專利名稱：：從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種工業(yè)生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣的回收處理方法，更具體地，涉及一種從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法。
背景技術(shù)：
：多晶硅是制備單晶硅的原料，最終用于生產(chǎn)集成電路和電子器件，是信息產(chǎn)業(yè)用量最大、純度要求最高的基礎(chǔ)原料之一，也是國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)。世界先進(jìn)的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)一直由美、日、德三國(guó)的公司壟斷著，各個(gè)公司都有各自的技術(shù)秘密和技術(shù)特點(diǎn)，經(jīng)過(guò)不斷的研究、開(kāi)發(fā)，形成了各自的生產(chǎn)工藝，并從各自國(guó)家戰(zhàn)略角度出發(fā)，嚴(yán)格控制技術(shù)轉(zhuǎn)讓并壟斷全球多晶硅市場(chǎng)。我國(guó)多晶硅工業(yè)起步于五十年代，六十年代中期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，七十年代初曾盲目發(fā)展，生產(chǎn)廠多達(dá)20余家，都采用的是傳統(tǒng)西門子工藝，技術(shù)落后，環(huán)境污染嚴(yán)重，物料消耗大，生產(chǎn)成本高，絕大部分企業(yè)虧損而相繼停產(chǎn)或轉(zhuǎn)產(chǎn)。傳統(tǒng)多晶硅生產(chǎn)工藝突出的特點(diǎn)是尾氣濕法回收技術(shù)，即還原爐中的尾氣經(jīng)初步加壓分離氯硅垸后用水淋洗，回收氫氣，但卻沒(méi)有回收氯化氫，同時(shí)，由于水淋洗過(guò)程中，水中氧氣、二氧化碳等雜質(zhì)氣體會(huì)污染準(zhǔn)備回收的氫氣，故大量回收的氫氣也需再次凈化，此外，淋洗過(guò)程中氯硅烷水解后，還會(huì)產(chǎn)生大量污水，需進(jìn)一步處理，亦會(huì)導(dǎo)致環(huán)境污染和物料消耗大。而且，生產(chǎn)中產(chǎn)生的氯化氫，未能得到充分的利用，既浪費(fèi)了能源，又導(dǎo)致了環(huán)境污染。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的旨在克服現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)上述缺點(diǎn)，提出一種能夠從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法。利用本發(fā)明的方法，不但可以對(duì)尾氣中的氯化氫進(jìn)行充分的回收和循環(huán)利用，并能大大減少生產(chǎn)中污染物的生成，同時(shí)充分利用了物料，降低了成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提出一種從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，所述尾氣主要包括氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)、三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCU)，所述方法包括以下步驟加壓和冷卻所述尾氣，以便使所述三氯氫硅和四氯化硅變?yōu)橐簯B(tài)而所述氫氣、氯化氫、二氯二氫硅保持為氣態(tài)，從而通過(guò)氣液分離將氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離；使氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅通過(guò)液態(tài)的吸收劑，以便氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅溶解于液態(tài)的吸收劑中，從而將氫氣與氯化氫和二氯二氫硅分離；對(duì)溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑進(jìn)行升溫和/或加壓，使氯化氫和二氯二氫硅從液態(tài)吸收劑中被解吸出來(lái)；通過(guò)控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力和/或溫度使二氯二氫硅變?yōu)橐簯B(tài)，從而分離氯化氫與二氯二氫硅，由此回收氯化氫。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例，所述尾氣被加壓到0.30.9Mpa。所述尾氣被冷卻到-20-70°C。所述吸收劑為四氯化硅。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例，從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法還包括對(duì)吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅進(jìn)行升溫和/或加壓，使得氯化氫被解吸出來(lái)。具體地，所述吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅被升溫到70220°C;所述吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅被加壓到0.12.0Mpa。解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的溫度控制為30—70'C。解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力控制為0.12.0Mpa。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例，所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法還包括在對(duì)尾氣加壓和冷卻之前，用液態(tài)的四氯化硅對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例，從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法還包括對(duì)在淋洗過(guò)程中吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅進(jìn)行升溫和/或加壓，使得氯化氫從液態(tài)四氯化硅中被解吸出來(lái)。