一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，具體是指一種電子封裝用高致密度、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)的硅鋁合金材料的制備方法，屬于封裝材料技術(shù)領(lǐng)域。該方法是以硅粉和鋁粉為原料，原料粉末經(jīng)過混合球磨預(yù)處理后裝粉入包套，然后真空熱除氣，在熱等靜壓機(jī)中壓制成形，隨后進(jìn)行機(jī)械加工制成成品。本發(fā)明制備的硅鋁合金具有以下優(yōu)點(diǎn)：合金成分比例范圍寬，Si含量為10～95wt％，Al為余量；致密度高，相對(duì)密度達(dá)到99.5％以上、熱導(dǎo)率為100～180W/mK，熱膨脹系數(shù)為5～15×10?6/K，能夠滿足航空航天、微電子行業(yè)電子封裝的要求。
【專利說明】
一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，具體是指一種電子封裝用高致密度、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)的硅鋁合金材料的制備方法，屬于封裝材料技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著航空航天微電子器件、半導(dǎo)體集成電路向大功率、小型化、輕量化、低成本、高性能和高可靠性的方向發(fā)展，集成電路的集成度迅猛增加，導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇上升，芯片壽命下降。據(jù)報(bào)道，溫度每升高10°C，半導(dǎo)體芯片因壽命的縮短而產(chǎn)生的失效就為原來的三倍。這是由于在微電子集成電路以及大功率整流器件中，材料之間散熱性能不佳而導(dǎo)致的熱疲勞以及熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生的熱應(yīng)力所引起的。解決該問題的重要手段就是使用新的性能更好的封裝材料。
[0003]目前電子封裝用硅鋁合金主要采用熔鑄法、噴射沉積法和熱壓燒結(jié)法制備。傳統(tǒng)的熔鑄法制備的硅鋁合金由于硅含量較高，初晶硅相生長為粗大的針狀或板條狀，且出現(xiàn)嚴(yán)重的偏析現(xiàn)象，造成力學(xué)性能及物理性能惡化，限制了材料的實(shí)際應(yīng)用。噴射沉積法首先噴射沉積得到坯錠然后通過熱等靜壓或熱擠壓實(shí)現(xiàn)完全致密化。噴射沉積法雖然可獲得組織成分均勻、晶粒細(xì)小、性能優(yōu)良的硅鋁合金材料，但是存在工藝復(fù)雜、致密化成本高等問題。熱壓燒結(jié)法制備的硅鋁合金存在硅含量不高(一般小于50% )、氣密性差、規(guī)?；a(chǎn)成本高等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的技術(shù)解決問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，該方法制備的用于電子封裝的硅鋁合金致密度高、熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低，且該方法可規(guī)模化生產(chǎn)。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:
[0006]—種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，步驟為:
[0007](I)對(duì)硅粉和鋁粉的混合粉末進(jìn)行預(yù)處理；
[0008](2)將步驟(I)中經(jīng)過預(yù)處理后的混合粉末裝入包套中；
[0009 ] (3)將步驟(2)裝有混合粉末的包套進(jìn)行真空熱除氣；
[0010](4)將步驟(3)真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理，得到壓制成形產(chǎn)品;
[0011](5)將步驟(4)壓制成形產(chǎn)品進(jìn)行機(jī)械加工制成成品。
[0012]所述的步驟(I)中，預(yù)處理過程為:將硅粉和鋁粉按照比例進(jìn)行混合球磨，具體工藝為球磨時(shí)間4?12h，球磨轉(zhuǎn)速100?200r/min，球料比為5:1?15:1。
[0013]所述的步驟(I)中，所述的硅粉的粒度為-325目，Al粉粒度-400目。
[0014]所述的步驟(I)中，混合粉末中硅粉的質(zhì)量含量為1% -95 %。
[0015]所述的步驟(2)中，所述的包套的材料為純鋁或20#碳鋼。
[0016]當(dāng)混合粉末中娃粉的質(zhì)量含量小于等于50 %時(shí)，包套選用純招包套。
