專利名稱：襯底化學(xué)腐蝕的方法
本申請(qǐng)是1995年2月24日遞交的名稱為“襯底化學(xué)腐蝕的設(shè)備與方法”的第95102155.9號(hào)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
本發(fā)明一般涉及到諸如銅箔包覆印刷電路板之類的銅箔包覆襯底的化學(xué)腐蝕設(shè)備及其相應(yīng)的方法。
諸如銅箔之類的金屬導(dǎo)電薄箔在于印刷電路板上制造印刷布線電路的過程中起著重要的作用。亦即，此種印刷布線電路通常是借助于把銅薄箔附著(例如疊層)到印刷電路板襯底的方法來制作的。然后對(duì)銅薄箔進(jìn)行例如選擇性腐蝕以形成所需的電路圖形。其方法是首先在銅箔上形成一個(gè)圖形化的光抗蝕劑，然后用此圖形化的光抗蝕劑作為掩模對(duì)銅箔進(jìn)行腐蝕?；蛘撸眠x擇性沉積一個(gè)額外的銅于銅箔上的方法來形成一個(gè)電路圖形。在這一變通方法中，銅箔上首先也形成一個(gè)圖形化光抗蝕劑。然后在銅箔上選擇性地沉積(例如電鍍)額外的銅，銅箔中的銅箔或沉積了銅的那些部分接著被腐蝕掉不用。
不管是采用選擇性腐蝕還是采用選擇性沉積，上述的銅箔要盡可能薄這一點(diǎn)常常都是很重要的。例如，若采用選擇性腐蝕，則銅箔越薄，腐蝕后的銅箔就與圖形化光抗蝕劑越一致。另一方面，若采用選擇性沉積(其中銅薄箔最終要腐蝕掉)，則銅箔的腐蝕不應(yīng)使相應(yīng)的電路圖形受到損傷或變壞這一點(diǎn)是很重要的，而若銅箔極薄則更容易做到這一點(diǎn)。
近來，厚度小到12μm的銅箔已被用來制作印刷布線電路。但印刷電路板工業(yè)中強(qiáng)烈要求采用更薄的銅箔(例如厚度為9μm、5μm甚至3μm的銅箔)。
為了在印刷電路板襯底上制作厚度等于或小于9μm的銅箔，已進(jìn)行了各種嘗試。其中有一些是把銅直接濺射到襯底上。不幸的是濺射工藝產(chǎn)生的熱量太多以致使相應(yīng)的襯底遭到破壞、變形或不希望有的改變。
另一些制作極薄銅箔的嘗試涉及到對(duì)襯底進(jìn)行化學(xué)處理然后把極薄的銅箔化學(xué)沉積到處理過的襯底上。這些嘗試證明對(duì)導(dǎo)致在沉積得到的銅中出現(xiàn)針孔的沾污很敏感。這種針孔由于能夠并且確實(shí)會(huì)使相應(yīng)的印刷電路板的電氣性能變壞，因而是不希望有的。
值得注意的是，1990年4月17日授予K.Ishizuka等人的美國專利4,917,758描述了在襯底上制作極薄銅箔的一種很新的方法。其中，用噴射型腐蝕機(jī)對(duì)帶有相當(dāng)厚的銅箔的襯底進(jìn)行化學(xué)腐蝕以便減薄相當(dāng)厚的銅薄。雖然報(bào)道的腐蝕后留下的銅箔的厚度起伏在±2.0μm范圍內(nèi)，但腐蝕速率≤0.3μm/sec。這樣低的腐蝕速率要求相當(dāng)長的腐蝕時(shí)間，對(duì)于商業(yè)應(yīng)用來說，這一時(shí)間是太長了。
因此，印刷電路板開發(fā)人員已探尋了各種在商業(yè)可行的時(shí)間內(nèi)有效地制作極薄銅箔的設(shè)備和方法而至今未獲成功。
