改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種石墨盤，尤其是一種改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，屬于MOCVD用石墨盤的【技術(shù)領(lǐng)域】。按照本實用新型提供的技術(shù)方案，所述改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，包括盤體及設置于所述盤體內(nèi)若干均勻分布的凹盤位；所述凹盤位包括內(nèi)圈盤位及位于所述內(nèi)圈盤位外圈的外圈盤位；所述內(nèi)圈盤位及外圈盤位均包括第一臺階、位于第一臺階下方的第二臺階及位于第二臺階下方的弧形底；所述內(nèi)圈盤位第二臺階的高度為40~100μm，所述外圈盤位的第二臺階的高度比內(nèi)圈盤位第二臺階的高度低5~25μm。本實用新型結(jié)構(gòu)緊湊，能縮小各圈波長寬度并改善內(nèi)圈均勻性，適應范圍廣，安全可靠。
【專利說明】改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種石墨盤，尤其是一種改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，屬于MOCVD用石墨盤的【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition)設備廠家所做的一系列改善，相比較前幾年，LED外延每爐產(chǎn)量有較大提升。同時，石墨盤廠商為適應外延設備和外延廠以及市場對芯片數(shù)量的要求，每片石墨盤的凹盤位數(shù)量呈數(shù)倍增加。
[0003]目前，外延生長使用的襯底尺寸分為2"、4"等多種，其中多數(shù)廠家以應用2"襯底為主。就2"襯底而言，LED外延生長普遍使用的石墨盤多為45片和54片等兩種，如圖1、圖2所示。
[0004]然而,在外延生長時，目前的石墨盤基本都存在里圈波長均值比外圈短I~5nm的問題，且里圈均勻性較外圈差的情況也一直存在。針對此問題，多數(shù)外延廠家采取的方式為:降低內(nèi)圈溫度以拉長波長。但此動作往往會使內(nèi)圈均勻性變差，也會對良率造成相當大的損失。因此，外延廠家迫切需要一種能縮小各圈波長差，并能改善各圈尤其是內(nèi)圈均勻性的方法，從而提高外延良率，提高良品比例以降低生產(chǎn)成本，并能提高各種原材料的利用率。
[0005]目前，除了溫度改變，生長氣流、襯底放置方法等也是大家經(jīng)常運用的手段。對所使用石墨盤的規(guī)格尺寸上，很少有人關(guān)注。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，其結(jié)構(gòu)緊湊，能縮小各圈波長寬度并改善內(nèi)圈均勻性，適應范圍廣，安全可靠。
[0007]按照本實用新型提供的技術(shù)方案，所述改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，包括盤體及設置于所述盤體內(nèi)若干均勻分布的凹盤位；所述凹盤位包括內(nèi)圈盤位及位于所述內(nèi)圈盤位外圈的外圈盤位；所述內(nèi)圈盤位及外圈盤位均包括第一臺階、位于第一臺階下方的第二臺階及位于第二臺階下方的弧形底；所述內(nèi)圈盤位第二臺階的高度為40-100 μ m,所述外圈盤位的第二臺階的高度比內(nèi)圈盤位第二臺階的高度低5~25 μ m。
[0008]所述第二臺階的底端與弧形底的深度為-30 μm~30 μ m。
[0009]本實用新型的優(yōu)點:通過調(diào)整盤體的凹盤位尺寸參數(shù)，在不變更外延生長條件時，即可拉近各圈的波長均值和保證較好的內(nèi)圈均勻性，避免因頻繁改變內(nèi)圈設定溫度和生長氣流等各項指標而產(chǎn)生的其它并發(fā)問題，從而保持外延生長的穩(wěn)定性和提高生長良率，最大程度上降低生產(chǎn)成本，適應范圍廣，安全可靠。
【專利附圖】

【附圖說明】[0010]圖1為本實用新型具有45個凹盤位的2"石墨盤的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實用新型具有54個凹盤位的2"石墨盤的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]附圖標記說明:1-盤體、2-凹盤位、3-第一臺階、4-第二臺階及5-弧形底?！揪唧w實施方式】
[0014]下面結(jié)合具體附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
[0015]如圖1、圖2和圖3所示:為了保持外延生長的穩(wěn)定性，并拉近各圈波長均值，本實用新型包括盤體I及設置于所述盤體I內(nèi)若干均勻分布的凹盤位2 ;所述凹盤位2包括內(nèi)圈盤位及位 于所述內(nèi)圈盤位外圈的外圈盤位；所述內(nèi)圈盤位及外圈盤位均包括第一臺階
3、位于第一臺階3下方的第二臺階4及位于第二臺階4下方的弧形底5 ;所述內(nèi)圈盤位第二臺階4的高度h2為40-100 μ m，所述外圈盤位的第二臺階4的高度h2比內(nèi)圈盤位第二臺階4的高度h2低5~25 μ m。
[0016]具體地，凹盤位2在盤體I上以的中心為圓心，在盤體I上呈圓形或類似圓形的均勻分布，盤體I上一般設置三圈或四圈的凹盤位2，盤體2的材料通常為石墨，也可以根據(jù)需要使用其他外延生長的可用材料。第一臺階3的頂端為整個盤體I的頂端，第一臺階3通過一個平面與第二臺階4的上端連接，第二臺階4的下端與弧形底5的上端部連接。本實用新型實施例中，盤體I上所有凹盤位2對應第一臺階3的高度可相同，或相差較?。辉诰唧w實施時，第一臺階3的高度hi以大于待加工的襯底厚度為準。
[0017]所述第二臺階4的底端與弧形底5的深度為-30 μ m~30 μ m?；⌒蔚?可以為上凸或下凹的形狀，因此，第二臺階4的底端與弧形底5底端的深度為-30 μ m~30 μ m。
[0018]本實用新型通過調(diào)整盤體I的凹盤位2尺寸參數(shù)，在不變更外延生長條件時，即可拉近各圈的波長均值和保證較好的內(nèi)圈均勻性，避免因頻繁改變內(nèi)圈設定溫度和生長氣流等各項指標而產(chǎn)生的其它并發(fā)問題，從而保持外延生長的穩(wěn)定性和提高生長良率，最大程度上降低生產(chǎn)成本，適應范圍廣，安全可靠。
【權(quán)利要求】
1.一種改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，包括盤體(1)及設置于所述盤體(1)內(nèi)若干均勻分布的凹盤位(2 );所述凹盤位(2 )包括內(nèi)圈盤位及位于所述內(nèi)圈盤位外圈的外圈盤位；所述內(nèi)圈盤位及外圈盤位均包括第一臺階(3)、位于第一臺階(3)下方的第二臺階(4)及位于第二臺階(4)下方的弧形底(5);其特征是:所述內(nèi)圈盤位第二臺階(4)的高度為40-?00μm，所述外圈盤位的第二臺階(4)的高度比內(nèi)圈盤位第二臺階(4)的高度低5~25 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，其特征是:所述第二臺階(4)的底端與弧形底(5)的深度為-30 μ m~30 μ m。
【文檔編號】C23C16/18GK203794982SQ201420009329
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月7日
【發(fā)明者】鐘玉煌, 姜紅苓, 田淑芬 申請人:江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司