專利名稱：：芳香族胺衍生物及用它們形成的有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及芳香族胺衍生物及用它們形成的有機電致發(fā)光(EL)元件，特別是涉及通過將具有特定取代基的芳香族胺衍生物用于空穴輸送材料，在降低驅(qū)動電壓的同時抑制了分子的結(jié)晶、提高了制造有機EL元件時的成品率、改善了有機EL元件壽命的芳香族胺衍生物。
背景技術(shù)：
：有機EL元件是利用如下所述的原理的自發(fā)光元件，S卩通過施加電場，熒光性物質(zhì)利用從陽極注入的空穴與從陰極注入的電子的復合能量而發(fā)光。自EastmanKodak公司的C.W.Tang等做出利用疊層型元件的低電壓驅(qū)動有機EL元件的報告(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，應用物理快報(AppliedPhysicsLetters),51巻，913頁，1987年等)以來，積極地開展了對于以有機材料作為構(gòu)成材料的有機EL元件的研究。Tang等采用了將三(8—羥基喹啉)鋁用作發(fā)光層，將三苯基二胺衍生物用作空穴輸送層的層疊結(jié)構(gòu)。作為疊層結(jié)構(gòu)的優(yōu)點來說，可以舉出提高空穴向發(fā)光層中的注入效率、阻擋注入在陰極的電子而提高利用復合生成的激子的生成效率、將在發(fā)光層內(nèi)生成的激子封閉等。作為像該例子這樣的有機EL元件的元件構(gòu)造，已知空穴輸送(注入〉層、電子輸送性發(fā)光層的雙層型；或空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的三層型等。為了提高在這樣的疊層型構(gòu)造元件中注入的空穴與電子的復合效率，對元件構(gòu)造或形成方法下了很多工夫。通常，如果在高溫環(huán)境下驅(qū)動、保管有機EL元件，則會造成發(fā)光顏色變化、發(fā)光效率低、驅(qū)動電壓上升、發(fā)光壽命變短等不良影響。為了防止該問題，需要提高空穴輸送材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。由此空穴輸送材料的分子內(nèi)就需要大量芳香族基團(例如，專利文獻1的芳香族二胺衍生物、專利文獻2的芳香族稠環(huán)二胺衍生物)，通常優(yōu)選使用具有812個苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。但是，如果分子內(nèi)具有大量的芳香族基團，則用這些空穴輸送材料形成薄膜而制作有機EL元件時，容易發(fā)生結(jié)晶化，會產(chǎn)生如下問題蒸鍍時使用的坩堝出口堵塞、因結(jié)晶而產(chǎn)生薄膜缺陷、導致有機EL元件的成品率低等。另外，通常認為分子內(nèi)具有大量芳香族基團的化合物雖然一般是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高的化合物，但會出現(xiàn)升華溫度高、蒸鍍時的分解或蒸鍍形成得不均勻等現(xiàn)象，因此存在壽命短的問題。另一方面，有公知文獻公開了非對稱芳香族胺衍生物。例如，雖然專利文獻3中公開了具有非對稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但沒有具體的實施例，也完全沒有記載非對稱化合物的特征。另外，在專利文獻4中作為實施例記載了具有菲的非對稱芳香族胺衍生物，但是在進行與對稱化合物同樣處理的同時，完全未記載非對稱化合物的特征。另外，盡管非對稱化合物需要特殊的合成方法，但是這些專利中并未明確記載非對稱化合物的制造方法。而且，專利文獻5中雖然記載了具有非對稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物的制造方法，但是未記載非對稱化合物的特征。專利文獻6中記載了玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高、熱穩(wěn)定的非對稱化合物，但是僅例示了具有咔唑基的化合物。另外，作為對具有噻吩的胺化合物的報道，有專利文獻7~8，但是它們是二胺化合物中心骨架上具有噻吩的化合物。另外，專利文獻7中噻吩直接與胺結(jié)合。作為二胺化合物末端具有噻吩的化合物的報道，有專利文獻9~10，但是在這些化合物中噻吩直接結(jié)合在胺上。這些化合物不穩(wěn)定、精制困難，因此不能提高純度。另外，如果噻吩與胺直接結(jié)合，則胺的電子狀態(tài)會產(chǎn)生大的變化，不能得到足夠的性能。另一方面，專利文獻11中記載了噻吩通過芳基結(jié)合在胺上的化合物。但是，這些化合物具有在2位或5位上含有未取代噻吩的結(jié)構(gòu)。噻吩的2位或5位的反應性高，電上是不穩(wěn)定的，因此如果分子內(nèi)存在這些結(jié)構(gòu)，則在元件評價上產(chǎn)生電壓上升，因此是不可取的。作為多聚胺，有專利文獻12，僅僅是具體的例子，并未記載噻吩通過芳基結(jié)合在氮上的胺化合物的特征。作為高分子雖有專利文獻1322，但不能蒸鍍。另外，聚合必需的極性基團會使壽命等元件性能降低，因此是不可取的。如以上所述，雖然通常己知具有噻吩結(jié)構(gòu)的化合物的遷移率高，但是如果簡單地與胺結(jié)構(gòu)組合，則并沒有足夠的性能。因此，還極其希望開發(fā)具有更優(yōu)異性能的有機EL材料。專利文獻1:美國專利第4,720,432號說明書專利文獻2:美國專利第5,061,569號說明書專利文獻3:日本特開平8-48656號公報專利文獻4:日本特開平11-135261號公報專利文獻5:日本特開2003-171366號公報專利文獻6:美國專利第6,242,115號說明書專利文獻7:WO2004-058740專利文獻8:日本特開平4-304466號公報專利文獻9:WO2001-053286專利文獻10:日本特開平-287408號公報專利文獻lh日本特開2003-267972號公報專利文獻12:日本特開2004-155705號公報專利文獻13:日本特開2005-042004號公報專利文獻14:日本特開2005-259441號公報專利文獻15:日本特開2005-259442號公報專利文獻16:日本特開2005-235645號公報專利文獻17:日本特開2005-235646號公報專利文獻18:日本特開2005-082655號公報專利文獻19:日本特開2004-288531號公報專利文獻20:日本特開2004-199935號公報專利文獻21:日本特開2004-111134號公報專利文獻22:日本特開2002-313574號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問題而做出的，目的是提供在降低驅(qū)動電壓的同時，分子不易結(jié)晶、有機EL元件制造時的成品率得到提高、壽命長的有機EL元件及實現(xiàn)這種目的的芳香族胺衍生物。10為了達到上述目的，本發(fā)明人反復進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)如果使用下述通式(1)表示的具有特定取代基的新型芳香族胺衍生物作為有機EL元件用材料，特別是用作空穴輸送材料，則可以解決上述問題，從而完成了本發(fā)明。另外還發(fā)現(xiàn)，作為具有特定取代基的胺單元，由具有通式(2)表示的噻吩結(jié)構(gòu)的芳基取代的氨基是適宜的。可以確定，由于該胺單元具有極性基團，可以與電極產(chǎn)生相互作用，因此容易注入電荷，并且因具有噻吩結(jié)構(gòu)，遷移率高，具有由此而降低了驅(qū)動電壓的效果，同時由于立體障礙，分子間相互小，抑制了結(jié)晶，具有提高有機EL元件制造時的成品率、延長了所得到的有機EL元件壽命的效果，特別是通過與藍色發(fā)光元件進行了組合，可以獲得明顯降低電壓和延長壽命的效果。而且對于分子量大的化合物來說，具有非對稱結(jié)構(gòu)的化合物可以降低蒸鍍溫度，因此可以抑制蒸鍍時的分解、延長壽命。也就是說，本發(fā)明提供具有下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物。另外，本發(fā)明還提供下述通式(4)衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(6)中任一式表示的芳香族胺<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(6)另外，本發(fā)明還提供有機電致發(fā)光元件，其中在陰極和陽極間夾持了由至少含有發(fā)光層的一個層或多個層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件中，該有機薄膜層中的至少1層單獨含有上述的芳香族胺衍生物或含有其作為混合物的成分。本發(fā)明的芳香族胺衍生物及使用其形成的有機EL元件可以降低驅(qū)動電壓，同時分子不容易結(jié)晶，提高了有機EL元件使用壽命、延長了壽命。具體實施例方式本發(fā)明的芳香族胺衍生物是下述通式(1)表示的物質(zhì)。式中，L,表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的亞芳基。Ar廣Ar4中的至少一個用下述通式(2)表示。通式(2)中，R,為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基、碳數(shù)為1~50的支化鏈或直鏈狀烷基、鹵原子或氰基。a為1~3的整數(shù)。k表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基。在通式(1)中，Ar廣Ai"4中不是通式(2)的基團各自獨立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基。但是，An~Ar4的取代基是環(huán)原子數(shù)為650的芳基、碳數(shù)為1~50的支化鏈或直鏈狀烷基、鹵原子或氰基。但是，a-2時兩個R,形成環(huán)，不形成苯并噻吩基。對于通式(1)表示的本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(2)用下述通式(3)表示。通式(3)中，R,為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基或碳數(shù)為150的支化鏈或直鏈狀垸基。L2表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的An用上述通式(2)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的Ar,和Ar2用上述通式(2)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的Ar,和Ar3用上述通式(2)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的Ar廣Ar4中的3個以上互不相同、是非對稱的。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的Ar廣Ar4中的3個以上是相同、非對稱的。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式U)中的Ar廣Ar4中不是通式(2)的基團各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基或芴基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的L,為亞聯(lián)苯基、亞聯(lián)三苯基或亞荷基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(2)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(2)中的R,為苯基、萘基或菲基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(1)中的Ar,Ar4中14式(4)~(6)中，L廣Lu表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基。Ar5~Ar9中的至少一個用通式(7)表示。Ar1()~Ari5中的至少一個用通式(7)表示。An6A中的至少一個用通式(7)表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(7)不是通式(2)的基團各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基或芴基，L,為亞聯(lián)苯基、亞聯(lián)三苯基或亞芴基，上述通式(2)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基。另外，本發(fā)明的芳香族胺衍生物用下述通式(4)~(6)中的任一個表不。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>通式(7)中，Ri為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基、碳數(shù)為150的支化鏈或直鏈狀烷基、鹵原子或氰基。a為13的整數(shù)。k表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基。但是，^2時兩個R,形成環(huán)，不形成苯并噻吩基。在通式(4)(6)中，Ar5Ar21中不是通式(7)的基團各自獨立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的芳基。但是，Ar5Ar21的取代基是環(huán)原子數(shù)為650的芳基、碳數(shù)為150的支化鏈或直鏈狀垸基、鹵原子但是，在通式(5)中，ArnArn不同時為噻吩基芳基。對于通式(4)(6)表示的本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(7)用下述通式(8)表示。,S(8)通式(8)中，R,為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的芳基或碳數(shù)為1~50的支化鏈或直鏈狀烷基。