本申請是申請日為2011年5月10日、申請?zhí)枮?01180022550.8、發(fā)明名稱為“摻雜的共軛聚合物和裝置”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。相關(guān)申請本申請要求2010年5月11日提交的美國臨時申請61/333,657的優(yōu)先權(quán)，在此針對所有用途將其以引用的方式全文并入。本申請還要求2011年2月25日提交的美國臨時申請61/446,974的優(yōu)先權(quán)，在此也針對所有用途將其以引用的方式全文并入。背景雖然正在對節(jié)能裝置例如有機(jī)基有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、聚合物發(fā)光二極管(pled)、磷光性有機(jī)發(fā)光二極管(pholed)和有機(jī)光伏裝置(opv)進(jìn)行有用的改進(jìn)，但還需要進(jìn)一步改善以提供用于商業(yè)的更佳處理和性能。例如，一種有前途的材料類型是導(dǎo)電聚合物，其包括例如聚噻吩。然而，可能因摻雜、純度、溶解性、處理和不穩(wěn)定性而產(chǎn)生問題。此外，重要的是對聚合物的交替層的溶解度有極好的控制(例如，相鄰層之間的正交或交替溶解性質(zhì)(orthogonaloralternatingsolubilityproperties))。具體來說，例如，鑒于對極薄但高質(zhì)量的薄膜的競爭性需求和需要，空穴注入層和空穴傳輸層可能存在難題。需要一種良好的平臺體系來控制空穴注入和傳輸層的性質(zhì)，例如溶解性、熱穩(wěn)定性和電子能級(如homo和lumo)，使得材料可以適合于不同應(yīng)用并且與不同材料(如發(fā)光層、光敏層和電極)一起發(fā)揮作用。具體來說，良好的溶解性、難處理性和熱穩(wěn)定性是很重要的。配制用于具體應(yīng)用的體系并且提供需要的性質(zhì)平衡的能力也是很重要的。概述本文所述的實(shí)施方案包括例如：組合物，制備組合物的方法，和使用組合物(包括在裝置和制品中的使用)的方法。組合物包括例如聚合物、單體、摻合物、薄膜、分散液、溶液、粉末和油墨制劑。其它實(shí)施方案包括制備和使用裝置的方法。例如，一個實(shí)施方案提供一種組合物，其包含以下各者的反應(yīng)產(chǎn)物：(i)至少一種共軛聚合物，其中所述共軛聚合物包含至少一種在3-位或4-位或這兩個位置上含有烷氧基取代基的聚噻吩；和(ii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其包含離子化合物，其中所述離子化合物的陽離子是v、cr、mn、fe、co、ni、cu、nb、mo、tc、ru、rh、pd、ag、ta、w、re、os、ir、pt或au；并且所述離子化合物的陰離子由以下結(jié)構(gòu)中的至少一個表示：其中r1至r10中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷、銻、so3或co2；x為f、cl、br、i或cn；n為0至6；并且m≤6–n；其中所述組合物還任選地包含與(i)不同的至少一種基質(zhì)材料。在一個實(shí)施方案中，n可以為1至6。在一個實(shí)施方案中，存在基質(zhì)材料。另一個實(shí)施方案提供一種組合物，其包含以下各者的反應(yīng)產(chǎn)物：(i)至少一種空穴傳輸材料，和(ii)至少一種四(鹵代芳基)硼酸銀摻雜物。在一個實(shí)施方案中，也存在基質(zhì)材料。另一個實(shí)施方案提供一種包含至少一種固體粉末的組合物，其中所述固體粉末包含以下各者的反應(yīng)產(chǎn)物：(i)至少一種共軛聚合物，其中所述共軛聚合物包含至少一種在3-位或4-位或這兩個位置上含有烷氧基取代基的聚噻吩；和(ii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其包含離子化合物，其中所述離子化合物的陽離子是v、cr、mn、fe、co、ni、cu、nb、mo、tc、ru、rh、pd、ag、ta、w、re、os、ir、pt或au；并且所述離子化合物的陰離子由以下結(jié)構(gòu)中的至少一個表示：其中r1至r10中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷、銻、so3或co2；x為f、cl、br、i或cn；n為0至6；并且m≤6–n；其中所述組合物還任選地包含與(i)不同的至少一種基質(zhì)材料。在一個實(shí)施方案中，n為0至6。在一個實(shí)施方案中，也存在基質(zhì)材料。另一個實(shí)施方案提供一種包含至少一種固體粉末的組合物，其中所述固體粉末包含以下各者的反應(yīng)產(chǎn)物：(i)至少一種空穴傳輸材料，和(ii)至少一種四(鹵代芳基)硼酸銀摻雜物。在一個實(shí)施方案中，也存在基質(zhì)材料。油墨組合物和裝置可以由這些組合物來制備。一個實(shí)施方案提供例如一種裝置，其包含：至少一個陰極、至少一個陽極、設(shè)置于陰極與陽極之間的至少一個發(fā)光層、設(shè)置于發(fā)光層與陽極之間的至少一個空穴注入層，其中空穴注入層包含一種組合物，該組合物包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩；(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物；其中該離子化合物的陽離子為金、鉬、錸、鐵、銀或它們的組合；并且該離子化合物的陰離子由至少一種以下結(jié)構(gòu)表示：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且在所述12個結(jié)構(gòu)的每個結(jié)構(gòu)中n為1至6。另一個實(shí)施方案提供例如一種裝置，其包含：至少一個陰極、至少一個陽極、設(shè)置于陰極與陽極之間的至少一個發(fā)光層、設(shè)置于發(fā)光層與陽極之間的至少一個空穴注入層，其中該空穴注入層包含一種組合物，該組合物包含：(i)至少一種共軛聚合物，(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物增加hil層的熱穩(wěn)定性。更進(jìn)一步地，另一個實(shí)施方案提供一種組合物，其包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩；(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物；和(iv)至少一種溶劑；其中該離子化合物的陽離子為金、鉬、錸、鐵或銀；并且該離子化合物的陰離子為由以下表示的至少一種有機(jī)結(jié)構(gòu)：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且n為1至6。另一個實(shí)施方案為一種組合物，其包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩；(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物；并且其中該離子化合物的陽離子為金、鉬、錸、鐵或銀；并且該離子化合物的陰離子為由以下表示的至少一種有機(jī)結(jié)構(gòu)：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且n為1至6。此外，一個實(shí)施方案提供例如一種裝置，其包含：至少一個陰極、至少一個陽極、設(shè)置于陰極與陽極之間的至少一個發(fā)光層、設(shè)置于發(fā)光層與陽極之間的至少一個空穴注入層(hil)，其中該空穴注入層包含一種組合物，該組合物包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩，(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料，和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物，包括例如本文所述的離子化合物組合物。在另一個實(shí)施方案中，hil層不包含碘鎓鹽。另一個實(shí)施方案提供例如一種裝置，其包含至少一個hil，所述hil包含至少用四(五氟苯基)硼酸銀(陰離子：tpfb)摻雜的至少一種聚(3,4-二烷氧基噻吩)。另一個實(shí)施方案提供例如一種裝置，其包含至少一個hil，所述hil包含至少用四(五氟苯基)硼酸銀摻雜的至少一種聚(3-烷氧基噻吩)。另一個實(shí)施方案提供例如一種組合物，其包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩，(ii)至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料，和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物，和(iv)至少一種溶劑。在另一個實(shí)施方案中，至少一種溶劑可以是任選的。在另一個實(shí)施方案中，至少一種摻雜物不包含碘鎓鹽。另一個實(shí)施方案提供例如一種組合物，其包含至少用四(五氟苯基)硼酸銀摻雜的至少一種聚(3,4-二烷氧基噻吩)。另一個實(shí)施方案提供例如一種組合物，其包含至少用四(五氟苯基)硼酸銀摻雜的至少一種聚(3-烷氧基噻吩)。其它實(shí)施方案提供涂布的基材?；目梢允侨嵝缘幕?，例如聚合物，或硬質(zhì)的基材，例如玻璃。其它實(shí)施方案提供通過復(fù)分解反應(yīng)制備包括例如四(五氟苯基)硼酸銀的摻雜物的方法。本文所述的至少一個實(shí)施方案的至少一個優(yōu)點(diǎn)包括操作穩(wěn)定性(包括例如長期穩(wěn)定性)的改善和有機(jī)電子裝置例如oled、pholed或opv裝置的增加的總體壽命。具體來說，與pedot/pss對照物的使用相比，可以實(shí)現(xiàn)改善。具體來說，可以改善諸如電流密度和發(fā)光性的性質(zhì)。至少一種實(shí)施方案的至少一種額外優(yōu)點(diǎn)包括配制和構(gòu)造有機(jī)電子裝置時的更多靈活性，所述有機(jī)電子裝置例如led、oled、pholed、opv、電致變色裝置(electrocromicdevice)、金屬-金屬氧化物電容器、超級電容器、致動器或晶體管、用于印刷電路板的籽晶層。具體來說，由本文所述的組合物制成的薄膜在澆鑄和退火時可能是甲苯難處理的。具體來說，當(dāng)期望澆鑄發(fā)射層的后續(xù)層時，可以使用本文所述組合物。另外，甲苯或其它溶劑難處理性可以實(shí)現(xiàn)對所有溶液處理的裝置所必需的正交相容性，并且可以用于產(chǎn)生溶液處理的裝置。至少一個實(shí)施方案的至少一個額外優(yōu)點(diǎn)包括在溶劑體系中對可溶的共軛聚合物的摻雜并同時維持從相同溶液對可溶的共軛聚合物進(jìn)行處理的能力。至少一個實(shí)施方案的至少一個額外優(yōu)點(diǎn)包括在溶液中對聚噻吩的摻雜，該摻雜先前被排除，因?yàn)榫坂绶栽趽诫s形式下的溶解性有限。本文所述的至少一些實(shí)施方案的另一個有益效果是形成厚層的能力，其允許將下伏透明導(dǎo)電氧化物平坦化同時維持總體透明性。本文所述的至少一些實(shí)施方案的另一個有益效果包括改進(jìn)的熱穩(wěn)定性，例如改進(jìn)的熱色現(xiàn)象，或改進(jìn)的熱色現(xiàn)象缺乏。本文所述的至少一些實(shí)施方案的另一個有益效果包括摻雜期間的自由基生成的最小化或消除，所述自由基生成會引起導(dǎo)致降解的不期望的副反應(yīng)。本文所述的至少一些實(shí)施方案的另一個有益效果包括產(chǎn)生沒有非揮發(fā)性殘余物的純的、摻雜的共軛聚合物。更進(jìn)一步地，至少一些實(shí)施方案的另一個有益效果可能在于可以實(shí)現(xiàn)更佳的摻雜物制劑和更穩(wěn)定的摻雜物。