一種過(guò)濾藍(lán)光防水油污的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種過(guò)濾藍(lán)光防水油污的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代生活手機(jī)的普遍使用，而且人們的生活越來(lái)越離不開(kāi)手機(jī)，有很多人經(jīng)常性的使用手機(jī)帶來(lái)的結(jié)果是眼睛出現(xiàn)酸澀、疼痛、流淚等不舒服癥狀，更嚴(yán)重的出現(xiàn)視力下降，這些不舒服的癥狀是因?yàn)檠劬﹂L(zhǎng)時(shí)間對(duì)手機(jī)屏幕，由手機(jī)屏幕所散發(fā)出來(lái)的有害光線所致，手機(jī)屏幕發(fā)出的光是眼睛的大敵，普遍手機(jī)屏幕供應(yīng)商為了體現(xiàn)手機(jī)屏幕的色彩對(duì)比度及飽和度，會(huì)提高手機(jī)屏幕背后的燈光亮度，這樣會(huì)使屏幕表面像裝了一片玻璃一樣顯得有質(zhì)感，提高了清晰度，同樣它也會(huì)像玻璃一樣反射光線，但光線照向屏幕時(shí)會(huì)增加光線反射，尤其是晚上的時(shí)候消費(fèi)者在使用手機(jī)時(shí)，LED燈光照向手機(jī)屏幕會(huì)增加光線反射，這樣很容易被這些光線傷害到眼睛，并產(chǎn)生視覺(jué)疲勞的癥狀，慢慢的會(huì)引起視力下降和頭痛的健康問(wèn)題，手機(jī)屏幕產(chǎn)生的“不舒服的光”持續(xù)照射我們的眼睛還會(huì)引起視覺(jué)系統(tǒng)失調(diào)，手機(jī)屏幕發(fā)出的光讓我們眼睛不舒服是因?yàn)檫@些光線里面含有大量不規(guī)則頻率的高能短波藍(lán)光，這些短波藍(lán)光具有能量能穿透我們的眼球晶體直達(dá)視網(wǎng)膜，短波藍(lán)光持續(xù)照射視網(wǎng)膜會(huì)產(chǎn)生大量自由基離子，這些自由基離子會(huì)使得視網(wǎng)膜的色素上皮細(xì)胞衰亡，上皮細(xì)胞的衰會(huì)使感光細(xì)胞缺少養(yǎng)分而引起視力損傷;這些短波藍(lán)光也是引起黃斑部病變的主要起因，我們每天長(zhǎng)時(shí)間面對(duì)手機(jī)屏幕產(chǎn)生的藍(lán)光刺激，殊不知藍(lán)光波長(zhǎng)短能量高，易引起眼睛視覺(jué)上的干澀、畏光、疲勞等早發(fā)性白內(nèi)障、自發(fā)性黃斑部病變。藍(lán)光約占可見(jiàn)光的50?60%，而藍(lán)光也是引起黃斑部病變的主要原因之一，嚴(yán)重可能導(dǎo)致失明。藍(lán)光會(huì)刺激視網(wǎng)膜產(chǎn)生大量自由基離子，使得視網(wǎng)膜色素上皮的萎縮，再引起光敏感細(xì)胞的衰亡，這是因?yàn)槲覀兯幍氖切畔r(shí)代，人們的工作與學(xué)習(xí)都離不開(kāi)手機(jī)，面對(duì)手機(jī)屏幕的時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)，用眼的頻率也越來(lái)越高。眼睛開(kāi)始酸澀、疼痛、流淚，它凄切的告訴我們:我們的眼睛已經(jīng)受到了傷害，需要在使用手機(jī)時(shí)得到保護(hù)。目前手機(jī)屏幕發(fā)出的藍(lán)光、電磁波、自由電子它們均會(huì)對(duì)眼睛造成傷害，為了保護(hù)眼睛，必須加以過(guò)濾，而目前過(guò)濾手機(jī)屏幕藍(lán)光的方法是在手機(jī)屏幕表面貼一層保護(hù)膜，手機(jī)屏幕貼膜以后，透光率往往會(huì)下降，所貼的膜容易產(chǎn)生劃痕影響視覺(jué)效果，對(duì)過(guò)濾藍(lán)光效果依然不夠理想。另外，保護(hù)膜耐磨性差，容易刮花，影響視覺(jué)效果。
[0003]此外，人們的手觸摸到手機(jī)屏幕上時(shí)，手上的油污和水漬很容易在手機(jī)屏幕上留下痕跡，這些痕跡又很不容易擦除掉，這樣就會(huì)影響使用者觀察事物的效果，給使用者帶來(lái)不便。而且經(jīng)常性的擦拭手機(jī)屏幕又很容易將手機(jī)屏幕刮花。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種過(guò)濾藍(lán)光防水油污的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法，該方法制造出來(lái)的手機(jī)蓋板能夠防止有害藍(lán)光對(duì)人體的傷害，而且具有高耐磨性和防水油污的功能。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種過(guò)濾藍(lán)光防水油污的耐磨手機(jī)蓋板，包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層和第五膜層，所述第一膜層為五氧化三鈦層，第一膜層的厚度為1-1OOnm;所述第二膜層為二氧化硅層，第二膜層的厚度為50-100nm;第三膜層為金屬層，第三膜層的厚度為5_20nm;所述第四膜層為高硬度層，該第四膜層的厚度為10-50mm;所述第五膜層為氟化物層，第五膜層的厚度為3-10mm。
[0006]所述金屬層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅或鎳，并由電子槍蒸鍍成型。
[0007]所述金屬層為金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，并由電子槍蒸鍍成型。
[0008]所述高硬度層為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0009]所述氟化物層的膜材為氟化鎂，并由電阻蒸鍍成型。
[0010]所述基板為樹(shù)脂或玻璃成型。
[0011 ]所述手機(jī)蓋板的基板為樹(shù)脂成型時(shí)，該過(guò)濾藍(lán)光防水油污的耐磨手機(jī)蓋板的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-1 OOnm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S，第三膜層最終形成后的厚度為5_20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層。
[0012]D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第四膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層； E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電阻加熱第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第五膜層最終形成后的厚度為3-10nm，其中第五膜層的膜材為氟化物，形成氟化物層。
[0013]所述步驟I)中，對(duì)基板外表面清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。
[0014]所述手機(jī)蓋板的基板為玻璃成型時(shí)，該過(guò)濾藍(lán)光防水油污的耐磨手機(jī)蓋板的所述制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為lO-lOOnm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S，第三膜層最終形成后的厚度為5-20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X