本發(fā)明涉及到一種用來對(duì)襯底(例如印刷電路板襯底)上至少一部分銅箔進(jìn)行化學(xué)腐蝕的設(shè)備和方法，其腐蝕速率大于0.3μm/sec或≥0.5μm/sec甚至高達(dá)大約3μm/sec。(對(duì)于本發(fā)明，腐蝕速率定義為被腐蝕掉的銅的平均厚度除以總的腐蝕時(shí)間)。因而相應(yīng)的腐蝕時(shí)間在商業(yè)上是肯定可行的并確實(shí)具有商業(yè)吸引力。而且，此化學(xué)腐蝕很均勻，以致在整個(gè)銅箔范圍內(nèi)各處被腐蝕的銅箔的厚度起伏都在平均厚度的10％甚至6％以內(nèi)。于是，若銅箔區(qū)的初始平均厚度為18μm且忽略初始厚度變化，而銅箔區(qū)厚度待要減去例如15μm以得到3μm的所需最終平均厚度，則得到的銅箔區(qū)的厚度相應(yīng)起伏將在所需最終平均厚度的1.5μm(15μm的10％)以內(nèi)。同樣，若銅箔區(qū)的初始平均厚度為13μm且忽略初始厚度變化，而銅箔區(qū)厚度待要減去例如10μm以得到3μm的所需最終平均厚度，則得到的銅箔區(qū)的厚度相應(yīng)起伏將在所需最終平均厚度的1μm(10μm的10％)以內(nèi)。
值得注意的是，本發(fā)明的設(shè)備包括許多布滿設(shè)備表面的液束噴嘴，各噴嘴的直徑為D。位于設(shè)備表面入口側(cè)和出口側(cè)的滾軸用來在表面上沿平行于與設(shè)備表面相關(guān)的從入口側(cè)到出口側(cè)延伸的虛軸方向傳送銅箔包覆襯底。當(dāng)銅箔包覆襯底在設(shè)備表面上移動(dòng)時(shí)，從液束噴射器噴出的化學(xué)腐蝕劑束噴射到襯底上，從而對(duì)銅箔進(jìn)行化學(xué)腐蝕。
為了獲得上述的腐蝕特性，各液束噴射器安置成若沿設(shè)備表面平行于從入口側(cè)到出口側(cè)延伸的襯底傳送方向畫一虛線并至少同一個(gè)液束噴射器的中心相交，則與此虛線相交的液束噴射器中心的數(shù)目相同于與其它任一此種虛線相交的數(shù)目。此外，若任何二個(gè)此種相鄰虛線之間的距離表為S1，則比值S1/D應(yīng)＞0但
10，最好是≤1.3。而且，若S2表示任何二個(gè)相鄰液束噴射器之間的距離，則S2/D應(yīng)＞大約2但
20，最好是
12。必須強(qiáng)調(diào)的是，正是靠液束噴射器的這種安置，才同時(shí)獲得了上述的相當(dāng)高的腐蝕速率與大體均勻的腐蝕。
應(yīng)當(dāng)注意的是液束噴射器的上述安置是基于發(fā)現(xiàn)了當(dāng)化學(xué)腐蝕劑束噴射到銅箔上時(shí)，化學(xué)腐蝕劑在具有約10D輻射范圍的圓形面積上對(duì)銅的腐蝕速率大于0.3μm/sec(以下用雷諾數(shù)來描述)。因此，在本發(fā)明的設(shè)備中，要求比率S2/D
20以確保噴射之后，任何二個(gè)相鄰的液束在徑向彌散不大于約10D之后要彼此重疊。此外，已發(fā)現(xiàn)當(dāng)一束化學(xué)腐蝕劑射在移動(dòng)中的銅箔時(shí)，被腐蝕掉的銅的厚度的變化在只對(duì)寬度約為10D的區(qū)域上被腐蝕掉的銅的平均厚度的10％以內(nèi)。因此，為了在待腐蝕的整個(gè)銅箔范圍內(nèi)獲得這種10％的均勻性，就要求比率S1/D
10。而且，由于上述的每一個(gè)虛線都與相同數(shù)目的液束噴射器中心相交，故在襯底于設(shè)備表面上方通過的過程中，被化學(xué)腐蝕劑束所腐蝕的銅箔的每一縱條在同一總腐蝕時(shí)間內(nèi)都必須經(jīng)受相同數(shù)目化學(xué)腐蝕劑束的腐蝕。因此，每一個(gè)此種縱條都經(jīng)歷大體相同的積分腐蝕速率(對(duì)同一總腐蝕時(shí)間積分)，因此有大體相同的總腐蝕量，導(dǎo)致被腐蝕的銅箔具有如上所述相當(dāng)?shù)偷暮穸茸兓?br> 參照附圖來描述本發(fā)明，其中

圖1是本發(fā)明設(shè)備最佳實(shí)施例的透視圖；圖2是最佳實(shí)施例的縱向剖面圖；以及圖3是與最佳實(shí)施例相關(guān)的液束噴射器分布的俯視圖。
