本主題涉及識(shí)別標(biāo)記(物)(marker)，更具體而言，涉及用于追蹤在高溫環(huán)境中使用的部件(例如渦輪發(fā)動(dòng)機(jī))的高溫標(biāo)記。

背景技術(shù)：

1、渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)熱段流道中的部件必須能夠承受熱循環(huán)和1000℃以上的溫度。使用在熱段流道內(nèi)的標(biāo)記來(lái)追蹤部件的標(biāo)記也必須能夠承受這些溫度，并且在這種暴露后保持可識(shí)別性、可見(jiàn)性和/或可讀性。維護(hù)有關(guān)部件的信息有助于正確維護(hù)組件。追蹤和維護(hù)在機(jī)翼上(on-wing)的部件有助于進(jìn)行更高效、更有效的維修。

2、期望改進(jìn)熱段流道中的部件的追蹤，以改進(jìn)在機(jī)翼上和/或組裝的部件的追蹤。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種標(biāo)記，所述標(biāo)記具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述識(shí)別圖案在約-273.14℃至1350℃的溫度下、至少40小時(shí)的時(shí)間段是穩(wěn)定的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述識(shí)別圖案在約1微帕斯卡至100吉帕斯卡的壓力范圍內(nèi)是穩(wěn)定的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述識(shí)別圖案包括條形碼、印刷微觀圖案和qr碼中的一種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，折射膜的蝕刻包括干法蝕刻工藝和濕法蝕刻工藝中的一種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述折射膜包括氧化物、碳化物、氮化物和氟化物中的一種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，折射膜的厚度為約500埃至3900埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述介電基底材料包括硅、鍺、鈦、摻雜硅、摻雜鍺和摻雜鈦中的一種以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述厚度調(diào)制膜的厚度調(diào)制量為約5納米至390納米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述折射材料包括氟化鋇、氟化鈣、氟化鑭、氟化鎂、氧化鉿、二氧化硅、氧化鋁或氮化鈦中的一種以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其中，所述標(biāo)記被固定至用于燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的熱流道中的部件上。

12.一種方法，所述方法包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述識(shí)別圖案在約-273.14℃至1350℃的溫度下是穩(wěn)定的。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述標(biāo)記通過(guò)電沉積、釬焊、熔覆、焊接、噴涂、涂覆和嵌入中的至少一種方式固定至部件上。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括將標(biāo)記固定至用于燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的熱流道中的部件上。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括用熱障材料涂覆標(biāo)記。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，所述方法還包括用熱障材料涂覆部件。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述感測(cè)標(biāo)記的識(shí)別圖案包括光學(xué)、紫外線、紅外線掃描和聲學(xué)掃描中的至少一種。

20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述感測(cè)標(biāo)記包括通過(guò)攝像機(jī)對(duì)標(biāo)記進(jìn)行目視檢查。

21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述標(biāo)記具有可追溯至識(shí)別號(hào)的圖案。

22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述識(shí)別圖案包括條形碼、印刷微觀圖案和qr碼中的一種以上。

23.一種制作權(quán)利要求1所述的標(biāo)記的方法，所述方法包括：

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述識(shí)別圖案在約1微帕斯卡(μpa)至約100吉帕斯卡(gpa)范圍內(nèi)的壓力下是穩(wěn)定的。

25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述識(shí)別圖案包括條形碼、印刷微觀圖案和qr碼中的至少一種。

26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述蝕刻折射膜選自干法蝕刻工藝和濕法蝕刻工藝中的至少一種。

27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述折射膜選自包括氧化物、氮化物和氟化物中的至少一種的組。

28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述折射膜的厚度為約50埃至約3900埃。

29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述介電基底材料包括硅、鍺、鈦、摻雜硅、摻雜鍺和摻雜鈦中的至少一種。

30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述厚度調(diào)制膜的厚度調(diào)制量為約5納米至約390納米。

31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述折射材料包括氟化鋇、氟化鈣、氟化鑭、氟化鎂、氧化鉿、二氧化硅、氧化鋁和氮化鈦中的至少一種。

32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述介電基底材料被固定至用于燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的熱流道中的部件。

技術(shù)總結(jié)
提供一種標(biāo)記、系統(tǒng)以及創(chuàng)建和利用含有識(shí)別信息的標(biāo)記的方法。實(shí)施方式包括識(shí)別標(biāo)記，其由高溫材料組成，用于在高溫環(huán)境中追蹤部件。標(biāo)記可設(shè)置在部件上，使得標(biāo)記經(jīng)歷高溫的同時(shí)固定在部件上。標(biāo)記可提供追蹤與標(biāo)記附接的部件歷史，用于進(jìn)行維護(hù)。

技術(shù)研發(fā)人員：斯里達(dá)爾·帕卡納蒂,斯里尼瓦?！に雇呙准{坦,阿林丹·戈什,安巴里什·戈什,G·H·尼蘭賈納·穆?tīng)柕?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：印度科學(xué)學(xué)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10