附圖簡述圖1示出6個示例性樣品(agtpfb)和litpfb的比較樣品的熱重分析。圖2示出用于形成ag(tpfb)的非限制性復(fù)分解反應(yīng)。圖3示出示例性單極裝置(實(shí)線)和比較性單極裝置(虛線)的iv曲線比較。詳細(xì)說明介紹本文引用的所有參考文獻(xiàn)均以引用方式全文并入。2009年4月10日提交的美國專利公布2009/0256117(受讓人：plextronics，inc.)描述了一系列聚合物、摻雜體系和裝置，并且在此以包括其工作實(shí)例、附圖、共軛聚合物、摻雜物和權(quán)利要求書的引用方式并入。2009年12月18日提交的美國臨時申請第61/287,977號描述了用于共軛聚合物、共聚物和摻雜物的其它可用實(shí)施方案。美國專利號7,569,159描述了空穴注入層和空穴傳輸層和相關(guān)的裝置。美國專利公布2008/0248313(2007年7月13日提交)描述了在空穴注入層和空穴傳輸層以及相關(guān)裝置中使用的磺化的材料。美國專利公布2006/0078761和2006/0076050(2005年9月26日提交)描述了在電致發(fā)光和光伏裝置中使用的共軛聚合物。在有機(jī)電子裝置中使用的共軛聚合物也描述于例如wo2009/152,165(2009年12月17日公開)；wo2009/111,675(2009年9月11日公開)；wo2009/111,339(2009年9月11日公開)中。oled顯示器和材料描述于例如organiclight-emittingmaterialsanddevices(有機(jī)發(fā)光材料和裝置),liandmeng(eds.),2006中。有機(jī)材料和/或摻雜物的其它實(shí)例包括：ep1725079；us2007/0207341；wo2009/102027；wo2009/158069；美國專利號5,853,906；美國專利號5,999,780；和nielsenetal.,j.am.chem.soc.,2008,130,9734-9746.以前經(jīng)常排除在溶液中對共軛聚合物(例如聚噻吩)進(jìn)行摻雜，因?yàn)楣曹椌酆衔锏膿诫s形式的溶解性有限。一種解決辦法是使用含有共軛聚合物和金屬鹽摻雜物的組合物，其中發(fā)生從聚合物至金屬鹽的自發(fā)性電子轉(zhuǎn)移。結(jié)果是含有相關(guān)聯(lián)的陰離子的摻雜的共軛聚合物(例如呈氧化形式的聚合物或p型共軛聚合物)和游離金屬。此類體系可顯示提高的熱致變色穩(wěn)定性。雖然不限于任何具體理論，但摻雜形式的共軛聚合物的色彩中性程度(隨溫度變化)似乎取決于銀鹽的陰離子部分。例如，本文所述的實(shí)施方案(包括四(五氟苯基)硼酸鹽陰離子)顯示出相對于其它陰離子(如四氟硼酸根、六氟磷酸根、雙(三氟甲烷磺酰亞胺))的顯著提高。常規(guī)的有機(jī)氧化劑(如超價碘鎓鹽、硫鎓鹽或氧鎓鹽)對于共軛聚合物的摻雜是不期望的，因?yàn)樗鼈兛僧a(chǎn)生自由基反應(yīng)物種，其可能導(dǎo)致不期望的副反應(yīng)和降解。本文所述的至少一個實(shí)施方案的摻雜物的使用僅產(chǎn)生溫和的零價銀，其可以通過簡單的過濾或螯合工藝去除。另外，本文所述的至少一個實(shí)施方案的摻雜物是質(zhì)子惰性的，并且不需要額外的酸來引發(fā)共軛聚合物的摻雜。用銨基鹽(如三(4-溴苯基)六氯銻酸銨)摻雜共軛聚合物(如kidoetal.,polymersforadvancedtechnologies,2002,13(8),601中所述)提供具有非揮發(fā)性殘余物(例如三(4-溴苯基)胺)的聚合物，其可能影響hil的性能。這些非揮發(fā)性殘余物保留在由摻雜的共軛聚合物形成的膜中。然而，使用本文所述的至少一個實(shí)施方案的摻雜物來摻雜共軛聚合物，提供沒有非揮發(fā)性殘余物的純的摻雜的共軛聚合物?？昭▊鬏敳牧峡昭▊鬏敳牧鲜潜绢I(lǐng)域已知的并且是可商購的。它們可以是例如低分子量材料或高分子量材料。它們可以是共軛聚合物。例如，空穴傳輸材料可以是線性共軛聚合物，共軛聚合物刷，在主鏈或側(cè)鏈中包含空穴傳輸部分的聚合物，以及可交聯(lián)和未交聯(lián)的小分子。本文所描述和說明的結(jié)構(gòu)可以被包括在聚合物主鏈或側(cè)鏈中?？昭▊鬏敽?或共軛聚合物的實(shí)例包括例如聚噻吩、聚吡咯、聚呋喃、聚硒吩、聚碲吩、聚苯胺、聚芳基胺和聚亞芳基(例如聚苯撐、聚苯撐亞乙烯和聚芴)。數(shù)均分子量可以為例如約1,000至約500,000，或約5,000至約100,000，或約10,000至約50,000。聚合的空穴傳輸材料的一些實(shí)例包括：在上述結(jié)構(gòu)中，基團(tuán)r1和r2可以彼此獨(dú)立地為已知的側(cè)基，包括例如任選地取代的c1-c25基團(tuán)、或c2-c10基團(tuán)，包括烷基、烷氧基和聚醚基團(tuán)。對基團(tuán)r1和r2的其它描述提供在下文中。所述基團(tuán)可以是吸電子基團(tuán)或釋電子基團(tuán)。它們也可以是氫。側(cè)基可以提供溶解性。n的值可以是例如5-10,000，或10-5,000，或20-1,000。空穴傳輸材料的其它實(shí)例包括：空穴傳輸聚合物(目前可得自americandyesource，inc.)其它實(shí)例包括：(可商購自sigma-aldrich)空穴傳輸材料還描述于例如2010年11月18日公開的美國專利公布2010/0292399；2010年5月6日公開的美國專利公布2010/010900；和2010年5月6日出版公開的美國專利公布2010/0108954中?？昭▊鬏敳牧系囊粋€實(shí)例是聚(9,9-二辛基芴-共-n-(4-丁基苯基)二苯基胺)(tfb)。共軛聚合物空穴傳輸材料的一個具體實(shí)例是共軛聚合物，并且組合物可以包含至少一種共軛聚合物。共軛聚合物，包括其在有機(jī)電子裝置中的用途，是本領(lǐng)域已知的。參見例如friend,“polymerleds,”physicsworld,november1992,5,11,42-46；參見例如kraftetal.,“electroluminescentconjugatedpolymers-seeingpolymersinanewlight(電致發(fā)光共軛聚合物——以新的視角看聚合物),”angew.chem.int.ed.1998,37,402-428。另外，導(dǎo)電或共軛聚合物描述于theencyclopediaofpolymerscienceandengineering(聚合物科學(xué)與工程百科全書),wiley,1990,298-300頁，包括聚乙炔、聚(對亞苯基)、聚(對亞苯基硫化物)、聚吡咯和聚噻吩，包括這些聚合物的家族和這些聚合物體系中的衍生物，在此將該文獻(xiàn)以引用的方式全文并入。此參考文獻(xiàn)還描述了聚合物的摻合和共聚，包括嵌段共聚物的形成。共軛聚合物可以是任何共軛聚合物(包括聚噻吩)，并且可以是均聚物、共聚物或嵌段共聚物。合成方法、摻雜和聚合物表征(包括具有側(cè)基的區(qū)域規(guī)則性聚噻吩)提供于例如mccullough等人的美國專利號6,602,974和mccullough等人的美國專利號6,166,172中，在此將所述美國專利以引用的方式全文并入。其它描述可見于文章“thechemistryofconductingpolythiophenes(導(dǎo)電性聚噻吩的化學(xué)),”byrichardd.mccullough，adv.mater.1998,10,no.2,93-116頁，和其中引用的參考文獻(xiàn)，在此將它們以引用的方式全文并入。本領(lǐng)域技術(shù)人員可用的另一參考文獻(xiàn)是handbookofconductingpolymers(導(dǎo)電聚合物手冊),2nded.1998,chapter9,bymcculloughetal.,“regioregular,head-to-tailcoupledpoly(3-alkylthiophene)anditsderivatives(區(qū)域規(guī)則性頭-尾偶聯(lián)的聚(3-烷基噻吩)及其衍生物),”225-258頁，在此將其以引用的方式全文并入。該參考文獻(xiàn)還在29章823-846頁描述了“electroluminescenceinconjugatedpolymers(共軛聚合物中的電致發(fā)光)”，在此將其以引用的方式全文并入。聚噻吩還描述于例如roncali,j.,chem.rev.1992,92,711；schopfetal.,polythiophenes:electricallyconductivepolymers(聚噻吩：導(dǎo)電性聚合物),springer:berlin,1997中。還參見例如美國專利號4,737,557和4,909,959。聚合物半導(dǎo)體描述于例如“organictransistorsemiconductors(有機(jī)晶體管半導(dǎo)體)”,katzetal.,accountsofchemicalresearch，vol.34,no.5,2001,第359頁，包括第365頁-第367頁，在此將其以引用的方式全文并入。共軛聚合物可以是例如共聚物，包括嵌段共聚物。嵌段共聚物描述于例如blockcopolymers,overviewandcriticalsurvey(嵌段共聚物，綜述和批判性考察),bynoshayandmcgrath,academicpress,1977。例如，其正文描述了a-b二嵌段共聚物(第5章)，a-b-a三嵌段共聚物(第6章)和-(ab)n-多嵌段共聚物(第7章)，其可以形成本發(fā)明中嵌段共聚物類型的基礎(chǔ)。其它嵌段共聚物(包括聚噻吩)描述于例如：francoisetal.,synth.met.1995,69,463-466，其以引用的方式全文并入；yangetal.,macromolecules1993,26,1188-1190；widawskietal.,nature(london),vol.369,june2，1994,387-389；jenekheetal.,science,279,march20,1998,1903-1907；wangetal.,j.am.chem.soc.2000,122,6855-6861；lietal.,macromolecules1999,32,3034-3044；hempeniusetal.,j.am.chem.soc.1998,120,2798-2804。可用于使含側(cè)鏈的導(dǎo)電聚合物增溶的取代基包括烷氧基和烷基(包括例如c1至c25基團(tuán))，以及包括例如氧和氮的雜原子體系。具體來說，可使用具有至少三個碳原子或至少五個碳原子的取代基?？墒褂没旌系娜〈?。所述取代基可以是非極性的、極性的或官能性的有機(jī)取代基。側(cè)基可以被稱為取代基r，其可以是例如烷基、全鹵烷基、乙烯基、炔基(acetylenic)、烷氧基、芳氧基、乙烯氧基、硫代烷基、硫代芳基、羰游基、硫代羰游基，而且任選地可以被除氫以外的原子取代。共軛聚合物可以包含雜環(huán)單體重復(fù)單元，并且雜環(huán)聚合物是特別優(yōu)選的。特別優(yōu)選的體系是聚噻吩體系、區(qū)域規(guī)則性聚噻吩體系、3-取代的聚噻吩體系以及3,4-二取代的聚噻吩體系。在一些實(shí)施方案中，共軛聚合物包含至少一種在3-位或4-位或這兩個位置上含有烷氧基取代基的聚噻吩。聚合物可以得自plextronics,inc.(pittsburgh,pa)，包括例如聚噻吩基聚合物，例如plexcore、plexcoat和類似材料。3-取代的聚噻吩共軛聚合物以及使用該聚合物的制劑和裝置的一個重要實(shí)例是3-取代的聚噻吩。優(yōu)選地，3-取代的聚噻吩可以是聚(3-烷氧基噻吩)。在聚(3-烷氧基噻吩)中，如本文所用的，烷氧基側(cè)基經(jīng)由氧原子鍵合到噻吩，并且取代基中可以存在其它原子，使得烷氧基可以為例如聚醚。例如，如本文所用的，烷氧基可以是例如甲氧基乙氧基乙氧基。