本發(fā)明涉及到一種用來對(duì)諸如印刷電路板襯底之類的銅薄覆蓋襯底至少部分區(qū)域進(jìn)行化學(xué)腐蝕的設(shè)備和相應(yīng)方法。重要的是用本發(fā)明設(shè)備可獲得的腐蝕速率大于0.3μm/sec或≥0.5μm/sec，甚至高達(dá)約3μm/sec。此外，腐蝕很均勻，以致在整個(gè)箔區(qū)被腐蝕的銅的厚度變化在被腐蝕的銅的平均厚度的10％以內(nèi)，甚至在6％以內(nèi)。結(jié)果，得到的腐蝕過的銅箔區(qū)的厚度變化在所需最終平均厚度的1.5μm甚至1μm之內(nèi)(假設(shè)初始厚度無起伏)。(顯然，總的厚度變化是初始厚度變化和腐蝕引起的額外變化之和)。
參照?qǐng)D1和2，本發(fā)明設(shè)備10至少包括一個(gè)例如由聚碳酸酯制成的增壓箱20。此增壓箱20包含一個(gè)增壓室30，化學(xué)腐蝕劑在壓力下經(jīng)由三個(gè)送料管40-1、40-2和40-3(圖2中只示出其中一個(gè))被送入增壓室30。
增壓室30包括同三個(gè)送料管40-1、40-2和40-3對(duì)準(zhǔn)的三個(gè)導(dǎo)向板50-1、50-2和50-3，用來使化學(xué)腐蝕劑均勻地分布到五行從增壓室30延伸到增壓箱20的表面60的相互分隔開的鉆孔70、80、90、100和110中。每個(gè)鉆孔用作一個(gè)液束噴射器，其相應(yīng)的液束是一束化學(xué)腐蝕劑。
如圖1更清楚地所示，本發(fā)明設(shè)備10還包括滾軸112和114，用來把銅箔包覆襯底116(例如銅箔包覆印刷電路板襯底)在離表面60的距離為H處由表面60的入口側(cè)62向出口側(cè)64傳送。襯底116的這一傳送沿平行于與表面60相關(guān)的虛軸118的傳送方向進(jìn)行，表面60的軸垂直于入口側(cè)和出口側(cè)62和64，且從入口側(cè)62.延伸到出口側(cè)64及更遠(yuǎn)。
應(yīng)該指出的是已用過的化學(xué)腐蝕劑流過入口側(cè)和出口側(cè)62和64，并流過表面60的側(cè)面66和68而進(jìn)入位于設(shè)備10之下方的一個(gè)廢液槽中(未繪出)。這樣，入口側(cè)和出口側(cè)62和64以及側(cè)面66和68就用作設(shè)備10的排液口。
參照?qǐng)D3，五行液束噴射器70、80、90、100和110最好都彼此平行且相對(duì)于軸118垂直排列。此外，各行中的液束噴射器最好等距離分布，而各同一行中的液束噴射器也最好相對(duì)于相鄰行中的液束噴射器偏離，使得若將前一行投影到后一行上，則前行中的液束噴射器將與后一行中的液束噴射器成為叉指狀。而且，各液束噴射器的直徑都等于D，其范圍從大約5密爾(0.005英寸)到約250密爾(0.250英寸)，最好是大約40密爾(0.040英寸)。直徑小于約5密爾的液束噴射器由于難以制造和難以保潔而不可取。另一方面，直徑大于約250密爾的液束噴射器由于需要太大的增壓流量以產(chǎn)生化學(xué)腐蝕束，也不可取。
再參照?qǐng)D2，組成液束噴射器的鉆孔的長度L最好都相等。在這方面，比率L/D在約1到約40的范圍。小于約1的比率由于會(huì)引起展開不良的化學(xué)腐蝕劑束而不可取。大于約40的比率由于需要太大的增壓量以產(chǎn)生化學(xué)腐蝕劑束，也不可取。
如圖1所示，滾軸112和114用來將高過表面60H處的銅箔包覆的襯底116在設(shè)備10表面60上方傳送。關(guān)于這點(diǎn)，比率H/D在約0.3到約12的范圍內(nèi)。小于約0.3的比率由于會(huì)使用過的化學(xué)腐蝕劑的排放太小而不可取。另一方面，大于約12的比率由于會(huì)使化學(xué)腐蝕劑束在噴射到襯底116之前損失過多的動(dòng)量，也不可取。
