專利名稱：：有機光電裝置和其中所用的材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種有機光電裝置和其中所用的材料。更具體地，本發(fā)明涉及具有高效率和低驅(qū)動電壓且可以使生產(chǎn)成本節(jié)約的簡化結(jié)構(gòu)制備的有機光電裝置，以及其中所用的材料。
背景技術(shù)：
：有機光電裝置是一種需要通過使用空穴或電子進行電極和有機材料間電荷交換的裝置。例如，有機光電裝置包括有機發(fā)光二極管(OLED)、有機太陽能電池、有機光導(dǎo)鼓、有機晶體管、有機記憶裝置等，且其需要空穴注入或傳輸材料、電子注入或傳輸材料，或發(fā)光材料。雖然以下說明書中主要描述了有機發(fā)光二極管，^f旦是空穴注入或傳輸材料、電子注入或傳輸材料，和發(fā)光材料在有機光電裝置中作用機理相似。有機發(fā)光二極管是通過向有機材料施加電荷將電能轉(zhuǎn)化為光的裝置，且具有功能性有機材料層插入到陽極和陰極間的結(jié)構(gòu)。其研究開始于20世紀60年代[美國專利31728621965,J.Chem.Phys.3820421963]，且EastmanKodak的C.W.Tang公開了在低電壓下顯示出高亮度發(fā)光的雙層有機發(fā)光二極管。最近有機發(fā)光二極管在顏色、發(fā)光效率和裝置穩(wěn)定性方面已有顯著地改進。這些改進為關(guān)注下一代平板顯示器相同的改進提供了啟示。理論上磷光有機發(fā)光二極管的效率是熒光有機發(fā)光二極管效率(理論效率100%)的五倍，因此預(yù)期將被廣泛使用。通過在固體熒光主體中摻雜5至10摩爾％的磷光摻雜劑材料，磷光有機發(fā)光二極管可以顯示出比熒光有機發(fā)光二極管效率更高的發(fā)光特性和效率特性。此外，外部量子效率可以克服熒光材料相同方面的缺點。圖1是常規(guī)磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖。參照圖1,常規(guī)有機發(fā)光二極管由以下部件依次形成位于基^反110上的陽極120、位于陽極120上并將從陽極120注入的空穴傳輸至發(fā)光層(EML)140的空穴傳輸層(HTL)130(其中發(fā)光層(EML)140位于空穴傳輸層(HTL)130上)、位于發(fā)光層上并防止空穴達到陰極170的空穴阻擋層(HBL)150、位于空穴阻擋層(HBL)150上并將從陰極注入的電子傳輸至發(fā)光層的電子傳輸層(ETL)160和位于電子傳輸層上的陰極170。多層結(jié)構(gòu)具有很多問題，例如因為大量工藝導(dǎo)致高生產(chǎn)成本，又例如有機材料和有機材料間界面數(shù)量大導(dǎo)致驅(qū)動電壓增加。圖2是常規(guī)磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的能量圖。參照圖2，為了捕獲發(fā)光層中的三重激發(fā)態(tài)，磷光有機發(fā)光二極管的發(fā)光層結(jié)構(gòu)包括在發(fā)光層中具有大帶隙的主體有機材料。發(fā)光過程包括以下步驟在熒光主體的單重激發(fā)態(tài)(A)吸收能量，轉(zhuǎn)移至磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)(B)以因發(fā)光而失去能量，和返回基態(tài)。常規(guī)磷光有機發(fā)光二極管中所用的熒光主體在單重激發(fā)態(tài)(A)和三重激發(fā)態(tài)(C)間具有非常大的能量差以將能量轉(zhuǎn)移至磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)(B)，因此引起發(fā)光效率降低的問題。此外，因為熒光主體的高能壘和低電子遷移率導(dǎo)致電子很難注入，所以應(yīng)該包括將電子傳輸至發(fā)光層的電子傳輸層，且應(yīng)該包括空穴阻擋層以防止空穴達到陰極。這引起很多問題，例如生產(chǎn)成本增加，很難實現(xiàn)裝置減重，有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)因電子傳輸層和空穴阻擋層而變得更復(fù)雜，且熒光主體的單重激發(fā)態(tài)(A)和三重激發(fā)態(tài)(C)間能量差大導(dǎo)致發(fā)光效率降低。G(綠色)和B(藍色)發(fā)光層的三色單獨涂覆法，包括形成白色發(fā)光層和使用彩色濾光片彩色濾光片的方法，和包括形成藍色發(fā)光層和使用變色材料以表現(xiàn)綠色和紅色的方法。圖3是根據(jù)三色單獨涂覆法的常規(guī)白色有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖。參照圖3，常規(guī)有機發(fā)光二極管由以下部件依次形成基板110、位于基板上的陽極120、位于陽極120上并將空穴傳輸至發(fā)光層140的空穴傳輸層(HTL)130、位于空穴傳輸層130上的紅色發(fā)光層(REML)141、位于紅色發(fā)光層141上的綠色發(fā)光層(GEML)142、位于綠色發(fā)光層142上的藍色發(fā)光層(BEML)143、位于藍色發(fā)光層143上的空穴阻擋層(HBL)150,以及位于空穴阻擋層150上的電子傳輸層(ETL)160和陰極170。如圖3所示，通過三色單獨涂覆法制備有機發(fā)光二極管(OLED)是形成R、G和B有機層的方法，包括用金屬蔭罩僅在所需像素上蒸鍍選擇的低分子有機材料，但因為蔭罩厚度引起的制備精度和蒸鍍層的不均勻，而在增大顯示器尺寸方面存在局限。當加入發(fā)白光的像素時，通過三色單獨涂覆法制備的面板能改進效率并降低功耗，因此對其的研究正在積極進行。此外，使用白色發(fā)光層和彩色濾光片的方法和變色法正慢慢流行。特別是形成發(fā)白色的層和使用彩色濾光片的方法具有包括由于單個有機層帶來的擴大(enlargement)和高分辨率，以及將TFT的生產(chǎn)裝置或材料用于常規(guī)液晶工業(yè)開發(fā)方法中的優(yōu)點。然而，彩色濾光片的總透過率低至白色材料的1/3，因此需要高效率材料。此外，白色材料壽命不足，因此不利于商業(yè)化。
發(fā)明內(nèi)容為了解決這些問題，本發(fā)明的目的是提供一種有機光電裝置，具有高效率和低驅(qū)動電壓、能以簡化的薄結(jié)構(gòu)制備并降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明的另一個目的是提供一種即使發(fā)光層包括摻雜在主體中的少量磷光摻雜劑，仍表現(xiàn)出高效率和低驅(qū)動電壓的有機光電裝置。本發(fā)明的又一個目的是提供具有新的有效能量轉(zhuǎn)移和電子傳輸特性，且能夠提供有機光電裝置的低分子發(fā)光層結(jié)構(gòu)的主體材料。本發(fā)明的實施方式不限于以上技術(shù)目的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能明白其它技術(shù)目的。為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明的一個實施方式提供一種有機光電裝置，其包括基板、位于所述基板上的陽極、位于所述陽極上的空穴傳輸層(HTL)、位于所述空穴傳輸層(HTL)上的發(fā)光層和位于所述發(fā)光層上的陰極。