本實(shí)用新型涉及一種絕緣組件，尤其涉及一種多晶硅還原爐的絕緣組件。

背景技術(shù)：

多晶硅生產(chǎn)過程中，還原爐內(nèi)電極穿過還原爐底盤，將硅芯通過石墨套件及絕緣套件固定在電極上，通過電極為硅芯接通電流，加熱硅芯，從而達(dá)到發(fā)生還原化學(xué)氣相沉積所需溫度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撐硅棒和與硅芯接觸導(dǎo)通電流的作用，絕緣陶瓷環(huán)主要起到隔絕電極與還原爐底盤，絕緣保護(hù)、避免放電現(xiàn)象發(fā)生的作用。

一般絕緣套件為陶瓷套件，呈圓環(huán)形，嵌套在電極上，起到絕緣隔離電極與還原爐底盤的作用。但是對于異形的電極及石墨結(jié)構(gòu)，這種絕緣套件就難以穩(wěn)定支撐。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是：提供一種可以穩(wěn)定支撐的多晶硅還原爐絕緣組件。

一種多晶硅還原爐的絕緣組件，包括石墨支撐底座，石墨支撐底座包括第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂。多晶硅還原爐的絕緣組件還包括絕緣支撐臺，該絕緣支撐臺包括用于支撐第一導(dǎo)電臂的第一支撐臂和用于支撐第二導(dǎo)電臂的第二支撐臂。

進(jìn)一步地，第一導(dǎo)電臂包括用于安裝硅芯的第一安裝部，第二導(dǎo)電臂包括用于安裝硅芯的第二安裝部，第一支撐臂包括用于支撐第一安裝部的第一支撐部，第二支撐臂包括用于支撐第二安裝部的第二支撐部。

進(jìn)一步地，石墨支撐底座還包括第三導(dǎo)電臂，第三導(dǎo)電臂上設(shè)置有安裝硅芯的第三安裝部，絕緣平臺還包括用于支撐第三導(dǎo)電臂的第三支撐臂，第三支撐臂包括用于支撐第三安裝部的第三支撐部。

進(jìn)一步地，第一支撐臂、第二支撐臂和第三支撐臂均勻分布，相鄰導(dǎo)電臂的夾角為120度。

進(jìn)一步地，石墨支撐底座還包括第四導(dǎo)電臂，第四導(dǎo)電臂上設(shè)置有安裝硅芯的第四安裝部，四個導(dǎo)電臂十字形分布，兩兩對稱；絕緣支撐臺還包括用于支撐第四導(dǎo)電臂的第四支撐臂，第四支撐臂上設(shè)置有支撐第四安裝部的第四支撐部。

進(jìn)一步地，第一導(dǎo)電臂上還設(shè)置有第一附加安裝部，第二導(dǎo)電臂上設(shè)置有第二附加安裝部；第一支撐臂上設(shè)置有用于支撐第一附件安裝部的第一附加支撐部，第二支撐臂上設(shè)置有用于支撐第二附加安裝部的第二附加支撐部。

進(jìn)一步地，第一導(dǎo)電臂比第二導(dǎo)電臂高，第一支撐臂末端設(shè)置有對應(yīng)支持第一導(dǎo)電臂的凸臺。

進(jìn)一步地，第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂可轉(zhuǎn)動連接，第一支撐臂和第二支撐臂可轉(zhuǎn)動連接。

進(jìn)一步地，第一支撐臂和第二支撐臂的底部邊緣具有切削部。

進(jìn)一步地，還包括設(shè)置支撐絕緣平臺的絕緣套。

本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的絕緣組件，對于多導(dǎo)電臂的石墨支撐底座對應(yīng)設(shè)計(jì)，可以穩(wěn)定支撐石墨支撐底座，保證多晶硅還原爐內(nèi)可以高密度生長大量硅棒。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施方式一多晶硅還原爐的絕緣組件的示意圖。

圖2為圖1所示的多晶硅還原爐的絕緣組件的絕緣支撐臺的剖視圖。

圖3為圖2所示的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施方式二的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施方式三的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施方式四的絕緣支撐臺的剖視圖。

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施方式五的多晶硅還原爐的絕緣組件的剖視圖。

圖8本實(shí)用新型實(shí)施方式六的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖9本實(shí)用新型實(shí)施方式七的絕緣支撐臺的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合圖示對本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的絕緣組件進(jìn)行詳細(xì)說明。

請參見圖1到圖3，本實(shí)用新型實(shí)施方式一的多晶硅還原爐的絕緣組件包括石墨支撐底座21、設(shè)置在石墨支撐底座21上的石墨卡瓣23、設(shè)置在石墨卡瓣23外部的石墨卡套25、絕緣套31和絕緣支撐臺33。其中，石墨卡瓣23用于夾持硅芯，石墨卡套25在石墨卡瓣23夾持硅芯后套在石墨卡瓣23外部，保持石墨卡瓣23能夠穩(wěn)定夾持硅芯。

在實(shí)施方式一中，石墨支撐底座21與電極12配合固定。石墨支撐底座21包括第一導(dǎo)電臂213和第二導(dǎo)電臂215，第一導(dǎo)電臂213和第二導(dǎo)電臂215對稱。第一導(dǎo)電臂213相對于卡槽211的遠(yuǎn)端端部設(shè)置有第一安裝部2131，同樣地，第二導(dǎo)電臂215相對于卡槽211的遠(yuǎn)端端部設(shè)置有第二安裝部2151。第一安裝部2131和第二安裝部2151上可以分別設(shè)置一個石墨卡瓣23和石墨卡套25，用于分別安裝一個硅芯，可以提高還原爐使用時多晶硅硅棒的密度。