L2表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的亞芳基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(4)中Ar廣Ar9中的至少一個用通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，用上述通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，至少一個用通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，用上述通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物,用上述通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物,優(yōu)選上述通式(4)中的Af5用上述優(yōu)選上述通式(4)中的Are和Ar8優(yōu)選上述通式(5)中Ar1()~Ar15中的優(yōu)選上述通式(5)中的An。和Ar,s優(yōu)選上述通式(5)中的Arn和A"優(yōu)選上述通式(6)中Ar16~Ar21中的至少一個用通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(6)中的Ar16、Ar18和Ar2。用上述通式(7)表示。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選在通式(4)(6)中，Ar5Ar21中不是通式(7)的基團為苯基、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基或芴基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選在通式(4)(6)中，L5L12各自獨立地為亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞聯(lián)三苯基或亞荷基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(7)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(7)中的R,為苯基、萘基或菲基。對于本發(fā)明的芳香族胺衍生物，優(yōu)選上述通式(4)(6)中的Ar5~Ar21中不是通式(7)的基團為苯基、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基或芴基，L廣L,2為亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞聯(lián)三苯基或亞芴基，上述通式(7)中L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基。作為通式(1)及(4)~(6)中的Ar廣A和通式(2)、(3)、(7)及(8)中的R,的取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的芳基的例子，例如可以列舉苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、l-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、l-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、l-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯基-4-基、對聯(lián)三苯基-3-基、對聯(lián)三苯基-2-基、間聯(lián)三苯基-4-基、間聯(lián)三苯基-3-基、間聯(lián)三苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-l-萘基、4-甲基-1-蒽基、4，-甲基聯(lián)苯基、4"-叔丁基-對聯(lián)三苯基-4-基、熒蒽基、芴基等。在這些基團中，優(yōu)選苯基、萘基、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基、荷基。由于噻吩化合物的2位和5位的反應性高，因此最好對該取代位置進行了保護。公知文獻有Macromol.RapidCommun.，2001，22，266-270，已報道了在電不穩(wěn)定情況下進行聚合。取代基最好為烷基或芳基，但是從化合物的穩(wěn)定性上考慮優(yōu)選芳基，更優(yōu)選未取代的芳基。作為通式(1)及(4)(6)中的L,和LsL！2、以及通式(2)、(3)、17(7)及(8)中的L2的取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的亞芳基，可以列舉將上述芳基形成2價基團后的基團。作為通式(2)、(3)、(7)及(8)中的R,的取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷基，例如可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1，3-二氯異丙基、2,3-二氯叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、l-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1.2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2，3-二溴叔丁基、1,2，3-三溴丙基、碘甲基、l-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2.3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氰甲基、l-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1，2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2，3-二氰基叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、三氟甲基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、l-金剛垸基、2-金剛烷基、1-降冰片烷基、2-降冰片烷基等。優(yōu)選為由烴形成的飽和鏈狀、支化鏈狀或環(huán)狀垸基，可具體地列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛垸基、1-降冰片烷基、2-降冰片垸基等。作為通式(2)、(3)、(7)及(8)中的R,的鹵原子，可以列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。作為Ar廣A化的取代基的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基、碳原子數(shù)為1~50的支化或直鏈垸基、鹵原子及氰基的例子，可以列舉與上述相同的基團。在通式(2)及(7)中，a為13的整數(shù)。a為2以上時，多個R,也可以互相結(jié)合，形成飽和或不飽和的可以被取代的5元環(huán)或6元環(huán)。但是芳香環(huán)除外。作為該可以形成的5元環(huán)或6元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，例如可以列舉環(huán)戊烷、環(huán)己烷、金剛烷、降冰片烷等碳數(shù)為4~12的環(huán)烷烴，環(huán)戊烯、環(huán)己烯等碳數(shù)為4~12的環(huán)烯烴，環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯等碳數(shù)為612的環(huán)垸二烯烴等。以下列出本發(fā)明的通式(1)及(4)~(6)表示的芳香族胺衍生物的具體例子，但是并不局限于這些例示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>優(yōu)選本發(fā)明的芳香族胺衍生物是有機電致發(fā)光元件用材料。優(yōu)選本發(fā)明的芳香族胺衍生物是蒸鍍用有機電致發(fā)光元件用材料。優(yōu)選本發(fā)明的芳香族胺衍生物是有機電致發(fā)光元件用空穴輸送材料。本發(fā)明的有機EL元件為在陰極和陽極間夾持了由至少含有發(fā)光層的一個層或多個層構(gòu)成的有機薄膜層的有機EL元件中，該有機薄膜層中的至少1層單獨含有上述芳香族胺衍生物或含有其作為混合物的成分。作為本發(fā)明的有機EL元件，該有機薄膜層具有空穴輸送層，優(yōu)選上述芳香族胺衍生物被包含在該空穴輸送層中。作為本發(fā)明的有機EL元件，該有機薄膜層具有多個空穴輸送層，優(yōu)選上述芳香族胺衍生物被包含在不與發(fā)光層直接接觸的層中。作為本發(fā)明的有機EL元件，上述有機薄膜層具有空穴注入層，優(yōu)選上述芳香族胺衍生物被包含在該空穴注入層。而且優(yōu)選上述芳香族胺衍生物是作為主成分被包含在該空穴注入層中。作為熒光性慘雜劑，優(yōu)選選自胺類化合物、芳香族化合物、三(8-羥基喹啉)鋁鉻合物等螯合絡(luò)合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙烯亞芳基衍生物、噁二唑衍生物等的適合于所需要的發(fā)光顏色的化合物，特別優(yōu)選列舉芳胺化合物、芳二胺化合物，其中更優(yōu)選苯乙烯胺化合物、苯乙烯二胺化合物、芳香族胺化合物、芳香族二胺化合物。另外，進一步優(yōu)選稠合多環(huán)芳香族化合物(胺化合物除外)。這些熒光性摻雜劑可以單獨使用或多種組合使用。作為這種苯乙烯胺化合物及苯乙烯二胺化合物，優(yōu)選下述通式(A)表示的物質(zhì)。(式中，A一是選自苯基、萘基、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基、芪基、二苯乙烯基芳基的基團，A/及ArS分別為碳數(shù)為620的芳香族烴基，Ar3、Ar4及A一也可以被取代。p為14的整數(shù)，其中優(yōu)選p為12的整數(shù)。A一Ar5中的任一個為含苯乙烯基的基團。更優(yōu)選A/或A一中的至少一方被苯乙烯基取代。)此處，作為碳數(shù)為6~20的芳香族烴基，可以列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、聯(lián)三苯基等。作為芳香族胺化合物及芳香族二胺化合物，優(yōu)選下述通式(B)表示的物質(zhì)。24(式中，A/ArS為取代或未取代的環(huán)炭原子數(shù)為540的芳基。q為l-4的整數(shù)，其中優(yōu)選q為12的整數(shù)。)此處，作為環(huán)碳數(shù)為5~40的芳基，例如可以列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、冠狀基(coronyl)、聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基、吡咯基、呋喃基、苯硫基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽基、芪基、茈基、慈基、茜基、苯并菲基、玉紅省基、苯并蒽基、苯基蒽基、聯(lián)蒽基、或下述通式(C)、(D)表示的芳基等，優(yōu)選萘基、蒽基、蘊基、芘基、或下述通式(D)表示的芳基。(通式(C)中，r為1~3的整數(shù)。)還有，作為在上述芳基上取代的優(yōu)選取代基，可以列舉碳數(shù)為16的垸基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳數(shù)為16的垸氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)碳數(shù)為540的芳基、被環(huán)碳數(shù)為5~40的芳基取代的氨基、具有環(huán)碳數(shù)為5~40的芳基的酯基、具有碳數(shù)為1~6的烷基的酯基、氰基、硝基、鹵原子等。作為稠合多環(huán)芳香族化合物(胺化合物除外)，優(yōu)選萘、蒽、菲、芘、冠狀物、聯(lián)苯、聯(lián)三苯、吡咯、呋喃、噻吩、苯并噻吩、噁二唑、吲哚、咔唑、吡啶、苯并喹啉、熒蒽、苯并熒蒽、苊并熒蒽、芪、茈、慈、茜、苯并菲、玉紅省、苯并蒽等稠合多環(huán)芳香族化合物及其衍生物。對于本發(fā)明的EL元件，優(yōu)選構(gòu)成上述空穴注入層和/或空穴輸送層的各層中與陽極接觸的層是含有接受體材料的層。接受體是易還原性有機化合物?；衔锏倪€原容易性可以通過還原電位測定。在本發(fā)明中，作為用飽和甘汞(SCE)電極作為參比電極的還原電位，優(yōu)選為-0.8V以上，特別優(yōu)選具有比四氰基醌二甲烷(TCNQ)的還原電位(約OV)更大的值的化合物。作為易還原性有機化合物，優(yōu)選為具有吸電子性取代基的有機化合物。具體來說，是醌型衍生物、吡嗪衍生物、芳基硼垸衍生物、酰亞胺衍生物等。醌型衍生物中包括醌二甲垸衍生物、二氧化噻喃衍生物、二氧化噻噸衍生物及苯醌衍生物等。優(yōu)選本發(fā)明的芳香族胺衍生物特別用于發(fā)藍色類光的有機EL元件。以下，對本發(fā)明的有機EL元件的元件構(gòu)成進行說明。