發(fā)光層包括主體和磷光摻雜劑，且所述主體的還原電勢或氧化電勢和所述磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV。主體的單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差為0.3eV或更低，且優(yōu)選0.2eV或更低。主體是下式1或2所示的有機金屬配位化合物。MLML!L2在上式中，M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中，且L、L,和L2獨立地為配體。L!和L2相同或不同。主體由下式3所示[化學式3]在上式中Aj至A6獨立地為CR4R2(其中Ri和R2獨立地選自由氫、鹵素、腈、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基，和取代或未取代的環(huán)烷基組成的組中，或A至A6的R,和R2中至少一個與A!至A6的至少一個不相鄰的&和R2連接以形成稠環(huán))；Bj至Be獨立地為CR3R4或NR5(其中R3、114和115獨立地為氫、卣素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未耳又代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基，或Bi至B6的R3、R4和Rs中至少一個與Bi至B6的至少一個不相鄰的R3、114和Rs連接以形成稠環(huán))；或A,至Ae的&和R2中至少一個與Bt至B6的R3、R4和R5中至少一個連^接以形成稠環(huán)；p、q和r獨立地為0或1的整凄t;L選自由OR6和OSiR7R8(其中R6、R和Rg獨立地為芳基、烷基取代的芳基、芳胺、環(huán)烷基和雜環(huán))組成的組中；M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中；X是氧或硫；n是金屬化合價；且a和b獨立地為0或l?；诎l(fā)光材料總量(主體和磷光摻雜劑的總和)，磷光摻雜劑的含量為0.5至20重量％。發(fā)光層通過同時沉積或涂覆主體和磷光摻雜劑來形成。有機光電裝置可以進一步包括位于發(fā)光層上的空穴阻擋層或電子傳輸層(ETL)。有機光電裝置可以進一步包括位于發(fā)光層上的空穴阻擋層和位于空穴阻擋層上的電子傳輸層(ETL)。下文將詳細描述本發(fā)明的其它實施方式。下文將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式。然而，這些實施方式僅是示例性，且本發(fā)明不受此限制而是由所附權(quán)利要求書的范圍所限定。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖，且圖5顯示了圖4所示的磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光機理。參照圖4和圖5，根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管通過先后布置基板210、陽極220、空穴傳輸層230、發(fā)光層240和陰極250形成。首先，將陽極220置于基板210上?；?10優(yōu)選為具有優(yōu)異整體透明度、表面平滑度、處理便易和防水的玻璃基板或透明塑料基板?；宓暮穸葍?yōu)選為0.3至1.1mm。優(yōu)選地，陽極220包括具有足以卩足使空穴注入到空穴傳輸層(HTL)中的高功函材料。陽極材料可包括如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、銥、金等金屬，或其合金；金屬氧化物，如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO);金屬和氧化物，如ZnO和Al或Sn02和Sb;導(dǎo)電聚合物，如聚(3-曱基噻吩)、聚[3,4-(亞乙基-l,2-二氧)噻吩](聚亞乙二氧基噻吩PEDT)、聚吡咯(polypyrrol)和聚苯胺，但不限于此。陽極優(yōu)選為ITO(氧化銦錫)透明電極。優(yōu)選地，在清洗形成有陽極220的基板后，進行UV臭氧處理。該清洗方法使用如異丙醇(IPA)、丙酮等有機溶劑。將空穴傳輸層(HTL)230置于陽極220的表面上。用于形成空穴傳輸層230的材料不受限制，但可以至少包括選自由1，3，5-三^唑基苯、4,4'-雙吵哇基4關(guān)苯、聚乙烯基呼哇、間雙咕唑基苯基(m-biscarbazolylphenyl)、4，4'-雙口卡唑基-2,2'-二曱基聯(lián)苯、4，4'，4"-三(N-啼唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-^唑基苯基)苯、1,3，5-三(2-咔唑基-5-曱氧基苯基)苯、雙(4-咔唑基苯基)硅烷、N,N'-雙(3-曱苯基)-N，N'-二苯基-[l，l-聯(lián)苯基]-4,4'二胺(TPD)、N,N'-二(萘-l-基)-N，N'-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD)、N,N'-二苯基-N，N'-雙(l-萘基)-(l,r-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(NPB)、IDE320(由Idemitu生產(chǎn))、聚(9,9-二辛基藥-共-N-(4-丁苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-共-雙-N,N-笨基-l，4-亞苯基二胺(PFB)組成的組中的一種。優(yōu)選地，空穴傳輸層230的厚度為5nm至200nm。當空穴傳輸層(HTL)230的厚度小于5nm，空穴傳輸特性降低；另一方面，當厚度大于200nm時，由于驅(qū)動電壓增加而不為〗尤選。將發(fā)光層240置于空穴傳輸層(HTL)230的表面上。根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管的發(fā)光層240通過同時沉積或涂覆主體有機材料和磷光摻雜劑來形成。用于形成發(fā)光層240的主體材料是有機金屬配位化合物，其主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV,并將在下文中對其詳細iJL明。磷光4參雜劑的實例至少包括選自由Ir、Pt、Tb、Eu、Os、Ti、Zr、Hf和Tm組成的組中的一種，且更具體地它們可以包括雙遙吩基吡咬乙酰丙酮合銥、雙(l-苯基異奮啉)乙酰丙酮合銥(bis(l-phenylisoquinoline)iridiumacetylacetonate)、雙(苯并噻吩基吡啶)乙酰丙酮合銥、雙(2-苯基苯并蓬唑)乙酰丙酮合銥、三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)、三(4-聯(lián)苯基吡啶)銥、三(苯基吡啶)銥、三(l-苯基異喹啉)銥(Ir(piq)3)、雙(2-苯基喹啉)乙酰丙酮合銥(Ir(phq)2acac)(bis(2-phenylquinoline)iridiumacetylacetonate)等，但不卩艮于此。沉積可以通過如蒸鍍、濺射、等離子鍍和離子鍍等方法進行，且涂覆方法可以包括》走涂、浸漬和流涂。優(yōu)選地，發(fā)光層240的厚度范圍可以為10nm至500nm,且更優(yōu)選為30nm至50nm。當發(fā)光層240的厚度小于10nm時，由于泄漏電流增加會降低效率和壽命而不優(yōu)選；當其厚度大于500nm時，驅(qū)動電壓顯著增加。