本發(fā)明涉及一種研磨機用下研磨盤,具體涉及一種單面精密真空吸附式研磨機用下研磨盤。
背景技術(shù):
飛船和衛(wèi)星等航天器在太空運行中,其能源主要來自于太陽能電池板,太陽能電池板的作用是將光能轉(zhuǎn)化為電能,然而太空中所存在的宇宙射線、電磁波以及太空垃圾不可避免會對太陽能電池板造成危害,加速太陽能電池板損耗。超薄防輻射玻璃蓋片是一種可以有效防護宇宙射線,保護太陽能電池板的特種玻璃,具有質(zhì)量輕、防輻射、可彎曲等特點。在現(xiàn)有加工條件下,對玻璃蓋片進行研磨的方式通常是將玻璃蓋片用膠水黏貼于研磨盤上,再進行研磨作業(yè)?,F(xiàn)有的加工方法存在的問題:研磨作業(yè)前需要耗費較長的時間將玻璃蓋片黏貼在基盤上,生產(chǎn)效率低下;研磨作業(yè)結(jié)束之后,在取下玻璃的過程中需要去除膠水,會對玻璃蓋片造成損壞,降低成品合格率;去除膠水不完全,會使玻璃蓋片透光性變差;由于膠水是人工涂抹,所以在研磨作業(yè)結(jié)束后,容易出現(xiàn)玻璃蓋片薄厚不均勻,達不到生產(chǎn)要求。
經(jīng)檢索發(fā)現(xiàn)公布號為cn105058225a的中國專利申請?zhí)峁┝艘环N研磨墊固定裝置和化學機械研磨裝置,其研磨平臺的上表面為真空吸附面,真空吸附研磨平臺上基板將研磨墊固定在研磨平臺上,研磨頭利用研磨臂真空吸附工件背面,在研磨墊與研磨頭相對運動下實現(xiàn)對工件的研磨。但此發(fā)明在研磨過程中,工件重力方向與吸附力方向相反,在工件與研磨墊摩擦力作用下,工件易與研磨頭之間產(chǎn)生滑動,影響產(chǎn)品加工表面質(zhì)量,此外受研磨頭尺寸限制,單次加工產(chǎn)品數(shù)量少,生產(chǎn)效率低,因此無法適用于對玻璃蓋片的成批量生產(chǎn)。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
針對上述存在問題,本發(fā)明旨在提供一種適用于對超薄航空太陽能玻璃蓋片進行研磨作業(yè)的單面精密研磨機用真空吸附式下研磨盤。
本發(fā)明目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種單面精密研磨機用真空吸附式下研磨盤,其包括真空吸附裝置、下研磨盤裝置、支撐裝置、帶輪,所述支撐裝置由軸承座及在軸承座兩端對稱布置的端蓋和一對圓錐滾子軸承組成,軸承座縱向固定安裝在機架上,所述真空吸附裝置由聯(lián)軸套、空心軸、旋轉(zhuǎn)接頭、雙外絲接頭ⅰ、鋼管、雙外絲接頭ⅱ和真空泵組成,空心軸安裝在軸承座上且上下兩端伸出,聯(lián)軸套與空心軸伸出上端螺紋連接,所述下研磨盤裝置包括基盤和鏡盤,基盤嵌裝于鏡盤內(nèi),基盤上表面與鏡盤上表面齊平,基盤上設(shè)有若干通孔,鏡盤上設(shè)有氣道與基盤上的通孔連通,鏡盤下端與聯(lián)軸套上端以錐面接觸,空心軸伸出下端依次同軸安裝旋轉(zhuǎn)接頭雙外絲接頭ⅰ、鋼管和雙外絲接頭ⅱ,雙外絲接頭ⅱ連接真空泵,真空泵固定在地面上,帶輪安裝在空心軸伸出下端軸上,下研磨盤裝置與真空吸附裝置構(gòu)成氣體流動通路,研磨時可利用真空負壓將覆蓋在基盤上的多塊玻璃蓋片吸附在基盤上。
所述基盤上若干通孔的排布與覆蓋在基盤上的多塊玻璃蓋片相對應(yīng),每塊玻璃蓋片下覆蓋的基盤上的通孔為五孔式分布,分別位于玻璃蓋片處中心、中心距四角等長距離處,使多塊玻璃蓋片整齊排列于基盤上后能夠完全覆蓋多個五孔式通孔;所述基盤與鏡盤之間采用o型密封圈密封,密封槽開在鏡盤上;所述鏡盤上所設(shè)氣道是在鏡盤上開有中心通孔,并在與基盤接觸底面開有與中心通孔同軸的大孔,大孔半徑稍大于基盤上最外側(cè)通孔到中心點距離;所述基盤材料為dc53模具鋼;所述空心軸一端開有外螺紋,另一端兼有內(nèi)螺紋和外螺紋。
本發(fā)明通過降低氣體流動通路內(nèi)真空度吸附下研磨盤上的玻璃蓋片之后再進行研磨作業(yè),能夠提高生產(chǎn)效率及產(chǎn)品合格率。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所產(chǎn)生的有益效果是:作業(yè)前不需用膠水固定玻璃蓋片,作業(yè)之后取下玻璃蓋片時間短,不會對玻璃蓋片造成損壞,去除膠水的過程中不會造成玻璃蓋片損壞,加工過程中真空吸附可靠性強,玻璃蓋片與基盤之間不會產(chǎn)生相對滑動,加工之后的玻璃蓋片薄厚均勻、無壓痕、透光性好,單次作業(yè)加工產(chǎn)品數(shù)量較多,適用于成批量生產(chǎn)。