具體地，所述吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅被升溫到70220°C。所述吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅被加壓到0.12.0Mpa。根據(jù)本發(fā)明克服和消除了傳統(tǒng)濕法回收技術(shù)的缺點(diǎn)，同時(shí)尾氣中的氯化氫進(jìn)行回收利用，尤其是將回收的氯化氫返回到多晶硅生產(chǎn)工序中，使得生產(chǎn)資料能夠得以充分的利用，并且大大減少了生產(chǎn)中污染物的產(chǎn)生和數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明，物料在閉路循環(huán)使用中，大大降低了原輔材料的消耗，從根本上解決了多晶硅生產(chǎn)造成的環(huán)境污染問(wèn)題，同時(shí)，節(jié)省了項(xiàng)目投資，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，降低了成本，使得多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目的建設(shè)與改造獲得了充分的主動(dòng)性。本發(fā)明附加的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。圖1為多晶硅的工業(yè)生產(chǎn)流程示意圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的流程示意圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的流程示意圖。具體實(shí)施例方式下面通過(guò)參考附圖來(lái)描述具體的實(shí)施例以便解釋本發(fā)明，所述的實(shí)施例為示例性，不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例1:參考圖1，其中示出了能夠應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氯化氫回收方法的工業(yè)生產(chǎn)多晶硅的流程框圖，在現(xiàn)有技術(shù)中，有多種方法可以進(jìn)行工業(yè)化多晶硅的生產(chǎn)，應(yīng)用本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝，是利用工業(yè)硅與氯化氫(HC1)為主要原料，通過(guò)控制反應(yīng)條件生成以三氯氫硅(SiHCl3)為主的氯硅烷與氫氣的混合物，然后通過(guò)現(xiàn)有的提純技術(shù)對(duì)三氯氫硅(SiHCl3)進(jìn)行提純后，送入還原爐，使三氯氫硅(SiHCl3)與輔料氫氣(H2)反應(yīng)，還原生成多晶硅。在上述工業(yè)生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中，產(chǎn)生的尾氣主要包括氫氣(H2)、氯化氫(HCD、和氯硅烷，所述氯硅垸主要包括二氯二氫硅(SiH2Cl2)、三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCU)。生產(chǎn)過(guò)程中主要的反應(yīng)為Si+HCl——SiHCl3+SiCl4+H2SiHCl3——Si+SiCl4+H2SiHCl3+H2——Si+HCl需要說(shuō)明的是，由于在原料工業(yè)硅中還存在有多種雜質(zhì)，例如鐵、鋁、鈣、硼、磷等等，所以，在反應(yīng)中還會(huì)產(chǎn)生鈣的氯化物、鐵的氯化物、鋁的氯化物、以及硼的氯化物，以及其他高氯硅烷等固體和/或氣態(tài)雜質(zhì)，這些雜質(zhì)也會(huì)混在尾氣當(dāng)中，當(dāng)然含量較小，根據(jù)本發(fā)明的方法也可以對(duì)這些雜質(zhì)進(jìn)行處理，這將在下面進(jìn)行描述。下面參考圖2描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，圖2示出了從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的流程圖。首先，在多晶硅產(chǎn)生過(guò)程中產(chǎn)生的尾氣被收集起來(lái)，對(duì)收集的尾氣進(jìn)行加壓和冷卻，例如，尾氣被加壓到大約0.30.9Mpa并冷卻到大約-20-70。C，由于所述三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)與所述氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)之間的沸點(diǎn)不同，因此，在上述工藝條件下，尾氣中的三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)變?yōu)橐簯B(tài)，而所述氫氣(H2)仍保持為氣態(tài)，同時(shí)所述氯化氫(HC1)和二氯二氫硅(SiH2Cl2)也主要以氣態(tài)形式存在，從而通過(guò)氣液分離就能夠?qū)鈶B(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離。上述壓力條件0.30.9Mpa和溫度條件-20-70。C僅是示例性的，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠通過(guò)氣液分離將氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用。然后，利用液態(tài)四氯化硅(SiCU)作為吸收劑，使得大部分的氣態(tài)氯化氫(HC1)和二氯二氫硅(SiH2Cl2)溶解于吸收劑中，以便將氣態(tài)的氫氣(H2)與氯化氫(HC1)和二氯二氫硅(SiH2Cl2)初步分離，然而，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在分離出的氣態(tài)氫氣中，仍會(huì)有少量殘余的氣態(tài)氯化氫(HC1)和四氯化硅(SiCl4)混和在其中。