具有低薄膜電阻、光滑表面和/或低熱發(fā)射率的涂覆的玻璃交叉參考的相關申請本申請要求2012年1月10日提交的美國臨時專利申請系列號No.61/584837的權益，其名稱為COATEDGLASSESHAVINGALOWSHEETRESISTIVITY，ASMOOTHSURFACE，AND/ORALOWTHERMALEMISSIVITY。申請系列號No.61584837以它全部在此引入作為參考。發(fā)明背景1.發(fā)明領域本發(fā)明涉及涂覆的玻璃，其具有低薄膜電阻，光滑表面和/或低的熱發(fā)射率，和更具體的，涉及熱解氟摻雜的氧化錫涂層，其具有低的薄膜電阻例如低于14歐姆/平方米，光滑外涂層表面，例如外涂層表面粗糙度小于15納米(“nm”)均方根，和/或低的熱發(fā)射率。2.工藝討論作為涂層領域技術人員所理解的，將玻璃板進行涂覆等來提供涂覆的玻璃，其具有與未涂覆的玻璃的光學、物理和電學性能不同的光學、物理和電學性能。作為說明和不限制所述討論，沉積在玻璃上的氟摻雜的氧化錫的熱解化學氣相沉積(“CVD”)涂層提供了具有可見光和紅外光透射率，霧度百分率，發(fā)射率，表面粗糙度和薄膜電阻的涂覆的玻璃，例如具有與未涂覆的玻璃板的薄膜電阻不同的薄膜電阻。不幸的，改變一組性能會導致另一組性能處于期望的范圍之外。例如和不限制討論，通過增加涂層厚度來降低氟摻雜的氧化錫涂層的薄膜電阻增加了表面粗糙度，例如如美國專利No.3677814(“USPN‘814”)第3欄第59-68行所公開的那樣。與通過增加涂層厚度來增加表面粗糙度相關的局限可以通過增加有機錫組合物的氟化物含量來減小，如美國專利No.3107177(“USPN‘177”)第4欄第30-34行所公開的。這種技術的缺點是高于某個水平時大量加入氟例如氟化銨不是有效的，如USPN‘814的第3欄第41-53行所述，其增加了涂層的電導率，這降低了薄膜電阻?，F(xiàn)在可以理解，有利的是提供技術來改變CVD氟摻雜的氧化錫涂層的性能，來降低薄膜電阻和名義上增加涂層厚度；降低涂層的表面粗糙度和/或降低涂層的熱發(fā)射率等。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明涉及一種涂覆的玻璃板，其包括玻璃基底和在該玻璃基底表面上的導電膜等，該導電膜包括薄膜電阻是9.5-14.0歐姆/平方；發(fā)射率0.14-0.17和在400-1100納米波長范圍的吸收系數(shù)大于1.5x103cm-1，和表面高度均方根小于15納米等，其中該性能是在3.2毫米的基底厚度測定的。本發(fā)明進一步涉及一種涂覆的玻璃板，其包括玻璃基底和在該玻璃基底表面上的導電膜等，該導電膜包括在該玻璃基底表面上包含摻雜的氧化錫熱解沉積的膜等，其中該摻雜的氧化錫膜的摻雜劑是氟，和共摻雜劑或者合金化成分選自磷、硼和磷和硼的混合物。本發(fā)明仍然進一步涉及一種制品，其包括玻璃基底和在該玻璃基底表面上的導電膜等，該導電膜選自實施方案A、實施方案B和實施方案C，其中實施方案A的導電膜的薄膜電阻范圍在9.5-14.0歐姆/平方；發(fā)射率0.14-0.17和在400-1100納米波長范圍中的吸收系數(shù)大于1.5x103cm-1，和表面高度均方根小于15納米等，其中該性能是在3.2毫米的基底厚度測定的；實施方案B的導電膜包含在玻璃板表面上的磷-氟摻雜的氧化錫熱解沉積的膜等，其中該沉積的膜的涂覆蒸氣包含錫前體、磷前體和氟前體，和磷前體與錫前體之比是大于0-0.4，和實施方案C的導電膜包含在該玻璃板表面上的硼-氟摻雜的氧化錫熱解沉積的膜等，其中該沉積的膜的涂覆蒸氣包含錫前體、硼前體和氟前體，和硼前體與錫前體之比是0-0.4。附圖說明圖1是可以用于本發(fā)明實踐中的浮法玻璃形成室的出口端的橫截面圖。