技術(shù)特征：

1.一種高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層，其特征在于，包括AlTiN過渡層、CrAlSiN支撐層和CrAlSiON功能層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層，其特征在于，所述AlTiN過渡層中各元素的原子百分比含量為：Al:25～35at.％，Ti:15～20at.％，N:25～45at.％；所述CrAlSiN支撐層中各元素的原子百分比含量為：Al:25～30at.％，Cr:20～25at.％，Si:1～10at.％，N:45～50at.％；所述CrAlSiON功能層中各元素的原子百分比含量為：Al:20～35at.％，Cr:10～20at.％，Si:2～12at.％，O:5～43at.％，N:10～53at.％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層，其特征在于，所述AlTiN過渡層、CrAlSiN支撐層和CrAlSiON功能層的厚度分別為1.5～3.5μm、0.5～2.5μm和0.5～2.5μm。

4.一種根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟：

S1.金屬基體清洗：將金屬基體拋光處理，然后先后用丙酮和酒精超聲清洗10～20min，再用氮氣吹干后裝入真空室內(nèi)；

S2.Ar和金屬離子轟擊：打開加熱器升溫至300～500℃，將真空室抽真空至真空度1.0～8.0×10^-3Pa以下；然后通入200～300sccm的Ar氣，設(shè)置工件支架偏壓-800～-1000V，對金屬基體表面進(jìn)行濺射清洗，轟擊時間10～20min；再將偏壓降至-600～-800V，點燃AlTi靶，靶材電流60～150A，用高能Al離子和Ti離子轟擊金屬基體3～15min；

S3.沉積AlTiN過渡層：采用電弧離子鍍法，將偏壓調(diào)至-100～-200V，通入200～300sccm的N₂氣，調(diào)節(jié)氣壓至1.0～3.0Pa，點燃AlTi靶，沉積AlTiN過渡層15～40min；

S4.沉積CrAlSiN支撐層：采用電弧離子鍍法，通入N₂，控制氣壓在1.0～3.0Pa，點燃CrAlSi靶，靶材電流60～150A，偏壓-60～-150V，沉積1～2h；

S5.沉積CrAlSiON功能層：采用電弧離子鍍法，通入O₂，控制氣壓在1.0～3.0Pa，點燃CrAlSi靶，靶材電流60～150A，偏壓-60～-150V，沉積1～2h；

S6.關(guān)閉電弧電源，待真空室溫度降至室溫，打開真空室取出金屬基體，在金屬基體表面形成的涂層，即為高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，步驟S1、S2和S6中所述金屬基體為硬質(zhì)合金。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高性能CrAlSiON基納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，所述高能Al離子和Ti離子為在偏壓-600～-800時得到的高能Al離子和Ti離子。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，步驟S2和S3中所述AlTi靶的各元素原子百分比為Al：55～70at.％，Ti：20～35at.％。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，步驟S4和S5中所述CrAlSi靶的各元素原子百分比為Al：20～35at.％，Cr：55～70at.％，Si：5～20at.％。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高溫耐磨CrAlSiON基納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于，步驟S4中所述N₂占反應(yīng)氣體N₂和O₂總和的75～98％，步驟S5中所述O₂占反應(yīng)氣體N₂和O₂總和的2～25％。

10.權(quán)利要求1-3任一項所述的CrAlSiON基納米復(fù)合涂層在刀具和表面防護(hù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。