[00?7]當(dāng)混合粉末中娃粉的質(zhì)量含量大于50 %時(shí)，包套選用20#碳鋼包套。
[0018]所述的步驟(2)中，所述的包套硅的結(jié)構(gòu)采用折彎兩拼結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)為一帶有兩個(gè)凸面的六面體，六面體的四個(gè)側(cè)面由兩個(gè)成“Z”字形且一體成型的板材拼接而成，兩個(gè)“Z”字形板材分別記為A板材和B板材；
[0019]A板材包括一個(gè)長的橫面、一個(gè)短的橫面和一個(gè)豎面，所述的長的橫面與豎面垂直，所述的短的橫面與豎面垂直；
[0020]B板材包括一個(gè)長的橫面、一個(gè)短的橫面和一個(gè)豎面，所述的長的橫面與豎面垂直，所述的短的橫面與豎面垂直，
[0021]A板材的長的橫面構(gòu)成六面體的一個(gè)側(cè)面a，B板材的長的橫面構(gòu)成六面體的一個(gè)側(cè)面b，A板材的豎面為六面體的一個(gè)側(cè)面c，B板材的豎面為六面體的一個(gè)側(cè)面d，A板材的長的橫面與B板材短的橫面形成六面體的一個(gè)凸面m，A板材的短的橫面與B板材長的橫面形成六面體的另一個(gè)凸面η;六面體的上表面由上端蓋組成，六面體的下表面由下端蓋組成;A板材的長的橫面與B板材短的橫面進(jìn)行焊接連接，A板材的短的橫面與B板材長的橫面進(jìn)行焊接連接，上表面以及下表面與側(cè)面通過焊接連接。
[0022]所述折彎兩拼結(jié)構(gòu)包套的制備方法為:首先將所述包套材質(zhì)的板料折彎兩次制成包套主體，然后將兩個(gè)包套主體進(jìn)行拼接，將拼接后的包套主體沿短的折彎處焊接形成一個(gè)方形整體結(jié)構(gòu)，最后將上端蓋和下端蓋與包套主體形成的方形整體結(jié)構(gòu)焊接在一起制成所述包套。
[0023]所述的步驟(3)中，所述的真空熱除氣的工藝為最終除氣溫度300?600°C，最終真空度大于I X 10—3Pa,在此基礎(chǔ)上保溫30?300min。
[0024]所述的步驟(4)中，所述的熱等靜壓致密化處理工藝為壓制溫度400?1100°C，壓制壓力80?150MPa，保溫時(shí)間I?5h。
[0025]有益效果
[0026](I)本發(fā)明的目的在于提供一種電子封裝用高致密度、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)的硅鋁合金材料的制備方法;本發(fā)明制備的硅鋁合金材料合金成分比例范圍寬，Si含量為10?95wt %，Al為余量;致密度高，相對(duì)密度達(dá)到99.5 %以上、熱導(dǎo)率為100?180W/mK，熱膨脹系數(shù)為5?15X10—6/K，能夠滿足航空航天、微電子行業(yè)電子封裝的要求；
[0027](2)本發(fā)明通過選用特定的粒度配比，保證粉末預(yù)處理和裝填過程中具有較高的裝粉密度以及粉末均勻分布，為后續(xù)成型過程中具有良好的組織狀態(tài)和致密度打下基礎(chǔ)；本發(fā)明原料粉末硅粉的粒度為-325目，Al粉粒度-400目；粉末預(yù)處理工藝是將硅粉和鋁粉按照比例進(jìn)行混合球磨，具體工藝為球磨時(shí)間4?12h，球磨轉(zhuǎn)速100?200r/min，球料比為5:1?15:1。通過粉末粒度配比和預(yù)處理得到了成分均勻、無偏析的SiAl混合粉末；
[0028](3)本發(fā)明中硅鋁合金的包套結(jié)構(gòu)采用折彎兩拼結(jié)構(gòu)，此包套結(jié)構(gòu)既便于包套加工又保證了焊接可靠性;根據(jù)硅鋁合金的比例，合理選擇包套材質(zhì)；當(dāng)硅含量彡50wt%時(shí)，包套材質(zhì)選用純鋁包套；當(dāng)硅含量>50被％時(shí)，包套材質(zhì)選用20#碳鋼；
[0029](4)本發(fā)明的真空熱除氣工序是熱等靜壓工藝中的關(guān)鍵步驟，真空熱除氣溫度偏低，吸附性氣體無法抽出，會(huì)直接影響靶材最終成形和致密度;真空熱除氣溫度過高又會(huì)增加能源消耗和生產(chǎn)成本;本發(fā)明中真空熱除氣工藝為最終除氣溫度300?600°C，最終真空度大于I X 10—3Pa，在此基礎(chǔ)上保溫30?300min;整個(gè)除氣過程需用高真空手動(dòng)擋板閥進(jìn)行緩慢除氣，防止粉末抽出。
[0030](5)本發(fā)明的熱等靜壓是一種特殊的粉末燒結(jié)方式，在高溫高壓下，粉末的活性極大的增強(qiáng)，能在比燒結(jié)更低的溫度下完成材料的致密化過程;熱等靜壓溫度是熱等靜壓工藝的核心制度;熱等靜壓溫度過低，無法實(shí)現(xiàn)硅鋁粉末的致密化;熱等靜壓溫度過高會(huì)導(dǎo)致鋁相流動(dòng)性增加，由于鋁液和硅相的潤濕性較差，在熱等靜壓致密化時(shí)容易產(chǎn)生局部鋁偏析，從而造成硅鋁合金成分不均和微裂紋產(chǎn)生;根據(jù)硅鋁合金的成分比例不同，本發(fā)明中選擇的熱等靜壓的工藝為壓制溫度400?1100 °C，壓力80?150MPa，保溫時(shí)間I?5h;