共軛聚合物可以是區(qū)域隨機(jī)性或區(qū)域規(guī)則性材料。區(qū)域規(guī)則性的程度可以為例如約0至100％，或約25至99.9％，或約50至98％。具體來說，共軛聚合物以及使用該聚合物的制劑和裝置的另一重要實(shí)例為區(qū)域規(guī)則性聚噻吩。優(yōu)選地，聚噻吩的區(qū)域規(guī)則性可以為例如至少約85％，或至少約95％，或至少約98％。在一些實(shí)施方案中，區(qū)域規(guī)則性的程度可以為至少約70％，或至少約80％。在其它實(shí)施方案中，區(qū)域規(guī)則性聚噻吩具有至少約90％的區(qū)域規(guī)則性的程度，或至少約98％的區(qū)域規(guī)則性的程度。聚(3-烷氧基噻吩)的一個實(shí)例可以由下式表示：o(ch2ch2o)2c4h9-n3,4-二取代的聚噻吩共軛聚合物以及使用該聚合物的制劑和裝置的一個重要實(shí)例是3,4-二取代的聚噻吩。優(yōu)選地，3,4-二取代的聚噻吩可以為聚(3,4-二烷氧基噻吩)，其中如上文所述，烷氧基側(cè)基可以包含多個雜原子，并且聚(3,4-二烷氧基噻吩)可以為例如聚(3,4-二-聚醚)-噻吩。聚醚為具有一個以上醚基團(tuán)的分子。烷氧基側(cè)基和聚醚側(cè)基可以向聚合物主鏈貢獻(xiàn)電子。3,4-二取代的聚噻吩可以具有對稱的單體重復(fù)單元。通常，3,4-二取代的聚噻吩含有3,4-取代的噻吩作為重復(fù)單元，其中氧原子直接與二取代的噻吩的3-位和4-位連接并且通過2-位和5-位聚合。取代基可以用于使具有側(cè)鏈的3,4-取代的噻吩增溶，所述側(cè)鏈可以包括烷氧基和聚醚，包括例如直鏈或支鏈碳鏈，例如，c1至c25基團(tuán)，其中鏈中的一個、兩個、三個、四個、五個或六個碳原子可以被雜原子例如氧和/或氮替代。共軛聚合物可以通過單體單元的聚合來制備，所述單體單元例如2,5-二溴-3,4-雙(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩或2,5-二溴-3,4-雙(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)噻吩；2,5-二溴-3,4-雙(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)噻吩；2,5-二溴-3,4-雙(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩；2,5-二溴-3,4-雙(2-(2-丁氧基丁氧基)丁氧基)噻吩；和2,5-二溴-3,4-雙(2-(2-甲氧基甲氧基)甲氧基)噻吩。聚合的任何已知方法可以用于獲得3,4-二取代的聚噻吩。通常，聚合物本身可以使用鎳催化劑通過二烷氧基噻吩或二聚醚噻吩的2,5-二溴衍生物的grim聚合獲得。對稱單體的grim聚合描述于例如：camposetal.,photovoltaicactivityofapolyprodotderivativeinabulkheterojunctionsolarcell(大塊異質(zhì)結(jié)太陽能電池中的polyprodot衍生物的光電活性),solarenergymaterials&solarcells,august2006共軛聚合物可以為3,4-二取代的聚噻吩，例如聚(3,4-雙(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩)-2,5-二基，聚(3,4-雙(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)噻吩)-2,5-二基；聚(3,4-雙(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)噻吩)-2,5-二基；聚(3,4-雙(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩)-2,5-二基；聚(3,4-雙(2-(2-丁氧基丁氧基)丁氧基)噻吩)-2,5-二基；和聚(3,4-雙(2-(2-甲氧基甲氧基)甲氧基)噻吩)-2,5-二基。通常，共軛聚合物可以為下式表示的3,4-二取代的聚噻吩：其中r1可以獨(dú)立地為任選地取代的烷氧基或烷氧基雜原子基，例如烷氧基烷氧基烷氧基部分，并且r2可以獨(dú)立地為任選地取代的烷氧基烷氧基雜原子基，例如烷氧基烷氧基烷氧基部分；其中r1可以獨(dú)立地為任選地取代的烷基和任選地取代的芳氧基，并且r2可以獨(dú)立地為任選地取代的烷基和任選地取代的芳氧基。用于任選取代的取代基的實(shí)例包括羥基、苯基和被額外任選地取代的烷氧基。烷氧基可以接著任選地被羥基、苯基或烷氧基取代；或其中r1可以獨(dú)立地為任選地取代的烯基氧化物，并且r2可以獨(dú)立地為任選地取代的烯基氧化物。取代基可以為例如羥基、苯基或烷氧基；或其中r1可以獨(dú)立地為任選地取代的亞乙基氧化物或任選地取代的亞丙基氧化物或其它低級亞烷基氧基單元，并且r2可以獨(dú)立地為任選地取代的亞乙基氧化物或任選地取代的亞丙基氧化物或其它低級亞烷基氧基單元。取代基可以為例如羥基、苯基或烷氧基；或其中r1可以獨(dú)立地為任選地取代的亞烷基，例如亞甲基或亞乙基，并且取代基為例如任選地取代的亞烷基氧基，例如亞乙基氧基或亞丙基氧基；取代基可以為例如羥基、苯基或烷氧基，并且r2獨(dú)立地可以為任選地取代的亞烷基，例如亞甲基或亞乙基，并且取代基為例如任選地取代的亞烷基氧基，例如亞乙基氧基或亞丙基氧基；取代基可以為例如羥基、苯基或烷氧基。另外，取代基r1和r2可以通過氧原子與噻吩連接，例如烷氧基或苯氧基，其中取代基的特征可以為分別對應(yīng)于醇或酚。例如，醇可以為直鏈或支鏈的，并且可以具有c2-c20、或c4-c18、或c6至c14個碳原子。醇可以例如為烷基醇、或乙二醇、或丙二醇、或二甘醇、或二丙二醇、或三丙二醇。其它實(shí)例可以是單乙二醇醚和乙酸酯，二甘醇醚和乙酸酯，三甘醇醚和乙酸酯等等?？梢酝ㄟ^氧原子與噻吩連接的醇的實(shí)例包括：己基溶纖劑，dowanolpnb，乙基卡必醇，dowanoldpnb，苯基卡必醇，丁基溶纖劑，丁基卡必醇，dowanoldpm，二異丁基甲醇，2-乙基己基醇，甲基異丁基甲醇，dowanoleph，dowanolpnp，dowanolpph，丙基卡必醇，己基卡必醇，2-乙基己基卡必醇，dowanoldpnp，dowanoltpm，甲基卡必醇，dowanoltpnb。所述商品名在本領(lǐng)域是眾所周知的。聚噻吩取代基(包括各種烷氧基和聚醚取代基)和制劑描述于例如2007年7月13日提交的美國專利申請11/826,394(美國公布2008/0248313)中。聚合度‘n’無特別限制但可以為例如2至500,000或5至100,000或10至10,000，或10至1,000，10至500，或10至100。在許多情況下，聚合物具有大約5,000和100,000g/mol之間的數(shù)均分子量。在一些實(shí)施方案中，r可以為單烷氧基、二烷氧基、三烷氧基或四烷氧基并且共軛聚合物為聚(3,4-二烷氧基噻吩)或聚(3,4-二聚醚噻吩)。側(cè)基的實(shí)例為丁氧基乙氧基(乙氧基)基團(tuán)并且聚合物可以為聚(3,4-雙(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩-2,5-二基)。任選的基質(zhì)材料在至少一個實(shí)施方案中，基質(zhì)材料可以被包括在組合物中，以形成透明空穴注入層(hil)或空穴傳輸層(htl)。光的透射很重要，并且在很高的膜厚度下的良好透射特別重要。例如，可以制備這樣的hil或htl，其可以傳遞約85％至約90％或更多(即，％t>85-90％)的波長為約400-800nm的光。在一個實(shí)施方案中，hil層具有例如約5nm至約500nm，或約5nm至約150nm，或約20nm至約100nm，或約20nm至約60nm的厚度。厚度的另一范圍為例如約60nm至約200nm。因此，本實(shí)施方案的另外優(yōu)點(diǎn)可以為形成具有適度高厚度的基本上透明的hil或htl。厚的hil或htl還可以用于消除半導(dǎo)體器件中的短路而不會不利地影響操作電壓。在一些實(shí)施方案中，組合物包含至少一種基質(zhì)材料?；|(zhì)材料可以是低分子量或高分子量材料?；|(zhì)材料可以是例如與共軛聚合物不同的合成聚合物。參見例如2006年8月10日公布的美國專利公布號2006/0175582。合成聚合物可以包含例如碳主鏈。在一些實(shí)施方案中，合成聚合物具有至少一個包含氧原子或氮原子的聚合物側(cè)基。合成聚合物可以是lewis堿。通常，合成聚合物包含碳主鏈并且具有大于25℃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。合成聚合物還可以是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度等于或低于25℃并且熔點(diǎn)大于25℃的半晶體或晶體聚合物。合成聚合物可以包含酸性基團(tuán)。另外，共軛聚合物可以包含酸性基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，共軛聚合物和第二聚合物均包含酸性基團(tuán)?；|(zhì)材料(其可為第二聚合物)可以是平坦化劑?；|(zhì)材料或平坦化劑可以包含例如聚合物或低聚物，例如有機(jī)聚合物，例如聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物，聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物，聚(乙二醇)或其衍生物，聚(乙烯-共-乙酸乙烯酯)，聚(吡咯烷酮)或其衍生物(例如，聚(1-乙烯基吡咯烷酮-共-乙酸乙烯酯))，聚(乙烯基吡啶)或其衍生物，聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物，聚(丙烯酸丁酯)，聚(芳基醚酮)，聚(芳基砜)，聚(芳基醚砜)，聚(酯)或其衍生物，或它們的組合。更一般而言，基質(zhì)材料或平坦化劑可以包含由單體構(gòu)建的聚合物或低聚物，所述單體諸如ch2char(其中ar＝任何芳基或官能化的芳基)，異氰酸酯，氧化乙烯，共軛二烯，ch2chr1r(其中r1＝烷基、芳基或烷基/芳基官能團(tuán)并且r＝h、烷基、cl、br、f、oh、酯、酸或醚)，內(nèi)酰胺，內(nèi)酯，硅氧烷和atrp大分子引發(fā)劑。平坦化劑還可以為包含任選地取代的稠合芳香環(huán)或任選地取代的多環(huán)芳烴側(cè)基的聚合物。另外，下文所述的空穴傳輸化合物還可以為平坦化劑。在其它實(shí)施方案中，基質(zhì)材料或平坦化劑可以由例如至少一種半導(dǎo)電基質(zhì)組分構(gòu)成。半導(dǎo)電基質(zhì)組分與上文所述的共軛聚合物不同。半導(dǎo)電基質(zhì)組分可以為半導(dǎo)電小分子例如空穴傳輸化合物，或半導(dǎo)電聚合物，其一般由在主鏈和/或側(cè)鏈中包含空穴傳輸單元的重復(fù)單元構(gòu)成。半導(dǎo)電基質(zhì)組分可以呈中性形式或可以被摻雜，并且通?？扇苡谟袡C(jī)溶劑，例如甲苯、氯仿、thf、乙腈、環(huán)己酮、苯甲醚、氯苯、鄰二氯苯、苯甲酸乙酯和其混合物。適于用作基質(zhì)組分的半導(dǎo)電小分子、空穴傳輸材料和聚合物的實(shí)例由marks等人描述于題為“holetransportlayercompositionsandrelateddiodedevices(空穴傳輸層組合物和相關(guān)的二極管裝置)”的美國專利申請公布號2005/0147846a1中；和由mathai等人描述于2009年10月26日提交的美國專利申請?zhí)?2/605,768中，在此將其以引用的方式全文并入。摻雜物摻雜物是本領(lǐng)域已知的并且可以在摻雜反應(yīng)中與共軛聚合物反應(yīng)。摻雜物可以是離子化合物。