優(yōu)選地，為促進電子注入陰極250具有j氐功函。陰才及材料的具體實例可以包括如《美、4丐、鈉、鉀、鈥、銦、釔、鋰、禮、鋁、4艮、錫、鉛、銫、鋇等金屬或其合金，但它們不限于此?？梢蕴峁┚哂腥鏛iF/Al、Li02/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Ca、CsF/Al、Cs2C03/Al等多層結(jié)構(gòu)的電子注入層(EIL)/陰極。陰極優(yōu)選使用諸如鋁等金屬電極材料。優(yōu)選地，陰極250的厚度范圍為50至300nm。如圖5所示，當在兩個電才及220和250間施加電壓時，空穴通過陽才及220注入，且電子通過陰極250注入。在根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管中，將從陰極250注入的電子直接轉(zhuǎn)移至發(fā)光層240。從空穴傳輸層230轉(zhuǎn)移來的空穴與從陰極250轉(zhuǎn)移來的電子在發(fā)光層240相遇通過再結(jié)合形成激子，且激子的電能轉(zhuǎn)化為光能。發(fā)出與發(fā)光層的能量帶隙對應(yīng)顏色的光。更具體地，發(fā)光層240的材料通過在發(fā)光層240中由注入的空穴和電子形成激子來發(fā)光。當僅使用發(fā)光材料時，其由于激子間的分子間相互作用會引起顏色純度改變和發(fā)光效率降低的問題。因此，其通常使用主體/摻雜劑體系。'主體/摻雜劑體系進行如下當空穴和電子激發(fā)主體時，摻雜劑吸收產(chǎn)生的能量，且再次發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，主體是有機材料，所述有機材料在主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間具有小于0.5eV的差，優(yōu)選0.4eV或更低，且更優(yōu)選0.2eV或更低。當主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV時，有可能實現(xiàn)從主體的單重激發(fā)態(tài)到磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的更有效的能量傳輸。然而，在磷光有機發(fā)光二極管(OLED)中，因為空穴傳輸通常比電子傳輸更快所以很難形成激子，但是根據(jù)本發(fā)明，通過使用其中電子傳輸很快且電子易于注入的有機材料主體，激子可易于形成。上述主體是下式1或2所示的有機金屬配位化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>[化學式2]ML山2在上式中，M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中，且L、L,和L2獨立地為配體。1^和L2相同或不同。更具體地，主體可以是下式3的有機金屬配位化合物。[化學式3]在上式中Aj至A6獨立地為CR^R2(其中R!和R2獨立地選自由氫、卣素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基和取代或未取代的環(huán)烷基組成的組中，或Ai至Ae的R!和R2中至少一個與A!至A6的至少一個不相鄰的Ri和R2連接以形成稠環(huán))；Bj至B6獨立地為CR3R4或NR5(其中R3、114和115獨立地為氫、鹵素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基和取代或未取代的環(huán)烷基，或Bi至B6的R3、114和R5中至少一個與B,至Bs的至少一個不相鄰的R3、R4和R5連"f妻以形成稠環(huán))；或Ai至Ae的Ri和R2中至少一個與B!至Be的R3、R4和R5中至少一個連接以形成稠環(huán)；p、q和r獨立地為0或1的整凄史；L選自由0R6和OSiR7R8組成的組中(其中R6、R和Rs獨立地為芳基、烷基取代的芳基、芳胺、環(huán)烷基或雜環(huán))；M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中；X是氧或好u;n是金屬化合價；且a和b獨立地為0或l。在本說明書中，當未有具體定義時，烷基是指Cl至C30烷基且優(yōu)選Cl至C20烷基，烷氧基是指Cl至C30烷氧基且優(yōu)選Cl至C20烷氧基，芳基是指C6至C50芳基且優(yōu)選C6至C30芳基，環(huán)烷基是指C3至C50環(huán)烷基且優(yōu)選C4至C30環(huán)烷基，卣素是指F、Cl、Br或I，且優(yōu)選F,烯基是指C2至C30烯基且優(yōu)選C2至C20烯基，雜環(huán)是指C2至C30雜環(huán)烷基或C2至C30雜芳基，且氨基是指Cl至C30氨基。在本說明書中，當未有具體定義時，取代的烷基、烷氧基、芳基、環(huán)烷基、烯基、芳胺、雜芳胺或雜環(huán)是指用選自由芳基、雜芳基、烷基、氨基、烷氧基、卣素(F、Cl、Br或I)和硝基組成的組中的至少一個取代基取代。以上式3的具體實例用下式5至36表示。[式6][式7]一/=\_計。、Q。、22<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>在上式5至36中，M才艮據(jù)化合價確定，且選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中。有機金屬配位化合物優(yōu)選具有l(wèi)(T6cm2/Vs或更高的電子遷移率。優(yōu)選選擇滿足以下公式1或2的式1或2所示的金屬(M)和配體(L、"和L2)，使得主體和磷光摻雜劑的還原電勢/氧化電勢之間的差小于0.5eV。26<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>在公式l中，HR是主體的還原電勢，且DR是磷光摻雜劑的還原電勢；在公式2中，H。是主體的氧化電勢，且D。是磷光摻雜劑的氧化電勢。主體優(yōu)選為具有強熒光的焚光主體。優(yōu)選地，主體滿足公式1和2的條件，且主體的焚光量子產(chǎn)率為0.01或更大，且更優(yōu)選0.1或更大。優(yōu)選地，主體的三重激發(fā)態(tài)能量等于或高于磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)能量。主體的單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差為0.3eV或更低，且優(yōu)選0.2eV或更低。如果主體的單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差在0.3eV之內(nèi)，主體具有優(yōu)異的電荷傳輸特性，且移動電荷的能壘低，使得即使沒有電子傳輸層也可以穩(wěn)定地將電子從陰極提供至發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明，由主體和磷光摻雜劑形成的發(fā)光層240具有與空穴遷移率相等或更快的電子遷移率?；诎l(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，向發(fā)光層中加入0.5至20重量%的磷光摻雜劑，且優(yōu)選其范圍為0.5至10重量％，更優(yōu)選其范圍為0.5至5重量％,且進一步更優(yōu)選其范圍為0.5至3重量％。