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2,4,6-三(雜芳基苯基)-吡啶和包含其的電子傳輸材料的制作方法

文檔序號:3560694閱讀:281來源:國知局
專利名稱:2,4,6-三(雜芳基苯基)-吡啶和包含其的電子傳輸材料的制作方法
2,4,6-三(雜芳基苯基)-吡啶和包含其的電子傳輸材料背景總體而言,本發(fā)明涉及化合物,具體而言,涉及化合物、使用其例如作為電子傳輸材料的光電器件及其制造方法。預(yù)期利用在經(jīng)受偏壓時發(fā)光的薄膜材料的光電器件例如有機(jī)發(fā)光器件(OLEDs) 將成為平板顯示技術(shù)的日益受歡迎的形式。這是因為OLEDs具有廣泛的潛在應(yīng)用,包括蜂窩電話、個人數(shù)字助理(PDAs)、計算機(jī)顯示器、車載信息顯示器、電視監(jiān)視器以及用于一般照明的光源。由于其顏色明亮、視角寬、與全動視頻相容、溫度范圍廣、形狀因子薄且適合、 動力需求低且具有用于低成本制造工藝的潛能,所以O(shè)LEDs被看作是陰極射線管(CRTs)和液晶顯示器(IXDs)的未來替代技術(shù)。由于其發(fā)光效率高,因此對于某些類型的應(yīng)用來說, OLEDs被看作具有替代白熾燈和或許甚至熒光燈的潛能。OLEDs具有夾層結(jié)構(gòu),其由在兩個相對電極之間的一個或多個有機(jī)層組成。例如, 多層器件通常包括至少三層空穴注入/傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層(ETL)。此外,還優(yōu)選所述空穴注入/傳輸層充當(dāng)電子阻擋層且ETL充當(dāng)空穴阻擋層。單層OLEDs在兩個相對電極之間僅包含單層材料。發(fā)明簡述一方面,本發(fā)明涉及式I化合物
權(quán)利要求
1.式I化合物,
2.權(quán)利要求1的化合物,其具有式
3.權(quán)利要求1的化合物,其中所述雜芳基為吸電子基團(tuán)。
4.權(quán)利要求1的化合物,其中所述雜芳基包含多個芳環(huán)。
5.權(quán)利要求1的化合物,其中所述雜芳基包含多個未稠合的芳環(huán)。
6.權(quán)利要求1的化合物,其中Ar1為吡啶基。
7.權(quán)利要求1的化合物,其中Ar1為
8.權(quán)利要求1化合物,其中Ar2為吡啶基。
9.權(quán)利要求1的化合物,其具有式
10.權(quán)利要求1的化合物,其具有式
11.光電器件,其包含式I化合物,
12.權(quán)利要求11的光電器件,其包含下式的化合物
13.權(quán)利要求11的光電器件,其中所述化合物具有式
14.權(quán)利要求11的光電器件,其中所述化合物具有式
15.權(quán)利要求11的光電器件,其包含一種或多種熒光發(fā)射性材料。
16.權(quán)利要求11的光電器件,其包含一種或多種磷光發(fā)射性材料。
17.權(quán)利要求11的光電器件,其包含藍(lán)色、黃色、橙色、綠色和紅色磷光染料中的一種或多種、任一種或組合。
全文摘要
式I化合物可用于光電器件中,其中R1和R2在每次出現(xiàn)時獨立地為H、C1-C20脂族基團(tuán)、C3-C20芳族基團(tuán)或C3-C20脂環(huán)族基團(tuán);a為0-2的整數(shù);b為1或2;c為0-4的整數(shù);且Ar1和Ar2獨立地為雜芳基。
文檔編號C07D401/14GK102272122SQ200980154323
公開日2011年12月7日 申請日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月8日
發(fā)明者K·S·基查克, 葉青 申請人:通用電氣公司
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