(1)有機EL元件的構(gòu)成作為本發(fā)明的有機EL元件的代表性元件構(gòu)成，可以列舉(1)陽極/發(fā)光層/陰極(2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極(3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極(4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(5)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/陰極(6)陽極/有機半導體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極(7)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/粘附改進層/陰極(8)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(9)陽極/含接受體的層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(10)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(11)陽極/無機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(12)陽極/有機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(14)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極等結(jié)構(gòu)。在這些結(jié)構(gòu)中優(yōu)選采用(8)的結(jié)構(gòu)，但并不局限于這些結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的芳香族胺衍生物可以用于有機EL元件等的有機薄膜層，可以用于發(fā)光區(qū)域或空穴輸送區(qū)域，優(yōu)選用于空穴輸送區(qū)域，特別優(yōu)選用于空穴注入層中，由此分子不易結(jié)晶，提高了有機EL元件制造時的成品率。作為本發(fā)明的芳香族胺衍生物在有機薄膜層中的含量，優(yōu)選為30~100摩爾％。(2)透光性基板本發(fā)明的有機EL元件是在透光性基板上制作的。此處所說的透光性基板是支持有機EL元件的基板，優(yōu)選在400700nm的可見光區(qū)域中的透光率為50%以上的平滑基板。具體來說，可以列舉玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板，可以特別地列舉鈉石灰玻璃、含鋇鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、鋇硼硅酸玻璃、石英等。另外，作為聚合物板，可以列舉聚碳酸酯、壓克力(acryl)、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜(polyethersulfide)、聚砜等。(3)陽極本發(fā)明的有機EL元件的陽極是具有將空穴注入空穴輸送層或發(fā)光層的功能的部分，具有4.5eV以上的逸出功時是有效的。作為本發(fā)明中使用的陽極材料的具體例子，可以列舉氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦-鋅氧化物(IZO)、金、銀、鉬、銅等。陽極可以通過用蒸鍍法或濺射法等方法將這些電極物質(zhì)形成薄膜來制作。象這樣從陽極透出發(fā)光層的發(fā)光時，優(yōu)選相對于陽極發(fā)光的透光率為大于10%。另外，陽極片的電阻優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/口以下。雖然陽極的膜厚取決于材料，但通常選擇為10nmlpm，優(yōu)選為10200nrn。(4)發(fā)光層有機EL元件的發(fā)光層同時具有以下(1)~(3)的功能。(1)注入功能在施加電壓時可以從陽極或空穴注入層注入空穴、從陰極或電子注入層注入電子的功能(2)輸送功能用電場力使注入的電荷(電子和空穴)移動的功能27(3)發(fā)光功能提供電子和空穴再結(jié)合的場所，使其持續(xù)發(fā)光的功能但是，空穴注入的容易性與電子注入的容易性可以不同，另外，用空穴和電子的遷移率表示的輸送能力也有大有小，但優(yōu)選任一方均使電荷移動。作為形成該發(fā)光層的方法，例如可以采用蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知方法。特別優(yōu)選發(fā)光層為分子堆積膜。此處的分子堆積膜是指由氣相狀態(tài)的原料化合物沉積而形成的薄膜或由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的原料化合物固體化而形成的膜，通常就該分子堆積膜而言，由LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以根據(jù)凝聚結(jié)構(gòu)、超級結(jié)構(gòu)的不同，或由此導致的功能的不同進行區(qū)分。另外，也可以象日本特開昭57-51781號公報中公開的那樣，將樹脂等粘結(jié)劑和原料化合物溶解在溶劑中形成溶液，然后通過旋涂法等使其形成薄膜，從而可以形成發(fā)光層。在將本發(fā)明的化合物用于發(fā)光層時，也可以在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，根據(jù)預期使發(fā)光層中含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物構(gòu)成的發(fā)光材料以外的其它公知的發(fā)光材料，另外，在含有由本發(fā)明的芳香族胺衍生物構(gòu)成的發(fā)光材料的發(fā)光層上，還可以層疊含有其它公知發(fā)光材料的發(fā)光層?？膳c本發(fā)明的芳香族胺衍生物組合使用的發(fā)光材料主要是有機材料，作為可使用的摻雜材料，例如可以列舉蒽、萘、菲、芘、并四苯、冠狀物、藩(chrysene)、熒光素、芘、酞菲(phthaloperylene)、萘菲(naphthaloperylene)、菲酮、酞芘酮(phthaloperynone)、萘菲酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、噁二唑、醛連氮、二苯并噁唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬絡(luò)合物、氨基喹啉金屬絡(luò)合物、苯并喹啉金屬絡(luò)合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、部花菁、咪唑螯合8—羥基喹啉(oxynoid)化合物、喹吖酮、紅熒烯及熒光色素等，但并不局限于這些物質(zhì)。作為可與本發(fā)明的化合物組合使用的主體材料，優(yōu)選下述(i)~(xi)28表示的化合物。下述通式(i)表示的非對稱蒽。(式中，Ar為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為1050的稠合芳香族基團。Ar'為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香族基團。X為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~50的芳香族基團、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基團、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為6~50的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷氧羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。a、b及c分別為04的整數(shù)。n為l3的整數(shù)。另外，n為2以上時，[]內(nèi)也可以相同或不相同。)下述通式(ii)表示的非對稱單蒽。(式中，Ar^及Ar^各自獨立地為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳香環(huán)基團，m及n分別為14的整數(shù)。但是m=n=l且Ar1禾B&2在苯環(huán)上的結(jié)合位置是左右對稱型的情況下，A—和A一不同，m或n為24的整數(shù)時，m和n是不同的整數(shù)。WR^各自獨立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~50的芳香環(huán)基團、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基團、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為6~50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。)下述通式(iii)表示的非對稱芘衍生物。30下述通式(iv)表示的非對稱蒽衍生物。(式中，A'及^各自獨立地為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為10~20的稠合芳香環(huán)基團。Ar1及A一各自獨立地為氫原子、或取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~50的芳香環(huán)基團。R'R^各自獨立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~50的芳香環(huán)基團、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷氧基、取代或未取代的碳數(shù)為6~50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為l-50的垸氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。Ar1、Ar2、W及111()分別可以為多個，相鄰兩者之間可以形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。但是，在通式(1)中，中心蒽的9位及10位上不結(jié)合相對于該蒽上所示的X-Y軸呈對稱型的基團。)下述通式(v)表示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(式中，R^R^各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、可以被取代的芳基、垸氧基、芳氧基、烷基氨基、烯基、芳基氨基或可以被取代的雜環(huán)基，a及b分別表示15的整數(shù)，它們?yōu)?以上時，R'之間或W之間分別可以相同或不同，另外W之間或W之間還可以分別結(jié)合成環(huán)，R3和R4、RS和R6、r7和R8、W和R"也可以相互結(jié)合成環(huán)。L'表示單鍵、—O—、—S—、一N(R)—(R是烷基或可被取代的芳基)、亞烷基或亞芳基。)下述通式(vi)表示的蒽衍生物。(式中，R"R"各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)垸基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基或可以被取代的雜環(huán)基，c、d、e及f分別表示1~5的整數(shù)，它們?yōu)?以上時，R"之間、1112之間、R"之間或R"之間分別可以相同或不同，另外R"之間、R"之間、R"之間或R17之間還可以分別結(jié)合成環(huán)，R。和R"、R"和R"也可以相互結(jié)合成環(huán)。L2表示單鍵、—0—、—S—、—N(R)—(R是垸基或可被取代的芳基)、亞垸基或亞芳基。)下述通式(vii)表示的螺芴衍生物。(式中，ASA8各自獨立地為取代或未取代的聯(lián)苯基或者取代或未取代的萘基。)下述通式(viii)表示的含稠合環(huán)化合物。32A12A9(式中，A^A"與上述相同，R"R"各自獨立地表示氫原子、碳數(shù)為16的垸基、碳數(shù)為3~6的環(huán)烷基、碳數(shù)為16的垸氧基、碳數(shù)為5~18的芳氧基、碳數(shù)為7~18的芳烷氧基、碳數(shù)為5~16的芳基氨基、硝基、氰基、碳數(shù)為1~6的酯基或鹵原子，A^A"中的至少一個為具有3個環(huán)以上稠合芳香環(huán)的基團。)下述通式(ix)表示的芴化合物。(ix)(式中，R,及R2各自獨立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代的氨基、氰基或鹵原子。不同芴基上結(jié)合的A之間、R2之間可以相同或不同，相同的芴基上結(jié)合的R,及R2可以相同或不同。R3及R4表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基，不同芴基上結(jié)合的R3之間、R4之間可以相同或不同，相同的芴基上結(jié)合的R3及R4可以相同或不同。An及Ar2表示苯環(huán)合計為3個以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基團或者苯環(huán)和雜環(huán)的合計為3個以上的取代或未取代的通過碳結(jié)合在芴基上的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar,及Ar2可以相同或不同。n表示l10的整數(shù)。)下述通式(x)表示的具有蒽中心骨架的化合(式(x)中，A,及A2各自獨立地為由取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為620的芳香環(huán)衍生的基團。上述芳香環(huán)還可以被1或2個以上的取代基取代。上述取代基選自取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~50的芳基、取代或未取代的碳數(shù)為150的垸基、取代或未取代的碳數(shù)為3~50的環(huán)烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的垸氧基、取代或未取代的碳數(shù)為6~50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為150的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基及羥基。在所述芳香族環(huán)被2個以上取代基取代時，所述取代基可以相同或不同，相鄰的取代基之間可以相互結(jié)合形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。