摻雜物可以包含陽離子和陰離子。離子化合物的陽離子可以是例如v、cr、mn、fe、co、ni、cu、nb、mo、tc、ru、rh、pd、ag、ta、w、re、os、ir、pt或au。離子化合物的陽離子可以是例如金、鉬、錸、鐵和銀陽離子。離子化合物的陰離子可以是例如全部芳香性或雜芳香性陰離子，包括例如任選地取代的四芳基硼酸根，或鹵代的四芳基硼酸根，或四(五氟苯基)硼酸根(tpfb)。陰離子的實(shí)例包括由下式表示的結(jié)構(gòu)：其中r1至r10中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷、銻、so3或co2；x為f、cl、br、i或cn；n為0至6；并且m≤6–n。在一個實(shí)施方案中，n可以為1至6。在其它實(shí)施方案中，該陰離子可以是至少一種由下式表示的結(jié)構(gòu)：其中r1至r9可以獨(dú)立地為例如h、烷基、全氟烷基(c1-c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"可以為硼、鎵、磷或銻；并且n可以為n＝1至6。例如：如果a是硼或鎵，則n是4；如果a是磷或銻，則n是6。在其它實(shí)施方案中，摻雜物可以是磺酸酯或羧酸酯，包括烷基、芳基和雜芳基磺酸酯和羧酸酯。例如，除了硼、鎵、磷或銻之外，上述十二種結(jié)構(gòu)中的a可以是磺酸酯或羧酸酯基團(tuán)。對于這十二種結(jié)構(gòu)的磺酸酯和羧酸酯實(shí)施方案，n的值可以是1?；撬狨ズ汪人狨诫s物的實(shí)例包括苯甲酸酯化合物，雙(三氟甲烷磺酰)亞胺，七氟丁酸酯，六氟銻酸鹽，六氟砷酸酯，六氟磷酸酯，四氟硼酸酯，甲磺酸酯，三氟甲烷磺酸酯，對甲苯磺酸酯，五氟丙酸酯，四氟化硼酸酯和/或三氟硼酸酯。實(shí)例包括(2-硝基苯基)三氟硼酸酯，苯并呋咱-5-三氟硼酸酯，嘧啶-5-三氟硼酸酯，吡啶-3-三氟硼酸酯和2,5-二甲基噻吩-3-三氟硼酸酯。在其它實(shí)施方案中，陰離子可以包含一個以上的芳基。例如，包含一個以上芳基的陰離子可以由下式表示：n＝1-3其中r1至r3可以獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1-c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；并且n可以為n＝1至3。在一個優(yōu)選的實(shí)施方案中，摻雜物包含四(五氟苯基)-硼酸銀，并且由下式表示：共軛聚合物可以與摻雜物混合。如本領(lǐng)域已知，可以在混合時發(fā)生反應(yīng)。具體來說，共軛聚合物可以由摻雜物摻雜。摻雜物可以為例如這樣的材料，其會與例如共軛聚合物發(fā)生一種或多種電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)，從而獲得摻雜的共軛聚合物?？梢赃x擇摻雜物以提供合適的電荷平衡反-陰離子。例如，摻雜物可以發(fā)生從聚合物至陽離子-陰離子摻雜物(如金屬鹽)的自發(fā)性電子轉(zhuǎn)移，得到具有相關(guān)聯(lián)的陰離子的呈其氧化形式的共軛聚合物和游離金屬。參見例如lebedevetal.,chem.mater.,1998,10,156-163。如本文所討論的，共軛聚合物和摻雜物可以指會發(fā)生反應(yīng)形成以摻雜的聚合物的組分。摻雜反應(yīng)可以是電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)，其中產(chǎn)生電荷載體，并且反應(yīng)可以是可逆或不可逆的。摻雜物是本領(lǐng)域已知的。參見例如美國專利號或公布號7,070,867；2005/0123793；和2004/0113127。陰離子tpfb是本領(lǐng)域已知的。參見例如hijazietal.,europeanj.inorganicchemistry,2008,18,2892-2898；ogawaetal.,organometallics,2005,24(20),4842-4844；kupratetal.,organometallics,2010,29(6),1421-1427(表明agtpfb比litpfb更不穩(wěn)定)。tpfb可以與多種陽離子(包括單價和二價陽離子)絡(luò)合，并且還可以與極性和非極性配體(如乙腈、二氯甲烷、二乙醚、戊烷、苯、或甲苯)配位或絡(luò)合。在一個實(shí)施方案中，摻雜物可以是銀鹽，如四(五氟苯基)硼酸銀。銀離子可以發(fā)生向銀金屬和導(dǎo)電聚合物的電子轉(zhuǎn)移或者來自銀金屬和導(dǎo)電聚合物的電子轉(zhuǎn)移。例如，參見lebedevetal.,chem.mater.,1998,10,156-163。在最終制劑中，組合物可以與原始組分的組合明顯不同(即，共軛聚合物和/或摻雜物可能或可能不以與混合之前相同的形式存在于最終的組合物中)。一些實(shí)施方案允許從摻雜工藝中去除反應(yīng)副產(chǎn)物。例如，可以通過過濾去除金屬(如銀)?？梢詮慕M合物中排除在ep1725079和/或us2007/0207341中描述的陽離子，如碘鎓鹽和其它摻雜物陽離子?？梢耘懦庪x子，例如所述陰離子為不完全芳香性的陰離子，例如[bf4]、[pf6]和雙(三氟甲烷磺酰亞胺)。摻雜物的另一個實(shí)施方案包含化合物和鹽(包括陰離子)，其見于美國專利號7,785,740(“overchargeprotectionforelectrochemicalsalts(電化學(xué)鹽的過充保護(hù))”)，將其以引用的方式全文并入本文。描述了maq過充保護(hù)鹽，其包含硼酸鹽和雜硼酸鹽簇(作為q)，其中m為陽離子并且a可以是諸如1或2的整數(shù)。在其它實(shí)施方案中，鹽的陰離子可以表示為(b10fxz10-x)2-和(b12fxz12-x)2-，其中z可以表示h、cl、br或or，其中r可以是例如h、c1-8烷基或氟烷基，或c1-3烷基或氟烷基。x的值可以是例如4至12，或7至12，或7至11。可以使用鹽的混合物。熱穩(wěn)定性膜層和包含該膜層的裝置的熱穩(wěn)定性很重要。一些摻雜物(如銀鹽摻雜物，例如四(五氟苯基)硼酸銀(agtpfb))可以提供增加的熱穩(wěn)定性。鋰鹽是不期望的，因?yàn)殇噷?dǎo)致共軛聚合物的摻雜降低或無摻雜。鋰鹽的還原電勢比銀鹽低很多。因此，在當(dāng)前的實(shí)施方案中，銀鹽是優(yōu)選的，例如agtpfb。銀鹽的穩(wěn)定性可能取決于處理方法。例如，agtpfb優(yōu)選地通過以下方式制備：通過將四(五氟苯基)-硼酸鋰(litpfb)和硝酸銀溶于乙腈隨后在水中沉淀來進(jìn)行復(fù)分解。不限于具體理論，在此類復(fù)分解反應(yīng)中，乙腈可以與銀絡(luò)合，從而提高其耐光解穩(wěn)定性。在一個方面，穩(wěn)定性可以被視為耐光解穩(wěn)定性或抗變色穩(wěn)定性。通過litpfb的復(fù)分解和在乙腈中溶解而制備的穩(wěn)定的agtpfb可以作為白色粉末獲得，其在環(huán)境條件下不變色。另一方面，在無乙腈的情況下制備的不穩(wěn)定的agtpfb在24小時內(nèi)開始變褐色并且持續(xù)變褐色。在另一方面，穩(wěn)定性可以被視為熱穩(wěn)定性并且可以通過熱重分析來測量。如上文所述的那樣，通過litpfb的復(fù)分解并在乙腈中溶解，隨后在水中沉淀，制備了穩(wěn)定的agtpfb的六個示例性樣品(編號為ex1至ex6)。還制備了litpfb的比較例(編號為ce-1)。如圖1所示，樣品ex1至ex6在較寬的溫度范圍內(nèi)顯示更佳的熱穩(wěn)定性。例如，ex1至ex6在0至150t的溫度范圍內(nèi)經(jīng)歷小于約5％的重量改變。另一方面，樣品ce-1的熱穩(wěn)定性較差，因?yàn)槠湓谳^低的溫度(例如約25℃)下顯示熱不穩(wěn)定性特征。因此，對于實(shí)施方案的銀鹽摻雜物，鋰的量可以被降低至檢測極限以下的水平。溶劑體系溶劑體系可以適合于與裝置中的其它層(如陽極或發(fā)光層)一起使用和處理。可以使用水性和非水性溶劑體系?？梢栽诒救軇w系中使用不同的溶劑。一般而言，所用的溶劑為有機(jī)非極性溶劑。更通常地，所用的溶劑為質(zhì)子惰性的非極性溶劑。在至少一些實(shí)例中，質(zhì)子惰性的非極性溶劑的使用可以提供額外的有益效果：采用對質(zhì)子敏感的發(fā)射體技術(shù)的裝置具有增加的壽命。此類裝置的例子包括pholed。在本溶劑體系中使用的常見溶劑包括例如芳香族溶劑。使用諸如四氫呋喃、氯仿或芳香烴形式的溶劑。其它溶劑包括四氫吡喃(thp)、氯仿、烷基化苯、鹵代苯、nmp、dmf、dmac、dmso、甲乙酮、環(huán)己酮、氯仿、二氯甲烷、乙腈、丙酮、thf、二噁烷、二噁烷類、乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、碳酸二甲酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯、3-甲氧基丙腈、3-乙氧基丙腈或它們的組合。共軛聚合物通常在這些溶劑中高度可溶和高度可處理。為了環(huán)境依從性，可以選擇一種或多種非鹵代溶劑。鹵代溶劑可以被基本上或完全排除(例如，用量為總?cè)軇┹d體的小于10體積％，或小于5體積％，或小于1體積％，或小于0.1體積％)。在權(quán)衡此類附加因素時，可能有幫助的是查閱參考文獻(xiàn)，例如：chereinisnoff,n.p，industrialsolventshandbook(工業(yè)溶劑手冊),2nded.(marceldekker,newyork,2003)；ash,m,handbookofsolvents(溶劑手冊),2nded.(syapseinformationresources,2003)；wypych,g.,handbookofsolvents(chemical)(溶劑手冊(化學(xué)))(noyespublications,2000)；hansen,c.m.,durkee,j.andkontogeorgis,g,hansonsolubilityparameters:auser’shandbook(漢森溶解性參數(shù)：使用手冊)(taylorandfrancis,2007)；所有參考文獻(xiàn)均以引用的方式全文并入。對于關(guān)于包含兩種或更多種溶劑的溶劑體系的選擇的更詳細(xì)論述，參見2008年8月20日提交的u.s.61/090,464(043419-0256)，其以引用的方式全文并入?；蛘?，可能有用的是選擇一種以上的溶劑來在溶劑體系中使用。也可考慮使共軛聚合物增溶、使共軛聚合物溶脹或甚至充當(dāng)聚合物的非溶劑的其它溶劑。后者可以以不同的量包含在溶劑體系中以改變油墨性質(zhì)如潤濕性、粘度、形態(tài)控制。待考慮的溶劑可以包括醚類(任選地被c1-c10烷基鏈取代)例如苯甲醚，乙氧基苯，二甲氧基苯類和二醇醚，例如：乙二醇二醚如1,2-二甲氧基乙烷，1,2-二乙氧基乙烷，1,2-二丁氧基乙烷；二甘醇二醚例如二甘醇二甲醚，二甘醇二乙醚；丙二醇二醚諸如丙二醇二甲醚，丙二醇二乙醚，丙二醇二丁醚；二丙二醇二醚例如二丙二醇二甲醚，二丙二醇二乙醚，二丙二醇二丁醚；以及上述乙二醇和丙二醇醚的高級類似物(三聚物和四聚物)。還可以考慮其它溶劑，例如乙二醇單醚乙酸酯和丙二醇單醚乙酸酯，其中所述醚可以例如選自：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)己基。此外，上文列出的高級二醇醚類似物，例如二聚物、三聚物和四聚物。實(shí)例包括但不限于丙二醇甲基醚乙酸酯，乙酸2-乙氧基乙酯，乙酸2-丁氧基乙酯。其它可能的溶劑包含脂肪族和芳香族酮，例如丙酮基丙酮，甲基異丁基酮，甲基異丁烯基酮，2-己酮，2-戊酮，苯乙酮，乙基苯基酮，環(huán)己酮，環(huán)戊酮，甲基乙基酮。在一些實(shí)施方案中，避免使用這些溶劑。在一些實(shí)施方案中，避免使用在位于酮的α位的碳上具有質(zhì)子的酮類，例如環(huán)己酮、甲基乙基酮和丙酮。