含偶聯(lián)劑，為了增強(qiáng)成膜性也可以包含聚酯、聚 氨酯、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸系橡膠、聚苯乙 烯、苯氧基樹脂、NBR、SBR、聚酰亞胺、有機(jī)硅改性樹脂(有機(jī)硅改性丙烯酸系樹脂、 有機(jī)硅改性環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅改性聚酰亞胺)等熱塑性樹脂，另外，為了復(fù)合氧化物粒 子的表面改性，還可以包含硅油、聚硅氧烷、有機(jī)硅低聚物、偶聯(lián)劑。電路部件連接用粘接劑也可以通過添加由有機(jī)高分子化合物被覆的粒徑3 5μm的導(dǎo)電粒子和/或金屬的導(dǎo)電粒子而形成各向異性導(dǎo)電粘接劑。由有機(jī)高分子化合 物被覆前的導(dǎo)電粒子為Au、Ag、Ni、Cu、焊錫等金屬粒子或碳等；為了得到充分的儲 存壽命，表層不是Ni、Cu等過渡金屬類，而優(yōu)選Au、Ag、Pt的貴金屬類，更優(yōu)選Au。另外，也可以是由Au等貴金屬類被覆Ni等過渡金屬類的表面而得到的粒子。 進(jìn)而，通過進(jìn)行被覆等對非導(dǎo)電性的玻璃、陶瓷、塑料等形成上述的導(dǎo)通層而使最外層 為貴金屬類的情況或者熱熔融金屬粒子的情況下，由于通過加熱加壓具有變形性，可以 吸收電極高度的偏差，在連接時與電極的接觸面積增加而可靠性提高，因此優(yōu)選。為了 得到良好的電阻，貴金屬類的被覆層的厚度優(yōu)選100埃以上。但是，在Ni等過渡金屬上設(shè)置貴金屬類層的情況下，因為由貴金屬類層的缺損 或在導(dǎo)電粒子的混合分散時產(chǎn)生的貴金屬類層的缺損等引起的氧化還原作用會產(chǎn)生游離自由基，引起保存性降低，因此優(yōu)選300埃以上。如果變厚則其效果會飽和，從而優(yōu)選 最大為lym，但沒有特別限制。這些導(dǎo)電粒子的表面根據(jù)需要由有機(jī)高分子化合物被覆。用于被覆的有機(jī)高分子化合物為水溶性時，被覆作業(yè)性良好，因此優(yōu)選。作 為水溶性高分子，可舉出海藻酸、果膠酸、羧甲基纖維素、瓊脂、凝膠多糖、茁霉多糖 (Pullulan)等多糖類，聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚賴氨酸、聚蘋果酸、聚甲基丙烯酸、聚 甲基丙烯酸銨鹽、聚甲基丙烯酸鈉鹽、聚酰胺酸、聚馬來酸、聚衣康酸、聚富馬酸、聚 (對苯乙烯羧酸)、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸銨 鹽、聚丙烯酸鈉鹽、聚酰胺酸、聚酰胺酸銨鹽、聚酰胺酸鈉鹽及聚乙醛酸等聚羧酸、聚 羧酸酯及其鹽，聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯醛等乙烯基系單體等。這些化合物 可以單獨使用，也可以并用2種以上。被覆的厚度優(yōu)選1 μ m以下，由于導(dǎo)電粒子是排除該被覆來連接端子和連接端子 電連接，因此在加熱、加壓時需要排除與連接端子接觸部分的被覆。相對粘接劑樹脂成 分100體積份，導(dǎo)電粒子在0.1 30體積份的范圍根據(jù)用途區(qū)別使用。為了防止由過剩 的導(dǎo)電粒子引起的鄰接電路的短路等，更優(yōu)選為0.1 10體積份。由具有突出的連接端子的半導(dǎo)體晶片、電路部件連接用粘接劑(或者電路部件 連接用各向異性導(dǎo)電粘接劑)、UV照射固化型的切割膠帶構(gòu)成的層疊體也可以如下得 到通過具有加熱構(gòu)件和加壓輥的裝置或具有加熱構(gòu)件和真空擠壓構(gòu)件的裝置，將半 導(dǎo)體晶片和電路部件連接用粘接劑層壓后，進(jìn)一步通過晶片裝配器等裝置與切割膠帶層 壓。另外，由具有突出的連接端子的半導(dǎo)體晶片、電路部件連接用粘接劑(或者電 路部件連接用各向異性導(dǎo)電粘接劑)、UV照射固化型的切割膠帶構(gòu)成的層疊體可以如下 得到在準(zhǔn)備好層壓電路部件連接用粘接劑和切割膠帶層壓而成的層疊體后，利用具有 加熱構(gòu)件和加壓輥的晶片裝配器或者具有加熱構(gòu)件和真空擠壓構(gòu)件的晶片裝配器層壓在 半導(dǎo)體晶片上。半導(dǎo)體晶片和電路部件連接用粘接劑的層壓或者半導(dǎo)體晶片和電路部件連接用 粘接劑的層疊體的層壓優(yōu)選在電路部件連接用粘接劑發(fā)生軟化的溫度進(jìn)行，例如優(yōu)選加 熱至40 80°C而進(jìn)行，更優(yōu)選加熱至60 80°C而進(jìn)行，進(jìn)一步加熱至70 80°C而進(jìn)行層壓。