R廣Rs各自獨立地選自表示氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為650的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的雜芳基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的烷基、取代或未取代的碳數(shù)為3~50的環(huán)烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的垸氧基、取代或未取代的碳數(shù)為6~50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5~50的芳硫基、取代或未取代的碳數(shù)為1~50的垸氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基及羥基。)上述通式(x)中A,及A2為不同基團時的具有下述通式(xi)表示的結(jié)構(gòu)的化合物。34(式(Xi)中，Ai及A2、R廣R8各自獨立地與通式(X)相同。但是，在中心蒽的9位和10位上不結(jié)合相對于該蒽上所示的X-Y軸呈對稱型的基團。)在以上的主體材料中，優(yōu)選蒽衍生物，更優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選非對稱蒽。由含咔唑環(huán)的化合物構(gòu)成的適合于發(fā)磷光的主體是具有以下功能的化合物，即，從其激發(fā)狀態(tài)向發(fā)磷光性化合物轉(zhuǎn)移能量的結(jié)果使發(fā)磷光性化合物發(fā)光。作為主體化合物，只要是能夠?qū)⒓ぷ幽芰哭D(zhuǎn)移給發(fā)磷光性化合物的化合物即可，沒能特別的限定，可以根據(jù)目的進行適當?shù)剡x擇。也可以具有咔唑環(huán)以外的任意雜環(huán)。作為這種主體化合物的具體例子，可以列舉咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基垸烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代査耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氨烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、芳香族二亞甲基類化合物、卟啉類化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、二氧化噻喃衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘茈等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羥基喹啉基衍生物的金屬絡(luò)合物或金屬酞菁、以將苯并噁唑或苯并噻唑作為配位體的金屬絡(luò)合物為代表的各種金屬絡(luò)合物聚硅烷類化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺類共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚苯撐衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚新衍生物等高分子化合物等。主體化合物可以單獨使用，也可以2種以上同時使用。作為具體例子，可以列舉以下這種化合物。發(fā)磷光性的摻雜劑是可以通過三重態(tài)激子發(fā)光的化合物。只要通過三重態(tài)激子發(fā)光，就沒有特別地限制，優(yōu)選是含有選自Ir、RU、Pd、Pt、Os及Re的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉金屬絡(luò)合物或原金屬化(orthometal)金屬絡(luò)合物。作為卟啉金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉鉑絡(luò)合物。發(fā)磷光性化合物可以單獨使用，也可以是2種以上同時使用。形成原金屬化金屬絡(luò)合物的配位體有多種，作為優(yōu)選的配位體，可以列舉2-苯基吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(l-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可以根據(jù)需要具有取代基。特別引入了氟化物、三氟甲基的的配位體，作為藍色摻雜劑是優(yōu)選的。而且，也可以具有乙酰丙酮配位基、苦味酸等上述配位體以外的配位體作為輔助配位體。發(fā)磷光性摻雜劑在發(fā)光層中的含量沒有特別的限制，可以根據(jù)目的進行適當選擇，例如為0.170質(zhì)量％，優(yōu)選為1~30質(zhì)量％。如果發(fā)磷光性化合物的含量不足0.1質(zhì)量％，則發(fā)光微弱，不能充分發(fā)揮含有該成分的效果，超過70質(zhì)量％時，濃度消光的現(xiàn)象變得明顯，元件性能下降。另外，發(fā)光層也可以根據(jù)需要含有空穴輸送材料、電子輸送材料、聚合物粘合劑。另外，發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為5-50nm，更優(yōu)選為750nm，最優(yōu)選為1050nrn。如果不足5nm，則不容易形成發(fā)光層，可能難于調(diào)節(jié)色度，如果超過50nm，則驅(qū)動電壓可能上升。(5)空穴注入、輸送層(空穴輸送區(qū)域)36空穴注入、輸送層是有助于向發(fā)光層中注入空穴、直到輸送至發(fā)光區(qū)域的層，空穴遷移率大，離子化能通常小至5.6eV以下。作為這種空穴注入、輸送層，優(yōu)選以更低的電場強度向發(fā)光層輸送空穴的材料，更優(yōu)選空穴的遷移率在例如施加104~106V/cm的電場時至少為10'4cm2/V秒。將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于空穴輸送區(qū)域時，可以用本發(fā)明的芳香族胺衍生物單獨形成空穴注入、輸送層，也可以與其它材料混合使用。作為與本發(fā)明的芳香族胺衍生物混合而形成空穴注入、輸送層的材料，只要是具有上述優(yōu)選性質(zhì)的材料，就沒有特別的限制，可以從以往在光傳導材料中通常作為空穴電荷輸送材料使用的材料，以及在有機EL元件的空穴注入、輸送層中使用的公知材料中選擇任意材料進行使用。在本發(fā)明中，將具有空穴輸送能力、可用于空穴輸送區(qū)域的材料稱為空穴輸送材料。作為具體例子，可以列舉三唑衍生物(參見美國專利3,112,197號說明書等)、噁二唑衍生物(參見美國專利3,189,477號說明書等)、咪唑衍生物(參見日本特公昭37-16096號公報等)、聚芳基烷烴衍生物(參見美國專利3,615,402號說明書、第3,820,989號說明書、第3,542,544號說明書、日本特公昭45-555號公報、51-10983號公報、日本特開昭51-93224號公報、55-17105號公報、56-4148號公報、55-108667號公報、55-156953號公報、56-36656號公報等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(參見美國專利第3,180,729號說明書、第4，278,746號說明書、日本特開昭55-88064號公報、55-88065號公報、49-105537號公報、55-51086號公報、56-80051號公報、56-88141號公報、57-45545號公報、54-112637號公報、55-74546號公報等)、苯二胺衍生物(參見美國專利第3,615,404號說明書、日本特公昭51-10105號公報、46-3712號公報、47-25336號公報、日本特開昭54-119925號公報)、芳基胺衍生物(參見美國專利第3,567,450號說明書、第3,240,597號說明書、第3,658,520號說明書、第4,232,103號說明書、第4,175,961號說明書、第4,012,376號說明書、日本特公昭49-35702號公報、39-27577號公報、日本特開昭55-144250號公報、56-119132號公報、56-22437號公報、聯(lián)邦德國專利第1,110,518號說明書等)、氨基取代的査耳酮衍生物(參見美國專利第3,526,501號說明書等)、噁唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等中公開的物質(zhì))、苯乙烯基蒽衍生物(參見日本特開昭56-46234號公報等)、芴酮衍生物(參見日本特開昭54-110837號公報等)、腙衍生物(參見美國專利第3,717,462號說明書、日本特開昭54-59143號公報、55-52063號公報、55-52064號公報、55-46760號公報、57-11350號公報、57-148749號公報、日本特開平2-311591號公報等)、芪衍生物(參見日本特開昭61-210363號公報、61-228451號公報、61-14642號公報、61-72255號公報、62-47646號公報、62-36674號公報、62-10652號公報、62-30255號公報、60-93455號公報、60-94462號公報、60-174749號公報、60-175052號公報等)、硅氨垸衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)、聚硅烷類(日本特開平2-204996號公報)、苯胺類共聚物(日本特開平2-282263號公報)等。作為空穴注入、輸送層的材料，可以使用上述物質(zhì)，但是優(yōu)選使用卟啉化合物(日本特開昭63-295695號公報等中公開的物質(zhì))、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參見美國專利第4,127,412號說明書、日本特開昭53-27033號公報、54-58445號公報、55-79450號公報、55-144250號公報、56-119132號公報、61-295558號公報、61-98353號公報、63-295695號公報等)，特別是芳香族叔胺化合物。另外，還可以列舉美國專利第5，061，569號中記載的分子內(nèi)具有2個稠合芳香環(huán)的例如4,4'-雙(N-(l-萘基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(以下簡稱為NPD)、以及日本特開平4-308688號公報中記載的三苯胺單元連接成3個星放射狀的4,4，,4"-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(以下簡稱為MTDATA)等。另外還可以使用日本專利3571977號中公開的用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>(式中，RmR^分別表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜環(huán)基中的任意基團。但是，r'21Rl26可以相同或不同。另夕卜，Rl21和Rl22、r123和R124、r125和r^、R"和R126、11122和11123、尺124和尺125也可以形成稠合環(huán)。)另外還可以使用美國公開2004/0113547中記載的下述式的化合物。(式中，R'"R^為取代基，優(yōu)選為氰基、硝基、磺?；Ⅳ驶?、三氟甲基、鹵素等吸電子基團。)作為這些材料的代表，也可以使用接受體型材料作為空穴注入材料。它們的具體例子如以上所述。而且，除了作為發(fā)光層材料而列出的上述芳香族二亞甲基類化合物外，還可以使用p型Si、p型SiC等無機化合物作為空穴注入、輸送層的材料?？昭ㄗ⑷?、輸送層可以通過以下方法形成，即，例如采用真空蒸鍍法、旋涂法、澆鑄法、LB法等公知方法使本發(fā)明的芳香族胺衍生物形成薄膜?？昭ㄗ⑷?、輸送層的膜厚沒有特別的限制，但通常為5nm5pm。作為該空穴注入、輸送層，只要空穴輸送區(qū)域含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物，則可以由上述材料中的一種或二種以上形成的一個層所構(gòu)成，也可以由上述空穴注入、輸送層和由其它種類化合物構(gòu)成的空穴注入、輸送層進行層疊而形成。另外，也可以設(shè)置有機半導體層作為有助于向發(fā)光層中注入空穴的層，具有1(T1()S/Cm以上的導電率的層是適宜的。作為這種有機半導體層的材料，可以使用含噻吩低聚物或日本特開平8-193191號公報中公開的含芳基胺低聚物等導電性低聚物、含芳基胺樹枝狀聚合物等導電性樹枝狀聚合物等。(6)電子注入、輸送層接著，電子注入、輸送層是有助于向發(fā)光層注入電子、直至輸送至發(fā)光區(qū)域的層，電子遷移率大，另外，粘附改進層是該電子注入層中由對陰極粘附性特別良好的材料構(gòu)成的層。另外，已知由于有機EL元件所發(fā)的光被電極(此時為陰極)反射，因此由陽極直接發(fā)出的光和由電極反射而發(fā)出的光發(fā)生干涉。為了有效地利用該干涉效果，電子輸送層適宜選擇數(shù)nm數(shù)(am的膜厚，膜特別厚時，為了避免電壓上升，優(yōu)選在施加104106V/cm的電壓時電子遷移率至少為l(T5cm2/Vs以上。作為電子注入層中使用的材料，8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物或噁二唑衍生物是適宜的。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體例子，可以使用含有8-羥基喹啉(oxine)(通常為8—quinolino1或8—hydroxyquinolin)的螯合物的金屬螯合8—羥基喹啉(oxynoid)化合物，例如可以使用三(8—羥基喹啉)鋁作為電子注入材料。另一方面，作為噁二唑衍生物，可以列舉以下通式表示的電子傳導化合物。(式中，Ar'、Ar2、Ar3、Ar5、Ar6、Ar9分別表示取代或未取代的芳基，分別相互相同或不同。另外，Ar4、Ar7、Ar8表示取代或未取代的亞芳基，可以分別相同或不同。)