專利名稱：超疏水表面的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在任意高分子材料表面，特別是在高分子薄膜材料表面制備超疏水表面的方法。
背景技術(shù)：
自然界的動(dòng)植物有很多奇特現(xiàn)象，超疏水表面就是其中一種。動(dòng)植物的超疏水表面是由蠟質(zhì)包裹的粗糙表面結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的。蠟質(zhì)可以使得表面具有較低的表面能從而增大接觸角，而粗糙表面結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步增大這種疏水效應(yīng)。參見Jiang L，Wang R，Yang B, etal. [J]. Pure App1. Chem.，2000，72-73。如果能在人造材料的表面形成超疏水(超憎水)表面，即所形成的表面具有極大的接觸角和極小的滾動(dòng)角，符合超疏水的技術(shù)要求，其顯著的荷葉效應(yīng)使得該表面具有自清潔功能。此外，超疏水表面具有很多的應(yīng)用前景，在自清潔領(lǐng)域，它可以用來防雪、防污染、抗氧化以及防止電流傳導(dǎo)等。參見Nakajima A，Hashimoto K，Watanable Τ. [J],Monatshefte fiir Chemie, 2001,132 :31。NakajimaA,FujishimaA,Hashimoto K, et al. [J],Adv. Mater. ,1999,11 :1365.如果建筑物的外墻、露天的廣告牌等表面象荷葉一樣，就可以自然保持清潔。參見:Zhai J, Li H J, Li Y S, et al. [J]. Physics (in Chinese)，2002，31 :483。另外，超疏水表面在減小阻力方面也有特殊的表現(xiàn)，液體在運(yùn)輸管道，比如輸水和輸油管道，流動(dòng)時(shí)，有很大一部分的能量用來克服流體和固體界面的阻力，隨著管道尺寸的減小，阻力所起作用會(huì)越來越大，所以對(duì)于微流孔道的表面具有超疏水表面將有效減少孔道表面的阻力。同時(shí)減少表面摩擦阻力是提高船只航速和節(jié)約能源的主要途徑。研究發(fā)現(xiàn)超疏水硅表面和添加疏水填料的硅橡膠和聚氨樹酯均可以達(dá)到減阻30%以上的效果。參見Feng L, Li S, Li Y, et al. [J] · Adv. Mater.，2002，14 :1857。目前制備超疏水表面的技術(shù)主要可分為以下幾類硅材料表面的刻蝕法，溶膠凝膠法，化學(xué)氣相沉積法，機(jī)械拉伸法，聚合反應(yīng)成膜法，模板法，電紡法，電化學(xué)沉積法，腐蝕金屬法。這些方法共同的特點(diǎn)是制備的表面具有較低的表面能，同時(shí)又具有較大的粗糙度，從而導(dǎo)致其具有超疏水的特性(參見趙寧，盧曉英，張曉燕，劉海云，譚帥霞，徐堅(jiān)，“超疏水表面的研究進(jìn)展”，《化學(xué)進(jìn)展》，第19卷，第6期，860頁(yè)，2007)。目前在模仿荷葉表面制備的超疏水表面技術(shù)中，所使用的技術(shù)是用光刻技術(shù)制作的一級(jí)結(jié)構(gòu)(模仿荷葉乳突)，然后在其上面生長(zhǎng)納米線(模仿乳突上的二級(jí)結(jié)構(gòu))，以此來實(shí)現(xiàn)超疏水。這種技術(shù)具有明顯的缺陷，由于一級(jí)結(jié)構(gòu)光刻膠和材料本體結(jié)合力較差，所以一級(jí)結(jié)構(gòu)在受到外力作用時(shí)很容易脫落，導(dǎo)致超疏水表面結(jié)構(gòu)的破壞，從而使得超疏水表面失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種可克服現(xiàn)有技術(shù)不足，制備工藝簡(jiǎn)單，制造成本低廉，工藝重復(fù)性好，能制備出具有良好的生物兼容性和良好的表面結(jié)構(gòu)，且表面結(jié)構(gòu)更為可靠的超疏水表面制備方法。
本發(fā)明的方法是首先在任意高分子基片表面采用刻蝕的方法制備出與基片材料為同一材料的柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，或者先采用澆筑成型法制備出表面帶有柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料，或者先采用熱壓成型法制備出表面帶有柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料，或者先采用預(yù)聚體澆入模子然后聚合的方法制備出表面帶有柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料，再在柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面沉積氧化鋅種子層，隨后將基片放入可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液中，使一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)出氧化鋅納米線陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu)，再將制備了一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子基片浸入溶有疏水物質(zhì)的溶液，使高分子基片上的一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全附著疏水物質(zhì)物質(zhì)后，將高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。