移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶。該磁控濺鍍靶包含：一靶材，其貼附于一銅底板上，所述靶材連接一負(fù)電壓；一驅(qū)動(dòng)裝置；一細(xì)胞格磁控裝置，其固定于所述銅底板，包含一基板、一細(xì)胞格狀磁盤(pán)、多個(gè)磁條，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)及所述多個(gè)磁條由外而內(nèi)固定于所述基板上，所述基板由所述驅(qū)動(dòng)裝置所驅(qū)動(dòng)，而以一預(yù)定速率，作預(yù)定平面軌跡的運(yùn)動(dòng)，其中，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)由相接的磁條所構(gòu)成，并以相同的第一磁極面向所述靶材，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)的空間內(nèi)，每一細(xì)胞格包含一磁條，以第二磁極面向所述靶材。該磁控濺鍍靶可有效解決以往磁控濺鍍端部因?yàn)殡娮于宓牟粩嘀丿B而消耗地更快的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種磁控濺鍍靶，特別是指一種在濺鍍靶后方設(shè)有細(xì)胞格磁控，該細(xì)胞格磁控依據(jù)設(shè)定運(yùn)動(dòng)軌跡做集體平面運(yùn)動(dòng)，以達(dá)到濺鍍靶材面消耗均勻，工件上的鍍膜也均勻的一種移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控派鍍(magnetron sputtering)是指真空派鍍腔內(nèi)在派鍍祀材的后方安排電磁鐵或永久磁鐵以產(chǎn)生磁場(chǎng)并使得磁力線由靶材后方穿透至靶材前方，再回到靶材后方的電磁鐵或永久磁鐵。電漿產(chǎn)生器利用磁場(chǎng)的導(dǎo)引將電漿離子氣體轟擊金屬靶材的預(yù)定區(qū)域以敲出金屬原子，再沉積金屬原子于靶材下方的工件表面上以形成薄膜。電漿氣體可以包含惰性氣體如氬氣，或者是可以和靶材反應(yīng)的反應(yīng)氣體。
[0003]這樣的結(jié)果將使得靶材猶如一個(gè)穿隧(tunnel-like)的結(jié)構(gòu)形成一電子阱(electron trap)。這種效應(yīng)在穿隧形的電子講在金屬祀材形成一封閉回路后會(huì)更進(jìn)一步強(qiáng)化，而變得更有效率。然而，它卻使電漿形成回路，而使得靶材猶如被穿隧般的損耗，這結(jié)果將存在靶材的利用率被顯著降低的缺點(diǎn)。
[0004]由Pius Grunenfelder, Wangs等人于1995年所獲得的美國(guó)專(zhuān)利第5，399, 253號(hào)，發(fā)明名稱(chēng)為“Plasma Generating device”揭露了一種變化的磁場(chǎng)以解決公知磁控派鍍，因固定磁場(chǎng)所導(dǎo)致靶材穿隧般損耗的問(wèn)題。如圖1所示的現(xiàn)有靶材1，現(xiàn)有靶材I背面有一固定環(huán)繞磁條11固定于一極板12，而固定環(huán)繞磁條11包圍的內(nèi)部則有兩個(gè)會(huì)旋轉(zhuǎn)的磁條，第一旋轉(zhuǎn)磁條13和第二 旋轉(zhuǎn)磁條14。第一旋轉(zhuǎn)磁條13和第二旋轉(zhuǎn)磁條14開(kāi)始時(shí)它的N-S兩極一開(kāi)始時(shí)上下的極性正好相反。第一旋轉(zhuǎn)磁條13、第二旋轉(zhuǎn)磁條14以和靶材面法線垂直線為轉(zhuǎn)軸，一者以順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，另一者則是逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。其磁力線透穿現(xiàn)有靶材I的變化如圖1A、圖1B、圖1C順序變化。圖1C時(shí)第一旋轉(zhuǎn)磁條13和第二旋轉(zhuǎn)磁條14正好轉(zhuǎn)了 180度。圖中磁力線進(jìn)、出的位置將使靶材表面產(chǎn)生類(lèi)似于穿隧足極(tunnel footpole) 16。靶材在這些位置就會(huì)消耗較快。對(duì)于大面積靶材時(shí)，該專(zhuān)利揭示固定環(huán)繞磁條11內(nèi)可以安排更多的旋轉(zhuǎn)磁條。如圖2所示。圖2為依據(jù)圖1所示公知的磁控濺鍍靶，大面積濺鍍靶時(shí)有更多的原地旋轉(zhuǎn)磁條的橫截面示意圖。