[0031](6)與熔鑄法相比，本發(fā)明的方法可制備高硅含量(Si含量>30wt%)、成分均勻、晶粒細(xì)小、性能優(yōu)良的硅鋁合金;與噴射沉積法相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了直接熱等靜壓致密化，縮短了生產(chǎn)流程，降低了生產(chǎn)成本；目前噴射沉積法制備的硅鋁合金中Si含量最大為70wt%，而本發(fā)明可制備Si含量為95wt%的娃招合金，拓展了娃招合金的應(yīng)用范圍。與熱壓燒結(jié)法相比，本發(fā)明可在更低的壓制溫度下實(shí)現(xiàn)硅鋁合金的致密化，同時(shí)晶粒更加細(xì)小，致密度和氣密性更加優(yōu)良，而且熱等靜壓可實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，有效降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。
[0032](7)本發(fā)明提供了一種電子封裝用高致密度、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)的硅鋁合金的制備方法。該方法是以硅粉和鋁粉為原料，原料粉末經(jīng)過混合球磨預(yù)處理后裝粉入包套，然后真空熱除氣，在熱等靜壓機(jī)中壓制成形，隨后進(jìn)行機(jī)械加工制成成品。本發(fā)明制備的硅鋁合金具有以下優(yōu)點(diǎn):合金成分比例范圍寬，Si含量為10?95wt%，Al為余量;致密度高，相對(duì)密度達(dá)到99.5%以上、熱導(dǎo)率為100?180W/mK，熱膨脹系數(shù)為5?15X 10—6/K，能夠滿足航空航天、微電子行業(yè)電子封裝的要求。
【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明的電子封裝用硅鋁合金的包套結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]—種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，步驟為:
[0035](I)對(duì)硅粉和鋁粉的混合粉末進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理過程為:將硅粉和鋁粉按照比例進(jìn)行混合球磨，具體工藝為球磨時(shí)間4?12h，球磨轉(zhuǎn)速100?200r/min，球料比為5:1?15:1;所述的硅粉的粒度為-325目，Al粉粒度-400目；混合粉末中硅粉的質(zhì)量含量為10%-95% ；
[0036](2)將步驟(I)中經(jīng)過預(yù)處理后的混合粉末裝入包套中；所述的包套的材料為純鋁或20#碳鋼，當(dāng)混合粉末中娃粉的質(zhì)量含量小于等于50%時(shí)，包套選用純招包套，當(dāng)混合粉末中娃粉的質(zhì)量含量大于50%時(shí)，包套選用20#碳鋼包套；
[0037]如圖1所示，所述的包套硅的結(jié)構(gòu)采用折彎兩拼結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)為一帶有兩個(gè)凸面的六面體，六面體的四個(gè)側(cè)面由兩個(gè)成“Z”字形且一體成型的板材拼接而成，兩個(gè)“Z”字形板材分別記為A板材和B板材；
[0038]A板材包括一個(gè)長的橫面、一個(gè)短的橫面和一個(gè)豎面，所述的長的橫面與豎面垂直，所述的短的橫面與豎面垂直；
[0039]B板材包括一個(gè)長的橫面、一個(gè)短的橫面和一個(gè)豎面，所述的長的橫面與豎面垂直，所述的短的橫面與豎面垂直，
[0040]A板材的長的橫面構(gòu)成六面體的一個(gè)側(cè)面a，B板材的長的橫面構(gòu)成六面體的一個(gè)側(cè)面b，A板材的豎面為六面體的一個(gè)側(cè)面c，B板材的豎面為六面體的一個(gè)側(cè)面d，A板材的長的橫面與B板材短的橫面形成六面體的一個(gè)凸面m，A板材的短的橫面與B板材長的橫面形成六面體的另一個(gè)凸面η;六面體的上表面由上端蓋組成，六面體的下表面由下端蓋組成;A板材的長的橫面與B板材短的橫面進(jìn)行焊接連接，A板材的短的橫面與B板材長的橫面進(jìn)行焊接連接，上表面以及下表面與側(cè)面通過焊接連接。
[0041]所述折彎兩拼結(jié)構(gòu)包套的制備方法為:首先將所述包套材質(zhì)的板料折彎兩次制成包套主體，然后將兩個(gè)包套主體進(jìn)行拼接，將拼接后的包套主體沿短的折彎處焊接形成一個(gè)方形整體結(jié)構(gòu)，最后將上端蓋和下端蓋與包套主體形成的方形整體結(jié)構(gòu)焊接在一起制成所述包套。
