一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚及其生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及陶瓷磚生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是設(shè)及一種一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚及 其生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前市場上大多數(shù)透明玻璃與釉上彩陶瓷復(fù)合板產(chǎn)品大多采用二次燒成生產(chǎn)工 藝：即首先經(jīng)過漉道害進(jìn)行第一次高溫?zé)?，普遍采用的溫度一般?160~1220°C，先制 備好經(jīng)絲網(wǎng)印花或膠漉印花的釉上彩陶瓷素巧，然后再布上二次燒低溫透明烙塊干粒，再 進(jìn)入漉道害中進(jìn)行第二次燒成，普遍燒成溫度為1050~Iiocrc，主要目的是使釉上彩陶瓷 巧體與透明烙塊復(fù)合在一起，半成品再經(jīng)過拋光處理，從而制得透明玻璃與釉上彩陶瓷復(fù) 合板成品。
[0003] 采用高溫素?zé)闹饕康氖桥懦审w中的大多數(shù)有機(jī)物，從而減少二次釉燒對微 晶玻璃層釉面的影響，減少生產(chǎn)控制難度，提高生產(chǎn)穩(wěn)定性。
[0004] 當(dāng)前建筑陶瓷市場競爭日趨激烈，但由于采用二次燒成生產(chǎn)工藝繁瑣，其總周期 均超過四小時W上（即生產(chǎn)周期長），因此造成產(chǎn)品的生產(chǎn)成本較高，占地面積大，一次性 投資大，特別是在高能耗的劣勢顯現(xiàn)的更為突出，據(jù)此，越來越多廠家進(jìn)一步研制出一次高 溫?zé)晒に嚕壳捌毡椴捎玫臏囟纫话銥?160~1220°C、時間為60~180分鐘的條件下， 同時微晶玻璃層也有減薄的趨勢，W使產(chǎn)品在市場上成本更具有競爭力； 陽〇化]但無論是傳統(tǒng)意義上二次燒成和的高溫一次燒成技術(shù)，在近幾年市場終端推廣， 仍存在如下幾個比較突出的問題：
[0006] (1)無論是二次燒成還是一次燒成技術(shù)，微晶玻璃層和陶瓷基板的膨脹系數(shù)相差較 大，復(fù)合后仍然存在后期龜裂和容易導(dǎo)致切割開裂，因此減薄微晶玻璃層是比較有效的方 向；
[0007] 似目前一次燒成傳統(tǒng)工藝中，為了確保生巧強(qiáng)度，巧體配方中粘±含量一般都要 超過20%，而配方中其它絕大部分是天然瓷砂原料，巧體總體燒失量比較大，一般超過4% W上，而且由于巧釉在高溫中一次同步完成，對透明微晶干粒的技術(shù)水平和生產(chǎn)過程管理 要求非常苛刻，總體制成率與二次燒成相比難度大大增加，而且目前絕大多數(shù)最終產(chǎn)品的 耐酸堿指標(biāo)普遍很難達(dá)到。
[0008] (3)二次燒成中，一次素?zé)u型控制存在比較大的困難，因而技術(shù)上很難實(shí)現(xiàn)微晶 玻璃層減??；而一次燒成一旦減薄，相關(guān)縮釉針孔缺陷增多，防污能力大大降低，生產(chǎn)控制 難度太大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的是通過引入一種增強(qiáng)建筑陶瓷大規(guī)格地磚生巧強(qiáng)度和降低總體燒 失量的巧體配方技術(shù)，在確保工業(yè)化生產(chǎn)所需的生巧強(qiáng)度的同時配合一種高亮高白化妝± 配方，大幅減少燒成過程中巧體排氣對微晶玻璃層烙融過程中產(chǎn)生負(fù)面影響，有效解決傳 統(tǒng)一次燒成微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚生產(chǎn)中容易出現(xiàn)的縮釉、針孔、黑屯、、耐酸堿、吸污等最突 出的技術(shù)瓶頸難題的一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚。本發(fā)明的另一目的是提供一種通過降低 燒成溫度一百多度，有效規(guī)避了巧體中大量的拋光磚廢渣可能引起的發(fā)泡現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)建筑 陶瓷廢料的循環(huán)再利用的一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚及其生產(chǎn)方法。
[0010] 本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：所述一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚，其特殊之處在于，該 陶瓷磚巧料按重量份由W下組份組成：
[0011] 粘± 10~巧巧礦化劑0~日份 裡瓷石 0~1日份 拋光渣74~85份解膠劑0~1.2份增強(qiáng)劑 0~化5份。
[0012] 作為優(yōu)選：所述陶瓷磚巧料配方按重量份進(jìn)一步由W下組份組成：
[0013] 粘± 10份模質(zhì)止 3份測巧石 2份 鏈瓷石 10份拋光渣 75份六偏憐酸銷 0.2份 水玻璃0。6化H聚憐酸鋼0,2份增強(qiáng)劑 0~化5份；
[0014] 采用低燒失量的巧料配方，總體燒失量控制為小于3%。
[0015] 作為優(yōu)選：所述礦化劑選用W下的一種或其組合：
[0016] 儀質(zhì)±、燒滑石、棚巧石、蛋石。
[0017] 作為優(yōu)選：所述增強(qiáng)劑選用W下的一種或其組合：
[0018] 簇甲基淀粉鋼、復(fù)合陰離子酸化酸巧鋼。
[0019] 本發(fā)明的另一技術(shù)解決方案是所述一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚的生產(chǎn)方法，其特 征在于，包括W下生產(chǎn)工序：
[0020] (1)巧料經(jīng)濕法球磨、噴霧干燥工序后干壓成型制得陶瓷生巧；
[0021] 似陶瓷生巧干燥后施底釉，經(jīng)印制印花裝飾成為釉上彩巧，然后應(yīng)用干式皮帶布 料機(jī)，在釉上彩巧上布施透明微晶玻璃烙塊干粒，形成干粒層；
[0022] 樹干粒層表面噴施甲基纖維素固定后入漉道害燒成，燒成溫度為1000 °c~ 1048°C，時間為65~150分鐘，制成半成品；
[0023] (4)出害的半成品經(jīng)刮平定厚、粗拋、精拋、磨邊、倒角、風(fēng)干、檢選、分色、分級后制 成為成品，成品吸水率小于3,微晶玻璃層厚度為0. 3~1. 0mm。
[0024] 作為優(yōu)選：所述工序似進(jìn)一步包括： 陽02引 （2. 1)生巧干燥后施底釉，在巧溫65~70°C、W300X300托盤測量單位的條件下 噴水10克、且實(shí)施所述底釉的數(shù)量為300X300托盤測量單位60 +1克，制備成釉巧待用； [00%] (2.2)施底釉后釉巧再經(jīng)過數(shù)字噴墨、膠漉、平板印刷中的一種或者多種印花裝飾 制成釉上彩巧，然后應(yīng)用干式皮帶布料機(jī)，在釉上彩巧上W1. 5~3. 5Kg/m2的布料量布施 粒徑為80~200目的透明微晶玻璃烙塊干粒，形成干粒層，干粒層表面噴適量施甲基纖維 素固定最后進(jìn)入漉道害燒成。其它指標(biāo)符合JCT994-2006微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚標(biāo)準(zhǔn)。 [0027] 作為優(yōu)選：所述工序（2. 1)中的底釉由W下重量份的組分組成： W28]HG-I烙塊81~90份，高嶺±8~12份，石英2~7份；
[0029] 所述底釉的化學(xué)成份按重量百分比由W下組分組成：