另外，需要說(shuō)明的是，吸收劑并不限于液態(tài)四氯化硅。對(duì)于被液態(tài)四氯化硅作為吸收劑吸收的氯化氫，可以通過(guò)升溫和/或加壓的方法，將溶解于液態(tài)吸收劑中的氯化氫和二氯二氫硅解吸出來(lái)；在本實(shí)施例中，采用升溫到為70220°C，同時(shí)加壓到0.12.0Mpa，便可以將氯化氫和二氯二氫硅解吸出來(lái)。當(dāng)然，上述壓力條件0.12.0Mpa和溫度條件70220。C僅是示例性的，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠?qū)⒙然瘹浜投榷涔杞馕鰜?lái)，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用。同理，再次利用物理沸點(diǎn)的不同，對(duì)被解吸出來(lái)的氣態(tài)氯化氫和二氯二氫硅再通過(guò)控制壓力和/或控制溫度，進(jìn)行氣液分離，使得氯化氫為氣態(tài)，二氯二氫硅為液態(tài)，并分別用緩沖罐收集或者直接通過(guò)管道輸回收氯化氫和二氯二氫硅。分離出來(lái)的氯化氫可以返回到多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，與工業(yè)硅反應(yīng)，合成三氯氫硅，從而尾氣中的氯化氫能夠在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中被充分地循環(huán)利用，降低了生產(chǎn)成本，提高了原料的利用效率。并且，減少了污染物的產(chǎn)生，避免了環(huán)境污染，并且消除了處理污染物的需要，從而降低了生產(chǎn)成本和能源消耗。實(shí)施例2:下面參考圖3描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的流程框圖，本實(shí)施例與上述第一實(shí)施例的主要區(qū)別在于，還包括用液態(tài)四氯化硅(SiCl4)對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗的步驟。在傳統(tǒng)的濕法尾氣處理工藝過(guò)程當(dāng)中，通常都是用水對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，目的是使尾氣中的氯化氫(HC1)被淋洗進(jìn)入水中，部分未回收的氯硅烷被水淋洗后水解為氯化氫和二氧化硅水合物，此類污水需單獨(dú)處理，導(dǎo)致物料消耗大，環(huán)境污染嚴(yán)重，同時(shí)也浪費(fèi)了大量可以作為生產(chǎn)原料的氯化氫，限制了大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，淋洗過(guò)程采用液態(tài)的四氯化硅(SiCU)，與傳統(tǒng)用水進(jìn)行淋洗的作用和效果都不相同。在本發(fā)明中，采用液態(tài)的四氯化硅(SiCU)對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗能夠去除尾氣中的雜質(zhì)，如上所述，所述尾氣除了主要包括氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)、三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCU)，由于生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中，還會(huì)產(chǎn)生固體雜質(zhì)以及高氯硅垸等雜質(zhì)，因此，利用液態(tài)的四氯化硅(SiCl4)對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，可以去除尾氣中的上述雜質(zhì)。另外，由于在多晶硅的生產(chǎn)還原過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生部分副產(chǎn)物——四氯化硅(SiCU)，通常每生產(chǎn)lkg多晶硅會(huì)產(chǎn)生10kg左右的四氯化硅(SiCU)，因此，如果四氯化硅無(wú)法處理和應(yīng)用，那么多晶硅的生產(chǎn)就收到制約。因此，根據(jù)本發(fā)明，多晶硅生產(chǎn)中產(chǎn)生的四氯化硅可以用于對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗。同時(shí)，在本實(shí)施例中，對(duì)在淋洗過(guò)程中吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅進(jìn)行升溫和/或加壓，使得氯化氫被再次解吸出來(lái)。在本實(shí)施例中，可以采用升溫到70220'C，同時(shí)加壓到0.12.0Mpa，將氯化氫解吸出來(lái)。然后再通過(guò)氣液分離過(guò)程，將氯化氫與被同時(shí)解吸出來(lái)的氯硅烷進(jìn)行再次分離純化。具體地，所述控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的溫度為30一7(TC。所述控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力為0.12細(xì)pa。當(dāng)然，上述壓力條件0.12.0Mpa和溫度條件70220°C，以及溫度條件30一70°C，僅是示例性的，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠?qū)⒙然瘹浣馕鰜?lái)，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用。下表示出了根據(jù)本發(fā)明的方法與傳統(tǒng)濕方對(duì)氯化氫進(jìn)行回收的效果比較。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>從上述表中可以看出，利用本發(fā)明的方法，氯化氫的回收率和回收質(zhì)量都遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的濕法，根據(jù)本發(fā)明，氯化氫幾乎完全得到回收并且純度非常高，因此，能夠作為與工業(yè)硅反應(yīng)并生產(chǎn)多晶硅的原料，從而得到循環(huán)使用，降低了原料的消耗，節(jié)約了成本，減少了污染，并且效果從上述表格中顯而易見(jiàn)。