圖2-4是具有本發(fā)明特征的涂覆的玻璃帶的片的非限定性實施方案的側面圖。圖5是現(xiàn)有技術的氟摻雜的氧化錫膜的晶體取向的照片拷貝。圖6是本發(fā)明的氟摻雜的氧化錫膜的晶體取向的照片拷貝。圖7是本發(fā)明的涂覆的玻璃板的等大圖。圖8是具有本發(fā)明特征的多片絕緣單元的邊緣組件的截面圖。圖9是具有本發(fā)明特征的多片單元的橫截面圖。圖10是具有本發(fā)明特征的有機發(fā)光二極管的升高的側面圖。圖11是具有本發(fā)明特征的太陽能電池的升高的側面圖。具體實施方式作為此處使用的，空間或方向術語例如“內部”、“外部”等與附圖中繪制所示的本發(fā)明有關。但是，應當理解本發(fā)明可以采用不同的可選擇的取向，和因此這樣的術語不被認為是限制性的。此外，說明書和權利要求中所用的表述尺寸、物理特征等的全部數(shù)字被理解為在全部的情況中是用術語“大約”來修正的。因此，除非有相反指示，否則在下面的說明書和權利要求中所述的數(shù)值可以根據(jù)本發(fā)明所期望的和/或尋求獲得的性能而變化。最起碼的，和不打算使用等價的原則來限制權利要求的范圍，每個數(shù)字參數(shù)應當至少依照所報告的有效數(shù)字的數(shù)值和應用通常的四舍五入技術來解釋。此外，這里公開的全部范圍被理解為包括了其中所含的任何和全部子范圍。例如所述的范圍“1-10”應當被認為包括了在最小值1和最大值10之間并且包括其的任何和全部子范圍；即，全部子范圍是從最小值1或者更大開始和在最大值10或者更小結束，例如1-6.7，或者3.2-8.1，或者5.5-10。同樣，作為此處使用的，術語“安裝在其上”或“涂覆在其上”表示在其上，但是不必需表面接觸。例如，一個制品或者制品的部件“安裝”或“涂覆”在另一制品或者制品部件之上不排除在該制品之間或者制品的部件之間分別存在著材料。在討論本發(fā)明的幾個非限定性實施方案之前，應當理解本發(fā)明不將它的應用局限于這里所示和所討論的具體的非限定性實施方案的細節(jié)，因為本發(fā)明可以是其他實施方案。此外，這里用于討論本發(fā)明的術語是出于說明而非限制性目的。仍然另外的，除非另有指示，否則在下面的討論中相同的數(shù)字表示相同的元件。通常，但非限制本發(fā)明，本發(fā)明優(yōu)選的非限定性實施方案涉及一種摻雜的氧化錫層，其通過化學氣相沉積(本領域稱作“CVD”)熱解涂覆方法施用到蘇打-石灰二氧化硅玻璃基底上，來提供玻璃基底，其的初始性能在本發(fā)明隨后的實施方案中得以增強。為了完全的理解本發(fā)明，將分別討論本發(fā)明的具體的非限定性實施方案。本發(fā)明的具體實施方案涉及但不限于方面(1)涉及一種在玻璃基底表面之上或上面的結晶的摻雜的氧化錫涂層；方面(2)涉及一種涂覆在玻璃基底表面上面或之上的無定形摻雜的氧化錫膜，和方面(3)涉及方面(1)和(2)的涂覆的基底的用途。本發(fā)明的非限定性實施方案將涉及涂層，其施用到通過浮法制造的蘇打-石灰-硅酸鹽連續(xù)玻璃帶上。但是本發(fā)明不限于此，并且該涂層可以施用到任何類型的基底上，例如金屬，塑料，任何組成的玻璃，其在處于或者高于涂覆溫度時是結構穩(wěn)定的，例如但不限于400華氏度(“°F”)。此外，該涂層可以施用到具有任何形狀的玻璃上，例如但不限于平的玻璃板，成形的玻璃板，例如但不限于用于汽車車窗、飛機窗、家用和公共窗戶和用于機柜例如冰箱和爐子的窗子的形狀。方面(1)：本發(fā)明的非限定性實施方案涉及一種在玻璃基底表面之上或上面的結晶的摻雜的氧化錫涂層。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的非限定性實施方案中，該摻雜的氧化錫層是氟摻雜的氧化錫層，其通過CVD熱解涂覆方法(下文中也稱作“CVD方法”)施用到顏色抑制層之上或上面。