當加入大于20重量％的磷光摻雜劑時，在磷光摻雜劑中發(fā)生淬滅從而降低發(fā)光效率。當其小于0.5重量。/。時，因為能量不從主體轉(zhuǎn)移至磷光摻雜劑，并發(fā)生非發(fā)光湮沒從而降低裝置的發(fā)光效率和壽命，所以不為優(yōu)選。根據(jù)本發(fā)明的主體具有主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間能量差小，以促進低濃度下的能量轉(zhuǎn)移，使得磷光摻雜劑的摻雜量顯著降低。因此，可以節(jié)省高成本的磷光摻雜劑，從而可以降低裝置的生產(chǎn)成本。當主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的能量差小于0.2eV或更低時，磷光摻雜劑的量可以降至1重量％或更低。此外，參照圖1，在常規(guī)磷光有機發(fā)光二極管(OLED)中空穴阻擋層150位于發(fā)光層140上，以防止當空穴通過發(fā)光層140到達陰極170時裝置的壽命和效率降低。另一方面，在圖2所示的本發(fā)明的磷光有機發(fā)光二極管中，因為形成激子的區(qū)域位于空穴傳輸層230的界面上，且其具有高能量的熒光主體單重激發(fā)態(tài)，所以即使未安裝單獨的空穴阻擋層，也可能阻止空穴到達陰極250。因此，通過省略電子傳輸層和空穴阻擋層來簡化結(jié)構(gòu)，使得可以實現(xiàn)裝置的減重。盡管沒有電子傳輸層且沒有空穴阻擋層，仍可能制備具有足夠低電壓和高效率的有機發(fā)光二極管。為了進一步提高發(fā)光效率，可以進一步包括電子傳輸層的有機薄膜或空穴阻擋層的有機薄膜。在此情況下，有機薄膜的厚度優(yōu)選范圍為10至30nm?；蛘?，可以包括電子傳輸層和空穴阻擋層。優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度范圍為10至30nm,且空穴阻擋層的厚度范圍為5至10nm。如果電子傳輸層或空穴阻擋層在此范圍內(nèi)，可以進一步改進有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率。優(yōu)選地，涂覆發(fā)光層240的主體材料以提供電子傳輸層和空穴阻擋層。根據(jù)主體材料的特性，形成在發(fā)光層240表面上的薄層起電子傳輸層和/或空穴阻擋層的作用。從陽極220注入到空穴傳輸層230的空穴被傳輸進發(fā)光層240中。為了解決陽極220和空穴傳輸層(HTL)230之間界面降低問題，在陽極220和空穴傳輸層(HTL)230之間可以進一步包括空穴注入層(HIL)(未顯示)，以通過適宜的表面能改進界面特性。通過蒸鍍或旋涂銅酞菁(CuPc)、m-MTDATA(星爆炸狀胺)、TCTA或PEDOT:PSS(導(dǎo)電聚合物組合物)等來形成空穴注入層(HIL)。當以此方式形成空穴注入層時，可以降低陽極220和發(fā)光層240之間的接觸電阻且改進陽極向發(fā)光層240的電子傳輸能力，使得可能整體上改進有機發(fā)光二極管的驅(qū)動電壓和壽命特性。當空穴注入層厚度小于5nm時，因為空穴注入層薄導(dǎo)致難以進行空穴注入，所以不優(yōu)選；當空穴注入層(HIL)的厚度大于lOOnm時，因為透光率降4氐或驅(qū)動電壓增加所以不優(yōu)選。因此，空穴注入層可以5nm至200nm的厚度形成，且其優(yōu)選范圍為20nm至100nm。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，通過使用藍色主體和紅色摻雜劑或黃色摻雜劑作為發(fā)光層材料來提供白色有機發(fā)光二極管(OLED)。通過將陽極320、空穴傳輸層330、白色發(fā)光層340和陰極350依次布置在基板310上來制備此白色有機發(fā)光二極管。發(fā)光層340通過同時沉積或涂覆主體/摻雜劑組合來形成，所述主體/摻雜劑組合選自由藍色主體和紅色摻雜劑、藍色主體和黃色摻雜劑、藍色主體和綠色及紅色摻雜劑以及藍色主體和綠色及黃色摻雜劑組成的組中。主體是有機材料，所述有機材料在主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間具有小于0.5eV的差，優(yōu)選0.4eV或更低，且更優(yōu)選0.2eV或更低。因此，優(yōu)選地，其可以是上式1至36所示的有才幾金屬配位化合物。白色發(fā)光層340利用從主體的單重激發(fā)態(tài)向磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)移的能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象，以及同時從主體的三重激發(fā)態(tài)向磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)移的能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象來發(fā)出白光。參照圖7，為了研究白色發(fā)光層340的發(fā)光機理，將藍色主體和紅色摻雜劑，和藍色主體和黃色摻雜劑用作其實例。藍色熒光主體吸收光成為藍色熒光主體的單線態(tài)并失去能量，因此藍色熒光主體發(fā)光并同時返回藍色熒光主體的基態(tài)，且藍色焚光主體的單線態(tài)轉(zhuǎn)移至紅色或黃色磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)，同時藍色熒光主體的三線態(tài)轉(zhuǎn)移至紅色或黃色磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)并失去能量，因此磷光摻雜劑發(fā)出紅色或黃色磷光并同時返回至磷光摻雜劑的基態(tài)。因此，通過混合發(fā)出的藍色熒光和發(fā)出的紅色或黃色磷光來發(fā)白光。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，白色發(fā)光層340可以形成為多層發(fā)光層。例如，其可以形成為多層發(fā)光層，所述多層發(fā)光層選自由包括藍色主體的第一發(fā)光層和包括藍色主體和紅色摻雜劑的第二發(fā)光層、包括藍色主體的第一發(fā)光層和包括藍色主體和黃色摻雜劑的第二發(fā)光層、包括藍色主體的第一發(fā)光層和包括藍色主體和綠色和紅色摻雜劑的第二發(fā)光層、和包括藍色主體和紅色摻雜劑的第一發(fā)光層和包括藍色主體和綠色摻雜劑的第二發(fā)光層組成的組中，^旦不限于此。與常規(guī)白色有機發(fā)光二極管相比，根據(jù)實施方式的具有低分子單發(fā)光層結(jié)構(gòu)的白色有機發(fā)光二極管通過包括含有主體/磷光摻雜劑的某種組合的發(fā)光層，進一步改進從主體的單重激發(fā)態(tài)向摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移，因此可以通過使用單發(fā)光層實現(xiàn)高效率和低驅(qū)動電壓并實現(xiàn)白光。因此，由于省略了空穴阻擋層和電子傳輸層，所以簡化了結(jié)構(gòu)并降低了生產(chǎn)成本。雖然以上詳細描述了有才幾發(fā)光二極管(OLED)，^旦是可以以相同方式使用其它有機光電裝置。根據(jù)本發(fā)明的有機光電裝置可以用于薄膜晶體管(TFT-LCD)的背光、有源矩陣聚合物發(fā)光顯示器的發(fā)光元件、發(fā)光裝置等，但不限于此。