其它可能的溶劑包含n,n-二甲基甲酰胺，n,n-二甲基乙酰胺，n-甲基吡咯烷酮，二甲基亞砜，四亞甲基亞砜，乙腈，苯基腈，碳酸亞乙酯，碳酸亞丙酯等等。其它例子包含環(huán)狀醚，例如四氫吡喃(thp)?？梢允褂萌軇?，使得可以避免溶劑的聚合。另一實(shí)例是甲氧基丙腈。優(yōu)選的一組溶劑為甲苯、二甲苯、1,2-二氫萘(tetralene)、均三甲苯、苯乙醚、4-甲基苯甲醚、苯甲醚、四氫吡喃、3-甲氧基丙腈、3-乙氧基丙腈、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、1,2-二甲氧基乙烷、二乙二醇二乙醚以及它們的組合。其它優(yōu)選的溶劑組合示于工作實(shí)施例部分中?？梢砸圆煌谋壤褂靡环N或多種溶劑以改善油墨的特性，例如基材潤濕性、去除溶劑的容易性、粘度、表面張力和可噴墨性(jettability)。包含共軛聚合物、摻雜物和溶劑的組合物可以作為膜在基材上澆鑄和退火，所述基材任選地含有電極或用于改善最終裝置的電子性質(zhì)的附加層。膜可以是有機(jī)溶劑難處理的，所述有機(jī)溶劑可以是用于在裝置的制造期間隨后涂布或沉積的層的油墨中的溶劑。膜可以是甲苯難處理的，甲苯可以是用于在裝置的制造期間隨后涂布或沉積的層的油墨中的溶劑。在一個實(shí)施方案中，hil層被熱退火。在一個實(shí)施方案中，hil層在約25℃至約250℃的溫度下熱退火。在一個實(shí)施方案中，hil層在約25℃至約250℃的溫度以及10-6至760托的減壓下熱退火。在一個實(shí)施方案中，hil層在約90℃至約170℃的溫度下熱退火約5至約15分鐘。在一個實(shí)施方案中，hil層被加熱以去除溶劑?？梢酝ㄟ^本領(lǐng)域已知的方法進(jìn)行膜的形成，所述方法包括例如旋轉(zhuǎn)澆鑄、浸漬澆鑄、浸漬涂布、狹縫模涂布(slot-dyecoating)、噴墨印刷、凹板式涂布、刮刀涂布以及本領(lǐng)域已知的用于制造例如有機(jī)電子裝置的任何其它方法。用量在一個實(shí)施方案中，組合物包含約40重量％至75重量％的共軛聚合物以及約25重量％至55重量％的摻雜物。在另一個實(shí)施方案中，組合物包含約50％至65％的共軛聚合物以及約35％至50％的摻雜物。通常，共軛聚合物的按重量計算的量大于摻雜物的按重量計算的量。共軛聚合物可以是如上所述的任何共軛聚合物。通常，重復(fù)單元是3-取代的聚噻吩或3,4-二取代的聚噻吩。通常，摻雜物可以是含量為約0.25至0.5m/ru的銀鹽如四(五氟苯基)硼酸銀，其中m是s鹽的摩爾量并且ru是共軛聚合物重復(fù)單元的摩爾量。在一些實(shí)施方案中，組合物包含溶劑或溶劑載體。通常，在包含溶劑或溶劑載體的實(shí)施方案中，組合物包含至少95wt％的溶劑或溶劑載體，并且組合物的特征在于5wt％或更少的固體百分?jǐn)?shù)。在一個實(shí)施方案中，固體成分的量為約0.1wt.％至100wt.％，其中100wt.％代表干燥材料，例如干粉。在一個實(shí)施方案中，固體成分為約0.3wt.％至約10wt.％。在另一個實(shí)施方案中，固體成分為約0.5wt.％至約5wt.％。在一個實(shí)施方案中，通過去除溶劑來制備干粉。結(jié)果可能是干燥的或基本上干燥的材料，例如粉末。殘留溶劑的量可以為例如10wt.％或更少，或5wt.％或更少，或1wt.％或更少。干燥的或基本上干燥的粉末可以再分散或再溶解于新的溶劑體系中。任選的基質(zhì)材料的量可以被控制并且測量為相對于空穴傳輸材料和摻雜物的組合的量的重量百分比。例如，該量可以為0至99.5wt.％，或約10wt.％至約98wt.％，或約20wt.％至約95wt.％。在0wt.％的實(shí)施方案中，不使用基質(zhì)材料。材料可以被純化以去除例如鹵素和金屬。鹵素包括例如溴和碘。金屬包括例如摻雜物的陽離子(包括摻雜物的陽離子的還原形式)，或催化劑或引發(fā)劑殘余物留下的金屬。金屬包括例如銀、鎳和鎂。該量可以小于例如100ppm、或小于10ppm、或小于1ppm。可以去除金屬。在一個實(shí)施方案中，金屬(例如銀)成分的量可以為例如0至10％(干粉中)，和/或0至0.5％(溶液中)。在另一個實(shí)施方案中，金屬(例如銀)成分的量可以為例如0至1％(干粉中)，和/或0至0.05％(溶液中)。在另一個實(shí)施方案中，金屬(例如銀)成分的量可以為例如0至0.5％(干粉中)，和/或0至50ppm(溶液中)。金屬成分(包括銀成分)，特別對于大于50ppm的濃度而言，可以通過icp-ms來測量。也可以存在或去除未反應(yīng)的摻雜物，包括未反應(yīng)的陽離子，包括未反應(yīng)的銀離子。制備方法的步驟本文所述的裝置可以通過本領(lǐng)域已知的方法(包括例如溶液處理)來制備。油墨可以被涂覆并且溶劑通過本領(lǐng)域已知的方法去除?？梢赃M(jìn)行純化方法。例如，摻雜物(例如金屬鹽，尤其是銀鹽，例如四(五氟苯基)硼酸銀)可以發(fā)生從共軛聚合物至金屬鹽的自發(fā)性電子轉(zhuǎn)移，留下具有相關(guān)聯(lián)的陰離子的呈其氧化形式的共軛聚合物(如作為p型共軛聚合物)和游離金屬?？梢岳缤ㄟ^硅藻土的床或至少一個玻璃纖維過濾器(疊置或非疊置；0.5微米)從制劑中清除金屬。例如，約50ml的摻雜物溶液可以通過玻璃注射器內(nèi)的硅藻土床(干燥包裝；26mm直徑，15mm厚)?？梢允┘虞p微壓力以增加溶液流速。還提供一種實(shí)施方案，其為制備金屬鹽(包括例如四芳基硼酸銀鹽，例如agtpfb)的方法。例如，可以用水溶性銀鹽和四芳基硼酸鹽來進(jìn)行復(fù)分解反應(yīng)。例如，該反應(yīng)可以由下式表示：m1x1+m2x2-→m1x2(不可溶)+m2x1(可溶)對于至少一些情況，m1x2的沉淀可以有利于向右驅(qū)動該反應(yīng)以產(chǎn)生相對高的收率。m1可以是金屬，例如銀，并且m2可以是金屬，例如鋰。x1可以提供水溶性，例如硝酸根。x2可以是非配位陰離子，例如四芳基硼酸根。m1x2可以不溶于水，并且m2x1可溶于水。例如，如圖2所示，agtpfb可以優(yōu)選地通過以下方式制備：將四(五氟苯基)-硼酸鋰(litpfb)和硝酸銀溶于乙腈隨后在水中沉淀來進(jìn)行復(fù)分解。例如，硝酸銀于乙腈中的溶液(例如，3wt.％至25wt.％，或5wt.％至15wt.％，或10wt.％)可以在約25℃的溫度下與例如litpfb(例如，3wt.％至25wt.％，或5wt.％至15wt.％，10wt.％)混合。期望的反應(yīng)產(chǎn)物可以用溶液的混合物沉淀，并且尤其可以沉淀至過量水中(例如，十倍過量的去離子水)并且可以通過例如過濾(例如，燒結(jié)的中等多孔性的玻璃漏斗)來收集。反應(yīng)產(chǎn)物可以被沉淀，而不期望的反應(yīng)產(chǎn)物(例如硝酸鋰)可以溶于水并因此留在水溶液中。反應(yīng)產(chǎn)物中鋰的量不可例如通過諸如icp-ms的方法檢測。例如，不期望的金屬(例如鋰)的量可以小于1wt.％，或小于0.1wt.％，或小于0.01wt.％，或小于0.001wt.％。在該方法中，可以避免復(fù)雜的萃取操作。例如，可以避免soxhlett提取。銀鹽產(chǎn)物的收率可以例如為至少約70％，或至少80％，或至少85％，例如，80％至85％。因此，一個實(shí)施方案包含一種方法，所述方法包含：(i)任選地在溶液中提供至少一種四芳基硼酸鹽，(ii)任選地在溶液中提供至少一種與四芳基硼酸鹽不同的銀鹽，其中四芳基硼酸鹽或銀鹽或這兩者處于溶液中，(iii)將四芳基硼酸鹽與銀鹽組合以從沉淀介質(zhì)中沉淀四芳基硼酸銀鹽，和(iv)收集四芳基硼酸銀鹽以將其與沉淀介質(zhì)分離。該方法可以包含復(fù)分解交換反應(yīng)，其中期望的產(chǎn)物不可溶于沉淀介質(zhì)(例如為水不溶性的)并且不期望的產(chǎn)物可溶于沉淀介質(zhì)(例如為水溶性的)。另一個實(shí)施方案包含一種方法，所述方法包含：(i)提供至少一種四芳基硼酸鹽的至少一種第一溶液，(ii)提供與四芳基硼酸鹽不同的至少一種銀鹽的至少一種第二溶液，(iii)組合第一和第二溶液以從沉淀介質(zhì)中沉淀四芳基硼酸銀鹽，和(iv)收集四芳基硼酸銀鹽以將其與沉淀介質(zhì)分離。該方法可以包含復(fù)分解交換反應(yīng)，其中期望的產(chǎn)物不可溶于沉淀介質(zhì)(例如為水不溶性的)并且不期望的產(chǎn)物可溶于沉淀介質(zhì)(例如為水溶性的)?？梢允褂弥辽僖环N極性有機(jī)溶劑(例如乙腈)用于復(fù)分解反應(yīng)。溶劑可與水混溶。極性有機(jī)溶劑也可以被選擇為與銀鹽絡(luò)合并形成絡(luò)合物。例如，銀的一些絡(luò)合物可能比其它絡(luò)合物更穩(wěn)定。例如，一些絡(luò)合物可以提供更高的耐光解穩(wěn)定性并提供隨著時間的推移保持白色的白色絡(luò)合物。裝置(和使用方法)可以使用本領(lǐng)域已知的方法制造有機(jī)電子裝置，包括例如oled和opv裝置?？梢允褂帽绢I(lǐng)域已知的方法測量亮度、效率和壽命。oled專利包括例如美國專利號4,356,429和4,539,507(kodak)。發(fā)光的導(dǎo)電聚合物描述于例如美國專利號5,247,190和5,401,827(cambridgedisplaytechnologies)。還參見kraftetal.,“electroluminescentconjugatedpolymers-seeingpolymersinanewlight(電致發(fā)光共軛聚合物——以新的視角看聚合物),”angew.chem.int.ed.,1998,37,402-428，包括裝置構(gòu)造、物理原理、溶液處理、多層化(multilayering)、摻合與材料合成和配制，在此將其全文以引用的方式并入?？梢允褂帽绢I(lǐng)域已知且可商購的光發(fā)射器，包括各種導(dǎo)電聚合物以及有機(jī)分子，例如可得自sumation、merckyellow、merckblue、americandyesources(ads)、kodak(例如a1q3等等)以及甚至aldrich(如behp-ppv)的材料。此類有機(jī)電致發(fā)光材料的實(shí)例包括：(i)聚(對亞苯基亞乙烯基)以及其在亞苯基部分上不同位置被取代的衍生物；(ii)聚(對亞苯基亞乙烯基)以及其在亞乙烯基部分上不同位置被取代的衍生物；(iii)聚(對亞苯基亞乙烯基)以及其在亞苯基部分上不同位置被取代且在亞乙烯基部分上不同位置被取代的衍生物；(iv)聚(亞芳基亞乙烯基)，其中所述亞芳基可以是諸如萘、蒽、亞呋喃基、亞噻吩基、噁二唑等等的部分；(v)聚(亞芳基亞乙烯基)的衍生物，其中所述亞芳基可以與上述(iv)中相同，且另外在亞芳基上的不同位置具有取代基；(vi)聚(亞芳基亞乙烯基)的衍生物，其中所述亞芳基可以與上述(iv)中相同，且另外在亞乙烯基上的不同位置具有取代基；(vii)聚(亞芳基亞乙烯基)的衍生物，其中所述亞芳基可以與上述(iv)中相同，且另外在亞芳基上的不同位置具有取代基且在亞乙烯基上的不同位置具有取代基；(viii)亞芳基亞乙烯基低聚物的共聚物，例如(iv)、(v)、(vi)和(vii)中的那些與非共軛低聚物的共聚物；以及(ix)聚對亞苯基以及其在亞苯基部分上的不同位置被取代的衍生物，包括梯形聚合物衍生物，例如聚(9,9-二烷基芴)等等；(x)聚(亞芳基)，其中亞芳基可以是諸如萘、蒽、亞呋喃基、亞噻吩基、噁二唑等等的部分；以及其在亞芳基部分上不同位置被取代的衍生物；(xi)寡聚亞芳基的共聚物，例如(x)中的那些與非共軛的低聚物的共聚物；(xii)聚喹啉和其衍生物；(xiii)聚喹啉與對亞苯基的共聚物，其在亞苯基上被例如烷基或烷氧基取代以提供溶解性；和(xiv)剛棒聚合物，例如聚(對亞苯基-2,6-苯并雙噻唑)，聚(對亞苯基-2,6-苯并雙噁唑)，聚(對-亞苯基-2,6-苯并咪唑)，和其衍生物；(xv)聚芴聚合物和具有聚芴單元的共聚物。