[0005]Pius Grunenfelder, Wangs 等人于 2002 年獲得另一美國(guó)專(zhuān)利第 6，454, 920 號(hào)，發(fā)明名稱(chēng)為“Magnetron Sputtering Source”,這是改良版的磁控派鍍?cè)?。如圖3所示,它的變化是靶材切割成多塊，形成第一靶材la、第二靶材Ib固定于一背板5，背板5下方則是冷卻板或冷卻管路6。靶材與靶材的間隔另設(shè)有薄片狀(strip)的第一片狀陽(yáng)極7a、第二片狀陽(yáng)極7b。同樣也有固定環(huán)繞磁條11及第一旋轉(zhuǎn)磁條13和第二旋轉(zhuǎn)磁條14。
[0006]Pius Grunenfelder, Wangs的專(zhuān)利的確對(duì)祀材的均勻消耗有所改善,派射區(qū)域也增加了，但是靶材端部因?yàn)殡娮于宓牟粩嘀丿B而消耗地更快，而使得濺射鍍膜的有效區(qū)和端部的侵蝕有不均勻的現(xiàn)象。
[0007]有鑒于此，使靶材的靶面侵蝕范圍擴(kuò)大，有效消除靶面不均勻的侵蝕，特別是使靶材邊緣的鍍膜可以更均勻，仍是本領(lǐng)域亟待解決的難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶，可有效解決以往磁控濺鍍端部因?yàn)殡娮于宓牟粩嘀丿B而消耗地更快的問(wèn)題。
[0009]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種磁控濺鍍靶，其特征在于，包含:
[0010]一靶材，其貼附于一銅底板上，所述靶材連接一負(fù)電壓；
[0011]一驅(qū)動(dòng)裝置；
[0012]一細(xì)胞格磁控裝置，其固定于所述銅底板，包含一基板、一細(xì)胞格狀磁盤(pán)、多個(gè)磁條，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)及所述多個(gè)磁條由外而內(nèi)固定于所述基板上，所述基板由所述驅(qū)動(dòng)裝置所驅(qū)動(dòng)，而以一預(yù)定速率，作預(yù)定平面軌跡的運(yùn)動(dòng)，其中，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)由相接的磁條所構(gòu)成，并以相同的第一磁極面向所述靶材，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)的空間內(nèi)，每一細(xì)胞格包含一磁條，以第二磁極面向所述靶材。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)由多個(gè)格狀相連接所構(gòu)成 ，所述多個(gè)格狀選自由大小不相等的方格組、大小相等的方格組、蜂巢格狀、三角格組、多層同心圓形、多層同心心型所組成的群組的其中一種。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述細(xì)胞格磁控裝置還包含一環(huán)狀磁盤(pán)，其圍繞并相距一預(yù)定距離于所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)之外，所述環(huán)狀磁盤(pán)朝向于所述靶材的一面與所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)磁性相反，所述環(huán)狀磁盤(pán)是獨(dú)立固定的，并不和細(xì)胞格狀磁盤(pán)集體移動(dòng)。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，上述的磁控濺鍍靶還包含一間距調(diào)整機(jī)構(gòu)，用以調(diào)整所述靶材與所述細(xì)胞格磁控裝置的間距，以改變鍍率與均勻度。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，上述的磁控濺鍍靶還包含一角度調(diào)整機(jī)構(gòu)，用以調(diào)整所述靶材與所述細(xì)胞格磁控裝置的夾角，以改變鍍率與均勻度。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述驅(qū)動(dòng)裝置包含一馬達(dá)推動(dòng)一連動(dòng)裝置，所述連動(dòng)裝置包含連桿或凸輪或齒輪、齒條或皮帶或鏈條(煉條)的機(jī)構(gòu)組合。