再參照?qǐng)D2，由于液束噴射器的直徑D最好都相等，并且都連接到同一個(gè)增壓室30，故供給各液束噴射器的化學(xué)腐蝕劑必然大致相同，且各液束噴射器發(fā)出的化學(xué)腐蝕劑束的速度也必然大致相同。若用nu表示供給的化學(xué)腐蝕劑的動(dòng)粘滯度而用V表示化學(xué)腐蝕劑束在液束噴射器處的速度，則與各化學(xué)腐蝕劑束相關(guān)的雷諾數(shù)(表示為比率V·D/nu)最好在約1000到約15000的范圍內(nèi)。小于約1000的雷諾數(shù)由于會(huì)使腐蝕速率過低(亦即≤0.3μm/sec)則不可取。雖然腐蝕速率會(huì)隨雷諾數(shù)的增加而增加，但大于約15000的雷諾數(shù)由于需要太大的增壓功率才能獲得，也不可取。
在上述方面，應(yīng)該指出的是易于腐蝕銅且其動(dòng)粘滯度允許容易地得到上述雷諾數(shù)的化學(xué)腐蝕劑包括氯化鐵、過氧化氫和過硫化鈉。
重要的是如圖3所示，行70、80、90、100和110中液束噴射器安置成若沿設(shè)備表面60平行于襯底傳送方向從入口側(cè)62到出口側(cè)64并至少同一個(gè)液束噴射器例如70-1的中心相交畫一條虛線例如170-1，則與此虛線相交的液束噴射器中心的數(shù)目將會(huì)相同于與其它任一虛線相交的中心的數(shù)目。這樣，對(duì)于圖3所示的液束噴射器分布，與例如虛線170-1相交的液束噴射器中心的數(shù)目僅為一，同其它任一虛線如170-2、170-3、170-4等一樣(當(dāng)然，相交點(diǎn)總數(shù)大于1的液束噴射器分布也是有用的。相信此種液束噴射器分布可能需要分散在液束噴射器之間的排液孔。)此外，若任何二個(gè)相鄰虛線之間的距離，例如虛線170-1和170-2之間的距離用S1表示，則比率S1/D應(yīng)該大于0而
10，最好是
1.3。而且，若任何二個(gè)相鄰液束噴射器之間的距離，例如液束噴射器70-2和80-2之間的距離用S2表示，則比率S2/D應(yīng)該大于大約2以免降低結(jié)構(gòu)完整性，同時(shí)要
20，最好是
12。
倘若遵守上述各要求，則本發(fā)明設(shè)備可容易地使用戶至少包覆襯底116的銅箔的一個(gè)區(qū)域進(jìn)行化學(xué)腐蝕，其腐蝕速率＞0.3μm/sec或≥0.5μm/sec甚至高達(dá)約3μm/sec而同時(shí)獲得相當(dāng)高的腐蝕均勻性。亦即，倘若S2/D
20，則圖3所示液束噴射器的分布很適于用戶對(duì)銅箔進(jìn)行腐蝕，其腐蝕速率＞0.3μm/sec。此外，若S2/D
12，則很容易獲得≥0.5μm/sec的腐蝕速率。而且，進(jìn)一步降低此比率會(huì)導(dǎo)致更高的腐蝕速率，甚至高達(dá)約3μm/sec。此外，倘若S1/D
10，則腐蝕后的銅的厚度變化會(huì)小于或等于被腐蝕的銅箔區(qū)上被腐蝕的銅的平均厚度的10％。若此比率降為約1.3或更小，則相應(yīng)的厚度變化降為6％或更小。
如上面所指出，本發(fā)明的液束噴射器安排是基于發(fā)現(xiàn)了當(dāng)一束化學(xué)腐蝕劑噴射到銅箔上時(shí)，化學(xué)腐蝕劑只對(duì)徑向范圍約為10D的圓形區(qū)域上的銅進(jìn)行腐蝕，其腐蝕速率＞0.3μm/sec(上面采用雷諾數(shù)來討論)。若徑向范圍約為6D或更小，則可得到更高的腐蝕速率。因此，在本發(fā)明設(shè)備中，要求S2/D