作為此處的芳基，可以列舉苯基、聯(lián)苯基、蒽基、茈基、芘基。作為亞芳基，可以列舉亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。另外，作為取代基，可以列舉碳數(shù)為110的垸基、碳數(shù)為1~10的烷氧基或氰基等。優(yōu)選該電子傳導化合物是薄膜形成性化合物。作為上述電子傳導性化合物的具體例子，可以列舉下述物質(zhì)。另外，作為電子注入層及電子輸送層中使用的材料，也可以使用下述通式(A)~(F)表示的物質(zhì)。、乂一(A)L~~Ar1—Ar2(B)(通式(A)及(B)中，A^AS各自獨立地為氮原子或碳原子。在(A)式中，A一為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜芳基，在(B)式中，Ar'是使(A)式中的Ar'形成二價亞芳基而得到的基團，A為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為3~60的雜芳基、取代或未取代的碳數(shù)為120的烷基、或取代或未取代的碳數(shù)為1~20的垸氧基、或它們的2價基團。但是，Ar'及A一中的任一方為取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為10~60的稠合環(huán)基、或取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為3~60的單雜稠合環(huán)基、或它們的2價基團。L'、1^及L各自獨立地為單鍵、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜亞芳基、或取代或未取代的亞藥基。41R為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~60的芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為3~60的雜芳基、取代或未取代的碳數(shù)為1~20的烷基、或取代或未取代的碳數(shù)為1~20的烷氧基，n為05的整數(shù)，n為2以上時，多個R可以相同或不同，另外，鄰接的多個R可以相互結(jié)合，形成碳環(huán)式脂族環(huán)或碳環(huán)式芳香環(huán)。R'為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為6~60的芳基、取代或未取代的環(huán)碳數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳數(shù)為1~20的烷基、或取代或未取代的碳數(shù)為120的垸氧基、或一L一Ar'—Ar2。)表示的含氮雜環(huán)衍生物。HAr—L—Ar1—Ar2(C)(式中，HAr是可以具有取代基的碳數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L為單鍵、可以具有取代基的碳數(shù)為660的亞芳基、可以具有取代基的碳數(shù)為360的雜亞芳基或可以具有取代基的亞芴基，Ar1為可以具有取代基的碳數(shù)為6~60的2價芳香族烴基，A一為可以具有取代基的碳數(shù)為660的芳基或可以具有取代基的碳數(shù)為360的雜芳基。)表示的含氮雜環(huán)衍生物。(式中，X及Y各自獨立地為碳數(shù)為1~6的飽和或不飽和烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)或X與Y結(jié)合形成飽和或不飽和環(huán)的結(jié)構(gòu)，R,R4各自獨立地為氫、鹵原子、取代或未取代的碳數(shù)為16的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、垸基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、亞磺?；?、磺?；⒒前孵；⒓坠枸?、氨甲?；?、芳基、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基、或兩取代基鄰接時分別結(jié)合而形成取代或未取代的飽和或不飽和環(huán)的結(jié)構(gòu)。)表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物。42<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>(式中，R廣Rs及Z2各自獨立地表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香基、雜環(huán)基、取代氨基、取代硼烷基、垸氧基或芳氧基，X、Y及Zj各自獨立地表示飽和或不飽和的烴基、芳香基、雜環(huán)基、取代氨基、垸氧基或芳氧基，Z,和Z2的取代基可以相互結(jié)合成稠合環(huán)，n表示13的整數(shù)，n為2以上時，Z,可以不同。但是，不包括n為l，X、Y及R2為甲基，Rs為氫原子或取代硼烷基的情況，及n為3，Z,為甲基的情況。)表示的硼烷衍生物。該金屬絡(luò)合物作為n型半導體的性質(zhì)強、電子注入能力高。而且，由于形成絡(luò)合物時的生成能也低，因此所形成的金屬絡(luò)合物的金屬和配位體的結(jié)合性強，作為發(fā)光材料時的熒光量子效率高。如果列舉形成通式(G)的配位體的環(huán)A1及A2的取代基的具體例子，則有氯、溴、碘、氟這些鹵原子，甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或未取代的烷基，苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基，甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3,3-四氟丙氧基、1,1,1,3,3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基，苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基，甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的垸硫基，苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳硫基，氰基、硝基、氨基、甲氨基、二乙氨基、乙氨基、二乙氨基、二丙氮基、二丁氨基、二苯氨基等單或二取代氨基，雙(乙酰氧甲基)氨基、雙(乙酰氧乙基)氨基、雙(乙酰氧丙基)氨基、雙(乙酰氧丁基)氨基等酰基氨基，羥基、甲硅烷氧基、酰基、甲基氨基甲?；⒍谆被柞；⒁一被柞；?、二乙基氨基甲?；?、丙基氨基甲酰基、丁基氨基甲?；?、苯基氨基甲?；劝被柞；?，羧酸基，磺酸基，酰亞胺基，環(huán)戊基、環(huán)己基等環(huán)烷基，苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基，吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯垸基、二噁烷基、哌啶基、嗎啉基、哌嗪基、咔唑基、呋喃基、苯硫基、噁唑基、噁二唑基、苯并噁唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、呋喃(fUranyl)基等雜環(huán)基等。另外，以上的取代基之間也可以進而結(jié)合形成6員芳基環(huán)或雜環(huán)。在本發(fā)明的有機EL元件的優(yōu)選方案中，有在輸送電子的區(qū)域或陰極和有機層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。此處的還原性摻雜劑被定義為可以還原電子輸送性化合物的物質(zhì)。因此，可以使用各種物質(zhì)，只要其具有一定還原性即可，例如適宜使用選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土金屬的氧化物、堿土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物或稀土金屬的鹵化物、堿金屬的有機絡(luò)合物、堿土金屬的有機絡(luò)合物、稀土金屬的有機絡(luò)合物中的至少一種物質(zhì)。另外，更具體來說，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，可以列舉選自Li(逸出功2.9eV)、Na(逸出功2.36eV)、K(逸出功2.28eV)、Rb(逸出功2.16eV)及Cs(逸出功1.95eV)中的至少一種堿金屬，及選自Ca(逸出功2.9eV)、Sr(逸出功2.02.5eV)及Ba(逸出功2.52eV)中的至少一種堿土金屬，特別優(yōu)選逸出功為2.9eV以下的金屬。在這些金屬中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑是選自K、Rb及Cs的至少一種堿金屬，更優(yōu)選為Rb或Cs，最優(yōu)選為Cs。這些堿金屬還原能力特別高，通過在電子注入?yún)^(qū)域進行少量添加，可以謀求有機EL元件中發(fā)光亮度的提高及長使用壽命。另外，作為逸出功為2.9eV以下的還原性摻雜劑，優(yōu)選這些金屬中2種以上堿金屬的組合，特別優(yōu)選含有Cs的組合，例如Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb或Cs和Na和K的組合。通過組合包含Cs，可以有效地發(fā)揮還原能力，通過添加到電子注入?yún)^(qū)域，可以謀求有機EL元件中發(fā)光亮度的提高及長使用壽命。在本發(fā)明中，也可以在陰極和有機層之間進一步設(shè)置由絕緣體或半導體構(gòu)成的電子注入層。此時，可以有效防止電流的泄漏、提高電子注入性。作為這種絕緣體，優(yōu)選使用選自堿金屬硫族化物、堿土金屬硫族化物、堿金屬的鹵化物及堿土金屬的鹵化物中的至少一種金屬化合物。如果電子注入層由這些堿金屬硫族化物等構(gòu)成，則可以進一步提高電子注入性，就此而言是優(yōu)選的。具體來說，作為優(yōu)選的堿金屬硫族化物，例如可以列舉Li20、K20、Na2S、Na2Se&Na20，作為優(yōu)選的堿土金屬硫族化物，例如可以列舉CaO、BaO、SrO、BeO、BeS及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，例如可以列舉LiF、NaF、KF、LiCl、KC1及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土金屬的鹵化物，例如可以列舉CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2之類的氟化物，以及氟化以外的鹵化物。另外，作為構(gòu)成電子輸送層的半導體，可以列舉含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn中的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等中的單獨一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無機化合物優(yōu)選為微晶或非晶的絕緣性薄膜。如果電子輸送層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則可以形成更均質(zhì)的薄膜，因此可以減少黑點等像素缺陷。還有，作為這種無機化合物，可以列舉上述堿金屬硫族化物、堿土金屬硫族化物、堿金屬的卣化物及堿土金屬的鹵化物等。(7)陰極作為陰極，為了向電子注入、輸送層或發(fā)光層中注入電子，可以使用將逸出功小(4eV以下)的金屬、合金、導電性化合物及它們的混合物作為電極物質(zhì)的電極。作為這種電極物質(zhì)的具體例子，可以列舉鈉、鈉*鉀合金、鎂、鋰、鎂'銀合金、鋁/氧化鋁、鋁*鋰合金、銦、稀土金屬等。該陰極可以通過以下方法制作，即，通過蒸鍍或濺射方法將這些電極物質(zhì)形成薄膜。此處使發(fā)光層的發(fā)光從陰極發(fā)出時，陰極對發(fā)光的透過率優(yōu)選大于10%。另外，陰極的片電阻優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為10nm~l|im，優(yōu)選為50200nrn。(8)絕緣層對于有機EL元件來說，由于在超薄膜上施加電場，因此容易因泄漏或短路產(chǎn)生像素缺陷。為了防止這一問題，優(yōu)選在一對電極之間插入絕緣性薄膜層。作為絕緣層中使用的材料，例如可以列舉氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等，也可以使用它們的混合物或?qū)盈B物。(9)有機EL元件的制造方法利用以上例示的材料及形成方法，形成陽極、發(fā)光層、必要時的空穴注入、輸送層、以及必要時的電子注入、輸送層，再形成陰極，從而可以形成有機EL元件。另外，也可以從陰極到陽極，按與上述相反的順序制作有機EL元件。以下，記載具有在透光性基板上依次設(shè)置陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的結(jié)構(gòu)的有機EL元件的制作例。首先，在適當?shù)耐腹庑曰迳希ㄟ^使由陽極材料構(gòu)成的薄膜達到lpm以下，優(yōu)選10200nm膜厚的蒸鍍或濺射等方法形成薄膜，從而制造陽極。接著，在該陽極上形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥男纬煽梢酝ㄟ^如上所述的真空蒸鍍法、濺射法、澆鑄法、LB法等方法進行，但是從容易得到均質(zhì)膜，并且不容易出現(xiàn)針孔方面考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成空穴注入層時，其蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物(空穴注入層材料)、所要達到的空穴注入層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)及再結(jié)合結(jié)構(gòu)等有所不同，但通常優(yōu)選按照蒸鍍源溫度為5045(TC，真空度為10:10—3torr，蒸鍍速度為0.0150nm/秒，基板溫度為一5030(TC，膜厚為5nm5pm的范圍進行適當?shù)剡x擇。