圖1是常規(guī)磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖。圖2是磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的能量圖。圖3是常規(guī)白色有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖。圖5顯示了圖4中所示磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光機理。圖6是白色磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的橫截面示意圖。圖7顯示了圖6中所示白色磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光機理。圖8和圖9分別顯示了根據(jù)實施例1和比較例1的綠色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V(電流-電壓)和V-L(電壓-亮度)特征。圖10和圖11顯示了根據(jù)實施例1和比較例1的綠色有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光效率和電功率效率。圖12顯示了根據(jù)實施例2~4的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V(電流-電壓)特;f正。圖13顯示了根據(jù)實施例2~4的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光效率特征。圖14和圖15分別顯示了根據(jù)實施例5和比較例2的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V(電流-電壓)和V-L(電壓-亮度)特征。圖16和圖17顯示了根據(jù)實施例5和比較例2的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光效率和電功率效率。圖18和圖19分別顯示了根據(jù)實施例8~11的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V(電流-電壓)和V-L(電壓-亮度)特征。圖20和圖21顯示了根據(jù)實施例8~11的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光效率和電功率效率。圖22和圖23分別顯示了根據(jù)實施例12~15的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V(電流-電壓)和V-L(電壓-亮度)特征。圖24和圖25顯示了根據(jù)實施例12~15的紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光效率和電功率效率。圖26和圖27分別顯示了根據(jù)實施例16的白色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V(電流-電壓)和V-L(電壓-亮度)特征。圖28和圖29顯示了根據(jù)實施例16的白色有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光效率和電功率效率。具體實施例方式以下實施例更具體地說明本發(fā)明。然而，應(yīng)明白本發(fā)明不限于這些實施例。實施例主體和摻雜劑材料用于有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光層材料包括具有以下特點的主體和摻雜劑。HOMO(氧化電勢)和LUMO(還原電勢)的值通過循環(huán)伏安法測定。<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>比專交例1根據(jù)與實施例1相同的步驟制備綠色有機發(fā)光二極管(OLED),不同之處在于將CBP(4,4'-N,N'-二。卡唑-聯(lián)苯)主體和Ir(ppy)3摻雜劑用作發(fā)光層材料，并進一步將BAlq空穴阻擋層、Alq3電子傳輸層和LiF電子注入層依次涂覆在發(fā)光層上。<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>測定根據(jù)實施例1和比較例1的綠色有機發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、最大效率和色坐標，且結(jié)果顯示于以下表3中。<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>根據(jù)實施例1和比較例1的每個綠色有機二極管的I-V特性和V-L特性分別顯示在圖8和圖9中；發(fā)光效率(電流效率)和電功率效率分別顯示在圖10和11中。從表3和圖8至11的結(jié)果可證實，與根據(jù)比較例l使用CBP的多結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光二極管相比，根據(jù)實施例1的有機發(fā)光二極管(OLED)能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動和高效率特性。這是因為由于帶隙大，根據(jù)比較例1的CBP主體無法使電荷很容易地從空穴傳輸層(HTL)或空穴阻擋層注入至發(fā)光層，但是由于帶隙小，根據(jù)實施例1的主體可以很容易地實現(xiàn)電荷注入。因為實施例1所用主體在主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間具有小于0.5eV的差，所以其能量轉(zhuǎn)移比大于0.5eV的CBP的能量轉(zhuǎn)移更容易，且這些主體的LUMO激發(fā)態(tài)與Ir(ppy)3摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能級相近以使得電荷捕獲最小化。此外，在實施例1中，因為綠色有機發(fā)光二極管具有低驅(qū)動電壓和高效率特性，所以可以提供具有不含空穴阻擋層且不含電子傳輸層(ETL)的簡單結(jié)構(gòu)的綠色有機發(fā)光二極管(OLED)。實施例2~11和比較例2:紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的制備實施例2將Corning15Q/cm2(1200A)ITO玻璃基板切割為50mmx50mmx0.7mm的大小，分別在異丙醇和純水中進行超聲波清洗5分鐘，并進行UV和臭氧清洗30分鐘。在基板表面蒸鍍40nm厚的N，N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)以提供空穴傳輸層(HTL)。在空穴傳輸層(HTL)表面同時沉積上式37所示的Bepq2主體材料和三(l-苯基異查啉)銥(Ir(piq)3)摻雜劑以提供發(fā)光層，且在其上沉積LiF/Al陰極以提供紅色有機發(fā)光二極管(OLED)。每層的厚度和所用材料在下表4中i兌明。實施例3將Corning15Q/cm2(1200A)ITO玻璃基板切割為50mmx50mmx0.7mm的大小，分別在異丙醇和純水中進行超聲波清洗5分鐘，并進行UV和臭氧清洗30分鐘。