對應(yīng)地，本案實(shí)施方式一的絕緣套31環(huán)繞電極設(shè)置，絕緣支撐臺33與石墨支撐底座21形狀相應(yīng)，包括用于支撐第一導(dǎo)電臂213的第一支撐臂331和用于支撐第二導(dǎo)電臂215的第二支撐臂333。第一支撐臂331上對應(yīng)于第一安裝部2131設(shè)置有第一支撐部3311。第二支撐臂333對應(yīng)于第二安裝部2151設(shè)置有第二支撐部3331。絕緣支撐臺33設(shè)置在絕緣套31和石墨支撐底座21之間，這樣既能夠保持絕緣，又可以對石墨支撐底座21起到支撐作用，即使在硅棒生長的后期，第一支撐部和第二支撐部3331分別對應(yīng)于第一安裝部和第二安裝部，可以有效支撐硅棒的重量，也能夠保持石墨支撐底座21的穩(wěn)定。

當(dāng)然，絕緣套31可以省略。

請參見圖4，本實(shí)用新型實(shí)施方式二與實(shí)施方式一相似，但實(shí)施方式二的絕緣支撐臺33除了包括第一支撐臂331和第二支撐臂333之外，還包括第三支撐臂335。第一支撐臂331、第二支撐臂333和第三支撐臂335結(jié)構(gòu)相同，三者均勻分布，相鄰兩者的夾角為120度。每個支撐臂的末端設(shè)置有一個支撐部，對應(yīng)支撐硅芯。實(shí)施方式二的結(jié)構(gòu)是對應(yīng)于具有三條導(dǎo)電臂的石墨支撐底座。

請參見圖5，本實(shí)用新型實(shí)施方式三與實(shí)施方式二類似，但實(shí)施方式三的絕緣支撐臺33除了包括第一支撐臂331、第二支撐臂333、第三支撐臂335之外，還包括第四支撐臂337。四個支撐臂成十字分布，兩兩對稱。實(shí)施方式三是對應(yīng)相似結(jié)構(gòu)的石墨支撐底座，即具有四個導(dǎo)電臂，且四個導(dǎo)電臂兩兩對稱呈十字形分布的石墨支撐底座。每一個支撐臂對應(yīng)支撐一個導(dǎo)電臂，使石墨支撐底座可以穩(wěn)定使用。每個支撐臂的末端設(shè)置有一個支撐部，對應(yīng)支撐安裝在導(dǎo)電臂上的硅芯。

可以理解，上述實(shí)施方式的支撐臂數(shù)量對應(yīng)導(dǎo)電臂數(shù)量設(shè)置，還可以增加。

請參見圖6，本實(shí)用新型實(shí)施方式四與實(shí)施方式一類似，對應(yīng)的石墨支撐底座具有第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂，第一導(dǎo)電臂除了末端的第一安裝部之外，還在中部設(shè)置有第一附加安裝部，使得在第一導(dǎo)電臂上可以同時安裝兩個硅芯。第二導(dǎo)電臂的末端有第二安裝部，中部設(shè)置有第二附加安裝部。絕緣支撐臺也有對應(yīng)的結(jié)構(gòu)，除了第一支撐部3311之外，第一支撐臂331額外對應(yīng)第一附加安裝部設(shè)置有第一附加支撐部3313。除了第一支撐部3311之外，第一支撐臂331額外對應(yīng)第一附加安裝部設(shè)置有第一附加支撐部3313。除了第二支撐部3331之外，第二支撐臂333額外對應(yīng)第二附加安裝部設(shè)置有第二附加支撐部3333。

請參見圖7，圖7為本實(shí)用新型的實(shí)施方式五與實(shí)施方式一類似。如果石墨支撐底座的第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂的高度不同，第一導(dǎo)電臂高于第二導(dǎo)電臂，那么對應(yīng)地，第一支撐臂331也會有相應(yīng)結(jié)構(gòu)匹配，第一支撐臂331末端有凸臺3315，對應(yīng)支撐第一導(dǎo)電臂。

請參見圖8，本實(shí)用新型的實(shí)施方式六與實(shí)施方式一類似，不同在于，第一支撐臂331和第二支撐臂333中間可轉(zhuǎn)動連接，可以與第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂活動連接的石墨支撐底座配合使用，對應(yīng)支撐。

請參見圖9，本實(shí)用新型實(shí)施方式七的多晶硅還原爐的絕緣組件的絕緣支撐臺33與實(shí)施方式一相似，不同在于，第一支撐臂331和第二支撐臂333的底部邊緣具有切削部，可以減少物料的使用，節(jié)約成本。

本實(shí)用新型的多晶硅還原爐的絕緣組件，對于多導(dǎo)電臂的石墨支撐底座對應(yīng)設(shè)計(jì)，可以穩(wěn)定支撐石墨支撐底座，保證多晶硅還原爐內(nèi)可以高密度生長大量硅棒。

綜上所述，以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，不應(yīng)以此限制本實(shí)用新型的范圍。即凡是依本實(shí)用新型權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。