20，最好是
12，以確保噴射之后在徑向散開不大于約10D(最好不大于6D)后，任何二個(gè)相鄰的液束彼此重疊。此外，已發(fā)現(xiàn)當(dāng)一束化學(xué)腐蝕劑噴射到移動(dòng)著的銅箔上時(shí)，被腐蝕的銅的厚度變化在寬度約為10D的區(qū)域上為被腐蝕的銅的平均厚度的10％以內(nèi)。而且，在寬度約為1.3D的區(qū)域內(nèi)獲得了6％或更小的厚度變化。因此，為了獲得這一10％或6％或更小的厚度變化，要求比率S1/D
10，最好是
13。
若襯底140的其上下表面都有銅箔，且二面的銅箔都要腐蝕，則本發(fā)明的設(shè)備10的最佳實(shí)施例最好有一個(gè)如圖1所示的第二增壓箱120。此第二增壓箱120包含一個(gè)增壓室130，液體在壓力下經(jīng)過三個(gè)送料管140-1、140-2和140-3被送入其中。增壓室130包括三個(gè)轉(zhuǎn)向板150-1、150-2和150-3，它們同三個(gè)送料管140-1、140-2和140-3對(duì)準(zhǔn)并用來使化學(xué)腐蝕劑均勻地分布并進(jìn)入到五行分隔開的從增壓室130延伸到增壓箱120表面160的鉆孔170、180、190、200和210中。每個(gè)孔用作一個(gè)液束噴射器，其相應(yīng)的液束為一束化學(xué)腐蝕劑。各行液束噴射器170、180、190、200和210的安置方法與液束噴射器70、80、90、100和110相同。
在本發(fā)明的其它應(yīng)用中，本發(fā)明設(shè)備可用于制作印刷電路板襯底上的電路圖形。亦即，借助于層疊成相當(dāng)厚的銅箔即初始厚度大于9μm的銅箔到印刷電路板襯底上，用常規(guī)技術(shù)可容易地制作這種電路圖形。一種這樣的市售相當(dāng)厚的銅箔的初始平均厚度約為18μm，而另一種約為13μm。
在層疊工序之后，用本發(fā)明設(shè)備10對(duì)厚銅箔的一部分或全部進(jìn)行化學(xué)腐蝕。如上所述，這意味著厚銅箔將以大于0.3μm/sec或≥0.5μm/sec甚至高達(dá)約3μm/sec的速率被腐蝕。此外，在任一點(diǎn)被腐蝕銅的厚度變化會(huì)在銅箔區(qū)上被腐蝕的銅的平均厚度的10％以內(nèi)。
厚銅箔最好化學(xué)腐蝕到
9μm但
3μm的最終平均厚度。例如，有用的最終平均厚度為9μm、5μm和3μm。如上所述，在任一點(diǎn)被腐蝕的銅的厚度變化將在銅箔區(qū)上被腐蝕的銅的平均厚度的10％以內(nèi)。因此，若厚銅箔的初始平均厚度為18μm(并假設(shè)不存在初始厚度變化)且銅箔區(qū)的厚度待減小例如9μm以得到所需的9μm最終平均厚度，則得到的銅箔區(qū)的厚度變化將在所需最終平均厚度的0.9μm(9μm的10％)以內(nèi)。另一方面，若銅箔區(qū)的厚度待減小13μm以得到所需的5μm的最終平均厚度，則得到的銅箔的相應(yīng)厚度變化將在所需最終平均厚度的1.3μm(13μm的10％)以內(nèi)。而且，若銅箔區(qū)的厚度待要減小15μm以獲得所需的3μm的最終平均厚度，則得到的銅箔的厚度變化將在所需的最終平均厚度的1.5μm(15μm的10％)以內(nèi)。
若厚銅箔的初始平均厚度為13μm(并假設(shè)不存在初始厚度變化)且銅箔區(qū)的厚度分別待要減小4μm(以得到所需的9μm的最終平均厚度)、8μm(以得到所需的5μm的最終平均厚度)和10μm(以得到所需的3μm的最終平均厚度)，則得到的銅箔區(qū)的相應(yīng)厚度變化將分別為0.4μm、0.8μm和1μm。