在基板表面蒸鍍40nm厚的N,N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基耳關(guān)苯胺(NPD)以提供空穴傳輸層(HTL)。在空穴傳輸層表面同時沉積上式37所示的Bepq2主體材料和三(l-苯基異喹啉)銥(Ir(piq)3)摻雜劑以提供發(fā)光層。在發(fā)光層表面蒸鍍5nm厚的化學式8所示的化合物以提供電子傳輸層。在電子傳輸層上沉積LiF/Al陰極以提供紅色有機發(fā)光二極管。每層的厚度和所用材料在下表4中說明。實施例4將Corning15Q/cm2(1200A)ITO玻璃基才反切割為50mmx50mmx0.7mm的大小，分別在異丙醇和純水中進行超聲波清洗5分鐘，并進行UV和臭氧清洗30分鐘。在基板表面旋涂PEDOT:PSS以提供40nm厚的空穴注入層(HIL)。在空穴注入層(HIL)表面蒸鍍40nm厚的N，N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)以提供空穴傳輸層(HTL)。在空穴傳輸層表面同時沉積上式37所示的Bepq2主體材料和三(l-苯基異喹啉)銥(Ir(piq)3)摻雜劑以提供發(fā)光層。在發(fā)光層的表面蒸鍍5nm厚的化學式8所示的化合物以提供電子傳輸層。在電子傳輸層上沉積LiF/Al陰極以提供紅色有機發(fā)光二極管。每層的厚度和所用材料描述在下表4中。實施例5將Coming15Q/cm2(1200A)ITO玻璃基板切割為50mmx50mmx0.7mm的大小，分別在異丙醇和純水中進行超聲波清洗5分鐘，并進行UV和臭氧清洗30分鐘。在基板表面蒸鍍40nm厚的N,N'-二(l-萘基)，N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)以提供空穴傳輸層。在空穴傳輸層(HTL)表面同時沉積上式40所示的主體材料(Bepp2)和三(l-苯基異喹啉)銥(Ir(piq)3)摻雜劑以提供發(fā)光層，且在其上進一步沉積LiF陰極注入層(EIL)和Al陰極以提供紅色有機發(fā)光二極管。每層的厚度和所用材料在下表4中說明。實施例6根據(jù)與實施例5相同的步驟制備紅色有機發(fā)光二極管(OLED)，不同之處在于將化學式39所示的Bebpt2主體和Ir(piq)^參雜劑以下表4所示的量用作發(fā)光層材料。實施例7根據(jù)與實施例5相同的步驟制備紅色有機發(fā)光二極管，不同之處在于將化學式38所示的Bepb02主體和Ir(piq)3摻雜劑以下表4所示的量用作發(fā)光層材料。實施例8~11根據(jù)與實施例5相同的步驟制備紅色有機發(fā)光二極管，不同之處在于將化學式37所示的Bebq2主體和Ir(piq)3摻雜劑以下表4所示的量用作發(fā)光層材料。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>測定根據(jù)實施例2~4的每個紅色有機發(fā)光二極管以確定其I-V特性和電功率效率，且I-V特性的測定結(jié)果示于圖12中，電功率效率的測定結(jié)果示于圖13中。測定根據(jù)實施例5和比較例2的每個紅色有機發(fā)光二極管(OLED)的I-V特性和V-L特性，且結(jié)果分別示于圖14和15中。其發(fā)光效率(電流效率)及其電功率效率分別示于圖16和17中。據(jù)實施例8~11的每個紅色有機發(fā)光二極管的I-V特性和V-L特性分別示于圖18和19中，且其發(fā)光效率(電流效率)和電功率效率分別示于圖20和21中。從表5和圖12至17的結(jié)果可以證實，與根據(jù)比較例2的具有使用CBP的多結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光二極管相比，根據(jù)實施例2~11的有機發(fā)光二極管(OLED)能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓驅(qū)動和高效率特性。這是因為由于帶隙大，根據(jù)比較例2的CBP主體無法使電荷很容易地從空穴傳輸層(HTL)或空穴阻擋層注入至發(fā)光層，但是由于帶隙小，根據(jù)實施例2~11的主體可以很容易地實現(xiàn)電荷注入。因為實施例2~11所用的主體具有主體的還原電勢或氧化電勢和纟參雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV，所以其能量轉(zhuǎn)移比大于0.5eV的CBP的能量轉(zhuǎn)移更容易，且這些主體的LUMO激發(fā)態(tài)與Ir(pig)3摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能級相近以使得電荷捕獲最小化。此外，在實施例2~11中，因為紅色有機發(fā)光二極管具有低驅(qū)動電壓和高效率特性，所以可能提供具有不含空穴阻擋層且不含電子傳輸層的簡單結(jié)構(gòu)的紅色有機發(fā)光二極管。此外，可以確定，通過考慮有機發(fā)光二極管的色坐標的恒定值,將避免常發(fā)生在有機層之間界面處的如提高基態(tài)絡(luò)合物(lift-upexciplex)或激基復(fù)合物(electroplex)等問題。由此，可能改進發(fā)光效率、界面粘合性和色純度。實施例12-15:取決于摻雜濃度的有機發(fā)光二極管(OLED)特性實施例12~15將Corning15Q/cm2(1200A)ITO5皮璃基沐反切割為50mmx50mmx0.7mm的大小，分別在異丙醇和純水中進行超聲波清洗5分鐘，并進行UV和臭氧清洗30分鐘。在基板表面蒸鍍40nm厚的N,N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)以提供空穴傳輸層。同時沉積化學式33所示的主體材料(Bepq2)和雙(苯基喹啉)乙酰丙酮合銥(Ir(phq)2acac)摻雜劑以提供發(fā)光層。隨后，沉積LiF電子注入層和Al陰極以提供紅色有機發(fā)光二極管。每層的厚度和所用材料在下表6中說明。[表6]紅色磷光有機發(fā)光二極管(OLED)的結(jié)構(gòu)<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>測定根據(jù)實施例12~15的每個紅色有機發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、最大發(fā)光效率和色坐標，且結(jié)果示于下表7中。<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>據(jù)實施例12~15的每個紅色有機發(fā)光二極管的I-V特性和V-L特性分別示于圖22和23中，且其發(fā)光效率(電流效率)和電功率效率分別示于圖24和25中。如表7和圖22至25所示，在實施例12-15中，因為Bepq2主體的還原電勢或氧化電勢和摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV，所以能量傳輸很快。此外，因為主體的三重激發(fā)態(tài)與摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)接近，所以促進能量轉(zhuǎn)移，以改進低摻雜濃度下的發(fā)光效率。因為主體是磷光體材料，所以從主體的單重激發(fā)態(tài)向摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移變得更容易。