在本發(fā)明的該優(yōu)選的實踐中，本發(fā)明的摻雜的氧化錫層和顏色抑制層被施用到連續(xù)的玻璃帶表面。更具體的和參見圖1，漂浮在熔融金屬的池子24上的連續(xù)玻璃帶22在箭頭23的方向上移動。熔融金屬的池子24包含在玻璃形成室26中，例如但不限于美國專利No.3333936和4402722中所公開的類型，該專利在此引入作為參考。當玻璃帶22在第一CVD涂覆機28下移動時，將顏色抑制膜，抗彩虹色膜或者下層膜30施用到玻璃帶22的表面32上(也參見圖2)。帶22的表面32與負載在熔融金屬的池24上的帶22的表面33相對。玻璃帶22在箭頭23方向上的連續(xù)移動將玻璃帶22移動到第二CVD涂覆機34下面，來將本發(fā)明的摻雜的氧化錫膜36(見圖2)施用到顏色抑制膜30的表面38上。作為此處使用的，除非另有指示，否則術語“顏色抑制”包括“抗彩虹色”。在本發(fā)明的優(yōu)選的實踐中，顏色抑制膜30是氧化錫和氧化硅的梯度層，并且是美國專利No.5356718和5863337所公開的類型，該專利在此引入作為參考。顏色抑制膜30中的氧化硅的百分比隨著距離玻璃帶22的表面32的距離的增加而降低，來提供梯度顏色抑制膜30，其在玻璃帶表面32處具有95-100％的氧化硅和在顏色抑制膜30的表面38處具有95-100％的氧化錫(見圖2)。關于顏色抑制膜30的化學和施涂的詳細討論，可以參考美國專利No.5356718和5863337?，F(xiàn)在本領域技術人員可以理解，本發(fā)明不限于梯度顏色抑制膜，和本發(fā)明可以預期一種顏色抑制層，其具有多個均勻的氧化硅和氧化錫膜。更具體的和不限制本發(fā)明，圖3所示的是一種顏色抑制層42，其具有與氧化硅膜50和51交替的氧化錫膜44和46。任選的該顏色抑制膜30和顏色抑制層42可以省略，并且本發(fā)明的摻雜的氧化錫膜36可以直接施用到玻璃帶22的表面32上，如圖4所示。為了完全理解本發(fā)明的這種非限定性實施方案，將討論將本發(fā)明的摻雜的氧化錫層施用到混合的金屬氧化物膜30，但是，本發(fā)明不限于此和可以施用到顏色抑制層42(圖3)，或者直接施用到玻璃帶的表面32(見圖4)。在本發(fā)明優(yōu)選的實踐中，該摻雜的氧化錫是氟摻雜的氧化錫，但是本發(fā)明不限于此和可以用其他摻雜的氧化錫來實踐，例如但不限于用銻和氟和銻的混合物摻雜的氧化錫。目前存在著由PPGIndustries，Inc.在商標名下市售的涂覆的玻璃產品。涂覆的玻璃具有混合的金屬氧化物顏色抑制膜30和氟摻雜的氧化錫層52。為了簡要起見，本發(fā)明這種非限定性實施方案的涂覆玻璃將被稱作“增強的涂覆玻璃”或“ECG”和該涂覆玻璃將被稱作“常規(guī)涂覆玻璃”。常規(guī)涂覆玻璃和這里的討論所關注的，但不限制本發(fā)明的ECG的性能在下表1中給出。表1備注：a.“歐姆/平方”的縮寫。b.“納米”的縮寫。c.反射的顏色是以L*，a*，b*坐標，使用CIE發(fā)光體D65，10度觀測器給出的。d.常規(guī)涂覆玻璃通常所測量的霧度是0.1-0.3％，和ECG預期所測量的霧度是0.4-0.6％。e.透射率是在波長范圍380-780納米(“nm”)內，使用CIE發(fā)光體C，2度觀測器的可見光透射率。f.RMS是均方根的縮寫。涂覆表面的RMS是使用原子力顯微鏡來測量的。g.導電涂層的吸收系數(shù)是在400-1100nm的波長區(qū)域測量的。混合的金屬氧化物膜30和氟摻雜的氧化錫膜36和52的厚度是使用輪廓曲線儀來測量的。薄膜電阻率是使用四點探針來測量的。發(fā)射率是由紅外波長中的反射率測量來確定的。表面RMS是使用原子力顯微鏡來測量的。