專利名稱：一種金屬氣化噴涂的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氣化噴涂方法，尤其是一種在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的在金屬物體表面上復(fù)合金屬材料的方法有焊接、電鍍和粘接，采用焊接方法存在著加工表面粗糙的不足之處，不適合精細(xì)作業(yè)，并且部分金屬之間無(wú)法直接焊接，如銅鋁之間；采用電鍍方法存在著環(huán)境污染嚴(yán)重的不足之處，并且有些金屬間的鍍膜需通過(guò)中間介質(zhì)過(guò)渡；采用粘接方法存在著粘接材料會(huì)老化失效、使用壽命短的不足之處。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是針對(duì)現(xiàn)有的在金屬物體表面上復(fù)合金屬材料的方法所存在的加工表面粗糙、不適合精細(xì)作業(yè)，環(huán)境污染嚴(yán)重，使用壽命短的不足之處，提供一種在金屬物體表面上復(fù)合金屬材料時(shí)制作工藝簡(jiǎn)單、制備成本低，加工表面精度高、適合進(jìn)行精細(xì)作業(yè)，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染，使用壽命長(zhǎng)的在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是通過(guò)如下方式完成的:一種金屬氣化噴涂的方法，尤其是一種在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法，該金屬氣化噴涂的方法是通過(guò)金屬高溫氣化電路實(shí)現(xiàn)的，金屬高溫氣化電路包括變壓器B、常開(kāi)開(kāi)關(guān)K、電容C、電阻R和金屬負(fù)載F，其中，變壓器B中的初級(jí)線圈LI 一端與電源輸入端的火線相接，變壓器B中的初級(jí)線圈LI另一端與電源輸入端的地線相接，變壓器B中的次級(jí)線圈L2 —端與電容C的一端、常開(kāi)開(kāi)關(guān)K 一端相接，變壓器B中的次級(jí)線圈L2另一端與電容C的另一端、電阻R —端、金屬負(fù)載F一端相接，常開(kāi)開(kāi)關(guān)K另一端與電阻R另一端、金屬負(fù)載F另一端相接；所述的在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法是:將金屬物體主體作為目標(biāo)介質(zhì)，將所用的金屬氣化噴涂材料作為金屬負(fù)載F，在目標(biāo)介質(zhì)表面需進(jìn)行金屬氣化噴涂區(qū)域外圍放置絕緣墊片，在絕緣墊片的頂部放置金屬負(fù)載F，在金屬負(fù)載F上放置絕緣體，壓緊絕緣體，使金屬負(fù)載F靠近目標(biāo)介質(zhì)的表面，其中，絕緣墊片的厚度就是金屬負(fù)載F與目標(biāo)介質(zhì)表面之間的間隙寬度；待電容C完成充電后，閉合常開(kāi)開(kāi)關(guān)K，則金屬負(fù)載F在大電流作用下產(chǎn)生高溫，使金屬負(fù)載F等離子氣化，高溫的金屬等離子噴涂于目標(biāo)介質(zhì)的表面上，形成金屬薄膜層。所形成的金屬薄膜層與目標(biāo)介質(zhì)之間具有較強(qiáng)的吸附粘結(jié)力，難以用普通方式擦拭清除。在上述一種金屬氣化噴涂的方法中，所述的金屬高溫氣化電路中的電容C采用儲(chǔ)能電容，儲(chǔ)能電容的技術(shù)參數(shù)為:50kV/4.5μ F，工作電壓范圍為5 50kV。在上述一種金屬氣化噴涂的方法中，所述的金屬高溫氣化電路中的常開(kāi)開(kāi)關(guān)K采用空氣開(kāi)關(guān)。在上述一種金屬氣化噴涂的方法中，所述的金屬負(fù)載F采用金屬絲。在上述一種金屬氣 化噴涂的方法中，所述的金屬負(fù)載F采用金屬薄膜。本發(fā)明與現(xiàn)有的在金屬物體表面上復(fù)合金屬材料的方法相比，具有制作工藝簡(jiǎn)單、制備成本低，加工表面精度高、適合進(jìn)行精細(xì)作業(yè)，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染，使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。本發(fā)明可應(yīng)用于在金屬物體表面上進(jìn)行金屬材料的噴涂、鑲嵌與裝飾。


圖1為用于本發(fā)明一種金屬氣化噴涂的方法中的金屬高溫氣化電路的電路圖。圖2為在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂時(shí)金屬負(fù)載緊貼在目標(biāo)介質(zhì)表面上時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。在附圖1和附圖2中，I表示目標(biāo)介質(zhì)；2表示絕緣體；3表示絕緣墊片；B表示變壓器表示初級(jí)線圈；L2表示次級(jí)線圈；(:表示電容；1 表示電阻；κ表示常開(kāi)開(kāi)關(guān)；F表示金屬負(fù)載。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)照附圖，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。參照附圖1和附圖2，一種金屬氣化噴涂的方法，特別是一種在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法，該金屬氣化噴涂的方法是通過(guò)金屬高溫氣化電路實(shí)現(xiàn)的。