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述銅底板與所述細(xì)胞格磁控裝置之間還包含一冷卻裝置。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述基板中心的平面運(yùn)動(dòng)軌跡包含圓形、橢圓、轉(zhuǎn)角為圓角的矩形或菱形的超橢圓軌跡的其中一種，所述預(yù)定速率約為4-19cm/s。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述平面軌跡的中心不與靶材表面中心重疊，以達(dá)成一預(yù)定的鍍膜均勻性分布。
[0021 ] 根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，優(yōu)選地，在上述的磁控濺鍍靶中，所述細(xì)胞格磁控裝置包含至少三列并列的方格，中間列的方格和最上及最下的兩列的方格大小不相等，并以通過(guò)細(xì)胞格磁控裝置中心水平線呈鏡面對(duì)稱(chēng)。
[0022]本發(fā)明的磁控濺鍍靶包含:多個(gè)靶材，其貼附于一銅底板上，這些靶材連接一負(fù)電壓；一驅(qū)動(dòng)裝置；一細(xì)胞格磁控裝置，其固定于銅底板之后，包含一基板、一細(xì)胞格狀磁盤(pán)、多個(gè)磁條。而細(xì)胞格狀磁盤(pán)、及多個(gè)磁條由外而內(nèi)固定于基板上，由該驅(qū)動(dòng)裝置所驅(qū)動(dòng)，而以一速率在靶材所包含的范圍內(nèi)作預(yù)定平面軌跡的運(yùn)動(dòng)，其中，該細(xì)胞格狀磁盤(pán)由相接的磁條所構(gòu)成，并以相同的第一磁極面向這些祀材，而該多個(gè)磁條分布于該細(xì)胞格狀磁盤(pán)的格子內(nèi)，而最外的該環(huán)狀磁盤(pán)及該多個(gè)磁條以相同的第二磁極，面向這些靶材。此外，在基板外部更包含一獨(dú)立的環(huán)狀磁盤(pán)，它是固定的。
[0023]本發(fā)明的移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶可有效解決以往磁控濺鍍端部因?yàn)殡娮于宓牟粩嘀丿B而消耗地更快的問(wèn)題；使得磁控濺鍍靶的磁場(chǎng)控制簡(jiǎn)易化；控制鍍膜均勻性；在靶面上同時(shí)形成多個(gè)濺鍍?cè)?，?shí)現(xiàn)高速鍍膜。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為公知的磁控濺鍍靶的橫截面示意圖。
[0025]圖1A為圖1所示的公知磁控濺鍍靶的磁力線的順序變化圖。
[0026]圖1B為圖1所示的公知磁控濺鍍靶的磁力線的順序變化圖。
[0027]圖1C為圖1所示的公知磁控濺鍍靶的磁力線的順序變化圖。
[0028]圖2為依據(jù)圖1所示的公知磁控濺鍍靶有更多的原地旋轉(zhuǎn)磁條的橫截面示意圖。
[0029]圖3為另一公知的磁控濺鍍靶的橫截面示意圖。
[0030]圖4為本發(fā)明磁控濺鍍靶沿圖5的A-A’切割線的橫截面示意圖。
[0031]圖5為本發(fā)明磁控濺鍍靶的細(xì)胞格磁控裝置平面視圖。
[0032]圖6A為本發(fā)明磁控濺鍍靶的細(xì)胞格磁控裝置變化型的平面視圖。
[0033]圖6B為本發(fā)明磁控濺鍍靶的細(xì)胞格磁控裝置變化型的平面視圖。
[0034]圖6C為本發(fā)明磁控濺鍍靶的細(xì)胞格磁控裝置變化型的平面視圖。
[0035]圖6D為本發(fā)明磁控濺鍍靶的細(xì)胞格磁控裝置變化型的平面視圖。
[0036]主要組件符號(hào)說(shuō)明:
[0037]現(xiàn)有靶材I第一靶材Ia第二靶材Ib
[0038]固定環(huán)繞磁條11
[0039]極板12
[0040]第一旋轉(zhuǎn)磁條13第二旋轉(zhuǎn)磁條14
[0041]穿隧足極16
[0042]背板5
[0043]冷卻板或冷卻管路6
[0044]第一片狀陽(yáng)極7a第二片狀陽(yáng)極7b
[0045]靶材100
[0046]銅底板110
[0047]冷卻底板120
[0048]細(xì)胞格磁控裝置150
[0049]環(huán)狀磁盤(pán)152
[0050]細(xì)胞格狀磁盤(pán)155
[0051]磁條158
[0052]基板159[0053]水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)160