該反射的顏色是如ASTME308-90和其他國際標準所述，由380-780nm的電磁規(guī)模的反射率測量來確定的?？梢姽馔干渎侍幱?80-780nm的電磁規(guī)模中。該可見光透射率是使用C測量的。即，標準發(fā)光體“C”，并且使用在380-780納米波長范圍中的2°觀測器。吸收系數(shù)是以下面的方式測量的。將折射率1.79的二碘甲烷施用到玻璃板上沉積的導電膜上，并且將厚度1mm的透明熔凝石英蓋片附著到二碘甲烷上，因此產生了對比樣品，在其中不再導致由于導電膜的表面粗糙度引起的散射損失。該對比樣品在可見光和近紅外區(qū)域的透射率和反射率是使用分光光度計測量的，并且從這些結果來確定吸光率。參考樣品是如下來制造的：將二碘甲烷施用到其上沒有形成導電膜的玻璃板上，和附著蓋片玻璃，因此獲得了參考樣品。由于對比樣品和參考樣品的玻璃板具有相同的組成。在這個參考樣品中類似的，在可見光和近紅外光區(qū)域中的吸光率是如上來確定的。該導電膜的吸收系數(shù)是通過用對比樣品減去參考樣品的吸光率來確定的，并且解決了等式，在其中考慮了多次發(fā)射。當對比樣品的導電膜是在下面的涂膜上形成時，作為參考樣品使用的是這樣的，在其中下面的涂膜是在相同條件下形成的。摩擦系數(shù)是根據(jù)ASTMD-1894測試來測定的，這里樣本是在200g滑板下橫過的。摩擦系數(shù)定義為Ft/Fn之比，這里Ft是法向力或者將兩個表面壓在一起的力(滑板重量)，和Fn是在表面之間引發(fā)(靜態(tài))和維持(動態(tài))相對運動所需的牽引力。該測試測量了涂層和滑板表面之間的阻力，這里高的阻力表示了較粗的表面和低的阻力表示了較光滑的表面。在本發(fā)明的實踐中，摩擦系數(shù)優(yōu)選小于1.2，更優(yōu)選小于1.0和最優(yōu)選小于0.8。ECG的下層30類似于常規(guī)的涂覆玻璃的下層30，并且每個包括在透明的玻璃帶或者基底22和氟摻雜的氧化錫膜之間的SiO2和SnO2的混合的金屬氧化物膜30；用于ECG的氟摻雜的氧化錫膜用數(shù)字36表示，和用于常規(guī)的涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜用數(shù)字52表示(見圖2-4)。如上所述，該混合的金屬氧化物膜30和氟摻雜的氧化錫膜36和52是通過CVD熱解涂覆方法來施用的。下表2給出了用于ECG的氟摻雜的氧化錫膜36和用于常規(guī)涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52的化學。表2備注：h.“MBTC”是三氯化單丁基錫的化學縮寫，其是錫前體。i.“Lb/室/hr”是“磅/涂覆室/小時”的縮寫。j.“TFA”是三氟乙酸的化學縮寫，其是氟前體。k.“CA”是載體空氣的縮寫。在本發(fā)明的實踐中，載氣是空氣，其是大約21％的氧氣。本發(fā)明預期使用高到和包括100％的其他氧氣濃度。l.“SCFM”是“標準立方英尺/分鐘”的縮寫。m.“F/Sn”是氟摻雜的氧化錫涂層中氟與錫的原子比。n.“Fwt％”是氟在氟摻雜的氧化錫涂層中的重量百分比。本發(fā)明一種非限定性實施方案的ECG是發(fā)射率0.14-0.17和薄膜電阻率9.5-14.0歐姆/平方。作為本領域已知的，材料的發(fā)射率是它的表面通過輻射來發(fā)射能量的相對能力。它是在相同溫度時，具體材料所發(fā)射的能量與黑體所發(fā)射的能量之比。真正的黑體具有ε＝1，而任何實際的物體將具有ε<1。發(fā)射率是無量綱的量。常規(guī)涂覆玻璃的發(fā)射率是0.20-0.22，和ECG的發(fā)射率是0.14-0.17。ECG較低的發(fā)射率范圍可以通過增加氟摻雜的氧化錫層中的氟的量或者通過增加厚度來獲得。