本實用新型涉及碳化硅生產設備技術領域，具體涉及一種帶有熱反射屏的坩堝。

背景技術：

現(xiàn)有的液相法生長碳化硅晶體技術，都是通過加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進行生長；

為了使上述反應有一個穩(wěn)定的溫度條件，可以在坩堝內設置熱反射屏，這樣可以將向外輻射的熱量反射回熔融體系中，降低反應的能耗，但是現(xiàn)有技術中的熱反射屏需要在坩堝內設置對應的支架才能實現(xiàn)，但是該支架必須在制備時與坩堝置為一體，這樣就無法實現(xiàn)位置的可調，這就導致了在不同的晶體生長調節(jié)下，熱反射屏的位置是固定的，不利于熱量的反射，無法起到更好的節(jié)能和穩(wěn)定反應溫度的作用，因此如何解決這一問題成為現(xiàn)有技術中的難題。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型針對現(xiàn)有技術的不足，提供了一種帶有熱反射屏的坩堝，該坩堝包括坩堝體和坩堝蓋，所述坩堝體內壁圓周方向上均勻設置有4個插孔，垂直方向上設置有3組，且每組間距相同；通過插孔連接有支撐架，所述支撐架包括基座和與基座連接的伸縮桿，所述伸縮桿前端通過石墨托連接有支撐盤，所述支撐盤上設置有熱反射屏，所述熱反射屏中心設置通孔；采用這種結構的坩堝，使用時可以根據(jù)不同晶體生長的需要確定熱反射屏在坩堝體內的高度，然后將支撐架插入對應水平位置的插孔內，調節(jié)伸縮桿位置使反射屏更加穩(wěn)定，之后將熱反射屏放置在上述四個支撐架上即可，改變了現(xiàn)有技術中熱反射屏位置不可調，無法適應生產需求的弊端，實現(xiàn)了坩堝用途的多樣化。

本實用新型的具體技術方案是：

一種帶有熱反射屏的坩堝，該坩堝包括坩堝體和坩堝蓋，所述坩堝體內壁圓周方向上均勻設置有4個插孔，垂直方向上設置有3組，且每組間距相同；通過插孔連接有支撐架，所述支撐架包括基座和與基座連接的伸縮桿，所述伸縮桿前端通過石墨托連接有支撐盤，所述支撐盤上設置有熱反射屏，所述熱反射屏中心設置通孔；

所述的基座與插孔的孔徑配合，方便基座可以穩(wěn)固的插入插孔中，確保使用過程中不發(fā)生位移；由于采用了伸縮桿的設計，使得支撐盤的位置可以隨之調節(jié)，這樣當熱反射屏放置在支撐盤上時，可以調節(jié)其接觸位置使熱反射屏更加穩(wěn)定；所述的支撐架由石墨材質制備而成；

為了避免對坩堝的過度侵蝕，所述的最底層插孔高于坩堝內的最高承載液面位置；這樣即使達到坩堝的最大承載液位，熔融液體也不會進入插孔內腐蝕插孔，從而減少其使用壽命，進而減少坩堝的使用壽命；

采用這種結構的坩堝，使用時可以根據(jù)不同晶體生長的需要確定熱反射屏在坩堝體內的高度，然后將支撐架插入對應水平位置的插孔內，這樣共4個支撐架彼此之間呈90度分布，之后調節(jié)伸縮桿位置使反射屏放置到上面后會更加穩(wěn)定，之后將熱反射屏放置在上述四個支撐架上即可，然后將上蓋扣好后即可開始晶體的生長；采用這種模式，可以方便的實現(xiàn)熱反射屏在坩堝內位置的垂直調整，較之現(xiàn)有固定式的熱反射屏效果更好，可以適應不同晶體生長的需要。

所述熱反射屏中心設置有通孔，其直徑大于籽晶軸直徑，這樣可以方便籽晶軸的進出；

綜上所述，采用這種結構的坩堝，使用時可以根據(jù)不同晶體生長的需要確定熱反射屏在坩堝體內的高度，然后將支撐架插入對應水平位置的插孔內，調節(jié)伸縮桿位置使反射屏更加穩(wěn)定，之后將熱反射屏放置在上述四個支撐架上即可，改變了現(xiàn)有技術中熱反射屏位置不可調，無法適應生產需求的弊端，實現(xiàn)了坩堝用途的多樣化。

附圖說明

圖1為本實用新型所述坩堝使用時的結構剖視圖；

圖2為本實用新型所述坩堝的結構剖視圖；

圖3為圖2中A-A剖視圖；

圖4為本實用新型所述支撐架的結構示意圖；

圖5為本實用新型所述熱反射屏的俯視圖；

圖中1為坩堝體，2為插孔，3為基座，4為支撐盤，5為石墨托，6為伸縮桿，7為坩堝蓋，8為支撐架，9為熱反射屏，10為通孔。

具體實施方式

一種帶有熱反射屏的坩堝，該坩堝包括坩堝體1和坩堝蓋7，所述坩堝體1內壁圓周方向上均勻設置有4個插孔2，垂直方向上設置有3組，且每組間距相同；通過插孔2連接有支撐架8，所述支撐架8包括基座3和與基座3連接的伸縮桿6，所述伸縮桿6前端通過石墨托5連接有支撐盤4，所述支撐盤4上設置有熱反射屏9，所述熱反射屏9中心設置通孔10；

為了避免對坩堝的過度侵蝕，所述的最底層插孔高于坩堝內的最高承載液面位置；

所述支撐架8采用石墨材料制成。