[0030] Si化扣~65% A1::0,'I~10%CaO6 ~9% M拂 2 ~5% Na,0 0 ~1%K：.〇 日~6% B:化 2 ~3% ZnO5~10%ZrO, 4 ~5% BaO+Ti0,沖。0, + 化0 0 ~2%。
[0031] 作為優(yōu)選：所述HG-I烙塊的化學(xué)成份按重量百分比由W下組分組成：
[0032] Si化 55.2 份 Al:化 6.93 份 K:0 L36 份 NaO 32 份CaO12.36 份MgO0.36 份 ZnO4. 08 份BaO3. 08 份Ti化 5. 53 份Fe),化 0.20份 ZrO, 1.05汾 阿)0 0.：!"%、 B：.〇 7. 39 份。
[0033] 作為優(yōu)選：所述工序（2. 2)中微晶玻璃烙塊由W下重量份的組分組成：
[0034] Si化 巧~72% Al觀 4~10% CaOI~7% MgO 0 ~5% Na.O+K^O 3 ~10% Li'_，0 0 ~3% BaO3~10%BA 0~5% ZnO 1 ~5%。
[0035] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：
[0036] (1)本發(fā)明巧體采用低溫?zé)晒に?，有效?guī)避了巧體中大量的拋光磚廢渣可能引起 的發(fā)泡現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)了陶瓷廢料的循環(huán)再利用；同時配方中大幅降低了粘±含量，引入多種巧 體增強(qiáng)技術(shù)，不但確保了工業(yè)化生產(chǎn)所需要的生巧強(qiáng)度，而且大幅減少了燒成過程中巧體 排氣對微晶玻璃層烙融過程中導(dǎo)致的負(fù)面影響，引入高亮高白化妝±配方，W上幾點(diǎn)綜合 工藝措施均能夠更有效解決經(jīng)過傳統(tǒng)一次燒成縮釉、針孔、黑屯、、耐酸堿、吸污等最突出的 生產(chǎn)技術(shù)瓶頸難題，降低生產(chǎn)難度，大幅拓寬了色料的色域范圍，提升產(chǎn)品熱穩(wěn)定性能和耐 酸堿性能，減少后期龜裂和冷加工開裂，確保優(yōu)異的產(chǎn)品性能。
[0037]似本發(fā)明采用釉燒溫度為1000~1048。比傳統(tǒng)一次高溫?zé)晒に嚰夹g(shù)相比，燒 成溫度降低一百多度，至少節(jié)約15~20%左右的能耗成本，符合國家節(jié)能減排政策；與傳 統(tǒng)二次燒成工藝相比，減少一條素?zé)t，工序簡單而生產(chǎn)效率更高；
[0038]樹整體工藝中烙塊膨脹系數(shù)和巧料膨脹系數(shù)差異很小，微晶玻璃厚度能夠?qū)崿F(xiàn)有 效減薄，解決整體磚型問題，極大地提升產(chǎn)品熱穩(wěn)定性能和保證了產(chǎn)品耐酸堿性能，減少后 期龜裂和冷加工開裂存在的可能性，改善了微晶玻璃復(fù)合板產(chǎn)品的產(chǎn)品品質(zhì)；
[0039] (4)無論采用傳統(tǒng)二次燒還是高溫一次燒成，其裝飾過程都需要在高溫1200°C左右 完成，而本發(fā)明采用技術(shù)其燒成溫度范圍內(nèi)，可W大幅度拓寬色料的色域范圍，從而可W獲 得更加豐富多彩的微晶產(chǎn)品。
[0040] 腳本工藝原料來源容易，產(chǎn)品實(shí)施簡單，便于工業(yè)化推廣。
【附圖說明】
[0041] 圖I是本發(fā)明一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚生產(chǎn)方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】 陽0創(chuàng)【實(shí)施例1】
[0043] 該一次燒微晶玻璃陶瓷復(fù)合磚的生產(chǎn)方法，其步驟如下：
[0044] (1)配制陶瓷磚巧料，所述陶瓷磚巧料配方按由W下重量份的組分組成：
[0045] 粘± 巧份鎊質(zhì)± 3份測巧石 2份 拋光渣 80份六偏憐酸錯0.2份水玻璃0.6份 H聚憐酸錯