在低于電路部件連接用粘接劑發(fā)生軟化的溫度進(jìn)行層壓時，半導(dǎo)體晶片的突出 的連接端子向周邊的埋入不足，形成卷入孔隙的狀態(tài)，往往會成為切割時的剝離、拾取 時電路部件連接用粘接劑的變形、位置對準(zhǔn)時識別標(biāo)識識別不良、進(jìn)而孔隙引起的連接 可靠性的降低等的原因。對由半導(dǎo)體晶片、電路部件連接用粘接劑、切割膠帶構(gòu)成的層疊體進(jìn)行切割 時，可以通過使用IR識別相機(jī)透過晶片識別半導(dǎo)體晶片的電路圖案或切割用的位置對準(zhǔn) 標(biāo)識，進(jìn)行劃線的對準(zhǔn)。對于由半導(dǎo)體晶片、電路部件連接用粘接劑、切割膠帶構(gòu)成的層疊體，切割半 導(dǎo)體晶片和電路部件連接用粘接劑的工序可以使用常見的切割機(jī)進(jìn)行。利用切割機(jī)的切 割可以應(yīng)用通常被稱為切割的工序。
切割優(yōu)選以分段切割方式進(jìn)行切割，即第1階段僅切斷晶片，第2階段切斷至第 1階段的切斷溝內(nèi)殘存的晶片和電路部件連接用粘接劑和切割膠帶的界面或者至切割膠帶 的內(nèi)部。由半導(dǎo)體晶片、電路部件連接用粘接劑、切割膠帶構(gòu)成的層疊體的切割也可以 應(yīng)用利用激光的切割。切割后的UV照射工序可以在切割膠帶側(cè)利用常見的曝光機(jī)等以 15 30mW進(jìn)行150 300mJ程度的UV照射來完成。從切割膠帶側(cè)向半導(dǎo)體晶片側(cè)上頂而剝離切割膠帶和粘接劑來得到單片化的帶 粘接劑半導(dǎo)體芯片的工序可以利用能夠從晶片拾取芯片的裝置來實施，可以如下進(jìn)行 以從與半導(dǎo)體芯片被層疊的面相反的面推展切割膠帶的方式來推，在電路部件連接用粘 接劑和UV照射后的切割膠帶的界面進(jìn)行剝離、剝開。帶粘接劑的芯片的吸引工序、位置對準(zhǔn)工序、加熱加壓工序可以用常見的倒裝 片接合機(jī)進(jìn)行。另外，也可以在進(jìn)行了吸引工序、位置對準(zhǔn)工序，并將位置對準(zhǔn)后的半 導(dǎo)體芯片臨時固定于基板后，利用僅進(jìn)行壓合的壓合機(jī)加熱加壓來連接。進(jìn)而，還可以 不僅加熱加壓，還施加超聲波來進(jìn)行連接。實施例下面通過實施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實施例。(實施例1)使用作為交聯(lián)性樹脂的環(huán)氧樹脂NC7000(日本化藥株式會社制造、商品名)15 重量份，作為與該交聯(lián)性樹脂反應(yīng)的固化劑的芳烷基酚樹脂XLC-LL(三井化學(xué)株式會 社制造、商品名)15重量份，作為分子量100萬以下、Tg 40°C以下且在側(cè)鏈包含至少一 處可與交聯(lián)性樹脂反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚性樹脂的含環(huán)氧基丙烯酸系橡膠HTR-860P-3 (日 本長瀨(NagasechemteX)株式會社制造、商品名、重均分子量30萬)20重量份，作為 微囊型固化劑的HX-3941HP(旭化成株式會社制造、商品名)50重量份及硅烷偶聯(lián)劑 SH6040(東麗道康寧公司制造、商品名)，以表1記載的組成溶解在甲苯和醋酸乙酯的混 合溶劑中，得到粘接樹脂組合物的清漆。使用輥涂布器將該清漆的一部分涂布到分隔物膜(PET膜)上后，用70°C的烘箱 干燥10分鐘，在分隔物上得到厚度25 μ m的粘接劑樹脂組合物膜。將該膜設(shè)置在阿貝折 射計(鈉D線)的試樣臺上，剝離分隔物并滴落1滴匹配油(matching oil)，放置折射率 1.74的試樣，測定折射率。其結(jié)果是，粘接劑樹脂組合物的折射率為1.59 (25°C)。另一方面，稱量清漆后，將進(jìn)行過粉碎、為除去大粒徑而進(jìn)行過5 μ m分級處理 得到的平均粒徑Iym的堇青石粒子(2MgO · 2A1203 · 5Si02、比重2.4、線膨脹系數(shù) 1.5X 10-6/°C,折射率1.54)以表1記載的組成混合，攪拌而分散后，使用輥涂布器涂布在 分隔物膜(PET膜)上，然后用70°C的烘箱干燥10分鐘，在分隔物上得到厚度25 μ m的 透過性確認(rèn)用膜。得到的透過性確認(rèn)用膜如圖11所示，可以透過并識別背側(cè)的圖像。