然后，在空穴注入層上設(shè)置發(fā)光層時的發(fā)光層形成也可以通過以下方法形成，即，使用所希望的有機發(fā)光材料，通過真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、澆鑄法等方法將有機發(fā)光材料薄膜化，但是從容易得到均質(zhì)膜，并且不容易出現(xiàn)針孔方面考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。通過真空蒸鍍法形成發(fā)光層時，其蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物而有所不同，但通?？梢詮呐c空穴注入層相同的條件范圍內(nèi)進行選擇。接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。和空穴注入層、發(fā)光層一樣，從需要獲得均質(zhì)膜方面考慮，優(yōu)選通過真空蒸鍍法形成。蒸鍍條件可以從與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍內(nèi)進行選擇。本發(fā)明的芳香族胺衍生物根據(jù)被包含在發(fā)光區(qū)域或空穴輸送區(qū)域中哪一個層中而有所不同，在使用真空蒸鍍法時可以與其它材料進行共蒸鍍。另外，使用旋涂法時，可以通過與其它材料混合而被含有。最后層疊陰極，可以得到有機EL元件。陰極是由金屬構(gòu)成的部分，可以采用蒸鍍法、濺射法。但是，為了防止在制膜時損壞基底有機物層，優(yōu)選真空蒸鍍法。該有機EL元件的制作優(yōu)選一次性抽真空并從制作陽極一直保持到制作陰極。本發(fā)明的有機EL元件的各層的形成方法沒有特別的限制?？梢圆捎美昧艘酝恼婵照翦兎ā⑿糠ǖ鹊男纬煞椒?。在本發(fā)明的有機EL元件中使用的、含有上述通式(1)表示的化合物的有機薄膜層可以通過利用真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法(MBE法)或溶解在溶劑中形成的溶液的浸涂法、旋涂法、澆鑄法、棒涂法、輥涂法等涂布法的公知方法來形成。本發(fā)明的有機EL元件的各有機層的膜厚沒有特別限制，但是，通常如果膜厚過小，則容易產(chǎn)生針孔等缺陷，反之如果過厚，則需要施加高電47壓，效率變差，因此通常優(yōu)選為數(shù)nm至lpm。還有，在有機EL元件上施加直流電壓時，陽極成為+極性，陰極成為一極性，可以觀測施加540V的電壓時的發(fā)光。另外，按相反的極性施加電壓時沒有電流流過，完全沒有發(fā)光。而且在施加交流電壓時，僅在陽極為+、陰極為一的極性時觀測到均勻的發(fā)光。所施加的交流電流的波形可以是任意的。實施例以下基于合成例及實施例，對本發(fā)明進行更詳細地說明。合成例121中制造的中間體1~21的結(jié)構(gòu)式如下。中間體19中間體20中間體21合成例1(中間體l的合成)在氬氣流下，在1000ml的三口燒瓶中加入47g4-溴聯(lián)苯、23g碘、9.4g高碘酸二水合物、42ml水、360ml醋酸、llml硫酸，在65'C下攪拌30分鐘后，在9(TC下反應6小時。將反應物注入到冰水中，過濾。用水洗滌后，用甲醇清洗，從而得到67g白色粉末。通過FD-MS(場解析質(zhì)譜)分析，得到了對應于C12H15BrI=359，m/z=358和360的主峰，因此鑒定為中間體l。合成例2(中間體2的合成)在氬氣流下，在300ml的三口燒瓶中加入10g對聯(lián)三苯、12g碘、4.9g高碘酸二水合物、20ml水、170ml醋酸、22ml硫酸，在65"C下攪拌30分鐘后，在9(TC下反應6小時。將反應物注入到冰水中，過濾。用水洗滌后，用甲醇清洗，從而得到18g白色粉末。通過FD-MS分析，得到了對應于C18H12I2=482，m/z:482的主峰，因此鑒定為中間體2。合成例3(中間體3的合成)在氬氣流下，在50L的反應容器中加入750g苯基硼酸、1000g2-溴噻吩、142g四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4)、9L2M的碳酸鈉(Na2C03)溶液、15L二甲氧基乙烷，然后在80'C下反應8小時。用甲苯/水萃取反應液，用無水硫酸鈉干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，從而得到786g白色粉末。在氬氣流下，在20L的反應容器中加入786g上述得到的化合物和8LDMF(二甲基甲酰胺)，然后慢慢加入960gNBS(N-溴代丁二酰亞胺)，在室溫下反應12小時。用己烷/水萃取，用無水硫酸鈉干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，從而得到703g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體3。合成例4(中間體4的合成)在氬氣流下，在20L的反應容器中加入703g中間體3、7L脫水THF(四氫呋喃)冷卻至一30°C。加入2.3L正丁基鋰(n-BuLi，1.6M己烷溶液)，反應1小時。冷卻至一7(TC后，加入1658g硼酸三異丙酯(東京化成社制)。緩慢升溫，在室溫下攪拌1小時。加入10%的鹽酸溶液1.7L進行攪拌。用醋酸乙酯和水萃取，用水洗滌有機層。用無水硫酸鈉干燥，餾去溶劑。用己烷洗滌，從而得到359g白色粉末。在氬氣流下，在20L的反應容器中加入506g上述得到的5-苯基-2-噻吩硼酸、600g4-碘溴代苯、41g四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4)、2.6L2M的碳酸鈉(Na2C03)溶液、IOL二甲氧基乙烷，然后在80。C下反應8小49時。用甲苯/水萃取反應液，用無水硫酸鈉干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，從而得到277g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體4。合成例5(中間體5的合成)在中間體4的合成中，用中間體1代替4-碘溴代苯，除此之外進行同樣的反應，得到342g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體5。合成例6(中間體6的合成)在中間體4的合成中，用5-甲基-2-噻吩硼酸代替5-苯基-2-噻吩硼酸，除此之外進行同樣的反應，得到203g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體6。合成例7(中間體8的合成)在氬氣流下，添加5.5g苯胺、15.7g中間體4、6.8g叔丁醇鈉(廣島和光社制)、0.46g三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Aldrich社制)及300mL脫水甲苯，在8(TC下反應8小時。冷卻后，添加500mL水，對混合物進行硅藻土(celite)過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂進行干燥。對其進行減壓濃縮，對得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，用甲苯進行重結(jié)晶，對其進行過濾后，干燥，得到10.8g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體8。合成例8(中間體9的合成)在中間體8的合成中，用中間體6代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到7.3g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體9。合成例9(中間體ll的合成)在氬氣流下，添加185g乙酰胺(東京化成社制)、315g中間體4(和光純藥社制)、544g碳酸鉀(和光純藥社制)、12.5g銅粉(和光純藥社制)及2L癸烷，在190。C下反應4天。反應后進行冷卻，添加2L甲苯，過濾出不溶物。將濾出物溶解在4.5L氯仿中，除去不溶物后，用活性炭處理，濃縮。在其中加入3L丙酮，濾出析出的晶體175g。使其在5L乙二醇(和光純藥社制)、50mL水中形成懸浮，添加210g85%氫氧化鉀水溶液，然后在120。C下反應8小時。反應后將反應液注入到10L水中，濾出析出晶體，用水、甲醇洗滌。將得到的結(jié)晶溶解在3L四氫呋喃中，用活性炭處理后進行濃縮，加入丙酮析出晶體。對其進行過濾，得到145g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體ll。合成例10(中間體12的合成)在氬氣流下，添加185g乙酰胺(東京化成社制)、253g4-溴聯(lián)苯(和光純藥社制)、544g碳酸鉀(和光純藥社制)、12.5g銅粉(和光純藥社制)及2L癸烷，在19(TC下反應4天。反應后進行冷卻，添加2L甲苯，濾出不溶物。將濾出物溶解在4.5L氯仿中，除去不溶物后，用活性炭處理，濃縮。在其中加入3L丙酮，濾出析出的晶體205g。在其中加入177g中間體4(和光純藥社制)、380g碳酸鉀(和光純藥社制)、8.8g銅粉(和光純藥社制)及2L癸烷，在19(TC下反應4天。反應后進行冷卻，添加1.4L甲苯，濾出不溶物。將濾出物溶解在3L氯仿中，除去不溶物后，用活性炭處理，濃縮。在其中加入3L丙酮，濾出析出的晶體224g。使其在3.5L乙二醇(和光純藥社制)、35mL水中形成懸浮，添加147g85%氫氧化鉀水溶液，然后在12(TC下反應8小時。反應后將反應液注入到IOL水中，濾出析出晶體，用水、甲醇洗滌。將得到的結(jié)晶加熱溶解在3L四氫呋喃中，用活性炭處理后進行濃縮，加入丙酮析出晶體。對其進行過濾，得到141g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體12。合成例11(中間體13的合成)在中間體ll的合成中，將中間體4從315g改為630g，除此之外進行同樣的反應，得到240g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體13。合成例12(中間體14的合成)在中間體13的合成中，用中間體6代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到140g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體14。合成例13(中間體16的合成)在中間體8的合成中，用中間體ll代替苯胺、用l-溴萘代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到12g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體16。合成例14(中間體17的合成)在氬氣流下，添加185g乙酰胺(東京化成社制)、315g中間體4(和光純藥社制)、544g碳酸鉀(和光純藥社制)、12.5g銅粉(和光純藥社制)及2L癸垸，在19(TC下反應4天。反應后進行冷卻，添加2L甲苯，濾出不溶物。將濾出物溶解在4.5L氯仿中，除去不溶物后，用活性炭處理，濃縮。在其中加入3L丙酮，濾出析出的晶體175g。在其中加入120g4,4'-二碘聯(lián)苯(和光純藥社制)、163g碳酸鉀(和光純藥社制)、3.8g銅粉(和光純藥社制)及600mL癸烷，在19(TC下反應4天。反應后進行冷卻，添加600mL甲苯，濾出不溶物。將濾出物溶解在1.4L氯仿中，除去不溶物后，用活性炭處理，濃縮。在其中加入1L丙酮，濾出析出的晶體382g。使其在1.5L乙二醇(和光純藥社制)、15mL水中形成懸浮，添加44g85%氫氧化鉀水溶液，然后在12(TC下反應8小時。反應后將反應液注入到10L水中，濾出析出晶體，用水、甲醇洗滌。將得到的結(jié)晶溶解在1L四氫呋喃中，用活性炭處理后進行濃縮，加入丙酮析出晶體。對其進行過濾，得到130g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體17。合成例15(中間體18的合成)在氬氣流下，添加547gl-乙酰胺萘(東京化成社制)、400g4，4，-二碘聯(lián)苯(和光純藥社制)、544g碳酸鉀(和光純藥社制)、12.5g銅粉(和光純藥社制)及2L癸烷，在19(TC下反應4天。反應后進行冷卻，添加2L甲苯，濾出不溶物。將濾出物溶解在4.5L氯仿中，除去不溶物后，用活性炭處理，濃縮。在其中加入3L丙酮，濾出析出的晶體382g。使其在5L乙二醇(和光純藥社制)、50mL水中形成懸浮，添加145g85%氫氧化鉀水溶液，然后在12(TC下反應8小時。反應后將反應液注入到IOL水中，濾出析出晶體，用水、甲醇洗滌。將得到的結(jié)晶加熱溶解在3L四氫呋喃中，用活性炭處理后進行濃縮，加入丙酮析出晶體。對其進行過濾，得到264g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體18。合成例16(中間體19的合成)在氬氣流下，添加5.1g二苯胺、10.8g中間體l、3g叔丁醇鈉(廣島52和光社制)、0.5g雙(三苯基膦)氯化鈀(II)(東京化成社制)及500mL二甲苯，在13(TC下反應24小時。冷卻后，加水1000mL，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂進行干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，用甲苯進行重結(jié)晶，對其進行過濾后，干燥，得到3.4g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體19。合成例17(中間體20的合成)在中間體19的合成中，用4-碘溴代苯代替中間體1，除此之外進行同樣的反應，得到2.8g白色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為中間體20。合成例18(中間體21的合成)在200ml的三口燒瓶中加入20.0g4-溴聯(lián)苯(東京化成社制)、8.64g叔丁醇鈉(和光純藥社制)、84mg醋酸鈀(和光純藥社制)。再加入攪拌子，在燒瓶兩側(cè)安裝橡膠帽，中央口上設(shè)置回流用蛇管，其上方設(shè)置三通旋塞和封入了氬氣的氣球，使用真空泵，用氣球內(nèi)的氬氣對體系內(nèi)置換三次。