優(yōu)選的有機(jī)發(fā)射聚合物包括發(fā)射綠光、紅光、藍(lán)光或白光的sumation發(fā)光聚合物(“l(fā)ep”)或其家族、共聚物、衍生物或其混合物；所述sumationlep可得自sumationkk。其它聚合物包括可得自covionorganicsemiconductorsgmbh(frankfurt，germany)(目前由擁有)的聚螺芴樣聚合物?；蛘撸司酆衔锿?，通過熒光或磷光而發(fā)射的小的有機(jī)分子可以用作有機(jī)電致發(fā)光層。小分子有機(jī)電致發(fā)光材料的實(shí)例包括：(i)三(8-羥基喹啉)鋁(alq)；(ii)1,3-雙(n,n-二甲基氨基苯基)-1,3,4-噁二唑(oxd-8)；(iii)-氧代-雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁；(iv)雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁；(v)雙(羥基苯并喹啉)鈹(beq.sub.2)；(vi)雙(二苯基乙烯基)二苯撐(dpvbi)；和(vii)芳基胺取代的二苯乙烯基亞芳基(dsa胺)。此類聚合物和小分子材料是本領(lǐng)域公知的并且描述于例如授予vanslyke的美國專利號5,047,687；和bredas,j.-l.,silbey,r.,eds.,conjugatedpolymers(共軛聚合物),kluweracademicpress,dordrecht(1991)。裝置中hil的實(shí)例包括：1)在oled(包括pled和smoled)中的空穴注入；例如，對于pled中的hil，可以使用其中共軛涉及碳或硅原子的共軛聚合發(fā)射體的所有類別。對于smoled中的hil，實(shí)例如下：含熒光發(fā)射體的smoled；含磷光性發(fā)射體的smoled；除hil層以外包含一個或多個有機(jī)層的smoled；和其中小分子層由溶液或氣溶膠噴霧劑或任何其它處理方法處理的smoled。另外，其它實(shí)例包括：樹狀聚合物或低聚有機(jī)半導(dǎo)體基的oled中的hil；雙極性發(fā)光fet中的hil，其中hil用于改變電荷注入或用作電極；2)opv中的空穴提取層；3)晶體管中的通道材料4)在包含晶體管的組合的電路(如邏輯門)中的通道材料；5)晶體管中的電極材料；6)電容器中的柵極層；7)化學(xué)傳感器，其中由于待感應(yīng)物種與導(dǎo)電聚合物相關(guān)聯(lián)而實(shí)現(xiàn)摻雜水平的改變可以在opv裝置中使用各種光敏層。光伏裝置可以被制備為具有光敏層，所述光敏層包含與例如導(dǎo)電聚合物混合的富勒烯衍生物，如例如美國專利號5,454,880(univ.cal.)；6,812,399；和6,933,436中所述。還參見例如wienketal.,appliedphysicsletters,88,153511(2006)；camposetal.,solarenergymaterials&solarcells,90(2006)3531-3546。此外，光敏層可以包含導(dǎo)電聚合物的摻合物，導(dǎo)電聚合物和半導(dǎo)電納米粒子的摻合物，以及小分子(如酞菁、富勒烯和卟啉)的雙層?？梢允褂贸Ｒ姷碾姌O材料和基材以及封裝材料。在一個實(shí)施方案中，陰極包含au、ca、al、ag或它們的組合。在一個實(shí)施方案中，陽極包含銦錫氧化物。在一個實(shí)施方案中，發(fā)光層包含至少一種有機(jī)化合物?？梢允褂媒缑娓男詫雍凸鈱W(xué)間隔層?？梢允褂秒娮觽鬏攲?。一種制備裝置的方法，包含以下步驟：提供基材；在基材上覆蓋一層透明導(dǎo)體；提供hil或htl油墨組合物，其包含如本文所述的在溶劑中用摻雜物摻雜的共軛聚合物；在透明導(dǎo)體上覆蓋一層該組合物，以形成空穴注入層或空穴傳輸層；在空穴注入層或空穴傳輸層上覆蓋一層活性層；和在活性層上覆蓋一層陰極。在另一個實(shí)施方案中，一種制備裝置的方法包含：作為oled、光伏裝置、esd、smoled、pled、傳感器、超級電容器、陽離子傳感器、藥物釋放裝置、電致變色裝置、晶體管、場效應(yīng)晶體管、電極調(diào)節(jié)器、用于有機(jī)場晶體管的電極調(diào)節(jié)器、致動器或透明電極中的hil或htl層的一部分涂覆hil或htl油墨組合物，所述組合物包含如本文所述的在溶劑中用摻雜物摻雜的共軛聚合物。組合物和裝置的性質(zhì)重要的性質(zhì)為熱穩(wěn)定性。熱穩(wěn)定性可以通過一種或多種熱分析法(例如熱重分析(tga))來測量。其它實(shí)施方案可以向聚合物(例如聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩))于溶劑(如四氫吡喃)中的溶液添加金屬如銀粉(例如5至8微米，0.5g，120ml)?？梢詫⑦m量的摻雜物(如四(五氟苯基)硼酸銀)溶于溶劑(如四氫吡喃)中，并隨后在極好的攪拌下添加(例如滴加)，直至完成添加。混合物可以在例如室溫下進(jìn)一步攪拌額外一段時間，例如30分鐘。此后，可以將沸點(diǎn)高于第一溶劑的第二溶劑或溶劑混合物(例如四氫吡喃)加入混合物，并且將成分進(jìn)一步在室溫下攪拌過夜。隨后可以使用例如玻璃過濾器(例如0.45微米孔徑)過濾該制劑以除掉銀粉。隨后在減壓下將溶劑(例如四氫吡喃)泵出，同時維持溫度在例如30℃以下。以下非限制性工作實(shí)施例進(jìn)一步說明不同的實(shí)施方案。工作實(shí)施例工作實(shí)施例1：根據(jù)如下的一般操作1a至1f制備本實(shí)施方案的示例性組合物例如油墨組合物：一般操作1a通過在室溫下攪拌30至60分鐘，在所選的溶劑中制備聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)的溶液。將四(五氟苯基)硼酸銀溶于相同的溶劑中，并且隨后在攪拌下滴加至該溶液。將混合物在室溫下攪拌30至60分鐘并隨后通過硅藻土的床過濾。一般操作1b通過在室溫下攪拌30至60分鐘，以0.5％固體在四氫吡喃中制備聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)的溶液。在攪拌下滴加以0.5％固體溶于四氫吡喃的四(五氟苯基)-硼酸銀。將混合物在室溫下繼續(xù)攪拌30分鐘，并隨后通過如上文所述的硅藻土的床過濾。此時固體含量為0.35％至0.45％。隨后將溶液在低壓下濃縮至期望的濃度(例如1.25％)同時保持溫度在25℃以下。一般操作1c通過在室溫下攪拌30至60分鐘，以0.5％固體在四氫吡喃中制備聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)的溶液。每20ml溶液添加約0.5g銀粉(5至8微米)。在攪拌下向該溶液滴加以0.5％固體溶于四氫吡喃的四(五氟苯基)硼酸銀。將混合物在室溫下繼續(xù)攪拌30分鐘，并隨后通過如上文所述的硅藻土的床過濾。此時固體含量為0.35％至0.45％。隨后將溶液在低壓下濃縮至期望的濃度(例如1.25％)同時保持溫度在25℃以下。一般操作1d通過在室溫下攪拌30至60分鐘，以0.5％固體在四氫吡喃中制備聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)的溶液。每20ml溶液添加約0.5g銀粉(5至8微米)。在攪拌下向該溶液滴加以0.5％固體溶于四氫吡喃的四(五氟苯基)硼酸銀。將混合物在室溫下繼續(xù)攪拌30分鐘，并且通過兩個至三個疊置的0.5微米玻璃纖維過濾器過濾。此時固體含量為0.35％至0.45％。隨后將溶液在低壓下濃縮至期望的濃度(例如1.25％)同時保持溫度在25℃以下。一般操作1e操作1b、1c或1d的四氫吡喃可以用表1所示的更高沸點(diǎn)的溶劑代替，并且在低壓下由初始的1％溶液進(jìn)一步濃縮同時維持溫度<25℃。在更高沸點(diǎn)溶劑中的溶液的最終濃度可以選自1％、1.25％、1.5％、1.75％或2.0％。表1或者，四氫萘可以用鄰二甲苯、均三甲苯或其它烷基苯替代。一般操作1f：基質(zhì)材料的添加可以向組合物加入基質(zhì)材料。例如，可以在與通過方法1a至1e制備的摻雜油墨的溶劑相同的溶劑中，制備基質(zhì)聚合物或小分子添加劑的儲備溶液。隨后可以在攪拌下或不需攪拌，將基質(zhì)材料加入至摻雜油墨?；蛘?，可以在與摻雜油墨的溶劑不同的溶劑中制備基質(zhì)材料，例如在含有3-甲氧基丙腈的溶劑中。一般操作1g：干燥聚合物的再溶解通過溶劑蒸發(fā)、在非溶劑中沉淀或通過噴霧干燥，可以將摻雜油墨形成為含有摻雜聚合物的干粉。干粉可以比其對應(yīng)的油墨溶液更容易運(yùn)輸和儲存。隨后取決于應(yīng)用，可以將干粉加入至不同的溶劑。例如，可以將該干粉加入至適于涂布應(yīng)用(例如照相凹版、噴墨和狹縫模具)的溶劑中。在一個實(shí)例中，包含摻雜聚合物的干粉可以被再溶解。例如，將通過操作1d制備的9.755g摻雜聚合物油墨置于50ml單頸圓底燒瓶中。在25℃下在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上于真空下蒸發(fā)溶劑。將干燥的固體暴露于真空(約1托)中1分鐘。在此階段，燒瓶的凈重為0.047g。隨后，向燒瓶中加入約3.086g的2:1wt/wt比例的1,2,3,4-四氫萘和3-甲氧基丙腈的混合物，并且使用攪拌棒將成分混合約10至15分鐘。隨后通過0.45μmptfe注射器式過濾器過濾深色溶液。在過濾期間，未在過濾器中觀察到抵抗或堵塞。實(shí)施例1h向聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)于四氫吡喃中的儲備溶液(1.75％總固體)添加約0.5g銀粉(5至8微米)。隨后向上述溶液滴加9.886g溶于四氫吡喃的四(五氟苯基)硼酸銀(1.75％總固體)并同時劇烈攪拌溶液，直至添加完成。在完成摻雜物的添加之后，將混合物進(jìn)一步在室溫下繼續(xù)攪拌30分鐘。此后，添加20g四氫化萘和3-甲氧基丙腈(2:1wt/wt)的混合物，并且在室溫下繼續(xù)攪拌過夜。隨后使用2.7微米玻璃纖維過濾器過濾該制劑，并隨后再使用2.7微米玻璃過濾器和玻璃注射器式過濾器(0.45微米孔徑)過濾。隨后在減壓下泵出四氫吡喃，并同時維持溫度在30℃以下。工作實(shí)施例2：摻雜物的制備。向用鋁箔覆蓋的依氏燒瓶中加入5.8g四(五氟苯基)硼酸鋰二乙醚絡(luò)合物。添加110.2g乙腈以制備5％溶液。在室溫(rt)下將成分?jǐn)嚢杓s5分鐘，直至所有固體溶解。向此溶液添加固體形式的1.3619gagno3。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌2小時，并且將溶液在劇烈攪拌下滴加至鋁箔覆蓋的容器中的1300ml去離子(di)水中(極慢添加-注射器和針頭。速率＝200ml/2.5小時)。將水性層繼續(xù)攪拌30分鐘，并且靜置24至36小時使其沉淀下來?；蛘撸陟o置過夜之后，可以將溶液離心。傾析上清液水性層并且過濾白色沉淀并用15ml×2的di水洗滌。將沉淀的鹽進(jìn)一步在50ml的di水中在rt下攪拌30分鐘，過濾并用15ml×2的di水洗滌。在另一個實(shí)例中，在固體位于漏斗內(nèi)的同時，用若干小部分的約300ml的di水進(jìn)行洗滌。在漏斗上抽吸干燥之前，將漿液過濾并額外洗滌2次，隨后在真空中過夜干燥。將固體研磨，并繼續(xù)真空干燥另外24小時或直至樣品保持相對恒定的重量。工作實(shí)施例3：單極裝置制造在沉積于玻璃基材上的銦錫氧化物(ito)表面上制造本文所述的單極、單電荷載體裝置。將ito表面預(yù)圖案化以定義0.05cm2的像素面積。通過在稀釋的肥皂溶液中超聲處理20分鐘來清潔裝置基材，每次之后進(jìn)行蒸餾水洗滌。隨后在異丙醇中超聲處理20分鐘。在氮流下干燥基材，隨后在300w下操作的紫外線臭氧腔室中對其進(jìn)行處理。隨后將清潔的基材用hil油墨涂布并在90至170℃下干燥5至15分鐘以形成hil層。干燥膜的厚度范圍為大約20nm至60nm。