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以對(duì)本發(fā)明的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，進(jìn)行各種顯而易見(jiàn)的改進(jìn)，并應(yīng)用到其他利用工業(yè)硅生產(chǎn)多晶硅的工藝當(dāng)中。盡管上述內(nèi)容已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)普通的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行變化，故本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。權(quán)利要求1、一種從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，所述尾氣主要包括氫氣、氯化氫、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅，所述方法包括以下步驟加壓和冷卻所述尾氣，以便使所述三氯氫硅和四氯化硅變?yōu)橐簯B(tài)而所述氫氣、氯化氫、二氯二氫硅保持為氣態(tài)，從而通過(guò)氣液分離將氣態(tài)的氫氣、氯化氫和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離；使氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅通過(guò)液態(tài)的吸收劑，以便氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅溶解于液態(tài)的吸收劑中，從而將氫氣與氯化氫和二氯二氫硅分離；對(duì)溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑進(jìn)行升溫和/或加壓，使氯化氫和二氯二氫硅從液態(tài)吸收劑中被解吸出來(lái)；通過(guò)控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力和/或溫度使二氯二氫硅變?yōu)橐簯B(tài)，從而分離氯化氫與二氯二氫硅，由此回收氯化氫。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中所述尾氣被加壓到0.31.5Mpa。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中所述尾氣被冷卻到-20-70°C。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)的尾氣中氯化氫的回收利用方法，其中所述液態(tài)吸收劑為四氯化硅。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被升溫到70220。C。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被加壓到0.12.0Mpa。7、根據(jù)權(quán)利要求16中任意一項(xiàng)所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，進(jìn)一步包括在對(duì)尾氣加壓和冷卻之前，用液態(tài)的四氯化硅對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中對(duì)在淋洗過(guò)程中吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅進(jìn)行升溫和/或加壓，使得氯化氫從液態(tài)四氯化硅中被解吸出來(lái)。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中所述吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅被升溫到70220°C。10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中所述吸收了氯化氫的液態(tài)四氯化硅被加壓到0.12.0Mpa。11、根據(jù)權(quán)利要求1所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力控制為0.12崖pa。12、根據(jù)權(quán)利要求1所述的從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，其中解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的溫度控制為30一70°C。全文摘要一種從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中回收氯化氫的方法，包括以下步驟低溫淋洗所述尾氣，加壓和冷卻進(jìn)行氣液分離；使氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅通過(guò)液態(tài)的吸收劑，以便使氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅溶解于液態(tài)的吸收劑中，并將氫氣與氯化氫和二氯二氫硅分離；通過(guò)升溫，將溶解于液態(tài)吸收劑中的氯化氫和二氯二氫硅解吸出來(lái)；被解吸出來(lái)的氣態(tài)氯化氫和二氯二氫硅再通過(guò)控制壓力和/或控制溫度，進(jìn)行氣液分離，使得氯化氫為氣態(tài)，二氯二氫硅為液態(tài)，由此回收氯化氫。本發(fā)明采用干法處理將尾氣中的氯化氫回收，并可再用于多晶硅生產(chǎn)中，原料得以充分的利用，減少了污染物，解決了環(huán)境污染問(wèn)題，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，降低了成本。文檔編號(hào)C01B33/107GK101357287SQ20071011974公開(kāi)日2009年2月4日申請(qǐng)日期2007年7月31日優(yōu)先權(quán)日2007年7月31日發(fā)明者嚴(yán)大洲,毋克力,湯傳斌,沈祖祥,肖榮暉申請(qǐng)人:中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司