增加氟摻雜的氧化錫層中的氟增加了氟摻雜的氧化錫層中自由電子的數(shù)目，和因此增加了氟摻雜的氧化錫層的導電率和反射率和降低了氟摻雜的氧化錫層的發(fā)射率。從上面的討論，可以理解摻雜的氧化錫層的發(fā)射率和薄膜電阻是彼此相關的，并且薄膜電阻的度量可以用于近似于摻雜的氧化錫層的發(fā)射率。使用常規(guī)的涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52作為起始點，ECG的發(fā)射率可以如下來獲得：增加常規(guī)涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52的厚度到增加ECG的氟摻雜的氧化錫膜36中的氟，和/或增加常規(guī)涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52中的氟與錫的比率(“F/Sn”)到增加ECG的氟摻雜的氧化錫膜36中的氟。本發(fā)明人認識到摻雜的氧化錫層是結晶層和增加摻雜的氧化錫層的厚度增加了晶體尺寸和增加了霧度。更具體的，增加的晶體生長提供了粗糙的表面，其在用于清潔摻雜的氧化錫膜52表面的材料上設置了障礙。已經(jīng)觀察到當該材料是紙例如紙巾時，氧化錫膜52的粗糙表面(見圖2)會在該紙巾沿著氟摻雜的氧化錫膜46表面拖動時撕裂該紙巾。本發(fā)明人進一步認識到通過增加F/Sn比率來降低發(fā)射率具有有限的比率，例如閱讀USPN‘177的第4欄第30-34行。因為前述的，ECG的發(fā)射率是如下來獲得的：將F/Sn原子比增加到0.006-0.010范圍的值和將氟摻雜的氧化錫層的厚度增加到500-540nm范圍的厚度?？梢灶A期將氟摻雜的氧化錫膜46的厚度范圍310-350nm增加到ECG的氟摻雜的氧化錫膜36的厚度范圍500-540nm將增加ECG的表面粗糙度。但是，意料之外發(fā)生的。更具體的，常規(guī)涂覆玻璃(具有比ECG的氟摻雜的氧化錫膜36更薄的氟摻雜的氧化錫膜52)的表面粗糙度大于20nmRMS，和ECG的表面粗糙度小于15nmRMS。雖然不是清楚理解的，但是據(jù)信作為沉積過程中化學物質相互作用的結果，與常規(guī)涂覆玻璃相比，ECG具有更厚的氟摻雜的氧化錫膜36和更低的表面粗糙度值。更具體的，對于EFG，增加TFA的流量/室來增加氟在氟摻雜的氧化錫膜36中的混入，和增加MBTC的流量/室和水的流量/室來增加MBTC的涂層沉積速率和ECG的氟摻雜的氧化錫膜36的厚度。對于ECG，增加氟摻雜的氧化錫膜36的氟增加了F/Sn比率來獲得期望的發(fā)射率和薄膜電阻，如上所述。更具體的，用于涂覆常規(guī)的涂覆玻璃和用于涂覆增強的涂覆玻璃的系統(tǒng)使用了壓縮空氣來將MBTC、TFA和水的蒸氣移動到所述室中和使用氮氣來將MBTC、TFA和水的混合蒸氣移出所述室，朝著玻璃帶22的表面32來將氟摻雜的氧化錫膜36和52沉積到玻璃帶20的未負載的表面32上。涂覆蒸氣(MBTC、TFA和水的蒸氣)、壓縮空氣和氮氣的總體積流速保持在50-75SCFM。增加涂覆蒸氣的蒸氣流量需要降低負載空氣和/或氮氣的流速來保持于50-75SCFM的總體積流速內。圖5是常規(guī)涂覆的玻璃的晶體結構的照片的拷貝，和圖6是ECG的晶體結構的照片的拷貝。ECG的晶體結構與常規(guī)涂覆玻璃的晶體結構相比尺寸更均勻和更緊致。常規(guī)涂覆玻璃的晶體的檢晶儀取向的比例是(200)，隨后是(110)，和ECG的晶體取向是(200)，隨后是(211)。晶體取向是通過θ/2θx-射線衍射來測量的。用ECG化學涂覆該玻璃，ECG的表面高度被降低來提供這樣的ECG，其具有比常規(guī)涂覆玻璃的涂覆表面更光滑的涂覆表面。