金屬高溫氣化電路包括變壓器B、常開(kāi)開(kāi)關(guān)K、電容C、電阻R和金屬負(fù)載F，其中，變壓器B中的初級(jí)線圈L1 一端與電源輸入端的火線相接，變壓器B中的初級(jí)線圈L1另一端與電源輸入端的地線相接，變壓器B中的次級(jí)線圈L2—端與電容C的一端、常開(kāi)開(kāi)關(guān)K 一端相接，變壓器B中的次級(jí)線圈L2另一端與電容C的另一端、電阻R —端、金屬負(fù)載F —端相接，常開(kāi)開(kāi)關(guān)K另一端與電阻R另一端、金屬負(fù)載F另一端相接。在所述的金屬高溫氣化電路中，電容C采用儲(chǔ)能電容，儲(chǔ)能電容的技術(shù)參數(shù)為:50kV/4.5μ F，工作電壓范圍為5 50kV ;常開(kāi)開(kāi)關(guān)K采用空氣開(kāi)關(guān)。所述的在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法是:將金屬物體主體作為目標(biāo)介質(zhì)
I，將所用的金屬氣化噴涂材料作為金屬負(fù)載F，在目標(biāo)介質(zhì)表面需進(jìn)行金屬氣化噴涂區(qū)域外圍放置絕緣墊片3，在絕緣墊片3的頂部放置金屬負(fù)載F，在金屬負(fù)載F上放置絕緣體2，壓緊絕緣體2，使金屬負(fù)載F靠近目標(biāo)介質(zhì)I的表面，其中，絕緣墊片3的厚度就是金屬負(fù)載F與目標(biāo)介質(zhì)I表面之間的間隙寬度；待電容C完成充電后，閉合常開(kāi)開(kāi)關(guān)K，則金屬負(fù)載F在大電流作用下產(chǎn)生高溫，使金屬負(fù)載F等離子氣化，高溫的金屬等離子噴涂于目標(biāo)介質(zhì)I的表面上，形成金屬薄膜層。所述的金屬負(fù)載F采用金屬絲或金屬薄膜。
權(quán)利要求
1.一種金屬氣化噴涂的方法，其特征在于該金屬氣化噴涂的方法是通過(guò)金屬高溫氣化電路實(shí)現(xiàn)的，金屬高溫氣化電路包括變壓器B、常開(kāi)開(kāi)關(guān)K、電容C、電阻R和金屬負(fù)載F，其中，變壓器B中的初級(jí)線圈L1 一端與電源輸入端的火線相接，變壓器B中的初級(jí)線圈L1另一端與電源輸入端的地線相接，變壓器B中的次級(jí)線圈L2—端與電容C的一端、常開(kāi)開(kāi)關(guān)K一端相接，變壓器B中的次級(jí)線圈L2另一端與電容C的另一端、電阻R —端、金屬負(fù)載F —端相接，常開(kāi)開(kāi)關(guān)K另一端與電阻R另一端、金屬負(fù)載F另一端相接；所述的在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法是:將金屬物體主體作為目標(biāo)介質(zhì)，將所用的金屬氣化噴涂材料作為金屬負(fù)載F，在目標(biāo)介質(zhì)表面需進(jìn)行金屬氣化噴涂區(qū)域外圍放置絕緣墊片，在絕緣墊片的頂部放置金屬負(fù)載F，在金屬負(fù)載F上放置絕緣體，壓緊絕緣體，使金屬負(fù)載F靠近目標(biāo)介質(zhì)的表面，其中，絕緣墊片的厚度就是金屬負(fù)載F與目標(biāo)介質(zhì)表面之間的間隙寬度；待電容C完成充電后，閉合常開(kāi)開(kāi)關(guān)K，則金屬負(fù)載F在大電流作用下產(chǎn)生高溫，使金屬負(fù)載F等離子氣化，高溫的金屬等離子噴涂于目標(biāo)介質(zhì)的表面上，形成金屬薄膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬氣化噴涂的方法，其特征在于所述的金屬高溫氣化電路中的電容C采用儲(chǔ)能電容，儲(chǔ)能電容的技術(shù)參數(shù)為:501^/4.511 ，工作電壓范圍為5 50kV。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種金屬氣化噴涂的方法，其特征在于所述的金屬高溫氣化電路中的常開(kāi)開(kāi)關(guān)K采用空氣開(kāi)關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種金屬氣化噴涂的方法，其特征在于所述的金屬負(fù)載F采用金屬絲。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種金屬氣化噴涂的方法，其特征在于所述的金屬負(fù)載F采用 金屬薄膜。
全文摘要
本發(fā)明是一種在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法。本發(fā)明的方法是通過(guò)金屬高溫氣化電路實(shí)現(xiàn)的，金屬高溫氣化電路包括變壓器、常開(kāi)開(kāi)關(guān)、電容、電阻和金屬負(fù)載。所述的在金屬表面進(jìn)行金屬氣化噴涂的方法是將金屬物體主體作為目標(biāo)介質(zhì)，將所用的金屬氣化噴涂材料作為金屬負(fù)載，在目標(biāo)介質(zhì)表面需進(jìn)行金屬氣化噴涂區(qū)域外圍放置絕緣墊片，在絕緣墊片的頂部放置金屬負(fù)載，在金屬負(fù)載上放置絕緣體；當(dāng)電路導(dǎo)通后，則金屬負(fù)載在大電流作用下產(chǎn)生高溫，使金屬負(fù)載等離子氣化，高溫的金屬等離子噴涂于目標(biāo)介質(zhì)的表面上，形成金屬薄膜層。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、制備成本低，加工表面精度高、適合進(jìn)行精細(xì)作業(yè)，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23C4/12GK103114262SQ201310067398
公開(kāi)日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月4日
發(fā)明者樓溈濤, 陳衛(wèi)東 申請(qǐng)人:金華市蔣友明車廂制造有限公司