[0042](3)將步驟(2)裝有混合粉末的包套進(jìn)行真空熱除氣;所述的真空熱除氣的工藝為最終除氣溫度300?600°C，最終真空度大于I X 10—3Pa，在此基礎(chǔ)上保溫30?300min;整個(gè)除氣過程用高真空手動(dòng)擋板閥進(jìn)行緩慢除氣，防止粉末抽出；
[0043](4)將步驟(3)真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理，得到壓制成形產(chǎn)品，所述的熱等靜壓致密化處理工藝為壓制溫度400?1100°C，壓制壓力80?150MPa，保溫時(shí)間I?5h;
[0044](5)將步驟(4)壓制成形產(chǎn)品進(jìn)行機(jī)械加工制成成品。
[0045]以下將通過具體實(shí)施例更進(jìn)一步地描述本發(fā)明，但不限于此。
[0046]實(shí)施例1
[0047]按照成分比例Si30A170，wt^^#硅粉和鋁粉球磨混合，球磨工藝是球磨時(shí)間10h，球磨轉(zhuǎn)速120r/min，球料比為8:1。將混合后的粉末裝粉進(jìn)入包套內(nèi)，包套材料為純鋁，焊接后進(jìn)行真空熱除氣。真空熱除氣工藝為最終除氣溫度450°C，最終真空度大于I X 10—3Pa,在此基礎(chǔ)上保溫180min。將真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理。熱等靜壓的工藝參數(shù)為:溫度500 0C，壓力140MPa，保溫時(shí)間3h。經(jīng)過測試，硅鋁合金的相對(duì)密度為99.86%,熱導(dǎo)率為165W/mK，熱膨脹系數(shù)為14X10—VK。
[0048]實(shí)施例2
[0049]按照成分比例Si50A150，wt^^#硅粉和鋁粉球磨混合，球磨工藝是球磨時(shí)間6h，球磨轉(zhuǎn)速160r/min，球料比為6:1。將混合后的粉末裝粉進(jìn)入包套內(nèi)，包套材料為純鋁，焊接后進(jìn)行真空熱除氣。真空熱除氣工藝為最終除氣溫度500°C，最終真空度大于I X 10—3Pa,在此基礎(chǔ)上保溫lOOmin。將真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理。熱等靜壓的工藝參數(shù)為:溫度6000C，壓力120MPa，保溫時(shí)間2h。經(jīng)過測試，硅鋁合金的相對(duì)密度為99.78%，熱導(dǎo)率為152W/mK，熱膨脹系數(shù)為9.7X10—VK。
[0050]實(shí)施例3
[0051 ] 按照成分比例Si70A130，wt^^#硅粉和鋁粉球磨混合，球磨工藝是球磨時(shí)間8h，球磨轉(zhuǎn)速150r/min，球料比為9:1。將混合后的粉末裝粉進(jìn)入包套內(nèi)，包套材料為20#碳鋼，焊接后進(jìn)行真空熱除氣。真空熱除氣工藝為最終除氣溫度650°C，最終真空度大于I X 10—3Pa，在此基礎(chǔ)上保溫150min。將真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理。熱等靜壓的工藝參數(shù)為:溫度800 °C，壓力150MPa，保溫時(shí)間Ih。經(jīng)過測試，硅鋁合金的相對(duì)密度為99.69 %，熱導(dǎo)率為130W/mK，熱膨脹系數(shù)為7.2 X 10—6/K。
[0052]實(shí)施例4
[0053]按照成分比例519(^110，《丨％將硅粉和鋁粉球磨混合，球磨工藝是球磨時(shí)間1211，球磨轉(zhuǎn)速180r/min，球料比為12:1。將混合后的粉末裝粉進(jìn)入包套內(nèi)，包套材料為20#碳鋼，焊接后進(jìn)行真空熱除氣。真空熱除氣工藝為最終除氣溫度750°C，最終真空度大于I X 10—3Pa,在此基礎(chǔ)上保溫240min。將真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理。熱等靜壓的工藝參數(shù)為:溫度950 0C，壓力90MPa，保溫時(shí)間1.5h。經(jīng)過測試，硅鋁合金的相對(duì)密度為99.63%,熱導(dǎo)率為108W/mK，熱膨脹系數(shù)為6.4 X 10—6/K。
