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玻璃基板的制造方法和磁盤(pán)的制造方法以及玻璃基板用研磨液組合物的制作方法

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玻璃基板的制造方法和磁盤(pán)的制造方法以及玻璃基板用研磨液組合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及玻璃基板的制造方法和磁盤(pán)的制造方法以及玻璃基板用研磨液組合 物,該制造方法應(yīng)用于制造搭載于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(下文中簡(jiǎn)稱(chēng)為"HDD")等磁記錄裝置的磁盤(pán) 中所用的磁盤(pán)用玻璃基板和掩模坯料用玻璃基板(利用光刻法的LSI等半導(dǎo)體裝置制造中 使用的光掩模制造的原板)。
【背景技術(shù)】
[0002] 磁盤(pán)是搭載于HDD等磁記錄裝置的信息記錄介質(zhì)之一。磁盤(pán)通過(guò)在基板上形成磁 性層等薄膜而構(gòu)成,作為該基板,過(guò)去一直使用鋁基板。但是,最近,對(duì)應(yīng)于高記錄密度化的 要求,與鋁基板相比可使磁頭與磁盤(pán)之間的間隔更窄的玻璃基板所占的比例逐漸升高。另 外,為了使磁頭的懸浮高度盡量下降,對(duì)玻璃基板表面高精度地進(jìn)行研磨,從而實(shí)現(xiàn)了高記 錄密度化。近年來(lái),對(duì)HDD的進(jìn)一步大記錄容量化和低價(jià)格化的要求日益提高,為了實(shí)現(xiàn)該 目的,磁盤(pán)用玻璃基板也需要進(jìn)一步的高品質(zhì)化、低成本化。
[0003] 為了實(shí)現(xiàn)如上所述高記錄密度化所需要的低飛行高度(懸浮量),磁盤(pán)表面的高 平滑性是必不可缺的。為了得到磁盤(pán)表面的高平滑性,結(jié)果是要求具有高平滑性的基板表 面,因此需要高精度地對(duì)玻璃基板表面進(jìn)行研磨。
[0004] 現(xiàn)有的玻璃基板的研磨方法是一邊供給含有氧化鈰或膠態(tài)二氧化硅等金屬氧化 物的研磨材料的漿料(研磨液),一邊使用聚氨酯等研磨材料的研磨墊來(lái)進(jìn)行研磨。具有高 平滑性的玻璃基板例如可以在利用氧化鈰系研磨材料進(jìn)行研磨后,進(jìn)一步通過(guò)使用了膠態(tài) 二氧化硅磨粒的精研磨(鏡面研磨)來(lái)得到。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0007] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2011-136402號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明所要解決的問(wèn)題
[0009] 對(duì)于現(xiàn)在的HDD而言,例如,在2. 5英寸型(直徑65mm)的磁盤(pán)中每一張磁盤(pán)能夠 容納320千兆字節(jié)程度的信息,但要求實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的高記錄密度化、例如750千兆字節(jié)、進(jìn) 而1太字節(jié)。伴隨著這種近年來(lái)的HDD的大容量化的要求,提高基板表面品質(zhì)的要求變得 比迄今為止更加嚴(yán)格。對(duì)于用于上述那樣的例如750千兆字節(jié)的磁盤(pán)的下一代基板而言, 由于基板對(duì)HDD的可靠性所產(chǎn)生的影響變大,因此在基板表面的粗糙度方面也要求對(duì)現(xiàn)有 產(chǎn)品進(jìn)行進(jìn)一步的改善。
[0010] 在下一代基板中,基板對(duì)HDD的可靠性所產(chǎn)生的影響變大是基于下述理由。