實施例16:白色有機發(fā)光二極管的制備將Corning15Q/cm2(1200A)ITO玻璃基+反切割為50mmx50mmx0.7mm的大小，分別在異丙醇和純水中進行超聲波清洗5分鐘，并進行UV和臭氧清洗30分鐘。在基板表面蒸鍍40nm厚的N，N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)以提供空穴傳輸層(HTL)。將40nm厚的化學式33所示的主體材料(Bebq2)用于形成第一發(fā)光層，隨后同時沉積化學式33所示的主體材料和(Ir(phq)2acac)摻雜劑(摻雜劑量8重量％)以提供10nm厚的第二發(fā)光層。在其上沉積LiF電子注入層(EIL)和Al陰極以提供白色發(fā)光二極管(OLED)。根據(jù)實施例16的白色有機發(fā)光二極管的I-V特性和V-L特性分別示于圖26和27中。此外，實施例16的白色有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率(電流效率)和電功率效率分別示于圖28和29中。從圖26至29的結(jié)果可以得出，根據(jù)本發(fā)明的白色發(fā)光二極管可以實現(xiàn)低驅(qū)動電壓和高效率特性。即，證實了可能提供具有不含空穴阻擋層且不含電子傳輸層的簡單結(jié)構(gòu)的白色有機發(fā)光二極管。在本發(fā)明中，因為主體具有主體的還原電勢或氧化電勢和摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV，所以其能量轉(zhuǎn)移比大于0.5eV的CBP的能量轉(zhuǎn)移更容易。此外，由于主體的快速電子轉(zhuǎn)移能力，其使得電荷平衡，因此形成激子。因為新主體的單重激發(fā)態(tài)的能勢與摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能勢之間的能量差很小，且其是熒光主體，所以可能實現(xiàn)快速的能量轉(zhuǎn)移和優(yōu)異的裝置特性。工業(yè)實用性根據(jù)本發(fā)明，因為沒有空穴阻擋層和電子傳輸層，所以有機光電裝置進一步改進了注入電子的能力，并改進了從主體的單重激發(fā)態(tài)向磷光摻雜劑的三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移效率。由此，提供了如高效率和低驅(qū)動電壓等磷光有發(fā)明的有機光電裝置可以用于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的背光、有源矩陣有機發(fā)光顯示器的發(fā)光元件、發(fā)光裝置等。雖然本發(fā)明已經(jīng)通過目前認為的實際示例性實施方式來說明，應(yīng)理解本發(fā)明不限于公開的實施方式，相反其旨在涵蓋所附權(quán)利要求書的精神和范圍包括的各種修改和等價替換。權(quán)利要求1、一種有機光電裝置，包括基板；位于所述基板上的陽極；位于所述陽極上的空穴傳輸層(HTL)；位于所述空穴傳輸層(HTL)上的發(fā)光層；和位于所述發(fā)光層上的陰極，其中所述發(fā)光層包括主體和磷光摻雜劑，且所述主體的還原電勢或氧化電勢和所述磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差小于0.5eV。2、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體的還原電勢或氧化電勢和所述磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差為0.4eV或更低。3、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體的還原電勢或氧化電勢和所述磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差為0.2eV或更低。4、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體具有的單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差為0.3eV或更低。5、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體是下式1或2所示的有機金屬配位化合物[化學式1]ML[化學式2]ML山2其中，在上式中，M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、M、Pd和Mn組成的組中，且L、"和L2獨立地為配體。6、如權(quán)利要求5所述的有機光電裝置，其中上式2的Li和L2不相同。7、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體是下式3所示的有機金屬配位4b合物[化學式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，在上式中，A,至AJ蟲立地為CR4R2，其中R,和R2獨立地選自由氫、卣素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基組成的組，或A,至A6的和R2中至少一個與A！至A6的至少一個不相鄰的Ri和R2連4妄以形成稠環(huán)；Bj至B6獨立地為CR3R4或NRs，其中R3、R4和R5獨立地為氫、卣素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯；取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基，或Bi至Be的R3、R4和Rs中至少一個與Bi至B6的至少一個不相鄰的R3、R4和R5連接以形成稠環(huán)；或Ai至A6的和R2中至少一個與B！至B6的R3、R4和R5中至少一個連才妄以形成稠環(huán)；p、q和r獨立地為0或1的整^:;L選自由OR6和OSiR7R8組成的組中，其中Re、R和Rs獨立地為芳基、烷基取代的芳基、芳胺、環(huán)烷基和雜環(huán)；M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn纟且成的組中；X是氧或硫；n是金屬化合價；且a和b獨立地為0或1。8、如權(quán)利要求7所述的有機光電裝置，其中所述主體選自由以下式5至36所示的有機金屬配位化合物和其混合物組成的組中[式5][式6][式7][式8][式9][式10][式11][式12][式13][式14][式15][式16]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中，在上式中，M根據(jù)化合價確定，且選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中。9、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體的熒光量子產(chǎn)率為[式35][式36](0.01或更大。10、如權(quán)利要求9所述的有機光電裝置，其中所述主體的熒光量子產(chǎn)率為0.1或更大。11、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中基于發(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，所述磷光摻雜劑的含量為0.5至20重量％。