[0054]以上通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，并不是用來限定本發(fā)明。本發(fā)明說明書中未作詳細(xì)描述內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知技術(shù)。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)，都可以對(duì)本發(fā)明做出變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)，在此基礎(chǔ)上所作的任何簡單修改和變化均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于步驟為: (1)對(duì)硅粉和鋁粉的混合粉末進(jìn)行預(yù)處理； (2)將步驟(I)中經(jīng)過預(yù)處理后的混合粉末裝入包套中； (3)將步驟(2)裝有混合粉末的包套進(jìn)行真空熱除氣； (4)將步驟(3)真空熱除氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓致密化處理，得到壓制成形產(chǎn)品； (5)將步驟(4)壓制成形產(chǎn)品進(jìn)行機(jī)械加工制成成品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(I)中，預(yù)處理過程為:將硅粉和鋁粉按照比例進(jìn)行混合球磨，具體工藝為球磨時(shí)間4?1211，球磨轉(zhuǎn)速100?20(^/111丨11，球料比為5:1?15:1。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(I)中，所述的硅粉的粒度為-325目，Al粉粒度-400目。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(I)中，混合粉末中硅粉的質(zhì)量含量為1 % -95 %。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(2)中，所述的包套的材料為純鋁或20#碳鋼。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:當(dāng)混合粉末中娃粉的質(zhì)量含量小于等于50 %時(shí)，包套選用純招包套，當(dāng)混合粉末中娃粉的質(zhì)量含量大于50 %時(shí)，包套選用20#碳鋼包套。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(2)中，所述的包套硅的結(jié)構(gòu)采用折彎兩拼結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)為一帶有兩個(gè)凸面的六面體，六面體的四個(gè)側(cè)面由兩個(gè)成“Z”字形且一體成型的板材拼接而成，兩個(gè)“Z”字形板材分別記為A板材和B板材； A板材包括一個(gè)長的橫面、一個(gè)短的橫面和一個(gè)豎面，所述的長的橫面與豎面垂直，所述的短的橫面與豎面垂直； B板材包括一個(gè)長的橫面、一個(gè)短的橫面和一個(gè)豎面，所述的長的橫面與豎面垂直，所述的短的橫面與豎面垂直， A板材的長的橫面構(gòu)成六面體的一個(gè)側(cè)面a，B板材的長的橫面構(gòu)成六面體的一個(gè)側(cè)面b，A板材的豎面為六面體的一個(gè)側(cè)面c，B板材的豎面為六面體的一個(gè)側(cè)面d，A板材的長的橫面與B板材短的橫面形成六面體的一個(gè)凸面m，A板材的短的橫面與B板材長的橫面形成六面體的另一個(gè)凸面η;六面體的上表面由上端蓋組成，六面體的下表面由下端蓋組成;A板材的長的橫面與B板材短的橫面進(jìn)行焊接連接，A板材的短的橫面與B板材長的橫面進(jìn)行焊接連接，上表面以及下表面與側(cè)面通過焊接連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述折彎兩拼結(jié)構(gòu)包套的制備方法為:首先將所述包套材質(zhì)的板料折彎兩次制成包套主體，然后將兩個(gè)包套主體進(jìn)行拼接，將拼接后的包套主體沿短的折彎處焊接形成一個(gè)方形整體結(jié)構(gòu)，最后將上端蓋和下端蓋與包套主體形成的方形整體結(jié)構(gòu)焊接在一起制成所述包套。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(3)中，所述的真空熱除氣的工藝為最終除氣溫度300?600°C，最終真空度大于I X 10—3Pa，在此基礎(chǔ)上保溫30?300min。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子封裝用硅鋁合金的制備方法，其特征在于:所述的步驟(4)中，所述的熱等靜壓致密化處理工藝為壓制溫度400?1100°C，壓制壓力80?150MPa，保溫時(shí)間I?5h。
【文檔編號(hào)】C22C30/00GK106086494SQ201610402544
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月8日
【發(fā)明人】崔子振, 謝飛, 石剛, 續(xù)秋玉
【申請(qǐng)人】航天材料及工藝研究所, 中國運(yùn)載火箭技術(shù)研究院