[0011] 其理由可以舉出磁頭的懸浮量(磁頭與介質(zhì)(磁盤(pán))表面的間隙)的大幅降 低(低懸浮量化)。由此,磁頭與介質(zhì)的磁性層的距離接近,因此能夠在更小的區(qū)域內(nèi)記 入信號(hào)且拾取更小的磁性顆粒的信號(hào),從而能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化。近年來(lái),磁頭搭載有 DFH(Dynamic Flying Height,動(dòng)態(tài)飛行高度)控制這樣的功能。該功能并不是降低滑塊的 懸浮量,而是利用內(nèi)置于磁頭的記錄再生元件部附近的加熱器等加熱部的熱膨脹,僅使記 錄再生元件部向介質(zhì)表面方向突出(接近)。在這種情況下,為了實(shí)現(xiàn)磁頭的低懸浮量化, 需要玻璃基板表面的更進(jìn)一步的平滑性。
[0012] 在現(xiàn)有技術(shù)中,作為使玻璃基板主表面的粗糙度降低的方法,熟知有使研磨工序 中使用的研磨磨粒的粒徑微細(xì)化的方法。
[0013] 但是,根據(jù)本發(fā)明人的研究,例如在現(xiàn)有的精研磨中使用的膠態(tài)二氧化硅磨粒的 情況下,即使使用例如平均粒徑為IOnm以下的磨粒,也無(wú)法觀察到研磨后的玻璃表面的粗 糙度下降的傾向。推測(cè)可能是因?yàn)椋心r(shí),研磨磨粒介于玻璃表面與研磨墊之間,但由于 研磨墊在規(guī)定負(fù)荷的作用下壓接于玻璃表面,因此微小的磨粒陷入研磨墊的內(nèi)部,有助于 研磨的突出量減少,磨削量明顯下降,從而無(wú)法發(fā)揮由研磨帶來(lái)的表面粗糙度的降低效果。
[0014] 需要說(shuō)明的是,在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了通過(guò)使用有機(jī)系顆粒和具有與該有機(jī) 系顆粒同等或更大的尺寸的無(wú)機(jī)顆粒的復(fù)合顆粒(異相凝聚物)作為研磨磨粒來(lái)抑制刮痕 的產(chǎn)生。
[0015] 但是,認(rèn)為在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的研磨磨粒中,例如二氧化硅顆粒等無(wú)機(jī)顆 粒實(shí)質(zhì)上發(fā)揮了對(duì)玻璃的磨削作用,即使使用這種研磨磨粒進(jìn)行研磨加工,也難以根本性 地解決現(xiàn)有問(wèn)題。例如,在研磨處理中,二氧化硅顆粒從復(fù)合顆粒脫離,由此產(chǎn)生與單獨(dú)使 用二氧化硅進(jìn)行研磨時(shí)同樣的現(xiàn)象。
[0016] 簡(jiǎn)言之,在以制造用于例如750千兆字節(jié)的磁盤(pán)的下一代基板為目標(biāo)的情況下, 在基板表面的粗糙度方面也要求對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行進(jìn)一步的改善,例如要求表面粗糙度Ra 為0.1 nm以下時(shí),基于現(xiàn)有技術(shù)的粗糙度改善方法存在極限,無(wú)論如何也難以開(kāi)發(fā)出如上 所述的下一代基板。
[0017] 另外,在利用光刻法的LSI等半導(dǎo)體裝置的制造中使用了光掩模,為了實(shí)現(xiàn)向半 導(dǎo)體基板上的高精細(xì)的圖案轉(zhuǎn)印,對(duì)于該光掩模的制造中使用的掩模坯料用玻璃基板,也 要求在基板表面的粗糙度方面的進(jìn)一步改善。
[0018] 因此,本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有課題而完成的,其目的在于,第一,提供能夠使 玻璃基板主表面的表面粗糙度比現(xiàn)有水平降低的、例如磁盤(pán)用的高品質(zhì)的玻璃基板的制造 方法;第二,提供使用了上述玻璃基板的磁盤(pán)制造方法;第三,提供能夠應(yīng)用于上述玻璃基 板的制造方法的玻璃基板用研磨液組合物。
[0019] 用于解決問(wèn)題的手段
[0020] 因此,本發(fā)明人為了得到使表面粗糙度比現(xiàn)有水平進(jìn)一步降低的玻璃基板,對(duì)通 過(guò)研磨工序使玻璃基板的表面粗糙度降低、并且在研磨后的清洗工序中不會(huì)使玻璃基板的 表面粗糙度上升的方法進(jìn)行了研究。該研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過(guò)使用有機(jī)系顆粒作為研磨磨 粒,能夠解決上述課題。
