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抗靜電層用固化性樹脂組合物、光學(xué)薄膜、偏振片以及顯示面板的制作方法

文檔序號(hào):8217207閱讀:368來源:國(guó)知局
抗靜電層用固化性樹脂組合物、光學(xué)薄膜、偏振片以及顯示面板的制作方法
【專利說明】抗靜電層用固化性樹脂組合物、光學(xué)薄膜、偏振片以及顯示 面板
[0001] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2011年7月12日、申請(qǐng)?zhí)枮?011800314732、發(fā)明名稱為抗靜 電層固化性樹脂組合物、光學(xué)薄膜、偏振片以及顯示面板的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及一種設(shè)置于液晶顯示器(LCD,Liquid Crystal Display)、陰極管顯示 設(shè)備(CRT,Cathode-ray Tube)或等離子體顯不器(PDP,Plasma Display Panel)等顯不 器(圖像顯示設(shè)備)的前面的具有抗靜電層的光學(xué)薄膜及該抗靜電層用的組合物,以及使 用該光學(xué)薄膜的偏振片及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0003] 在上述的顯示器中,通常在最外表面設(shè)置有包含具有抗反射性、硬涂性或抗靜電 性等各種功能的層的光學(xué)薄膜。另外,在本說明書中,有時(shí)將硬涂簡(jiǎn)單稱為"HC"。
[0004] 作為此種光學(xué)薄膜的功能層之一,已知有用于賦予抗靜電性的抗靜電層。該抗靜 電層通過添加摻雜有銻的氧化錫(ATO, Antimony Tin Oxide)或摻雜有錫的氧化銦(ΙΤ0, Indium Tin Oxide)等金屬氧化物系的導(dǎo)電性超微粒、高分子型導(dǎo)電性組合物或季銨鹽系 導(dǎo)電材料等抗靜電劑而形成(例如專利文獻(xiàn)1)。在使用這些抗靜電劑的情況下,為了同時(shí) 兼具所需的抗靜電性與光學(xué)特性(低霧值或高全光線透射率),要通過形成含有抗靜電劑 的0. 1?1 μ m左右的薄膜層來賦予所需的功能。
[0005] 另外,在上述的顯示器中,要求對(duì)顯示器的圖像顯示面賦予硬度,以使其在處理時(shí) 不受損傷。對(duì)此,在專利文獻(xiàn)1中公開有如下的光學(xué)薄膜的構(gòu)成:在三乙酰纖維素(以下, 有時(shí)僅稱為"TAC(Triacetyl Cellulose) "基材上設(shè)置薄膜的防靜電層,并在該抗靜電層上 設(shè)置HC層。
[0006] 然而,由于抗靜電層為薄膜,因此存在如下的問題:層中所包含的季戊四醇三丙烯 酸酯(以下,有時(shí)簡(jiǎn)單稱為"PETA(Pentaerythritol triacrylate)"或二季戊四醇六丙烯 酸酯(以下,有時(shí)簡(jiǎn)單稱為"DPHA (Di-Pentaerythritol hexaacrylate)"之類的粘合劑成 分及抗靜電劑的量有限,進(jìn)而容易造成與鄰接于該抗靜電層的HC層的密接性不足。
[0007] 在以基材/抗靜電層/HC層為基本構(gòu)成的光學(xué)薄膜中,有抗靜電層與HC層之間的 界面及抗靜電層與基材之間的界面,而在各個(gè)界面存在密接性的問題。
[0008] 在抗靜電層與HC層之間的界面,抗靜電層與HC層的各個(gè)反應(yīng)性基進(jìn)行交聯(lián)鍵合 而密接,但同時(shí)要求抗靜電層發(fā)揮抗靜電性能。在抗靜電劑為金屬氧化物的情況下,為了 使抗靜電層發(fā)揮抗靜電性能,抗靜電劑的微粒彼此必需密接,因此要添加大量的抗靜電劑, 但存在霧值增加、或全光線透射率惡化的情況。然而,若重視光學(xué)特性而減少金屬氧化物的 量,則難以發(fā)揮抗靜電性能。另外,若增加抗靜電劑的量,則存在于抗靜電層與鄰接層的界 面的粘合劑成分的量不足,從而抗靜電層與鄰接層的密接性變差的可能性。然而,若重視密 接性而減少金屬氧化物的量,則難以發(fā)揮抗靜電性能。
[0009] 在抗靜電劑為季銨鹽的情況下,為了使抗靜電層發(fā)揮抗靜電性能,層內(nèi)必需存在 含量比粘合劑更多的季銨鹽?;蛘撸句@鹽必需集中存在于抗靜電層的與HC層鄰接的界面 附近。然而,在此種情況下,存在如下的可能性:存在于界面附近的季銨鹽阻礙抗靜電層與 HC層的密接,存在于抗靜電層與鄰接的HC層的界面的粘合劑成分(具有提高與HC層的交 聯(lián)密度的反應(yīng)性基的成分)的量不足,從而抗靜電層與鄰接的HC層的密接性變差。然而, 若重視密接性而減少季銨鹽的量,則抗靜電性能會(huì)惡化。