另外，除了上述制作以外，稱量清漆后，將進(jìn)行過粉碎、為除去大粒徑而進(jìn)行 過5ym分級處理得到的平均粒徑Iym的堇青石粒子(2MgO · 2A1203 · 5Si02、比重 2.4、線膨脹系數(shù)1.5X10_6/°C、折射率1.54)以表1記載的組成混合，攪拌而分散后，使 用輥涂布器涂布在分隔物膜(PET膜)上后，用70°C的烘箱干燥10分鐘，在分隔物上得 到厚度20 μ m的電路部件連接用粘接劑的絕緣性粘接劑層。
(實施例2 4)與實施例1同樣地以表1記載的組成、經(jīng)過與實施例1同樣的工藝而制作粘接樹 脂組合物的清漆后，制作透過性確認(rèn)用膜，同時得到電路部件連接用粘接劑的絕緣性粘 接劑層。(實施例5)
與實施例1 4同樣地以表1記載的組成、經(jīng)過與實施例1同樣的工藝而得到粘 接樹脂組合物的清漆。除了在該清漆中使用硼酸鋁(9Α1203 · 2B203、四國化成工業(yè)株式 會社制造、比重3.0、線膨脹系數(shù)2.6X10_6/°C、折射率1.62)以外，經(jīng)過與實施例1同樣 的工藝制作透過性確認(rèn)用膜，同時得到電路部件連接用粘接劑的絕緣性粘接劑層。(實施例6)與實施例1同樣地以表1記載的組成、經(jīng)過與實施例1同樣的工藝，加入堇青石 粒子調(diào)節(jié)粘接樹脂組合物的清漆，在分隔物膜上得到厚度45 μ m的電路部件連接用粘接 劑。接著，使凸塊面朝上將帶金線凸塊(經(jīng)過調(diào)平處理、凸塊高度30μιη、184個凸 塊)的芯片(邊長IOmm方形、厚度280 μ m)放置在臨時壓合裝置的工作臺上，使粘接側(cè) 朝向凸塊面將連同分隔物切割成邊長12mm方形的電路部件連接用粘接劑被覆于芯片， 進(jìn)而放置有機(jī)硅制熱傳導(dǎo)性覆蓋膜并以80°C、IMPa粘貼于芯片。粘貼后，將從芯片外形突出部分的樹脂切斷，從粘接劑剝離分隔物而得到帶粘 接劑的芯片。該帶粘接劑的芯片可以由倒裝片接合機(jī)的識別照相機(jī)識別芯片電路面的定 位標(biāo)識。另外，與Ni/Au鍍覆Cu電路印刷基板進(jìn)行位置對準(zhǔn)，接著在180°C、0.98N/凸 塊、20秒鐘的條件下進(jìn)行加熱、加壓，得到半導(dǎo)體裝置。得到的半導(dǎo)體裝置的176個凸 塊連結(jié)鏈(daisy chain)的連接電阻為8.6 Ω，確認(rèn)為良好的連接狀態(tài)。另外，將半導(dǎo)體裝置在30°C、相對濕度60%的槽內(nèi)放置192小時后，進(jìn)行3次 IR回流處理(265°C最大)，沒有發(fā)生芯片剝離或者導(dǎo)通不良。進(jìn)而，將IR回流后的半導(dǎo)體裝置放置在溫度循環(huán)試驗機(jī)(_55°C 30分鐘、室溫5 分鐘、125°C30分鐘)內(nèi)，在槽內(nèi)進(jìn)行連接電阻測定，確認(rèn)經(jīng)過600個循環(huán)后沒有發(fā)生導(dǎo) 通不良。(實施例7)將作為交聯(lián)性樹脂的環(huán)氧樹脂EP1032H60(日本環(huán)氧樹脂株式會社制造、商品 名)、苯氧基樹脂YP50S (東都化成株式會社制造、商品名、重均分子量7萬)、作為微 囊型固化劑的HX-3941HP(旭化成株式會社制造、商品名)及硅烷偶聯(lián)劑SH6040(東麗 道康寧公司制造、商品名)以表1記載的組成混合，并溶解在甲苯和醋酸乙酯的混合溶劑 中，得到粘接樹脂組合物的清漆。將進(jìn)行過粉碎、為除去大粒徑而進(jìn)行過5 μ m分級處理的平均粒徑1 μ m的堇青 石粒子(2MgO ·2Α1203 · 5Si02>比重2.4、線膨脹系數(shù)1.5X 10_7°C、折射率1.54)50重 量份混合、攪拌而分散在該清漆中后，使用輥涂布器涂布在分隔物膜(PET膜)上，然后 用70°C的烘箱干燥10分鐘，得到厚度45 μ m的電路部件連接用粘接劑。接著，與實施例6同樣地粘貼于帶金線凸塊的芯片后，向Au/Ni鍍覆Cu電路印刷基板進(jìn)行連接，得到半導(dǎo)體裝置。得到的半導(dǎo)體裝置的176個凸塊連結(jié)鏈的連接電阻 為8.6 Ω，確認(rèn)為良好的連接狀態(tài)。另外，將半導(dǎo)體裝置在30°C、相對濕度60%的槽內(nèi)放置192小時后，進(jìn)行3次 IR回流處理(265°C最大)，沒有發(fā)生芯片剝離或者導(dǎo)通不良。進(jìn)而，將IR回流后的半導(dǎo)體裝置放置在溫度循環(huán)試驗機(jī)(_55°C 30分鐘、室溫5 分鐘、125°C30分鐘)內(nèi)，在槽內(nèi)進(jìn)行連接電阻測定，確認(rèn)經(jīng)過600個循環(huán)后沒有發(fā)生導(dǎo) 通不良。表 權(quán)利要求