[0021] 即認(rèn)為,通過(guò)使用硬度低于玻璃的有機(jī)系顆粒作為研磨磨粒,在負(fù)荷下的研磨工 序中可在不會(huì)在玻璃表面形成加工變質(zhì)層的情況下進(jìn)行研磨,因此能夠降低研磨后的玻璃 基板表面的粗糙度,而且發(fā)現(xiàn),通過(guò)選擇對(duì)玻璃不具有腐蝕作用的清洗液,能夠抑制清洗后 的玻璃基板表面的粗糙度上升,其結(jié)果,能夠?qū)崿F(xiàn)下一代基板所要求的例如〇. Inm以下的 表面粗糙度Ra。
[0022] 基于上述見(jiàn)解,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn),根據(jù)以下構(gòu)成的發(fā)明,能夠解決上述課題,從而完 成了本發(fā)明。
[0023] 即,本發(fā)明為了達(dá)成上述目的而具有以下構(gòu)成。
[0024] (構(gòu)成 1)
[0025] -種玻璃基板的制造方法,其包括對(duì)玻璃基板的主表面進(jìn)行鏡面研磨的研磨處 理,其特征在于,使用含有有機(jī)系顆粒作為研磨磨粒的研磨液,對(duì)玻璃基板的主表面進(jìn)行鏡 面研磨。
[0026] (構(gòu)成 2)
[0027] 如構(gòu)成1所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,上述有機(jī)系顆粒由苯乙烯系 樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂或聚氨酯系樹(shù)脂構(gòu)成。
[0028] (構(gòu)成 3)
[0029] 如構(gòu)成1或2所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,上述有機(jī)系顆粒的粒徑為 0· 5 μ m~60 μ m的范圍。
[0030] (構(gòu)成 4)
[0031] 如構(gòu)成1~3中任一項(xiàng)所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,在使用含有二氧 化硅磨粒作為研磨磨粒的研磨液對(duì)玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨之后,使用含有上述有機(jī)系 顆粒作為研磨磨粒的研磨液對(duì)玻璃基板的主表面進(jìn)行鏡面研磨。
[0032] (構(gòu)成 5)
[0033] 如構(gòu)成1~4中任一項(xiàng)所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,使用含有上述有 機(jī)系顆粒作為研磨磨粒的研磨液進(jìn)行鏡面研磨之前的玻璃基板主表面的粗糙度以算術(shù)平 均粗糙度Ra計(jì)為0. 3nm以下。
[0034] (構(gòu)成 6)
[0035] 如構(gòu)成1~5中任一項(xiàng)所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,在使用含有上述 有機(jī)系顆粒作為研磨磨粒的研磨液對(duì)玻璃基板的主表面進(jìn)行鏡面研磨之后,使用醇系清洗 劑對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗。
[0036] (構(gòu)成 7)
[0037] 如構(gòu)成1~6中任一項(xiàng)所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,上述玻璃基板為 磁盤(pán)用玻璃基板。
[0038] (構(gòu)成 8)
[0039] 如構(gòu)成1~6中任一項(xiàng)所述的玻璃基板的制造方法,其特征在于,上述玻璃基板為 掩模坯料用玻璃基板。
[0040] (構(gòu)成 9)
[0041] 一種磁盤(pán)的制造方法,其特征在于,在通過(guò)構(gòu)成7所述的制造方法得到的磁盤(pán)用 玻璃基板上至少形成磁性層。
[0042]
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