涂布工藝在旋涂機(jī)上進(jìn)行，但可以用噴涂、噴墨、接觸印刷或任何其它能夠產(chǎn)生期望厚度的hil膜的沉積方法以類似的方式實(shí)現(xiàn)。隨后將基材轉(zhuǎn)移至真空室中，在其中通過物理汽相沉積來沉積裝置堆棧的剩余層。在一個實(shí)例中，在hil上面沉積n,n'(二萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)空穴傳輸層(htl)，然后沉積金(au)陰極。這是單極裝置，其中研究了從hil進(jìn)入htl的純空穴(holeonly)注入效率。在該實(shí)例中，通過在5×10-7托的基準(zhǔn)壓力下以約0.5nm/秒沉積200nm金金屬層來制備陰極層。通過暴露于80w/cm2紫外線中4分鐘而進(jìn)行紫外光固化的環(huán)氧樹脂，將由此獲得的裝置用蓋玻片封裝以防止暴露于環(huán)境條件。工作實(shí)施例4：單極裝置測試單極裝置包含玻璃基材上的像素，其電極延伸出含有像素的發(fā)光部分的裝置的封裝區(qū)域之外。每個像素的典型面積是0.05cm2。電極與電源表(例如keithley2400源表)接觸，并且將偏壓施加于銦錫氧化物電極，同時將金電極接地。這導(dǎo)致僅正電荷載體(空穴)被注入至裝置(純空穴裝置(hole-onlydevice))。在該實(shí)例中，hil輔助將電荷載體注入空穴傳輸層中。這導(dǎo)致裝置的低操作電壓(定義為運(yùn)行通過像素的給定電流密度所需的電壓)。圖3示出具有npb作為htl和金陰極的純空穴裝置的iv曲線。實(shí)線指示包含使用四(五氟苯基)硼酸銀(agtpfb)制備的hil的示例性裝置的結(jié)果。虛線指示包含使用對枯烯基(對甲苯基)碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽制備的hil的比較裝置的結(jié)果。顯然，用agtfpb樣品觀察到的空穴電流在相同電壓下比其相應(yīng)的超價碘鎓更高，表明更佳的空穴注入能力。實(shí)施例5：使用實(shí)施例1制備的hil制劑的裝置測試在oled中使用根據(jù)工作實(shí)施例1c的hil層。使用以下操作制備oled：在沉積于玻璃基材上的銦錫氧化物(“ito”)表面上制造本文所述的oled裝置。將ito表面預(yù)圖案化以定義0.09cm2的像素面積。通過在稀釋的肥皂溶液中超聲處理20分鐘而清潔裝置基材，每次之后進(jìn)行蒸餾水洗滌。隨后將其在異丙醇中超聲處理20分鐘。在氮流下干燥基材，隨后在300w下操作的紫外線臭氧腔室中對其進(jìn)行處理。隨后將清潔的基材用hil油墨涂布并在90至170℃下干燥5至15分鐘以形成hil層。干燥膜的厚度范圍為大約20nm至60nm。涂布工藝在旋涂機(jī)上進(jìn)行，但可以用噴涂、噴墨、接觸印刷或其它任何能夠產(chǎn)生期望厚度的hil膜的沉積方法以類似方式實(shí)現(xiàn)。隨后將基材轉(zhuǎn)移至真空室中，在其中通過物理汽相沉積來沉積裝置堆棧的剩余層。在該實(shí)例中，沉積于hil上面的層包括空穴傳輸層(htl)、發(fā)射層(eml)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和金屬陰極。在該實(shí)例中所用材料分別是作為htl(30nm)的n,n'(二萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)，被三(2-苯基喹啉)銥(iii)(ir(2-phq)3)摻雜的用于eml(30nm)的專有基質(zhì)(proprietaryhost)，作為hbl(10nm)的雙(2-甲基-8-羥基喹啉-n1,o8)-(1,1'-聯(lián)苯基-4-羥基)鋁(balq)，和作為etl(45nm)的被碳酸銫(csco3)摻雜的4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)。同樣在該實(shí)例中，通過熱蒸發(fā)制備陰極層。該層由在5×10-7托的基準(zhǔn)壓力下蒸發(fā)的200nm厚鋁的單層組成。通過暴露于80w/cm2紫外線中4分鐘而進(jìn)行紫外光固化的環(huán)氧樹脂，將由此獲得的裝置用蓋玻片封裝以防止暴露于環(huán)境條件。oled測試oled包含玻璃基材上的像素，其電極延伸出含有像素的發(fā)光部分的裝置的封裝區(qū)域之外。每個像素的典型面積是0.09cm2。電極與電源表(例如keithley2400源表)接觸，并且將偏壓施加于銦錫氧化物電極，同時將鋁電極接地。這導(dǎo)致正電荷載體(空穴)和負(fù)電荷載體被注入至形成激子和產(chǎn)生光的裝置中。在該實(shí)例中，hil輔助將電荷載體注入發(fā)光層中。這導(dǎo)致裝置的低操作電壓(定義為運(yùn)行通過像素的給定電流密度所需的電壓)。同時，使用另一個keithley2400源表來訪問大面積硅光電二極管。通過2400源表將此光電二極管維持在零伏偏壓下。將其置于與玻璃基材的直接位于oled像素的被照亮的區(qū)域下方的區(qū)域直接接觸。該光電二極管收集由oled產(chǎn)生的光，將其轉(zhuǎn)化為光電流，后者接著被源表讀取。通過利用minoltacs-200比色計來校準(zhǔn)，將產(chǎn)生的光電二極管電流量化為光學(xué)單位(坎德拉/平方米)。在裝置的測試期間，訪問oled像素的keithley2400向其施加電壓掃描。測量通過像素的所得電流。同時，通過oled像素的電流導(dǎo)致光被產(chǎn)生，該光隨后導(dǎo)致光電流被與光電二極管連接的另一keithley2400讀取。因此，對于像素產(chǎn)生電壓-電流-光或ivl數(shù)據(jù)。這接著使得能夠測量其它裝置特性，例如進(jìn)入像素的每瓦特電輸入功率的流明量和每安培像素電流的坎德拉量。描述了不同的示例性oled類型中的不同hil的性能。注意，性能通常通過不同參數(shù)的組合來量化，例如操作電壓(應(yīng)該很低)，以尼特計的亮度(應(yīng)該很亮)，和以cd/a為單位的發(fā)光效率(反映從裝置獲得光需要多少電荷)。因此，在hil性能的比較性評估中，總體性能極為重要。在以下實(shí)例中，在10ma/cm2的固定電流密度下測量提供的電壓和效率。對每個裝置收集的數(shù)據(jù)示于下表2。下表2中所用的比較例是由以下制備的油墨*：組分重量％磺化了的聚(噻吩-3-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)0.14聚(4-乙烯基苯酚)1.86水63.7乙二醇單丁基醚34.3*參見例如seshadri等人的美國專利公布2008/0248313，2008年10月9日公布(受讓人：plextronics)。表2*使用一般操作1a和1c在四氫吡喃中以1.25％總固體制備空穴注入層。附加實(shí)施例下表3中公開了油墨制劑的附加實(shí)施例。表3最后，2010年5月11日提交的美國臨時序列號61/333,657中提供了實(shí)施方案1至67。這些附加實(shí)施方案包括：實(shí)施方案1.一種裝置，其包含：至少一個陰極、至少一個陽極、設(shè)置于陰極與陽極之間的至少一個發(fā)光層、設(shè)置于發(fā)光層與陽極之間的至少一個空穴注入層，其中該空穴注入層包含一種組合物，該組合物包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩；(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物；其中該離子化合物的陽離子為金、鉬、錸、鐵、銀或它們的組合；并且該離子化合物的陰離子由至少一種以下結(jié)構(gòu)表示：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且n為1至6。實(shí)施方案2.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該陰離子是四(鹵代苯基)硼酸鹽。實(shí)施方案3.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該摻雜物包含四(五氟苯基)硼酸銀。實(shí)施方案4.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該共軛聚合物是3,4-取代的二烷氧基聚噻吩。實(shí)施方案5.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該共軛聚合物是3-取代的烷氧基聚噻吩，其中該烷氧基基團(tuán)包含一個、兩個、三個、四個或五個氧原子。實(shí)施方案6.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該共軛聚合物是區(qū)域規(guī)則性聚噻吩。實(shí)施方案7.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該共軛聚合物是非區(qū)域規(guī)則性聚噻吩。實(shí)施方案8.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中存在基質(zhì)材料。實(shí)施方案9.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中存在基質(zhì)材料并且該基質(zhì)材料包含至少一種合成有機(jī)聚合物。實(shí)施方案10.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中存在基質(zhì)材料并且該基質(zhì)材料包含絕緣的或半導(dǎo)電的平坦化劑。實(shí)施方案11.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該組合物包含約40重量％至75重量％的共軛聚合物以及約25重量％至55重量％的摻雜物。實(shí)施方案12.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該組合物包含約50％至65％的共軛聚合物以及約35％至50％的摻雜物。實(shí)施方案13.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該陰極包含au、ca、al或它們的組合。實(shí)施方案14.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該陽極包含銦錫氧化物。實(shí)施方案15.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該發(fā)光層包含至少一種有機(jī)化合物。實(shí)施方案16.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該hil層具有約20nm至約60nm的厚度。實(shí)施方案17.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該hil層被熱退火。實(shí)施方案18.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該hil層在約90℃至約170℃的溫度下熱退火約5至約15分鐘。實(shí)施方案19.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該hil層不包含碘鎓鹽。實(shí)施方案20.根據(jù)實(shí)施方案1的裝置，其中該摻雜物包含四(五氟苯基)硼酸銀并且其中該共軛聚合物是3,4-取代的二烷氧基聚噻吩聚合物聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)或聚(3,4-甲氧基乙氧基乙氧基)噻吩)。實(shí)施方案21.