本發(fā)明所用的疏水物質(zhì)可以是蠟質(zhì)物，例如石蠟，也可以是碳鏈長(zhǎng)度為8-14之間的烷酸，或氟硅烷，或十八烷基硫醇，或正十二烷基三甲氧基硅烷，或c4F8。在具體實(shí)施中可將所用的疏水物質(zhì)用可溶解的溶液溶解，然后將已經(jīng)在其表面生成一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料浸入其中，使其一級(jí)結(jié)構(gòu)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全充分的附著蠟質(zhì)物質(zhì)，再將其取出晾干，得到所需要的具有超疏水表面的材料。本發(fā)明的實(shí)施例中采用的高分子基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜，但本領(lǐng)域技術(shù)人員不難看出，將本發(fā)明的技術(shù)用于其它高分子材料時(shí)也必然會(huì)有相同的結(jié)果，因?yàn)楸景l(fā)明中無論是采用物理刻蝕方法還是澆筑成型法制備或者熱壓成型法制備或者預(yù)聚體澆入模子然后聚合的方法均可以得到其表面帶有與母體材料相同的柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)或類柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，這里的類似是指用澆筑成型法制備或者熱壓成型法制備或者預(yù)聚體澆入模子然后聚合的方法制備的材料的一級(jí)結(jié)構(gòu)。而在前述工序之后的處理方法，即在一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生成的二級(jí)結(jié)構(gòu)的方法均是相同的。本發(fā)明超疏水表面的制備方法中采用的刻蝕方法可以是如下的方法1)任意高分子基片材料表面用諸點(diǎn)離子束刻蝕辦法，在基片表面形成基片材料的微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)；2)或者是先在任意高分子基片表面上旋涂的光刻膠，再用聚焦離子束技術(shù)進(jìn)行曝光，然后顯影，得到光刻膠點(diǎn)陣，然后進(jìn)行離子束刻蝕，使基片表面形成其頂端帶有光刻膠的基片材料的高分子微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，然后除去其頂端的光刻膠；3)或者是先在任意高分子基片表面上旋涂的光刻膠，再用電子束曝光技術(shù)進(jìn)行曝光，然后顯影，得到光刻膠點(diǎn)陣，然后進(jìn)行離子束刻蝕，使基片表面形成其頂端帶有光刻膠的基片材料的高分子微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，然后除去其頂端的光刻膠；4)或者是先在任意高分子基片的表面利用圖形掩膜和光刻技術(shù)，做出光刻膠點(diǎn)陣，然后，將負(fù)載有光刻膠點(diǎn)陣的高分子基片進(jìn)行離子束刻蝕，使基片表面形成其頂端帶有光刻膠的基片材料的高分子微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，然后除其頂端的光刻膠。本發(fā)明的實(shí)施例中，所用的高分子基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜，旋涂光刻膠前先將基片在90度下烘半小時(shí)，旋涂時(shí)膠機(jī)轉(zhuǎn)速為3000-5000轉(zhuǎn)/分鐘，經(jīng)曝光后在110度再烘半小時(shí)，在進(jìn)行離子刻蝕時(shí)電壓為IkV-IOkV,電流為0. 01-1. 5mA，通入氬氣，真空度為 lX10_3-lX10_2Pa。本發(fā)明的實(shí)施例中采用磁控濺射法在高分子柱狀陣列表面濺射一層氧化鋅種子層。所用的可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液為20mM硝酸鋅和20mM的六次甲基四胺的混合液，生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的溫度為95攝氏度；或者，所用的可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液為25mM硝酸鋅+12. 5mM六次甲基四胺+5mM分子量為800的聚乙烯亞胺和0. 35M氨水組成的混合溶液，生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的溫度為87. 5攝氏度，并每隔2. 5小時(shí)更換新的反應(yīng)液。本發(fā)明的實(shí)施例中進(jìn)行浸蠟質(zhì)物時(shí)所用的浸蠟液為5mmol/L的硬質(zhì)酸的酒精溶液。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于1.本發(fā)明在原位制備的與基片材料相同的高分子柱狀陣列作為一級(jí)結(jié)構(gòu)，具有良好的力學(xué)性能，使得超疏水表面結(jié)構(gòu)不易損壞。2.采用氧化鋅納米線陣列作為二級(jí)結(jié)構(gòu)具有良好的生物相容性，無毒，無害，無污