附圖說明
圖1為單面精密研磨機用真空吸附式下研磨盤整體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為基盤結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為鏡盤結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為聯(lián)軸套結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為氣體流動通路系統(tǒng)爆炸圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明做進一步說明。
參照圖1,本發(fā)明實施例的一種單面精密研磨機用真空吸附式下研磨盤,其結(jié)構(gòu)包括真空吸附裝置、下研磨盤裝置、支撐裝置、帶輪等。真空吸附裝置包括聯(lián)軸套3、空心軸5、旋轉(zhuǎn)接頭8、雙外絲接頭ⅰ9、鋼管10、雙外絲接頭ⅱ11和真空泵12;下研磨盤裝置包括基盤1和鏡盤2,所要進行減薄作業(yè)的玻璃蓋片整齊排列在基盤1上,玻璃蓋片上為上研磨盤系統(tǒng);支撐裝置由軸承座4、在軸承座4兩端對稱布置的端蓋6和一對圓錐滾子軸承組成,軸承座4縱向固定在機架上;帶輪7連接在空心軸5伸出下端軸上,空心軸5伸出上端軸上連接聯(lián)軸套3。
參照圖2中的基盤,基盤1上整齊排列著11塊大小均為40mmx60mm的玻璃蓋片,排列之后玻璃蓋片以基盤1圓心為對稱中心成中心對稱分布,每塊玻璃蓋片下都開有5個圓形通孔,即在每塊玻璃蓋片覆蓋基盤1處中心、中心與四角連線距離25mm處分別開孔,使每塊玻璃蓋片排列于基盤1對應(yīng)位置時可以完全覆蓋五個通孔,基盤1上共55處通孔,直徑均為6mm,工作過程中,圓形通孔內(nèi)空氣壓力低于外界大氣壓,使每塊玻璃蓋板都能緊貼吸附平面。
參照圖3中的鏡盤,鏡盤2開有中心通孔,為使基盤1上各處通孔對玻璃蓋片吸附效果相同,在基盤1與鏡盤2接觸底面開有與中心通孔同軸的大孔,大孔半徑稍大于基盤3上最外側(cè)通孔到中心點距離,基盤1與鏡盤2接觸側(cè)面開有密封槽,之間加以o型密封圈密封。
參照圖4中的聯(lián)軸器,聯(lián)軸套3開有中心通孔,鏡盤2與聯(lián)軸套3接觸面為1:30錐面,聯(lián)軸套錐面上開有密封槽,鏡盤2與聯(lián)軸套3之間采用o型密封圈密封。
參照圖5中的氣體流動通路系統(tǒng)爆炸圖,下研磨盤裝置與真空吸附裝置構(gòu)成氣體流動通路系統(tǒng)。聯(lián)軸套3與空心軸5、空心軸5與旋轉(zhuǎn)接頭8之間通過螺紋連接,旋轉(zhuǎn)接頭8與鋼管10、鋼管10與真空泵12之間通過雙外絲接頭連接。
本發(fā)明的工作過程如下:系統(tǒng)工作前,先將所要減薄厚度作業(yè)的玻璃蓋片整齊排列于基盤1上,完全覆蓋其上通孔。系統(tǒng)工作時,首先開啟真空泵12,吸出氣體流動通路內(nèi)的空氣,使氣體流動通路內(nèi)的真空度降低,利用真空負壓“吸附”基盤1上的玻璃蓋片,然后開啟變頻電機,帶輪轉(zhuǎn)動,基盤1及其上吸附的玻璃蓋片繞空心軸旋轉(zhuǎn)運動。另一方面,上研磨盤在其它機構(gòu)的作用下作平面運動,實現(xiàn)對每塊玻璃蓋片的精研磨。研磨工作結(jié)束后,首先關(guān)閉電動機,下研磨盤停止轉(zhuǎn)動之后再關(guān)閉真空泵12,取下成品。
以上僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi),根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其設(shè)計構(gòu)思等同的替換或改變,都應(yīng)該涵蓋在本發(fā)明權(quán)利要求書的保護范圍之內(nèi)。