然后利用注射器通過橡膠帽添加120mL脫水甲苯(廣島和光社制)、4.08mL節(jié)基胺(東京化成社制)、338pL三叔丁基膦(Aldrich社制，2.22md/L的甲苯溶液)，在室溫下攪拌5分鐘。接著，將燒瓶置于油浴中，一邊攪拌溶液，一邊慢慢升溫至12(TC。7小時后，從油浴中取出燒瓶，終止反應，在氬氣氛下，放置12小時。將反應溶液轉(zhuǎn)移到分液漏斗中，添加600mL二氯甲烷溶解沉淀物，用120mL飽和食鹽水進行洗滌，然后用無水碳酸鉀干燥有機層。將過濾碳酸鉀得到的有機層的溶劑餾去，在得到的殘渣中添加400mL甲苯、80mL乙醇，安裝干燥管并加熱到80°C，使殘渣完全溶解。然后放置12小時，冷卻至室溫，從而進行重結(jié)晶。對析出的結(jié)晶進行過濾，通過在6(TC下真空下千燥，得到13.5gN，N-:-(4-聯(lián)苯基)芐胺。在300mL的單口燒瓶中，加入1.35gN，N-二(4-聯(lián)苯基)芐胺、鈀-活性炭135mg(廣島和光社制，鈀含量10重量％)，加入100mL氯仿、20mL乙醇進行溶解。接著在燒瓶中加入攪拌子，然后在燒瓶上安裝裝備了填充2L氫氣的氣球的三通旋塞，用真空泵對燒瓶體系內(nèi)置換氫氣10次。重新填充減少的氫氣，再使氫氣體積為2L后，在室溫下劇烈地攪拌溶液。攪拌30分鐘后，加入二氯乙垸100mL，過濾催化劑。接著，將得到的溶液轉(zhuǎn)移到分液漏斗中，用碳酸氫鈉飽和水溶液50mL洗滌后，分離有機層，用無水碳酸鉀干燥。過濾后，餾去溶劑，在得到的殘渣中加入50mL甲苯，進行重結(jié)晶。過濾析出的結(jié)晶，通過在5(TC下迸行真空干燥，得到0.99g的二-4-聯(lián)苯基胺。在氬氣流下，加入10g二-4-聯(lián)苯基胺、9.7g4，4'-二溴聯(lián)苯(東京化成社制)、3g叔丁醇鈉(廣島和光社制)、0.5g雙(三苯基膦)氯化鈀(II)(東京化成社制)及500mL二甲苯，在13(TC下反應24小時。冷卻后，加水1000mL，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂進行干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，用甲苯進行重結(jié)晶，對其進行過濾后，干燥，得到9.1g下述4'-溴-N,N-二聯(lián)苯基-4-氨基-U'-聯(lián)苯(中間體21)。作為合成實施例120制造的本發(fā)明的芳香族胺衍生物的化合物H1H20的結(jié)構(gòu)式如下。54合成實施例1(化合物H1的合成)在氬氣流下，加入3.4gN,N-二苯基聯(lián)苯胺、6.6g中間體4、2.6g叔丁醇鈉(廣島和光社制)、92mg三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀(0)(Aldrich社制)、42mg三叔丁基膦及l(fā)OOmL脫水甲苯，在80。C下反應8小時。冷卻后，加水500mL，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂進行干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，用甲苯進行重結(jié)晶，對其進行過濾后，干燥，得到4.0g淡黃色粉末。通過FD-MS(場解析質(zhì)譜)分析，鑒定為化合物H1。合成實施例2(化合物H2的合成)在氬氣流下，加入4.1g4，4，-二碘聯(lián)苯、8.4g中間體12、2.6g叔丁醇鈉(廣島和光社制)、92mg三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Aldrich社制)、42mg三叔丁基膦及100mL脫水甲苯，在80。C下反應8小時。冷卻后，加水500mL，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂進行干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，用甲苯進行重結(jié)晶，對其進行過濾后，干燥，得到4.8g淡黃色粉末。通過FD-MS(場解析質(zhì)譜)分析，鑒定為化合物H2。合成實施例3(化合物H3的合成)在合成實施例1中，用4.4g中間體18代替N，N'-二苯基聯(lián)苯胺，除此之外進行同樣的反應，得到5.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H3。合成實施例4(化合物H4的合成)在合成實施例1中，用8.1g中間體5代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到5.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H4。合成實施例5(化合物H5的合成)在氬氣流下，加入8.1g中間體12、11.0g中間體21、2.6g叔丁醇鈉(廣島和光社制)、92mg三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(Aldrich社制)、42mg三叔丁基膦及l(fā)OOmL脫水甲苯，在80。C下反應8小時。冷卻后，加水500mL，對混合物進行硅藻土過濾，用甲苯萃取濾液，用無水硫酸鎂進行干燥。對其進行減壓濃縮，將得到的粗產(chǎn)物進行柱精制，用甲苯進行重結(jié)晶，對其進行過濾后，干燥，得到13.1g淡黃色粉末。通過FD-MS(場解析質(zhì)譜)分析，鑒定為化合物H5。合成實施例6(化合物H6的合成)在合成實施例5中，用6.5g中間體8代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到7.9g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H6。合成實施例7(化合物H7的合成)在合成實施例5中，用7.5g中間體16代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到7.9g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H4。合成實施例8(化合物H8的合成)在合成實施例5中，用9.7g中間體13代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到10.2g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H8。合成實施例9(化合物H9的合成)在合成實施例2中，用9.7g中間體13代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到4.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H9。合成實施例10(化合物HIO的合成)在合成實施例2中，用7.2g中間體9代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到3.6g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物HIO。合成實施例ll(化合物H12的合成)在合成實施例2中，用7.2g中間體14代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到5.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H12。合成實施例12(化合物H14的合成)在合成實施例2中，用4.8g中間體2代替4，4'-二碘聯(lián)苯、用6.5g中間體8代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到3.9g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H14。合成實施例13(化合物H15的合成)在合成實施例2中，用3.3g1,4-二碘代苯代替4,4，-二碘聯(lián)苯、用6.5g中間體8代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到3.3g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H15。合成實施例14(化合物H16的合成)在合成實施例1中，用2.5g中間體11代替N,N'-二苯基聯(lián)苯胺、用8.0g中間體19代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到2.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H16。合成實施例15(化合物H17的合成)在合成實施例1中，用6.5g中間體17代替N，N'-二苯基聯(lián)苯胺、用8.0g中間體19代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到7.1g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H17。合成實施例16(化合物H18的合成)在合成實施例1中，用6.5g中間體17代替N,N'-二苯基聯(lián)苯胺、用6.5g中間體20代替中間體4，除此之外進行同樣的反應，得到5.9g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H18。合成實施例17(化合物H19的合成)在合成實施例2中，用3.5g2,7-二溴-9,9-二甲基芴代替4，4'-二碘聯(lián)苯、用6.5g中間體8代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到3.7g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H19。合成實施例18(化合物H20的合成)在合成實施例2中，用4.8g三(4-溴苯基)胺代替4,4，-二碘聯(lián)苯、用9.7g中間體8代替中間體12，除此之外進行同樣的反應，得到4.8g淡黃色粉末。通過FD-MS分析，鑒定為化合物H20。實施例l(有機EL元件的制造)在異丙醇中，對25mmX75mmXl.lmm厚的粘附了ITO透明電極的玻璃基板(Geomatech社制)進行超聲波清洗5分鐘，然后進行30分鐘的UV臭氧清洗。將清洗后的粘附了透明電極線的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板支架上，首先在形成了透明電極線一側(cè)的表面上以覆蓋上述透明電極的方式使上述化合物Hl形成厚度為60nm的膜。該Hl膜起著空穴注入層的功能。在該H1膜上，形成膜厚為20nm的下述化合物層TBDB的膜。該膜起著空穴輸送層的功能。再蒸鍍下述化合物EM1，形成厚度為40nm的膜。同時，蒸鍍作為發(fā)光分子的下述具有苯乙烯基的胺化合物D1，并使EMI和Dl的重量比為40:2。該膜起著發(fā)光層的功能。在該膜上形成厚度為10nm的下述Alq膜。其起著電子注入層的功能。然后，用作為還原性摻雜劑的Li(Li源Saesgetter社制)和Alq進行二元蒸鍍，形成作為電子注入層(陰極)的Alq丄i膜(膜厚10nm)。在該Alq:Li膜上蒸鍍金屬Al形成金屬陰極，從而形成有機EL元件。另外，對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色。對于發(fā)光效率，用Minolta制造的CS1000測定亮度，計算10mA/cn^下的發(fā)光效率。另外，將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表1中。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula>實施例212(有機EL元件的制造)在實施例1中，用表1中記載的化合物代替作為空穴輸送材料的化合物H1，除此之外進行同樣的操作，制作有機EL元件。對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，并且將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表1中。比較例1~7在實施例1中，分別使用比較化合物1-比較化合物7代替作為空穴輸送材料的化合物H1，除此之外進行同樣的操作，制作有機EL元件。另外，對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，并且將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表l中。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>實施例13(有機EL元件的制造)在實施例1中，用下述芳基胺化合物D2代替具有苯乙烯基的胺化合物D1，除此之外進行同樣的操作，制作有機EL元件。Me為甲基。另外，對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，并且將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表l中。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>比較例8在實施例13中，用上述比較化合物1代替作為空穴輸送材料的化合物H1，除此之外進行同樣的操作，制作有機EL元件。另外，對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，并且將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表l中。實施例14(有機EL元件的制造)在實施例1中，在陽極和上述化合物H1之間用下述接受體化合物成膜為10nm，并將上述化合物H1的膜厚改為50nm，除此之外進行同樣的操作，制作有機EL元件。另外，對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，并且將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表l中。