^fe ο3.本發(fā)明制備超疏水表面的方法簡(jiǎn)便，工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。4、可對(duì)多種材料表面進(jìn)行處理，獲得超疏水層表面。


附圖1為制備超疏水表面的流程示意圖，其中圖1-1為在材料表面形成光刻膠點(diǎn)陣示意圖；圖1-2為光刻后形成的頂端帶有光刻膠的高分子柱狀陣列(一級(jí)結(jié)構(gòu))示意圖；圖1-3為去除頂端光刻膠后的高分子柱狀陣列示意圖；圖1-4在一級(jí)結(jié)構(gòu)表面形成二級(jí)結(jié)構(gòu)后的示意圖。圖中a為光刻膠微米柱，b為高分子薄膜，c為高分子微米柱陣列，d為氧化鋅納米線。附圖2為本發(fā)明制備的光刻膠微米柱掃描電鏡圖。附圖3為本發(fā)明制備的高分子微米柱掃描電鏡圖附圖4為本發(fā)明制備的超疏水表面低倍的頂視掃描電鏡圖。插入圖為生長(zhǎng)在高分子微米柱上的氧化鋅納米線。附圖5為本發(fā)明制備的超疏水表面的低倍掃描電鏡俯視圖。附圖6為本發(fā)明制備的超疏水表面的高倍掃描電鏡俯視圖。附圖7為本發(fā)明制備的超疏水表面的接觸角和滾動(dòng)角數(shù)據(jù)圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例采用的高分子基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜。其具體的做法是先將聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜洗凈吹干后，在其上旋涂一層光刻膠(型號(hào)DNR-L300)，轉(zhuǎn)速為3000-5000轉(zhuǎn)/分鐘，90度下前烘半小時(shí)，曝光，110度下后烘半小時(shí)，然后顯影，得到光刻膠的點(diǎn)狀陣列。然后對(duì)其進(jìn)行離子束刻蝕，電壓為IkV-IOkV,電流為0.01-1. 5mA，通入氬氣，真空度為1X10_3-1X10_2I^。得到頂端帶有光刻膠的高分子柱狀陣列。然后用溶液清洗掉光刻膠，制備得到高分子柱狀陣列。然后用磁控濺射在高分子柱狀陣列表面濺射一層氧化鋅種子層。將其將基片放入濃度為0. 1 50mmol/L等摩爾比的Si(NO3)2和六次甲基四胺的混合培養(yǎng)液中，在60 100攝氏度反應(yīng)，生長(zhǎng)得到垂直與柱狀陣列表面的氧化鋅納米線陣列。最后將其泡入濃度為l-50mmol/L硬脂酸的酒精溶液中，靜置5-100小時(shí)，取出后晾干，制備得到超疏水表面。
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以下是本發(fā)明的最佳實(shí)施例。本最佳實(shí)施例所用的高分子基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜。其具體制備方法如下1、先將聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜洗凈吹干后，在其上旋涂一層光刻膠(型號(hào))，甩膠機(jī)轉(zhuǎn)速由慢到快，最終轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，保持此轉(zhuǎn)速60秒。隨后在90攝氏度烘箱中前烘40分鐘，然后用光刻機(jī)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，再將溫度調(diào)高至110攝氏度后烘30分鐘，，得到如圖1-1所示的光刻膠微米柱。2、然后對(duì)經(jīng)上處理后的材料表面用離子束刻蝕的辦法，對(duì)光刻膠微米柱進(jìn)行離子束刻蝕，使用Gatan Dual 600離子減薄儀，在4kV加速電壓，0. 2mA束流，2 X KT3I^a氬氣壓強(qiáng)下，對(duì)薄膜減薄(光刻)4小時(shí)，然后取出，得到如圖1-2所示的其頂端帶有光刻膠的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯微米柱陣列。3、將上述處理后的材料用磁控濺射在高分子柱狀陣列表面濺射一層氧化鋅種子層。然后將基片放入20mM硝酸鋅和20mM的六次甲基四胺混合液中，基片鍍有氧化鋅薄膜的面(也就是帶有一級(jí)結(jié)構(gòu)的)朝下放置，加熱至95攝氏度，進(jìn)行水熱法反應(yīng)，保持3 6小時(shí)反應(yīng)結(jié)束，得到如圖1-4所示的一級(jí)結(jié)構(gòu)表面長(zhǎng)有氧化鋅納米線的二級(jí)結(jié)構(gòu)的陣列?；蛘撸?jīng)步驟2處理后的材料用磁控濺射在高分子柱狀陣列表面濺射一層氧化鋅種子層。然后將基片放入25mM硝酸鋅，12. 5mM六次甲基四胺，5mM分子量為800的聚乙烯亞胺和0. 35M氨水組成的混合溶液中，基片鍍有氧化鋅薄膜的面(也就是帶有一級(jí)結(jié)構(gòu)的)朝下放置，加熱到87. 5攝氏度，進(jìn)行水熱法反應(yīng)。每隔2. 5小時(shí)更換反應(yīng)液，10小時(shí)反應(yīng)結(jié)束，取出基片，得到如圖1-4所示的一級(jí)結(jié)構(gòu)表面長(zhǎng)有氧化鋅納米線的二級(jí)結(jié)構(gòu)的陣列。4、對(duì)生長(zhǎng)有表面結(jié)構(gòu)(包含聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯微米柱和氧化鋅納米線陣列)的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜進(jìn)行表面浸蠟處理。將上一步生長(zhǎng)好的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜泡入5mmol/L的硬脂酸酒精溶液中，靜置5_48小時(shí)，取出后。得到具有超疏水性能的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜(如附圖5，附圖6所示)5、對(duì)制備得到的超疏水聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜表面進(jìn)行滾動(dòng)角和接觸角測(cè)試，所得的超疏水表面滾動(dòng)角為4度，接觸角為160度，具有很強(qiáng)的超疏水性能，參見圖7。