1.一種電路部件連接用粘接劑，其介于具有突出的連接端子的半導(dǎo)體芯片和形成有 配線圖案的基板之間，通過加壓、加熱，電連接相對的所述連接端子和所述配線圖案的 同時粘接所述半導(dǎo)體芯片和所述基板；所述電路部件連接用粘接劑包括樹脂組合物和分散在該樹脂組合物中的復(fù)合氧化物 粒子，所述樹脂組合物含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂和使該交聯(lián)性樹脂形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的 固化劑，所述熱塑性樹脂為重均分子量100萬以下、玻璃化溫度40°C以下且在側(cè)鏈具有與所 述交聯(lián)性樹脂反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚性樹脂，所述交聯(lián)性樹脂為環(huán)氧樹脂，所述固化劑為 微囊型固化劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述樹脂組合物和所述復(fù)合 氧化物粒子的折射率差為士0.06范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合氧化物粒子是 由含有選自鋁和鎂中的至少一種金屬元素以及該金屬元素以外的金屬元素或準(zhǔn)金屬元素 的氧化物所構(gòu)成的粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述準(zhǔn)金屬元素為硅元素和 /或硼元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合氧 化物粒子為比重4以下的由復(fù)合氧化物所構(gòu)成的粒子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述復(fù)合氧 化物粒子為平均粒徑15 μ m以下的復(fù)合氧化物粒子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述電路部 件連接用粘接劑在未固化時的可見光平行透射率為15 100%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述電路部 件連接用粘接劑在180°C加熱20秒鐘后以差示掃描量熱計測定的反應(yīng)率為80%以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，所述電路部 件連接用粘接劑固化后在40°C 100°C的線膨脹系數(shù)為70X10_7°C以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9的任意一項所述的電路部件連接用粘接劑，其中，分散有平 均粒徑3 5 μ m的導(dǎo)電粒子。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其具備用權(quán)利要求1 10的任意一項所述的電路部件連接用粘 接劑電連接具有連接端子的半導(dǎo)體芯片和形成有配線圖案的基板而成的電子部件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路部件連接用粘接劑及使用該粘接劑的半導(dǎo)體裝置。所述粘接劑介于具有突出的連接端子的半導(dǎo)體芯片和形成有配線圖案的基板之間，通過加壓、加熱，電連接相對的所述連接端子和所述配線圖案的同時粘接所述半導(dǎo)體芯片和所述基板；所述電路部件連接用粘接劑包括樹脂組合物和分散在該樹脂組合物中的復(fù)合氧化物粒子，所述樹脂組合物含有熱塑性樹脂、交聯(lián)性樹脂和使該交聯(lián)性樹脂形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的固化劑，所述熱塑性樹脂為重均分子量100萬以下、玻璃化溫度40℃以下且在側(cè)鏈具有與所述交聯(lián)性樹脂反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚性樹脂，所述交聯(lián)性樹脂為環(huán)氧樹脂，所述固化劑為微囊型固化劑。
文檔編號C09J163/00GK102010679SQ20101054871
公開日2011年4月13日 申請日期2008年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月10日
發(fā)明者永井朗 申請人:日立化成工業(yè)株式會社