用于有機(jī)發(fā)光裝置的化合物和包含該化合物的有機(jī)發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本公開的實(shí)施方案涉及由通式1表示的化合物，并且涉及包含該化合物的有機(jī)發(fā)光二極管。通式1
【專利說明】用于有機(jī)發(fā)光裝置的化合物和包含該化合物的有機(jī)發(fā)光裝
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年6月12日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0062860號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容并入本文作為參考。 [0003]背景
1.【技術(shù)領(lǐng)域】
[0004]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案涉及用于有機(jī)發(fā)光裝置的化合物和包含該化合物的有機(jī)發(fā)光裝置。
[0005]2.相關(guān)技術(shù)的描述
[0006]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)是具有諸如廣視角、良好對(duì)比度、快速響應(yīng)時(shí)間、高亮度和良好驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)勢(shì)的自發(fā)射裝置。OLED能提供多色圖像。通常，OLED的結(jié)構(gòu)包括襯底，在其上(依次)堆疊陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極。對(duì)此，HTL、EML和ETL是由有機(jī)化合物形成的有機(jī)薄膜。
[0007]具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的工作原理如下。當(dāng)在陽極和陰極之間施加電壓時(shí)，從陽極注入的空穴通過HTL遷移至EML，并且從陰極注入的電子通過ETL遷移至EML。空穴和電子在EML中再結(jié)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)下降至基態(tài)時(shí)發(fā)射光。
[0008]用于決定OLED發(fā)光效率的最重要的因素之一是包含具有空穴注入能力的材料或具有空穴傳輸能力的材料。然而，包含這類在本領(lǐng)域中已知材料的OLED未表現(xiàn)出令人滿意的效率、驅(qū)動(dòng)電壓和壽命。
[0009]概述
[0010]本發(fā)明的實(shí)施方案提供了用于有機(jī)發(fā)光二極管的新穎的化合物，其具有良好的電學(xué)性質(zhì)、高的電荷傳輸能力和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度?；衔锬芊乐菇Y(jié)晶，并且可以用作適用于諸如紅色、綠色、藍(lán)色、白色等的全色熒光和磷光裝置的空穴注入材料或空穴傳輸材料。空穴注入材料或空穴傳輸材料與常規(guī)空穴注入材料或常規(guī)空穴傳輸材料相比具有更高的發(fā)光效率和更長(zhǎng)的使用壽命。
[0011]本發(fā)明的實(shí)施方案還提供了包含上述化合物并具有高效率、低電壓、高亮度和長(zhǎng)使用壽命的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一方面，具有空穴注入能力和/或空穴傳輸能力的化合物由下列通式I表示:
[0013]通式I
[0014]
【權(quán)利要求】
1.具有空穴注入能力和/或空穴傳輸能力的化合物，所述化合物由通式I表示: 通式I
2.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中: R1和R2各自獨(dú)立地為鹵素、氰基、取`代或未取代的C1-C3tl烷基、取代或未取代的C5-C3tl芳基、取代或未取代的C3-C3tl雜芳基或者取代或未取代的C6-C3tl稠合多環(huán)基團(tuán)； R3為氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的C5-C3tl芳基、取代或未取代的C3-C3tl雜芳基或者取代或未取代的C6-C3tl稠合多環(huán)基團(tuán)； A是選自取代或未取代的C6-Cltl亞芳基、取代或未取代的C2-C11雜亞芳基的連接基團(tuán)，或者是其中至少兩個(gè)亞芳基和/或雜亞芳基連接的連接基團(tuán)；以及 Ar1和Ar2各自獨(dú)立地為取代或未取代的C5-C3tl芳基、取代或未取代的C3-C3tl雜芳基或者取代或未取代的C6-C3tl稠合多環(huán)基團(tuán)。
3.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中R1和R2可以各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的C1-C2tl烷基或者下列通式2a至2c之一:
4.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中R3為氫、氘、鹵素或下列通式3a至3d中的至少之
5.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中A為選自通式4a至4c之一的連接基團(tuán)，或者為其中至少兩個(gè)通式4a至4c表示的基團(tuán)連接的連接基團(tuán):
6.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中Ar1和Ar2各自獨(dú)立為通式5a至5e之一:
7.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中R1和R2結(jié)合以形成環(huán)。
8.如權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述通式I的化合物為化合物1、6、13、40、53、77、80和87之一:
9.有機(jī)發(fā)光二極管，其包括: 第一電極； 第二電極；以及在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層， 其中所述有機(jī)層包含權(quán)利要求1所述的化合物。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層為空穴注入層、空穴傳輸層或者具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層為空穴傳輸層或空穴注入層。
12.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)發(fā)光二級(jí)管包括:發(fā)射層；以及空穴注入層、空穴傳輸層和具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層中的至少一種，其中所述空穴注入層、空穴傳輸層和功能層中的至少一種包含權(quán)利要求1所述的化合物，并且所述發(fā)射層包含基于蒽的化合物、基于芳基胺的化合物或者基于苯乙烯基的化合物。
13.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)發(fā)光二級(jí)管包括:發(fā)射層；以及空穴注入層、空穴傳輸層和具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層中的至少一種，其中所述空穴注入層、空穴傳輸層和功能層中的至少一種包含權(quán)利要求1所述的化合物，并且所述發(fā)射層的紅色層、綠色層、藍(lán)色層和白色層中的任一層包含磷光化合物。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述空穴注入層、空穴傳輸層和功能層之一包含電荷產(chǎn)生材料。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述電荷產(chǎn)生材料為P摻雜劑，其選自醌衍生物、金屬氧化物或含氰基的化合物。
16.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層包括含電子傳輸有機(jī)化合物和金屬絡(luò)合物的電子傳輸層。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述金屬絡(luò)合物為L(zhǎng)i絡(luò)合物。
18.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述金屬絡(luò)合物包括喹啉鋰(LiQ)或化合物203: 化合物203
19.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中利用濕法，使用權(quán)利要求1所述的化合物形成所述有機(jī)層。
20.平板顯示裝置，其包括權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極與薄膜晶體管的源電極或漏電極電連接。
【文檔編號(hào)】C07C211/54GK103483208SQ201310053295
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
【發(fā)明者】林珍娛, 黃皙煥, 金榮國(guó), 鄭惠珍, 韓相鉉, 金秀娟, 鄭恩在, 樸俊河, 李銀永, 吳一洙, 李鍾赫 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司