[0054]環(huán)狀磁盤(pán)的固定基板1591
【具體實(shí)施方式】
[0055]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文為本發(fā)明的移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶的優(yōu)選實(shí)施例，并配合相關(guān)附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0056]圖4為一移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶的橫截面示意圖，其為沿圖5所示的平面圖中A-A’線所繪制的橫截面示意圖。該移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶由上而下包含多個(gè)靶材100粘貼于一銅底板110上，或是以螺絲方式固定。銅底板110下方則是冷卻底板120。在另一實(shí)施例中，該多個(gè)靶材100直接粘貼于一銅質(zhì)的冷卻底板120上。冷卻底板120絕不可是鐵、鈷、鎳等鐵磁性材料以免影響磁力線分布。另外，冷卻底板120需要確實(shí)貼合于靶材100以免散熱不良。例如，以螺絲鎖住。靶材100連接于一負(fù)電壓端。多個(gè)靶材100由同一電源供應(yīng)器供應(yīng)其電源。
[0057]冷卻底板120的下方則是一細(xì)胞格磁控裝置150。如圖5所示，圖5為細(xì)胞格磁控裝置150的平面示意圖，最外圈為一環(huán)狀磁盤(pán)152。圖示的環(huán)狀磁盤(pán)152標(biāo)示為北極N，環(huán)狀磁盤(pán)152內(nèi)部則是細(xì)胞格狀磁盤(pán)155標(biāo)示為南極S，而細(xì)胞格狀磁盤(pán)155的每一個(gè)別細(xì)胞內(nèi)部則包含一磁條(獨(dú)立磁條)158，標(biāo)示為北極N。換言之，不管是環(huán)狀磁盤(pán)152或細(xì)胞格狀磁盤(pán)155或磁條158的另一磁極都在進(jìn)入紙面的另一端(或請(qǐng)參考圖4所示磁盤(pán)的下端)。
[0058]在一實(shí)施例中，細(xì)胞格磁控裝置150包含三列互相并列的方格，中間列的方格數(shù)比上、下兩列的個(gè)數(shù)少(中 間列有三個(gè)，上，下二列則有四個(gè)方格并列)，且以通過(guò)細(xì)胞格磁控裝置150中心的水平線呈鏡面對(duì)稱(chēng)，也以通過(guò)細(xì)胞格磁控裝置150中心的垂直線呈鏡面對(duì)稱(chēng)。本發(fā)明的細(xì)胞格磁控裝置150并列的方格，又增加了許多的小中心磁條158的設(shè)計(jì)，再加上細(xì)胞格磁控裝置150不是固定而是呈運(yùn)動(dòng)軌跡運(yùn)動(dòng)(如下述)，可以使靶材消耗更加均勻，又不失磁條間電子阱的效果。
[0059]上述的細(xì)胞格磁控裝置150包含細(xì)胞格狀磁盤(pán)155及這些磁條158先固定于一基板159，基板159再由另一水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)160帶動(dòng)，而使得細(xì)胞格磁控裝置150呈現(xiàn)以一預(yù)定的平面運(yùn)動(dòng)軌跡集體移動(dòng)(collection motion)。環(huán)狀磁盤(pán)152則是固定于另一獨(dú)立不動(dòng)的環(huán)狀磁盤(pán)的固定基板1591。水平平面運(yùn)動(dòng)軌跡，是依據(jù)以下的參數(shù)做調(diào)整，例如:靶材種類(lèi)、濺鍍速率、靶材面積、靶材消耗程度、鍍膜均勻性來(lái)調(diào)整。水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)160可以包含一轉(zhuǎn)軸驅(qū)動(dòng)一凸輪，或直接連接凸輪，再以齒條、齒輪及皮帶、鏈條(煉條)及任意組合的其中之一連接于基板159的一轉(zhuǎn)軸?；蛘呤邱R達(dá)輸出轉(zhuǎn)軸驅(qū)動(dòng)三連桿或四連桿等等組合。為避免影響真空，水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)160及細(xì)胞格磁控裝置150可以設(shè)計(jì)在真空鍍腔外。當(dāng)然，若在真空腔體內(nèi)，就必須選用適合的軸封及機(jī)構(gòu)。