一種裝置，其包含：至少一個陰極、至少一個陽極、設(shè)置于陰極與陽極之間的至少一個發(fā)光層、設(shè)置于發(fā)光層與陽極之間的至少一個空穴注入層，其中該空穴注入層包含一種組合物，該組合物包含：(i)至少一種共軛聚合物，(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物增加hil層的熱穩(wěn)定性。實(shí)施方案22.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中通過熱重分析測量，熱穩(wěn)定性提高。實(shí)施方案23.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中通過熱重分析測量，熱穩(wěn)定性提高，其中在0℃至150℃的溫度范圍內(nèi)該摻雜物的重量改變小于約5％。實(shí)施方案24.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該摻雜物包含離子化合物，并且其中：該離子化合物的陽離子是金、鉬、錸、鐵或銀；并且該離子化合物的陰離子是由下式表示的至少一種有機(jī)結(jié)構(gòu)：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且n為1至6。實(shí)施方案25.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該摻雜物包含離子化合物，并且其中：該離子化合物的陽離子選自金、鉬、錸、鐵和銀中的至少一種；并且該離子化合物的陰離子選自全芳香性的、雜芳香性的陰離子，包括任選地取代的四芳基硼酸鹽、鹵代四芳基硼酸鹽和四(五氟苯基)硼酸鹽(tpfb)。實(shí)施方案26.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該摻雜物包含四(五氟苯基)硼酸銀。實(shí)施方案27.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該共軛聚合物包含至少一種聚噻吩。實(shí)施方案28.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該共軛聚合物包含含有烷氧基或烯氧基側(cè)基的至少一種聚噻吩。實(shí)施方案29.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該基質(zhì)材料包含絕緣的或半導(dǎo)電的平坦化劑。實(shí)施方案30.根據(jù)實(shí)施方案21的裝置，其中該組合物包含約40重量％至75重量％的共軛聚合物以及約25重量％至55重量％的摻雜物。實(shí)施方案31.一種組合物，其包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩；(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物；和(iv)至少一種溶劑；其中該離子化合物的陽離子為金、鉬、錸、鐵或銀；并且該離子化合物的陰離子為由以下表示的至少一種有機(jī)結(jié)構(gòu)：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且n為1至6。實(shí)施方案32.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該溶劑(iv)包含thp。實(shí)施方案33.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該溶劑(iv)包含1,2,3,4-四氫萘和3-甲氧基丙腈的混合物。實(shí)施方案34.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該組合物包含約40重量％至75重量％的共軛聚合物以及約25重量％至55重量％的摻雜物。實(shí)施方案35.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中組分(i)和(ii)和(iii)可溶于或可分散于溶劑(iv)中。實(shí)施方案36.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該共軛聚合物包含聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)。實(shí)施方案37.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該基質(zhì)材料包含絕緣的或半導(dǎo)電的平坦化劑。實(shí)施方案38.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該摻雜物包含四(五氟苯基)硼酸銀。實(shí)施方案39.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該組合物包含至少95wt％的溶劑，并且該組合物的特征為5wt％或更少的固體百分?jǐn)?shù)。實(shí)施方案40.根據(jù)實(shí)施方案31的組合物，其中該組合物被配制成用于發(fā)光裝置的hil層。實(shí)施方案41.一種組合物，其包含：(i)至少一種共軛聚合物，其中該共軛聚合物為3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩；(ii)任選的至少一種與(i)不同的基質(zhì)材料；和(iii)至少一種用于聚合物(i)的摻雜物，其中該摻雜物基本上不摻雜任選的基質(zhì)材料(ii)，并且該摻雜物包含離子化合物；并且其中該離子化合物的陽離子是金、鉬、錸、鐵或銀；且該離子化合物的陰離子是由下式表示的至少一種有機(jī)結(jié)構(gòu)：其中r1至r9中的每一個獨(dú)立地為h、烷基、全氟烷基(c1–c10)、聚醚、f、cl、br、i、cn、任選地取代的苯基或任選地取代的萘基；"a"為硼、鎵、磷或銻；并且n為1至6。實(shí)施方案42.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該摻雜物包含離子化合物；其中該離子化合物的陽離子是金、鉬、錸、鐵或銀；并且該離子化合物的陰離子選自全部芳香性的或雜芳香性的陰離子，包括任選地取代的四芳基硼酸鹽、鹵代四芳基硼酸鹽或四(五氟苯基)硼酸鹽(tpfb)。實(shí)施方案43.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該摻雜物包含四(五氟苯基)硼酸銀。實(shí)施方案44.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該共軛聚合物是3-取代的烷氧基聚噻吩。實(shí)施方案45.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該共軛聚合物是3,4-取代的二烷氧基聚噻吩。實(shí)施方案46.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中所述共軛聚合物是區(qū)域規(guī)則性聚噻吩。實(shí)施方案47.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中所述共軛聚合物是非區(qū)域規(guī)則性聚噻吩。實(shí)施方案48.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該基質(zhì)材料包含至少一種合成聚合物。實(shí)施方案49.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該基質(zhì)材料包含絕緣的或半導(dǎo)電的平坦化劑。實(shí)施方案50.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該基質(zhì)材料包含以下至少一種：聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物，聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物，聚(乙二醇)或其衍生物，聚(乙烯-共-乙酸乙烯酯)，聚(吡咯烷酮)或其衍生物，聚(1-乙烯基吡咯烷酮-共-乙酸乙烯酯)，聚(乙烯基吡啶)或其衍生物，聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物，聚(丙烯酸丁酯)，聚(芳基醚酮)，聚(芳基砜)，聚(芳基醚砜)，聚(酯)或其衍生物。實(shí)施方案51.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該組合物包含約40重量％至75重量％的共軛聚合物以及約25重量％至55重量％的摻雜物。實(shí)施方案52.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中所述組合物包含約50％至65％的共軛聚合物以及約35％至50％的摻雜物。實(shí)施方案53.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該組合物被熱退火。實(shí)施方案54.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該組合物在約90℃至約170℃的溫度下熱退火約5分鐘至約15分鐘。實(shí)施方案55.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該組合物不包含碘鎓鹽。實(shí)施方案56.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該摻雜物以約0.3至0.5m/ru的量存在，其中m是摻雜物的摩爾量并且ru是共軛聚合物重復(fù)單元的摩爾量。實(shí)施方案57.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該組合物是粉末并且該聚合物被摻雜。實(shí)施方案58.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該組合物是油墨并且該聚合物被摻雜。實(shí)施方案59.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該共軛聚合物由下式表示：o(ch2ch2o)2c4h9-n實(shí)施方案60.根據(jù)實(shí)施方案41的組合物，其中該聚合物是聚(3,4-(二丁氧基乙氧基乙氧基)噻吩)。實(shí)施方案61.一種包含根據(jù)實(shí)施方案41的組合物的裝置。實(shí)施方案62.根據(jù)實(shí)施方案61的裝置，其中該裝置是led、oled、opv、電致變色裝置、超級電容器、電池、致動器或晶體管。實(shí)施方案63.根據(jù)實(shí)施方案61的裝置，其中該組合物是透明層。實(shí)施方案64.根據(jù)實(shí)施方案61的裝置，其中該組合物是在400至800nm波長下透射度為至少85％至約100％的透明層。實(shí)施方案65.一種涂布基材，其包含至少一種基材和設(shè)置在該基材上的至少一個涂層，其中該涂層包含實(shí)施方案41的組合物。實(shí)施方案66.根據(jù)實(shí)施方案65的涂布基材，其中該涂層被圖案化或未被圖案化。實(shí)施方案67.根據(jù)實(shí)施方案65的涂布基材，其中該涂層被圖案化。此處是2010年5月11日提交的美國臨時序列號61/333,657中提供的實(shí)施方案1至67的結(jié)束。在此針對所有用途將2010年5月11日提交的優(yōu)先權(quán)美國臨時申請?zhí)?1/333,657和2011年2月25日提交的優(yōu)先權(quán)美國臨時申請?zhí)?1/446,974以引用的方式全文并入。當(dāng)前第1頁12