上述腐蝕完成之后，再用例如常規(guī)的精制和輔助技術(shù)對(duì)得到的銅箔進(jìn)行加工，以制作所需的電路圖形。例1采用常規(guī)技術(shù)將厚銅箔層疊到印刷電路板襯底上。襯底的尺寸為18×24×0.060英寸3。用經(jīng)0.5盎司和2盎司銅箔層疊到環(huán)氧玻璃襯底進(jìn)行過校準(zhǔn)的四探針測(cè)得的銅箔厚度為13±0.36μm。
用圖1和2下半部及圖3所述的設(shè)備對(duì)上述銅箔包覆襯底的整個(gè)銅箔進(jìn)行化學(xué)腐蝕?；瘜W(xué)腐蝕劑為氯化銅濃度為每升190克的氯化銅水溶液。此水溶液還包括足夠量的鹽酸以構(gòu)成相當(dāng)1克分子的溶液。關(guān)于設(shè)備，各液束噴射器的直徑為40密爾(0.040英寸)。相應(yīng)的L/D比率為6.25。此外，銅箔包覆襯底在設(shè)備表面上方高度H為0.050英寸處傳送，故比率H/D為1.25。而且，銅箔包覆襯底的傳送速度為每分鐘20英寸。
關(guān)于圖3所示的液束噴射器的安置，所采用的比率S2/D為6.25，而所采用的比率S1/D為1.25。與相應(yīng)的化學(xué)腐蝕劑束相關(guān)的雷諾數(shù)為1750。
用四探針測(cè)得的腐蝕過的銅箔的厚度為3.0±0.46μm。此外，相應(yīng)的腐蝕速率(定義為被腐蝕銅箔的平均厚度除以總腐蝕時(shí)間)為0.36μm/sec。例2用常規(guī)技術(shù)將厚銅箔層疊到印刷電路板襯底上。襯底的尺寸為3×3×0.060英寸3。在顯微鏡下測(cè)箔的剖面而測(cè)得的箔厚度為18±0.2μm。
用相似于圖1和2下半部及圖3所示的設(shè)備，對(duì)上述銅箔包覆襯底的銅箔表面的1平方英寸的部分進(jìn)行化學(xué)腐蝕?；瘜W(xué)腐蝕劑為每升190克氯化銅和3克分子鹽酸的水溶液，溫度為華氏130度。關(guān)于設(shè)備，各液束噴射器的直徑為20密爾(0.020英寸)。相應(yīng)的比率L/D為5.0。此外，銅箔包覆襯底在設(shè)備表面高度H為0.020英寸處傳送，故比率H/D為1.0。而且，銅箔包覆襯底的傳送速度為每分鐘60英寸。
關(guān)于圖3所示液束噴射器的安置，所用的比率S2/D為2.0，而所用的比率S1/D為1.0。與相應(yīng)化學(xué)腐蝕劑束相關(guān)的雷諾數(shù)為11532。
由初始厚度和完全腐蝕穿1平方英寸銅箔區(qū)的時(shí)間所確定的腐蝕速率為2.6μm/sec。由完全腐蝕掉最薄的銅區(qū)所需的時(shí)間對(duì)最厚銅區(qū)被腐蝕掉的時(shí)間所確定的穿通時(shí)的腐蝕厚度變化在其平均厚度的±5％以內(nèi)。
雖然已參照最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了具體的描述，但對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員來說，可以做出多種形式和細(xì)節(jié)的改變而不超越本發(fā)明的構(gòu)思和范圍，這是不言自明的。
權(quán)利要求