[0060]基板159中心的水平平面運(yùn)動(dòng)軌跡，可以是例如包含圓形、橢圓或轉(zhuǎn)角為圓角的矩形、菱形的超橢圓軌跡等等，依據(jù)運(yùn)動(dòng)軌跡選擇適當(dāng)傳動(dòng)組合，來(lái)達(dá)到上述預(yù)定的運(yùn)動(dòng)軌跡，電子阱產(chǎn)生后，再變化為另一處，因此，可以使靶材的消耗均勻。另外，基板159的移動(dòng)速率也可由程控及調(diào)整。移動(dòng)速率約為0.25-2cycle/s，換算為300mmX 300mm的靶材而言，約為4cm/s-19cm/s。上述平面運(yùn)動(dòng)軌跡的中心，在某些應(yīng)用上不與靶材表面中心重疊，以達(dá)成一預(yù)定的鍍膜均勻性分布。
[0061]上述的環(huán)狀磁盤(pán)152是用來(lái)增加四周靠邊靶材的濺鍍率與鍍膜的均勻性。而細(xì)胞格狀磁盤(pán)155細(xì)胞格大小約為5mmX 5mm-300mmX 300mm。
[0062]另依據(jù)靶材100為矩形、圓形或多邊形的不同，細(xì)胞格狀磁盤(pán)155并不限于圖5所示的方型細(xì)胞格狀，而可以進(jìn)一步變化為多個(gè)三角格組成(如圖6A所示)、多個(gè)蜂巢格狀(如圖6B所示)、多層同心圓形(如圖6C所示)、多層同心花瓣(如圖6D所示)型或多層同心心形(未圖示)，方型細(xì)胞格狀、多個(gè)三角格組成、及多個(gè)蜂巢格狀適合方形靶或圓形靶，而多層同心圓形、多層同心花瓣、多層同心心形適合于圓型或接近圓型的濺鍍靶。 [0063]本發(fā)明的細(xì)胞格磁控裝置150包含環(huán)狀磁盤(pán)152、細(xì)胞格狀磁盤(pán)155及多個(gè)磁條158等以永久磁鐵為優(yōu)先。電磁鐵為次。因此，當(dāng)所采用的細(xì)胞格磁控裝置150中的環(huán)狀磁盤(pán)152、細(xì)胞格狀磁盤(pán)155或磁條158為永久磁鐵，細(xì)胞格磁控裝置150與靶材的距離是可以調(diào)整來(lái)達(dá)到預(yù)定的磁場(chǎng)強(qiáng)度，以達(dá)到以間距來(lái)改變鍍率與均勻度的目的。
[0064]另外，整組細(xì)胞格磁控裝置150并不限于整組與靶材100同在一真空中。整組細(xì)胞格磁控裝置150也可以隔離于大氣中。
[0065]本發(fā)明的另一實(shí)施例中，整組細(xì)胞格磁控裝置150是在一鈄面上，斜面角約為5-30°，進(jìn)而可以控制鍍膜厚度的分布。
[0066]本發(fā)明的移動(dòng)式細(xì)胞格磁控濺鍍靶具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0067]細(xì)胞格磁控裝置組成簡(jiǎn)單，又因是集體運(yùn)動(dòng)(細(xì)胞格磁控裝置固定于基板，基板移動(dòng)軌跡就是細(xì)胞格磁控裝置的移動(dòng)軌跡)，故只需一組驅(qū)動(dòng)裝置即可。
[0068]細(xì)胞格磁控裝置集體運(yùn)動(dòng)軌跡，依據(jù)前述參數(shù)做調(diào)整，可有效去除靶面消耗不均的問(wèn)題，特別是靶材在濺鍍期間表面弧狀火花(arc)發(fā)生頻率明顯減少。另外，靶材邊緣使用率低的問(wèn)題也可以有效獲得解決。
[0069]細(xì)胞格磁控裝置以集體運(yùn)動(dòng)使電子阱產(chǎn)生后，再變化位置。變化位置的方式較公知技術(shù)更為彈性，不會(huì)過(guò)度集中，因此，靶材消耗更為均勻。
[0070]靶材、銅底板與細(xì)胞格狀磁盤(pán)分離式設(shè)計(jì)，細(xì)胞格狀磁盤(pán)更可以在大氣中，因此，調(diào)整或更換細(xì)胞格狀磁盤(pán)容易，靶材的更換也是，不會(huì)互相牽絆。
