一種保偏光纖的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光纖制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種保偏光纖的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]偏振保持光纖(Polarizat1nMaintaining Optical Fiber)簡稱保偏光纖(PMF)，由于將雙折射引入到光纖中，使簡并的HExll與HEyll兩正交模式的傳播常數(shù)差別增大，兩模式耦合幾率減小，從而線偏振光能保持其偏振態(tài)在光纖中進(jìn)行傳輸。保偏光纖對于線偏振光具有很強(qiáng)的偏振保持能力，主要用于偏振光干涉型角度轉(zhuǎn)動測量中，其典型應(yīng)用是用于制造光纖陀螺、光纖水聽器及相干光通信系統(tǒng)中。
[0003]目前的保偏光纖制備方法主要缺點(diǎn)是:制作工序復(fù)雜，而且會在預(yù)制棒中引入一些不可避免的雜質(zhì)，導(dǎo)致拉絲后光纖的強(qiáng)度很難提高；同時(shí)，對加工工藝和設(shè)備的要求很高，容易損壞光纖預(yù)制棒芯棒，加大生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠簡化保偏光纖的加工工藝，提升光纖質(zhì)量的方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種保偏光纖的制造方法，包括以下步驟:
[0006]在第一層套管壁上，關(guān)于第一層套管的內(nèi)腔中心線對稱切割缺口 ；
[0007]在所述切口處填充應(yīng)力棒，并在所述第一層套管內(nèi)嵌入光纖預(yù)制棒芯棒；
[0008]在所述第一層套管外嵌套第二層套管，構(gòu)成保偏光纖預(yù)制棒；
[0009]將所述保偏光纖預(yù)制棒拉絲成保偏光纖；
[0010]其中，在高溫拉絲過程中，應(yīng)力棒軟化后將填充所述缺口中的空隙，形成保偏光纖的應(yīng)力區(qū)。
[0011]進(jìn)一步地，所述第一層套管切割后，在所述缺口中可填充多根應(yīng)力棒。
[0012]進(jìn)一步地，所述應(yīng)力棒摻雜三氧化二硼。
[0013]進(jìn)一步地，所述三氧化二硼的摩爾濃度為15%?25%。
[0014]進(jìn)一步地，所述應(yīng)力棒的摻雜物還包括:五氧化二磷、二氧化鍺以及氟中的任一種、兩種或者三種種。
[0015]進(jìn)一步地，所述光纖預(yù)制棒芯棒外徑與所述第一層套管的內(nèi)徑尺寸偏差小于
0.5mmο
[0016]本發(fā)明提供的保偏光纖的制造方法提出一種雙套管配合應(yīng)力棒的保偏光纖制造方法，結(jié)構(gòu)簡單，大大簡化了加工工藝降低了對人工以及設(shè)備的要求；更為重要的是通過本方法，能夠極大的改善雜質(zhì)，對產(chǎn)品質(zhì)量的影響；同時(shí)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中各種高精度操作要求。
【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一層套管結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一層套管切割部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一層套管切割后結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)力棒結(jié)構(gòu)不意圖；
[0021]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的光纖預(yù)制棒芯棒的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二層套管結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的保偏光纖預(yù)制棒的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的保偏光纖的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]參見圖1?8，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種保偏光纖的制造方法，包括以下步驟:
[0026]在第一層套管壁I上，關(guān)于第一層套管的內(nèi)腔中心線對稱切割缺口 2，形成不完整的管型結(jié)構(gòu)3 ；
[0027]在切口 2處填充應(yīng)力棒4，并在第一層套管內(nèi)嵌入光纖預(yù)制棒芯棒5 ；
[0028]在第一層套管外嵌套第二層套管7，構(gòu)成保偏光纖預(yù)制棒，加熱制備預(yù)制棒，包層套管的內(nèi)徑和纖芯玻璃棒的直徑匹配誤差在0.5mm以內(nèi)；