權(quán)利要求
1.超疏水表面的制備方法，其特征在于首先在任意高分子基片表面采用刻蝕的方法制備出與基片材料為同一材料的柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，再在柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面沉積氧化鋅種子層，隨后將基片放入可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液中，使一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)出氧化鋅納米線陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu)，再將制備了一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子基片浸入溶有疏水物質(zhì)的溶液，使高分子基片上的一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全附著疏水物質(zhì)物質(zhì)后，將高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于在任意高分子基片材料表面用離子束刻蝕辦法，在基片表面形成基片材料的微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于先在任意高分子基片表面上旋涂的光刻膠，再用聚焦離子束技術(shù)進(jìn)行曝光，然后顯影，得到光刻膠點(diǎn)陣，然后進(jìn)行離子束刻蝕，使基片表面形成其頂端帶有光刻膠的基片材料的高分子微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，然后除去其頂端的光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于先在任意高分子基片表面上旋涂的光刻膠，再用電子束曝光技術(shù)進(jìn)行曝光，然后顯影，得到光刻膠點(diǎn)陣，然后進(jìn)行離子束刻蝕，使基片表面形成其頂端帶有光刻膠的基片材料的高分子微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，然后除去其頂端的光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于先在任意高分子基片的表面利用圖形掩膜和光刻技術(shù)，做出光刻膠點(diǎn)陣，然后，將負(fù)載有光刻膠點(diǎn)陣的高分子基片進(jìn)行離子束刻蝕，使基片表面形成其頂端帶有光刻膠的基片材料的高分子微米柱陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，然后除其頂端的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于所用的高分子基片為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜，旋涂光刻膠前先將基片在90度下烘半小時(shí)，旋涂時(shí)膠機(jī)轉(zhuǎn)速為3000-5000轉(zhuǎn)/分鐘，經(jīng)曝光后在110度再烘半小時(shí)，顯影后，再進(jìn)行離子刻蝕時(shí)電壓為IkV-IOkV，電流為 0. 01-1. 5mA，通入氬氣，真空度為 1 X IO^3-I X IO^2Pa0
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6所述的任一超疏水表面的制備方法，其特征在于用磁控濺射法在高分子柱狀陣列表面濺射一層氧化鋅種子層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于所用的可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液為20mM硝酸鋅和20mM的六次甲基四胺的混合液，生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的溫度為95攝氏度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于所用的可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液為25mM硝酸鋅+12. 5mM六次甲基四胺+5mM分子量為800的聚乙烯亞胺和0. 35M氨水組成的混合溶液，生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的溫度為87. 5攝氏度，并每隔2. 5小時(shí)更換新的反應(yīng)液。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超疏水表面的制備方法，其特征在于浸入的溶有疏水物質(zhì)的溶液為溶有的硬質(zhì)酸的酒精溶液，溶液中硬質(zhì)酸濃度為5mmo 1/L。