NCCNNNNNCCN接受體化合物比較例9在實施例14中，用上述比較化合物1代替作為空穴輸送材料的化合物H1，除此之外進行同樣的操作，制作有機EL元件。另外，對于得到的有機EL元件，測定發(fā)光效率，觀察發(fā)光顏色，并且將對初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒定電流驅(qū)動下的發(fā)光半衰期的測定結(jié)果示于表l中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>7H86.23808H126.4始'3309H166.2條.42010H146.1藍色43011H156.544012H196.3藍色42013HI6.1藍色43014HI5.7藍色340比較例1比較化合物17.1藍色280比較例2比較化合物26.6藍色80比較例3比較化合物36.2藍色110比較例4比較化合物46.4藍色200比較例5比較化合物56.6藍色150比較例6比較化合物66.8藍色260比較例7比較化合物76.9藍色240比較例8比較化合物17.0藍色270比較例9比較化合物16.5藍色130關(guān)于H1和H12及比較化合物4，可確認在測定壽命200小時后電壓上升(AV二(200小時后的電壓)一(起始電壓))，對于H1為0.2V，對于H12為0.4V，對于比較化合物5為0.7V?？烧J為越是電不穩(wěn)定的化合物，電壓上升越大。工業(yè)實用性如以上詳細說明所述，本發(fā)明的芳香族胺衍生物在降低驅(qū)動電壓的同時，分子不容易結(jié)晶，通過使有機薄膜層中含有該物質(zhì)，可以提高有機EL元件制造時的成品率，實現(xiàn)具有長使用壽命的有機EL元件。6權(quán)利要求1、一種由下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物，式中，L1表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～50的亞芳基，Ar1～Ar4中的至少一個由下述通式(2)表示，式中，R1為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～50的芳基、碳數(shù)為1～50的支化鏈或直鏈狀烷基、鹵原子或氰基，a為1～3的整數(shù)，L2表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～50的亞芳基；在通式(1)中，Ar1～Ar4中不是通式(2)的基團各自獨立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～50的芳基，但是，Ar1～Ar4的取代基是環(huán)原子數(shù)為6～50的芳基、碳數(shù)為1～50的支化鏈或直鏈狀烷基、鹵原子或氰基，但是，a＝2時兩個R1形成環(huán)，不形成苯并苯硫基。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(2)由下述通式(3)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，R,為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基或碳數(shù)為1~50的支化鏈或直鏈狀垸基，L2表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的Ar,由上述通式(2)表示。4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的Ar，和Ar2分別獨立地由上述通式(2)表示。5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的Ar，和Ar3分別獨立地由上述通式(2)表示。6、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的Ar廣Ar4中的3個以上是互不相同、非對稱的。7、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的AnAr4中的3個是相同、非對稱的。8、根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的Ar廣Af4中不是通式(2)的基團各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或芴基。9、根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的L,為亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基或亞芴基。10、根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(2)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基。11、根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(2)中的Ri為苯基、萘基或菲基。12、根據(jù)權(quán)利要求111中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(1)中的Ar廣Ai4中不是通式(2)的基團各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或芴基，L,為亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基或亞芴基，上述通式(2)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞荷基。13、一種由下述通式(4)~(6)中的任一式表示的芳香族胺衍生物，式中，L5L,2分別獨立地表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基，Ar廣Ar9中的至少一個由通式(7)表示，Ar,oAr,s中的至少一個由通式(7)表示，Ar,6A中的至少一個由通式(7)表示，,S、(7)式中，R,為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基、碳數(shù)為1~50的支化鏈或直鏈狀烷基、卣原子或氰基，a為l3的整數(shù)，L2表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基，但是，『2時兩個&形成環(huán)，不形成苯并苯硫基;在通式(4)~(6)中，Ar5Ar21中不是通式(7)的基團各自獨立地為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的芳基，但是，Ar5~Ar21的取代基是環(huán)原子數(shù)為650的芳基、碳數(shù)為150的支化鏈或直鏈狀烷基、鹵原子但是，在通式(5)中，An,和Ar,4不同時為噻嗯基芳基。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(7)由下述通式(8)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(8)式中，R,為取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為650的芳基或碳數(shù)為150的支化鏈或直鏈狀垸基，L2表示取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6~50的亞芳基。15、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，在上述通式(4)中，Ar廣Ar9中的至少一個由上述通式(7)表示。16、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(4)中的Ai"5由上述通式(7)表示。17、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(4)中的Ar6和Ars分別獨立地由上述通式(7)表示。18、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，在上述通式(5)中，Aru)Ar,5中的至少一個由上述通式(7)表示。19、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(5)中的Ar,o和Ans分別獨立地由上述通式(7)表示。20、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(5)中的A和Ar,3分別獨立地由上述通式(7)表示。21、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，在上述通式(6)中，Ar,6A中的至少一個由上述通式(7)表示。22、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(6)中的Ar,s、Ar,s和Ar2()分別獨立地由上述通式(7)表示。23、根據(jù)權(quán)利要求1322中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(4)~(6)中的Ar5~Ar21中不是通式(7)的基團各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或芴基。24、根據(jù)權(quán)利要求13~23中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(4)(6)中的LsL,2各自獨立地為亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基或亞芴基。25、根據(jù)權(quán)利要求13~24中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(7)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞荷基。26、根據(jù)權(quán)利要求1325中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(7)中的R,為苯基、萘基或菲基。27、根據(jù)權(quán)利要求13~26中任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，上述通式(4)~(6)中的Ar5~Ar21中不是通式(7)的基團各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或芴基，L5L,2分別獨立地為亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基或亞芴基，通式(7)中的L2為亞苯基、亞聯(lián)苯基或亞芴基。28、根據(jù)權(quán)利要求1~27中任一項所述的芳香族胺衍生物，其為有機電致發(fā)光元件用材料。29、根據(jù)權(quán)利要求127中任一項所述的芳香族胺衍生物，其為蒸鍍用有機電致發(fā)光元件用材料。30、根據(jù)權(quán)利要求1~27中任一項所述的芳香族胺衍生物，其為有機電致發(fā)光元件用空穴輸送材料。31、一種有機電致發(fā)光元件，其是在陰極和陽極間夾持有由至少含有發(fā)光層的一個層或多個層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件，其中，該有機薄膜層中的至少1層單獨含有權(quán)利要求1~27中任一項所述的芳香族胺衍生物或含有其作為混合物的成分。32、根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層具有空穴輸送層，所述空穴輸送層中含有上述芳香族胺衍生物。33、根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層具有多個空穴輸送層，不與發(fā)光層直接接觸的層中含有上述芳香族胺衍生物。34、根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層具有空穴注入層，所述空穴注入層中含有上述芳香族胺衍生物。35、根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機電致發(fā)光元件，其中，空穴注入層中含有上述芳香族胺衍生物作為主成分。36、根據(jù)權(quán)利要求3135中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，發(fā)光層中含有苯乙烯基胺化合物和/或芳基胺化合物D37、根據(jù)權(quán)利要求3136中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在構(gòu)成上述空穴注入層及空穴輸送層的各層中，與陽極接觸的層是含有受主材料的層。38、根據(jù)權(quán)利要求3137中任一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機電致發(fā)光元件發(fā)藍色類光。全文摘要本發(fā)明提供具有特定結(jié)構(gòu)的新型芳香族胺衍生物及有機電致發(fā)光元件，通過使用在陰極和陽極間夾持了由至少含有發(fā)光層的一個層或多個層構(gòu)成的有機薄膜層的有機電致發(fā)光元件中，該有機薄膜層中的至少1層，特別是空穴注入層單獨含有上述芳香族胺衍生物或含有其作為混合物的成分的有機電致發(fā)光元件，上述有機電致發(fā)光元件在驅(qū)動電壓得到降低的同時，分子不容易結(jié)晶，有機電致發(fā)光元件制造時的成品率得到了提高，具有長使用壽命，這通過上述芳香族胺衍生物得以實現(xiàn)。文檔編號C09K11/06GK101506191SQ20078003123公開日2009年8月12日申請日期2007年8月23日優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日發(fā)明者吉永禎彥,川村久幸,松波成行,河村昌宏,細川地潮,藪乃內(nèi)伸浩,鬼島靖典申請人:出光興產(chǎn)株式會社;索尼公司