上面的數(shù)字用于厚度為3.2毫米的玻璃帶(見表1)。如本領域技術人員所理解的，增加該玻璃帶的厚度，同時保持所產生的玻璃的體積，降低帶速，和優(yōu)選將涂覆蒸氣的流量降低來保持顏色抑制膜30和層42的厚度，和氟摻雜的氧化錫膜36，52的厚度。此外，降低玻璃帶的厚度增加了帶速，和優(yōu)選將涂覆蒸氣的流量增加來保持顏色抑制膜30和層42的厚度，和氟摻雜的氧化錫膜36，52的厚度。方面(2)：本發(fā)明的非限定性實施方案涉及涂覆在玻璃基底表面上面或者之上的一種無定形摻雜的氧化錫膜。如上面在方面(1)中所討論的，ECG的晶體結構是通過改變涂層化學中組分的重量百分比和涂覆蒸氣的流速，同時將氟摻雜的氧化錫膜36保持為基本結晶來改變的。在本發(fā)明的這種非限定性實施方案中，ECG的氟摻雜的氧化錫膜36和常規(guī)涂覆玻璃的52的晶體尺寸是通過加入摻雜劑或者合金化成分例如磷、硼及其混合物到涂層化學中，來改變涂層的晶體結構而降低的。雖然本發(fā)明的這種非限定性實施方案的討論涉及到將磷加入到ECG的氟摻雜的氧化錫膜36中，但是除非另有指示，否則該討論可應用于常規(guī)的涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52，和沉積在基底上的任何其他類型的導電膜。如上所述(見表2)，該涂層化學包括TFA，MBTC和水。在所討論的本發(fā)明的非限定性實施方案中，加入來改變氟摻雜的氧化錫的結晶結構的摻雜劑是磷，并且該磷前體是三乙基亞磷酸酯(TEP)。在所討論的本發(fā)明的這種非限定性實施方案中，氟摻雜的氧化錫層的晶體尺寸是通過增加TEP/MBTC比率來降低的。如將理解的，加入磷的氧化錫膜56可以沉積在顏色抑制膜30(圖2)，層42(圖3)，氟摻雜的氧化錫膜56的層，氟摻雜的氧化錫膜的兩個層之間，和/或玻璃帶20的表面32(圖4)上面或之上。涉及到使用磷作為破裂層來降低涂層厚度增加時涂層的晶體尺寸生長的一個討論可以在美國專利No.6797388中找到，該專利在此引入作為參考。下面的討論涉及到磷合金化的氟摻雜的氧化錫膜56，其沉積在圖2所示的顏色抑制膜30上，但是，除非另有指示，否則該討論可應用于將磷-氟摻雜的氧化錫膜56沉積在顏色抑制層42(見圖3)和/或玻璃帶20的表面32上(見圖4)。在本發(fā)明的一種非限定性實施方案中，將錫前體MBTC和氟前體TFA氣化和與磷前體TEP的蒸氣混合。MBTC，TFA，TEP，水的蒸氣和載氣單獨移入涂覆室中，混合和將該混合蒸氣用氮氣移出涂覆室，如上所述。用于表2所示的ECG的化學具有TEP/MBTC之比為0，這是因為沒有加入TEP。如本領域技術人員可以理解的，隨著TEP/MBTC比率的增加，薄膜電阻和發(fā)射率也增加，這是因為加入磷降低了載氣和因此降低了導電率。在本發(fā)明的一種非限定性實施方案中，TEP/MBTC之比是0-0.4；優(yōu)選0-0.3；更優(yōu)選大于0-0.25，和最優(yōu)選0.15-0.25。本發(fā)明不限于使用磷來提供無定形摻雜的氧化錫膜。更具體的，本發(fā)明預期使用硼和磷和硼的混合物?？梢杂糜诒景l(fā)明實踐中的硼前體包括但不限于硼酸三乙酯和硼酸三甲酯。在本發(fā)明的一種非限定性實施方案中，硼前體/MBTC之比大于0-0.4；優(yōu)選是0-0.3；更優(yōu)選0-0.25和最優(yōu)選0.15-0.25。在上面的方面1和2所提出的本發(fā)明的非限定性實施方案的討論中，玻璃帶的厚度是3.2毫米，但是，本發(fā)明不限于此，和本發(fā)明可以在具有任何厚度的玻璃帶或者移動基底上實踐，例如但不限于2.5mm，4.0mm，5.0mm，6.0mm和12.0mm。