[0071]本發(fā)明雖以優(yōu)選實(shí)施例闡明如上，然其并非用以限制本發(fā)明的精神與發(fā)明實(shí)體。是以，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改，均應(yīng)包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。例如，細(xì)胞格磁控裝置的四方格型細(xì)胞格狀磁鐵，在另一實(shí)施例可以不包含環(huán)狀磁盤(pán)。換言之，環(huán)狀磁盤(pán)是一選擇性組件。再一者，濺鍍靶材雖以多個(gè)分離靶材為例，本發(fā)明的細(xì)胞格磁控裝置，具有靶材消耗均衡的效果，因此，當(dāng)可應(yīng)用于一細(xì)胞格磁控裝置對(duì)應(yīng)單一靶材。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺鍍靶，其特征在于，包含: 一靶材，其貼附于一銅底板上，所述靶材連接一負(fù)電壓； 一驅(qū)動(dòng)裝置； 一細(xì)胞格磁控裝置，其固定于所述銅底板，包含一基板、一細(xì)胞格狀磁盤(pán)、多個(gè)磁條，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)及所述多個(gè)磁條由外而內(nèi)固定于所述基板上，所述基板由所述驅(qū)動(dòng)裝置所驅(qū)動(dòng)，而以一預(yù)定速率，作預(yù)定平面軌跡的運(yùn)動(dòng)，其中，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)由相接的磁條所構(gòu)成，并以相同的第一磁極面向所述靶材，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)的空間內(nèi)，每一細(xì)胞格包含一磁條，以第二磁極面向所述靶材。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)由多個(gè)格狀相連接所構(gòu)成，所述多個(gè)格狀選自由大小不相等的方格組、大小相等的方格組、蜂巢格狀、三角格組、多層同心圓形、多層同心心型所組成的群組的其中一種。
3.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述細(xì)胞格磁控裝置還包含一環(huán)狀磁盤(pán)，其圍繞并相距一預(yù)定距離于所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)之外，所述環(huán)狀磁盤(pán)朝向于所述靶材的一面與所述細(xì)胞格狀磁盤(pán)磁性相反，所述環(huán)狀磁盤(pán)是獨(dú)立固定的，并不和細(xì)胞格狀磁盤(pán)集體移動(dòng)。
4.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，還包含一間距調(diào)整機(jī)構(gòu)，用以調(diào)整所述靶材與所述細(xì)胞格磁控裝置的間距，以改變鍍率與均勻度。
5.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，還包含一角度調(diào)整機(jī)構(gòu)，用以調(diào)整所述靶材與所述細(xì)胞格磁控裝置的夾角，以改變鍍率與均勻度。
6.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置包含一馬達(dá)推動(dòng)一連動(dòng)裝置，所述連動(dòng)裝置包含連桿或凸輪或齒輪、齒條或皮帶或鏈條的機(jī)構(gòu)組合。
7.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述銅底板與所述細(xì)胞格磁控裝置之間還包含一冷卻裝置。
8.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述基板中心的平面軌跡包含圓形、橢圓、轉(zhuǎn)角為圓角的矩形或菱形的超橢圓軌跡的其中一種，所述預(yù)定速率為4-19cm/s。
9.如權(quán)利要求8所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述平面軌跡的中心不與靶材表面中心重疊，以達(dá)成一預(yù)定的鍍膜均勻性分布。
10.如權(quán)利要求1所述的磁控濺鍍靶，其特征在于，所述細(xì)胞格磁控裝置包含至少三列并列的方格，中間列的方格和最上及最下的兩列的方格大小不相等，并以通過(guò)細(xì)胞格磁控裝置中心水平線呈鏡面對(duì)稱(chēng)。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK103710672SQ201310462692
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月5日
【發(fā)明者】詹翔安 申請(qǐng)人:兆陽(yáng)真空動(dòng)力股份有限公司