[0010] 為了同時(shí)實(shí)現(xiàn)抗靜電性與密接性,可考慮單純地增多PETA(季戊四醇三丙烯酸 酯)或DPHA(二季戊四醇六丙烯酸酯)之類的粘合劑成分的量的方法,但若增多此種粘合 劑成分的量,則抗靜電層的膜厚增厚,伴隨于此,存在抗靜電層的卷曲(翹曲)變大的問題, 以及分散于抗靜電層中的昂貴的抗靜電劑的使用量也增加,而導(dǎo)致成本增加的問題。另外, 為了提高密接性,可考慮增加粘合劑中的具有反應(yīng)性基的成分的方法,但如上所述,為了顯 現(xiàn)抗靜電性能而有必要的抗靜電劑的量,粘合劑的量有限制,因此難以采用該方法。
[0011]另外,如上所述,因作為薄膜的抗靜電層的層中所包含的粘合劑成分與抗靜電劑 的總量有限,故若要通過減少抗靜電劑的使用量,并相應(yīng)量地增加粘合劑成分的使用量來 提高抗靜電層與HC層的密接性,則存在抗靜電劑的使用量減少而導(dǎo)致抗靜電性能降低的 問題。
[0012] 另一方面,在抗靜電層與基材之間的界面上,為了使抗靜電層密接于基材,需要使 抗靜電層的組合物的粘合劑成分滲透至基材內(nèi),且在基材與抗靜電層的界面上,滲透至基 材內(nèi)的粘合劑成分與形成抗靜電層的粘合劑成分固化結(jié)合。
[0013] 在抗靜電劑為季銨鹽的情況下,已知現(xiàn)有技術(shù)為了提高耐久性或抗靜電性而使用 分子量較大的季銨鹽。然而,若季銨鹽的分子量較大,則抗靜電層的組合物的粘合劑成分難 以滲透至基材內(nèi),因此為了獲得抗靜電層與基材的密接性,必需使用大量的滲透性溶劑、或 使用可滲透至基材內(nèi)的分子量較小的粘合劑。然而,在該情況下,存在抗靜電層與HC層的 界面的密接性變差的問題。
[0014] 另外,目前已知有通過使用滲透性溶劑而可防止干擾條紋、且可使外觀變得良好 的技術(shù),但若使用滲透性溶劑,則有時(shí)于基材內(nèi)也會(huì)形成新的界面,除上述的密接性惡化以 夕卜,也有產(chǎn)生干擾條紋且外觀變差的問題。
[0015] [現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0016] [專利文獻(xiàn)]
[0017] [專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2009-086660號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018] (發(fā)明所要解決的問題)
[0019] 本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的發(fā)明,其第一目的在于提供一種抗靜電層用 固化性樹脂組合物,該抗靜電層用固化性樹脂組合物可形成光學(xué)特性及外觀良好、抗靜電 性充分、且與鄰接的HC層及TAC基材的密接性優(yōu)異的抗靜電層。
[0020] 另外,本發(fā)明的第二目的在于提供一種光學(xué)薄膜,其具有使用上述組合物所形成 的抗靜電層,且灰塵附著防止性優(yōu)異。
[0021] 另外,本發(fā)明的第三目的在于提供一種偏振片,其具有上述光學(xué)薄膜。
[0022] 另外,本發(fā)明的第四目的在于提供一種顯示面板,其具有上述光學(xué)薄膜。
[0023](解決問題的手段)
[0024] 本發(fā)明人等進(jìn)行了努力研究,結(jié)果得知,若作為抗靜電層的組合物中所包含的粘 合劑成分、且用于提高與鄰接的HC層的交聯(lián)密度并獲得密接性的PETA或DPHA之類的分子 量為900以下的分子量比較小的粘合劑成分,大體上全部滲透至TAC基材中時(shí),或者根據(jù)粘 合劑成分從TAC基材的屬于與HC層的界面的表面向TAC基材的不為HC層的背面的深度方 向的滲透程度的不同,粘合劑成分偏存于基材中時(shí),基材上的抗靜電層中所包含的粘合劑 成分減少,在HC層與抗靜電層的界面進(jìn)行反應(yīng)的成分不足,因此有時(shí)無法充分獲得抗靜電 層與HC層的密接性。另外,也得知:若滲透至TAC基材內(nèi)部的部分并非以梯度形式滲透,而 是滲透的材料全部一樣地滲透至TAC基材內(nèi)的相同深度,則在TAC基材內(nèi)形成粘合劑滲透 層,而在基材內(nèi)產(chǎn)生新的界面,且產(chǎn)生干擾條紋等而導(dǎo)致外觀惡化。