如玻璃制造領域技術人員將理解的，所述帶或者移動基底的速度隨著該帶或者移動基底厚度的增加而降低，并且?guī)匐S著該帶或者移動基底厚度的降低而增加。因為帶或者基底速度的變化，涂層前體和混合蒸氣的流速隨著玻璃帶厚度的降低而降低和隨著玻璃帶厚度增加而增加，來在不同的玻璃厚度時帶速或者基底速度變化時獲得類似或相同的涂層厚度。由于玻璃帶厚度變化而導致的CVD涂層化學的變化是本領域公知的，并且被認為無需進一步討論。方面(3)本發(fā)明的非限定性實施方案涉及方面(1)和(2)的涂覆基底的用途。在這個方面3中，討論了將本發(fā)明的涂膜36和56用作窗戶、有機發(fā)光二極管裝置(下文也稱作“OLED”)和膜太陽能電池的部件，但是如本領域技術人員理解的，本發(fā)明涂膜的用途不限于此和本發(fā)明的涂膜可以用于任何制品的制造中，這里具有導電率和/或低發(fā)射率的功能涂膜是該制品制造的一個參數(shù)。在下面的討論中，參考了本發(fā)明的施用到梯度顏色抑制膜30之上或上面的涂膜36(圖2所示)，但是除非另有指示，否則該討論可應用于本發(fā)明的涂膜56，和常規(guī)涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52(其施用到顏色抑制膜36之上或上面)，和本發(fā)明的涂膜36和56，和常規(guī)涂覆玻璃的施用到顏色抑制膜42之上或上面(圖3所示)或者施用到基底表面上面或者之上(圖4所示)的涂膜52。參見圖7，顯示了具有本發(fā)明特征的涂覆玻璃60。涂覆玻璃60包括施用到玻璃基底64的表面62的梯度顏色抑制膜30，和在該顏色抑制膜30上的本發(fā)明的氟摻雜的氧化錫膜36。太陽控制涂層66在與基底64的表面62相對的玻璃基底64的表面68上。本發(fā)明不限于太陽控制涂層66，和該涂層64可以是本領域已知的任何類型的太陽控制涂層，例如但不限于熱解CVD涂層，噴涂層和磁控管濺射的真空沉積的(“MSVD”)涂層。在本發(fā)明優(yōu)選的實施方案中，涂層66是MSVD太陽控制涂層66，例如在介電膜72之間具有一個或多個銀膜70的低能涂層，例如但不限制本發(fā)明，是美國專利No.6833194和5552180所公開的低能涂層類型，該專利在此引入作為參考。作為本領域技術人員理解的，涂覆玻璃60的MSVD涂層66不如熱解沉積的涂層36那樣耐久，并且一般的實踐是固定涂覆玻璃60，并且MSVD涂層66面朝絕緣單元內部，例如但不限于美國專利No.5655282公開的絕緣單元，該專利在此引入作為參考。更具體的和參考圖8，顯示了具有本發(fā)明特征的絕緣單元76。單元76包括U形隔離架78，其具有在U形隔離架78的腿84和86的外表面82上的防潮粘結劑層80，來將未涂覆的玻璃板88固定到隔離架78的腿84的表面82上和將涂覆的玻璃60固定到隔離架78的腿86的外表面82上，并且MSVD涂層66面朝單元76的內部90。此外，如本領域技術人員所理解的，優(yōu)選但不限制本發(fā)明，從板60的表面68的邊緣92除去涂層66來在板64的表面68和隔離架78的腿86的外表面82之間提供更好的防潮密封。關于制作多片絕緣單元的方法更詳細的討論，可以參見美國專利No.5655282。參考圖9，顯示了本發(fā)明另一種非限定性實施方案的多片單元，用數(shù)字100表示。圖9的絕緣單元100類似于，但不等同于圖8的絕緣單元。更具體的，將顏色抑制層30和氟摻雜的氧化錫膜36從涂覆的板66的玻璃基底64的表面62除去，并且將顏色抑制層30和氟摻雜的氧化錫膜36施用到玻璃板88的外表面102上。通常，多板單元(其的兩個玻璃板的四個表面的僅僅一個表面涂覆有氟摻雜的氧化錫膜36)被預期的玻璃中心(COG)R值等于或大于3；多板單元(其的兩個玻璃板的四個表面的僅僅一個表面涂覆有MSVD涂層64)被預期的COGR值等于或大于4，和多片單元(其的兩個玻璃板的四個表面的一個表面涂覆有氟摻雜的氧化錫膜36和四個表面的第二表面涂覆有MSVD涂層64，如圖8和9所示)被預期的COGR值等于或大于5?！