1.一種制造器件的方法，包括以下步驟提供一個(gè)銅箔包覆襯底；用化學(xué)腐蝕劑以大于0.3μm/sec但是小于或約等于3μm/sec的腐蝕速率對(duì)上述銅箔的至少一個(gè)區(qū)域進(jìn)行腐蝕從而減薄，上述腐蝕足夠均勻以致任意點(diǎn)處被腐蝕的銅的厚度變化都在上述整個(gè)表面上被腐蝕的銅的平均厚度的10％以內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于上述腐蝕速率大于等于0.5μm/sec但是小于或約等于3μm/sec。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是上述腐蝕足夠均勻以致在任意點(diǎn)處被腐蝕的銅的厚度變化在上述整個(gè)區(qū)域被腐蝕的銅的平均厚度的6％以內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是上述腐蝕步驟包括將許多液束噴射到上述銅箔上的步驟，上述液束的液體包括化學(xué)腐蝕劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是還包括對(duì)上述減薄了的銅箔上進(jìn)行選擇性腐蝕或在其上選擇性沉積額外的銅，以便形成電路圖形的步驟。
6.一種制造器件的方法，包括以下步驟提供一個(gè)銅箔包覆襯底，此銅箔的初始平均厚度大于9μm；用化學(xué)腐蝕劑以大于0.3μm/sec但是小于或約等于3μm/sec的腐蝕速率對(duì)上述銅箔的至少一部分進(jìn)行腐蝕從而減薄到大于或約等于3μm但是小于或約等于9μm的最終平均厚度，腐蝕過的銅的厚度變化在上述最終平均厚度的1.5μm以內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征在于上述腐蝕速率大于等于0.5μm/sec但是小于或約等于3μm/sec。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是被腐蝕的銅的厚度變化在上述最終平均厚度的大約1μm以內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是上述初始平均厚度約為18μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是上述初始平均厚度約為13μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是上述初始平均厚度約為9μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是上述初始平均厚度約為5μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是上述初始平均厚度約為3μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是上述腐蝕步驟包括一個(gè)把許多液束噴射到上述銅箔上的步驟，上述液束的液體包括化學(xué)腐蝕劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征是還包括對(duì)上述減簿了的銅箔進(jìn)行選擇性腐蝕或在其上選擇性沉積額外銅以形電路圖形的步驟。
全文摘要
描述了一種用來對(duì)銅箔包覆襯底的銅箔進(jìn)行化學(xué)腐蝕的設(shè)備和相應(yīng)的方法。重要的是,此設(shè)備包括用來產(chǎn)生化學(xué)腐蝕劑束的液束噴射器。這些液束噴射器被安排成可同時(shí)獲得相當(dāng)高的腐蝕速率和相當(dāng)高的腐蝕均勻性。
文檔編號(hào)C23F1/08GK1277538SQ9911060
公開日2000年12月20日 申請(qǐng)日期1999年7月19日 優(yōu)先權(quán)日1994年3月4日
發(fā)明者愛德華·杰伊·福蘭克斯基, 杰弗里·多納爾德·瓊斯, 羅伯特·亨利·卡蒂爾, 萊恩·布拉克斯頓·拉克里夫 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司