12、如權(quán)利要求11所述的有機光電裝置，其中基于所述發(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，所述磚光摻雜劑的含量為0.5至5重量％。13、如權(quán)利要求12所述的有機光電裝置，其中基于所述發(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，所述磷光摻雜劑的含量為0.5至5重量％。14、如權(quán)利要求13所述的有機光電裝置，其中基于所述發(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，所述磷光摻雜劑的含量為0.5至1重量％。15、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述主體具有10"cmVVs或更大的電子遷移率。16、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述裝置進一步包括位于所述發(fā)光層上的空穴阻擋層或電子傳輸層(ETL)。17、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述裝置進一步包括位于所述發(fā)光層上的空穴阻擋層，和位于所述空穴阻擋層上的電子傳輸層(ETL)。18、如權(quán)利要求17所述的有機光電裝置，其中所述空穴阻擋層或電子傳輸層(ETL)由所述發(fā)光層的主體形成。19、如權(quán)利要求1所述的有機光電裝置，其中所述磷光摻雜劑至少包括一種選自由Ir、Pt、Tb、Eu、Os、Ti、Zr、Hf和Tm組成的組中。20、一種有機光電裝置，包括基板；位于所述基板上的陽極；位于所述陽極上的空穴傳輸層(HTL);位于所述空穴傳輸層(HTL)上的發(fā)光層；和位于所述發(fā)光層上的陰極，其中所述發(fā)光層包括主體和磷光摻雜劑，且所述主體的還原電勢或氧化電勢和所述磷光#^雜劑的還原電勢或氧化電勢之間的差為0.4eV或更低，且基于所述發(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，所述磷光摻雜劑的含量為3重量％或更低。21、如權(quán)利要求20所述的有機光電裝置，其中基于所述發(fā)光材料(主體+摻雜劑)總重量，所述磷光摻雜劑的含量為0.5至1重量％。22、如權(quán)利要求20所述的有機光電裝置，其中所述主體的熒光量子產(chǎn)率為0.01或更大。23、如權(quán)利要求22所述的有機光電裝置，其中所述主體的熒光量子產(chǎn)率為0.1或更大。24、如權(quán)利要求20所述的有機光電裝置，其中所述主體是下式3所示的有機金屬配位化合物[化學式3]其中，在上式中，Ai至A6獨立地為CR!R2，其中R,和R2獨立地選自由氫、鹵素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基組成的組中，或Ai至As的R^和R2中至少一個與Ai至As的至少一個不相鄰的R！和R2連4妄以形成稠環(huán)；Bi至Bs獨立地為CR3R4或NRs,其中R3、R4和Rs獨立地為氫、卣素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基，或Bi至Be的R3、R4和Rs中至少一個與Bt至B6的至少一個不相鄰的R3、R4和R5連"^妄以形成稠環(huán)；或Ai至A6的R！和R2中至少一個與Bi至B6的R3、R4和R5中至少一個連接以形成稠環(huán)；p、q和r獨立地為0或1的整數(shù)；L選自由0116和OSiR7R8組成的組中，其中Re、R7和Rs獨立地為芳基、烷基取代的芳基、芳胺、環(huán)烷基和雜環(huán)；M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn纟且成的組中；X是氧或碌u;n是金屬化合價；且a和b獨立地為0或1。25、一種有機金屬配位化合物，其中所述化合物用于有機光電裝置的發(fā)光層材料，且由下式3所示[化學式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中，在上式中，A!至As獨立地為CR^R2，其中R!和R2獨立地選自由氫、鹵素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基組成的組中，或A,至A6的R！和R2中至少一個與A,至A6的至少一個不相鄰的和R2連接以形成稠環(huán)；B!至B6獨立地為CR3R4或NR5，其中Rs、R4和R5獨立地為氫、卣素、腈、氰基、硝基、酰胺、羰基、酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的雜芳胺、取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的氨基、和取代或未取代的環(huán)烷基，或Bi至Be的R3、R4和Rs中至少一個與Bi至B6的至少一個不相鄰的R3、R4和R5連4妻以形成稠環(huán)；或Aj至八6的Ri和R2中至少一個與Bi至Be的R3、R4和R5中至少一個連才妄以形成稠環(huán)；p、q和r獨立地為0或1的整數(shù)；L選自由OR6和OSiR7R8組成的組中，其中R6、R和Rs獨立地為芳基、烷基取代的芳基、芳胺、環(huán)烷基和雜環(huán)；M選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中；X是氧或好"n是金屬化合價；且a和b獨立;也為0或1。26、如權(quán)利要求25所述的有機金屬配位化合物，其中所述主體選自由以下式5至36所示的有才幾金屬配位化合物和其混合物組成的組中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>[式29][式30]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>[式31][式32]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>[式33][式34]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>其中，在上式中，M根據(jù)化合價確定，且選自由Li、Na、Mg、K、Ca、Al、Be、Zn、Pt、Ni、Pd和Mn組成的組中。[式35][式36]全文摘要本發(fā)明涉及一種有機光電裝置和用于其中的材料。所述有機光電裝置包括基板、位于所述基板上的陽極、位于所述陽極上的空穴傳輸層(HTL)、位于所述空穴傳輸層(HTL)上的發(fā)光層和位于所述發(fā)光層上的陰極。發(fā)光層的特征為其包括主體和磷光摻雜劑，且主體在主體的還原電勢或氧化電勢和磷光摻雜劑的還原電勢或氧化電勢之間具有小于0.5eV的差。與常規(guī)有機光電裝置相比，根據(jù)本發(fā)明的有機光電裝置能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更低的驅(qū)動電壓，且具有節(jié)約生產(chǎn)成本的簡化結(jié)構(gòu)。文檔編號C09K11/06GK101679854SQ200880017925公開日2010年3月24日申請日期2008年5月30日優(yōu)先權(quán)日2007年5月30日發(fā)明者姜義洙,姜明淳,樸胎進,樸鎮(zhèn)盛,權(quán)章赫,柳銀善,田宇植,蔡美榮,許達灝,鄭鎬國,進長申請人:第一毛織株式會社