癛”值是用于度量熱絕緣效率的商業(yè)單位。熱絕緣體例如多片單元的R值定義為1除以每英寸的熱導系數(shù)，其是在絕緣單元外表面之間測量的。該討論現(xiàn)在涉及到使用本發(fā)明的摻雜的氧化錫膜作為陽極，用于OLED裝置。在下面的討論中，參考了本發(fā)明的施用到梯度顏色抑制膜30之上或上面的涂膜36(圖2所示)，但是除非另有指示，否則該討論可應用于本發(fā)明的涂膜56，和常規(guī)涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52(其施用到顏色抑制膜36之上或上面)，和本發(fā)明的涂膜36和56，和常規(guī)涂覆玻璃的施用到顏色抑制膜42之上或上面(圖3所示)或者施用到基底表面上面或者之上(圖4所示)的涂膜52。一種可用于本發(fā)明實踐中的示例性OLED裝置描述在美國專利No.7663300中，該專利在此引入作為參考。用數(shù)字110表示的一種示例性OLED顯示在圖10中。OLED110包括陰極(負極性)112，其可以是任何常規(guī)的OLED陰極。合適的陰極的例子包括金屬，例如但不限于鋇和鈣。該陰極典型的具有低的功函數(shù)。在該陰極之上或上面的發(fā)射層114可以是本領域已知的常規(guī)有機電致發(fā)光層。這樣的材料的例子包括但不限于小分子如有機金屬螯合物(例如Alq3)，熒光和磷光染料，和共軛的枝狀體。合適的材料的例子包括三苯基胺，芘，紅熒烯和喹吖酮。可選擇的，電致發(fā)光聚合物材料也是已知的。這樣的導電聚合物的例子包括聚(對亞苯基亞乙烯)和聚芴。磷光材料也可以使用。這樣的材料的例子包括聚合物例如聚(n-乙烯基咔唑)，在其中加入了有機金屬絡合物例如銥絡合物作為摻雜劑。OLED110的陽極118可以是導電的透明材料，例如金屬氧化物材料，例如但不限于本發(fā)明的摻雜的氧化錫。該陽極典型的具有高功函數(shù)。繼續(xù)參考圖10，在本發(fā)明優(yōu)選的實踐中，陽極(正極性)118包括在玻璃基底22上的氟摻雜的氧化錫層36和顏色抑制層30。常規(guī)的OLED裝置的結構和運行是本領域公知的，并且是本領域技術人員明了的，無需進一步討論。該討論現(xiàn)在涉及到使用本發(fā)明的摻雜的氧化錫膜作為電極用于太陽能電池。在下面的討論中，參考了本發(fā)明的施用到梯度顏色抑制膜30之上或上面的涂膜36(圖2所示)，但是除非另有指示，否則該討論可應用于本發(fā)明的涂膜56，和常規(guī)涂覆玻璃的氟摻雜的氧化錫膜52(其施用到顏色抑制膜36之上或上面)，和本發(fā)明的涂膜36和56，和常規(guī)涂覆玻璃的施用到顏色抑制膜42之上或上面(圖3所示)或者施用到基底表面上面或者之上(圖4所示)的涂膜52。圖11所示是一種太陽能電池120，其具有光伏電池124和電極126和128。電極128包括氟摻雜的氧化錫膜36、顏色抑制層30和玻璃基底22。如現(xiàn)在可以理解的，本發(fā)明不限于這里提出的本發(fā)明的非限定性實施方案，并且本發(fā)明的非限定性的不同的實施方案的特征可以彼此一起使用。本領域技術人員進一步容易理解可以對本發(fā)明的非限定性實施方案進行改變，而不脫離前面的說明書公開的理念。因此，這里詳細描述的本發(fā)明的具體的非限定性實施方案僅僅是說明性的，并且不限制本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍是以附加的權利要求及其任何和全部等價物的完全寬度給出的。