[0029]將保偏光纖預(yù)制棒拉絲成保偏光纖；
[0030]其中，在高溫拉絲過程中，圓形的應(yīng)力棒軟化后將極大地填充切口中的空隙，形成保偏光纖所需的應(yīng)力區(qū)。
[0031]第一層套管切割后，在切口中可填充多根應(yīng)力棒；其直徑可以相同，相近或者不同。
[0032]應(yīng)力棒4是摻雜三氧化二硼(B2O3)的二氧化硅(S12)玻璃。三氧化二硼的摩爾濃度為15%?25%。
[0033]應(yīng)力棒可以添加其它摻雜物，如五氧化二磷(P2O5)，二氧化鍺(GeO2)和氟(F)等。
[0034]光纖預(yù)制棒芯棒6內(nèi)徑與第一層套管的外徑尺寸偏差小于0.5mm。
[0035]采用MCVD (改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法)工藝制備光纖預(yù)制棒芯棒，即在石英基管上，內(nèi)通CljP SF6，在1500-1800°c下刻蝕掉石英基管內(nèi)壁的雜質(zhì)及缺陷，然后依次沉積光纖預(yù)制棒的包層，芯層。再進(jìn)行正向塌縮，反向塌縮，拋光等工序制得光纖預(yù)制棒芯棒。其中所述的光纖預(yù)制棒芯棒與第一層套管I之間緊密貼合，配合體之間的尺寸偏差小于0.5_。
[0036]本發(fā)明提供的保偏光纖的制造方法提出一種雙套管配合應(yīng)力棒的保偏光纖制造方法，結(jié)構(gòu)簡單，大大簡化了加工工藝降低了對人工以及設(shè)備的要求；更為重要的是通過本方法，能夠極大的改善雜質(zhì)，對產(chǎn)品質(zhì)量的影響；同時(shí)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中各種高精度操作要求。
[0037]最后所應(yīng)說明的是，以上【具體實(shí)施方式】僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照實(shí)例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種保偏光纖的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在第一層套管壁上，關(guān)于第一層套管的內(nèi)腔中心線對稱切割缺口 ； 在所述切口處填充應(yīng)力棒，并在所述第一層套管內(nèi)嵌入光纖預(yù)制棒芯棒； 在所述第一層套管外嵌套第二層套管，構(gòu)成保偏光纖預(yù)制棒； 將所述保偏光纖預(yù)制棒拉絲成保偏光纖； 其中，在高溫拉絲過程中，應(yīng)力棒軟化后將填充所述缺口中的空隙，形成保偏光纖的應(yīng)力區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的保偏光纖的制造方法，其特征在于，所述第一層套管切割后，在所述缺口中可填充多根應(yīng)力棒。
3.如權(quán)利要求1所述的保偏光纖的制造方法，其特征在于:所述應(yīng)力棒摻雜三氧化二硼。
4.如權(quán)利要求3所述的保偏光纖的制造方法，其特征在于:所述三氧化二硼的摩爾濃度為15%?25%。
5.如權(quán)利要求3所述的保偏光纖的制造方法，其特征在于:所述應(yīng)力棒的摻雜物還包括:五氧化二磷、二氧化鍺以及氟中的任一種、兩種或者三種。
6.如權(quán)利要求1所述的保偏光纖的制造方法，其特征在于:所述光纖預(yù)制棒芯棒外徑與所述第一層套管的內(nèi)徑尺寸偏差小于0.5mm。
【專利摘要】本發(fā)明屬于光纖制造技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種保偏光纖的制造方法，包括以下步驟：在第一層套管壁上，關(guān)于第一層套管的內(nèi)腔中心線對稱切割缺口；在所述切口處填充應(yīng)力棒，并在所述第一層套管內(nèi)嵌入光纖預(yù)制棒芯棒；在所述第一層套管外嵌套第二層套管，構(gòu)成保偏光纖預(yù)制棒；將所述保偏光纖預(yù)制棒拉絲成保偏光纖；其中，所述缺口的結(jié)構(gòu)由應(yīng)力棒進(jìn)行填充，在高溫拉絲過程中，圓形的應(yīng)力棒軟化后將極大地填充切口中的空隙，形成保偏光纖所需的應(yīng)力區(qū)。本發(fā)明提出雙套管配合應(yīng)力棒的保偏光纖制造方法，結(jié)構(gòu)簡單，大大簡化了加工工藝降低了對人工以及設(shè)備的要求；能夠極大的改善雜質(zhì)，對產(chǎn)品質(zhì)量的影響；同時(shí)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中各種高精度操作要求。
【IPC分類】C03B37-012, C03B37-025
【公開號】CN104591534
【申請?zhí)枴緾N201510017430
【發(fā)明人】胡曉濤, 劉銳, 其他發(fā)明人請求不公開姓名
【申請人】武漢睿芯特種光纖有限責(zé)任公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月14日