11.超疏水表面的制備方法，其特征在于首先采用澆筑成型法制備出表面帶有柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料，再在柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面沉積氧化鋅種子層，隨后將基片放入可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液中，使一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)出氧化鋅納米線陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu)，再將制備了一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子基片浸入溶有疏水物質(zhì)的溶液，使高分子基片上的一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全附著疏水物質(zhì)物質(zhì)后，將高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。
12.超疏水表面的制備方法，其特征在于首先采用熱壓成型法制備出表面帶有柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料，再在柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面沉積氧化鋅種子層，隨后將基片放入可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液中，使一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)出氧化鋅納米線陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu)，再將制備了一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子基片浸入溶有疏水物質(zhì)的溶液，使高分子基片上的一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全附著疏水物質(zhì)物質(zhì)后，將高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。
13.超疏水表面的制備方法，其特征在于首先采用預(yù)聚體澆入模子然后聚合的方法制備出表面帶有柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子材料，再在柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面沉積氧化鋅種子層，隨后將基片放入可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液中，使一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)出氧化鋅納米線陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu)，再將制備了一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子基片浸入溶有疏水物質(zhì)的溶液，使高分子基片上的一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全附著疏水物質(zhì)物質(zhì)后，將高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。
全文摘要
本發(fā)明公開一種在任意高分子材料表面，特別是在高分子薄膜材料表面制備超疏水表面的方法。本發(fā)明的方法是首先在任意高分子基片表面采用刻蝕的方法制備出與基片材料為同一材料的柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)，再在柱狀陣列的一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面沉積氧化鋅種子層，隨后將基片放入可生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的生長(zhǎng)液中，使一級(jí)結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)出氧化鋅納米線陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu)，再將制備了一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的高分子基片浸入溶有疏水物質(zhì)的溶液，使高分子基片上的一級(jí)和二級(jí)結(jié)構(gòu)的表面完全附著疏水物質(zhì)物質(zhì)后，將高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。
文檔編號(hào)C08J7/06GK102553812SQ20121000023
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者吳巍煒, 成立, 秦勇, 袁苗苗, 邱家穩(wěn) 申請(qǐng)人:蘭州大學(xué)