[0025] 因此,本發(fā)明者等人發(fā)現(xiàn):通過將組合物中所包含的抗靜電劑、屬于難以滲透至 TAC基材或不滲透至TAC基材的粘合劑成分的特定分子量的聚氨酯丙烯酸酯、及滲透至TAC 基材的粘合劑成分(多官能單體)設(shè)定為特定的比例,可形成具有充分的抗靜電性,并且與 HC層及TAC基材的密接性優(yōu)異的抗靜電層,作為光學(xué)薄膜整體,可獲得優(yōu)異的灰塵附著防 止性能,從而完成本發(fā)明。
[0026] S卩,解決上述問題的本發(fā)明的抗靜電層用固化性樹脂組合物的特征在于包含:
[0027] (A)抗靜電劑,
[0028] (B)在1個(gè)分子中具有2個(gè)以上的光固化性基、且分子量為900以下的多官能單 體,以及
[0029] (C)在1個(gè)分子中具有6個(gè)以上的丙烯酰基及/或甲基丙烯?;?、且重均分子量為 1000?11000的聚氨酯丙烯酸酯,
[0030] 所述⑷相對(duì)于該(A)、⑶及(C)的總量的比例為1?30質(zhì)量% ,且
[0031] 所述(C)相對(duì)于該⑶及(C)的總量的比例為1?40質(zhì)量%。
[0032] 通過將抗靜電劑(A)的比例設(shè)為上述范圍,使用上述組合物所形成的膜厚為1? 5 μ m的抗靜電層具有充分的抗靜電性,即便是在其上層疊 HC層而形成光學(xué)薄膜的情況下, 也可確保充分的灰塵附著防止性。
[0033] 現(xiàn)有技術(shù)中,抗靜電層的膜厚為考慮到光學(xué)性能及透明性,按0. 1?Ιμπι左右的 薄膜設(shè)置的,但若為此種薄膜層,為了賦予抗靜電性,必需將層內(nèi)的組合物的大部分設(shè)為抗 靜電性材料,因此無法添加足夠量的具有為了顯現(xiàn)與基材或其上方的層的密接性所必需的 反應(yīng)性基的某些粘合劑。因此,在本申請(qǐng)中,使膜厚變厚至某種程度,并確保抗靜電層與鄰 接層的密接性,故可使抗靜電性材料以外的具有反應(yīng)性基的粘合劑成分的充分添加變得可 能。
[0034] 另外,通過將聚氨酯丙烯酸酯(C)相對(duì)于多官能單體(B)與聚氨酯丙烯酸酯(C) 的總量的比例設(shè)為上述范圍,即便于TAC基材上從TAC基材側(cè)起依序形成抗靜電層及HC 層,也由于聚氨酯丙烯酸酯(C)不滲透至TAC基材內(nèi)或相較于多官能單體(B)更不易滲透 至TAC基材內(nèi),因此可利用聚氨酯丙烯酸酯(C)獲得抗靜電層與HC層之間的充分的密接 性,且由于多官能單體(B)滲透至TAC基材內(nèi),因此也可獲得抗靜電層與TAC基材的密接 性。
[0035] 在本發(fā)明的抗靜電層用固化性樹脂組合物中,就抑制抗靜電劑朝TAC基材的滲透 且涂布性優(yōu)異而言,優(yōu)選抗靜電劑(A)是重均分子量為1000?50000的季銨鹽。
[0036] 在本發(fā)明的抗靜電層用固化性樹脂組合物中,就提高多官能單體(B)及聚氨酯丙 烯酸酯(C)的作用的觀點(diǎn)而言,優(yōu)選還包括(D)滲透性溶劑及(E)非滲透性溶劑。
[0037] 在本發(fā)明的抗靜電層用固化性樹脂組合物中,也可將上述抗靜電層用固化性樹脂 組合物的膜厚為1?5μπι的固化物的表面電阻率設(shè)為小于IX 1012Ω / □。通過將抗靜電 層用固化性樹脂組合物的固化物(也即抗靜電層)設(shè)為此種抗靜電性能,在抗靜電層上層 疊5?15 μ m的硬涂層而成的光學(xué)薄膜可發(fā)揮灰塵附著防止性。
[0038] 再者,表面電阻率是指如下的值:在TAC基材上形成上述抗靜電層用固化性樹 脂組合物的膜厚為1?5μπι的固化物(抗靜電層),然后利用高電阻率計(jì)(三菱化學(xué) Analytech(株式會(huì)社)制造,商品名:Hiresta IP MCP-HT260),在施加電壓1000V、溫度 25°C、濕度40%調(diào)濕24小時(shí)的條件下,對(duì)該固化物表面進(jìn)行測(cè)定所得的值。
[0039] 本發(fā)明的光學(xué)薄膜是在三乙酰纖維素基材的一側(cè),從所述三乙酰纖維素基材側(cè)開 始鄰接地設(shè)置膜厚為1?5 μ m的抗靜電層及硬涂層的光學(xué)薄膜,其特征在于,該抗靜電層 由上述抗靜電層用固化性樹脂組合物的固化物形成,上述多官能單體(B)滲透至所述三乙 酰纖維素基材的抗靜電層側(cè)的界面附近的區(qū)域并固化。
[0040] 在TAC基材的一側(cè),從TAC基材側(cè)開始設(shè)置有膜厚為1?5 μ m的抗靜電層及HC 層的本發(fā)明的光學(xué)薄膜,因抗靜電層包含上述抗靜
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