一種過(guò)濾藍(lán)光防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種過(guò)濾藍(lán)光防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前手機(jī)屏幕發(fā)出的藍(lán)光、電磁波、自由電子它們均會(huì)對(duì)眼睛造成傷害，為了保護(hù)眼睛，必須加以過(guò)濾，而目前過(guò)濾手機(jī)屏幕藍(lán)光的方法是在手機(jī)屏幕表面貼一層保護(hù)膜，手機(jī)屏幕貼膜以后，透光率往往會(huì)下降，所貼的膜容易產(chǎn)生劃痕影響視覺(jué)效果，對(duì)過(guò)濾藍(lán)光效果依然不夠理想。另外，保護(hù)膜耐磨性差，容易刮花，影響視覺(jué)效果。因此，在市場(chǎng)上出現(xiàn)了一種用于過(guò)濾藍(lán)光的手機(jī)屏幕蓋板。然而現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板在使用過(guò)程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，手機(jī)屏幕蓋板的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。另外，由于現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板不具有防強(qiáng)光的功能，因此手機(jī)在在使用過(guò)程中，手機(jī)屏幕發(fā)出的強(qiáng)光也會(huì)給人體造成傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種過(guò)濾藍(lán)光防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法，該方法制造出來(lái)的手機(jī)蓋板具有防止有害藍(lán)光和強(qiáng)光對(duì)人體的傷害，而且具有高耐磨性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種過(guò)濾藍(lán)光防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板，包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層和第五膜層，所述第一膜層為五氧化三鈦層，第一膜層的厚度為1-1OOnm;所述第二膜層為二氧化硅層，第二膜層的厚度為50-100nm;所述第三膜層為金屬層，第三膜層的厚度為5-20nm;所述第四膜層為高反射物質(zhì)層，第四膜層的厚度為10-50nm;所述第五膜層為高硬度層，第五膜層的厚度為10-50nmo
[0005]所述金屬層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅或鎳，并由電子槍蒸鍍成型。
[0006]所述金屬層的膜材為金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，并由電子槍蒸鍍成型。
[0007]所述高反射物質(zhì)層的膜材為鉻或銀，并由電子槍蒸鍍成型
所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0008]所述基板為樹脂或玻璃成型。
[0009]所述手機(jī)蓋板的基板為樹脂成型時(shí)，所述手機(jī)蓋板的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0X 10-3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-1 OOnm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S，第三膜層最終形成后的厚度為5_20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第四膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第四膜層的膜材為鉻或銀，形成高反射物質(zhì)層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為7A/S，第五膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第五膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
[0010]所述步驟I)中，對(duì)基板外表面的清洗具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。
[0011 ]所述手機(jī)蓋板的基板為玻璃成型時(shí)，所述手機(jī)蓋板的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0X 10-3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為lO-lOOnm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S，第三膜層最終形成后的厚度為5-20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第四膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第四膜層的膜材為鉻或銀，形成高反射物質(zhì)層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為7A/S，第五膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第五膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
[0012]所述步驟I)中，對(duì)基板外表面的清洗具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面5-10分鐘。
[0013]本發(fā)明采用電子束真空蒸鍍的原理，利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被鍍膜的基板制成的電極，并通過(guò)電子槍高溫轟擊單質(zhì)存在的高純度金屬、金屬合金或其它氧化物，蒸發(fā)出來(lái)的納米分子使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到基板并最終在基板上沉積成膜的方法。本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)結(jié)合利用磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡，以此改進(jìn)鍍膜的工藝，使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的膜層致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度高。<