等離子體處理室中的氣體進給嵌件及其實現(xiàn)方法

等離子體處理室中的氣體進給嵌件及其實現(xiàn)方法
【專利摘要】一種被構(gòu)造為置于穿過電極的組件的通道中的氣體進給嵌件包括第一嵌件端部，在第一嵌件端部中具有與所述氣體進給嵌件的線性軸平行對齊的第一鉆孔。所述氣體進給嵌件進一步包括在所述第一嵌件端部對面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有與所述氣體進給嵌件的線性軸平行對齊的第二鉆孔，所述氣體進給嵌件還包括與第一鉆孔和第二鉆孔氣流連通的鉆孔到鉆孔連通通道。所述鉆孔到鉆孔連通通道形成在所述氣體進給嵌件的外表面中以便在氣體從第一嵌件端部流動穿過鉆孔到鉆孔連通通道到第二嵌件端部時阻礙視線。
【專利說明】等離子體處理室中的氣體進給嵌件及其實現(xiàn)方法
【背景技術(shù)】
[0001]使用等離子體將襯底(例如，晶片、平板顯示器、液晶顯示器，等等)加工成用于并入到各種電子產(chǎn)品(例如，智能電話、計算機，等等)中的電子器件(例如，集成電路裸片)已有很長時間。
[0002]在等離子體處理中，具有一或多個等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)可被用于處理一或多個襯底。等離子體的產(chǎn)生可使用電容耦合等離子體、電感耦合等離子體、電子回旋技術(shù)、微波技術(shù)，等等。
[0003]在一示例性電容耦合等離子體處理室中，晶片可被置于工件固定器(也稱為卡盤)上。一般而言，卡盤充當下電極，可對其供應(yīng)一或多個射頻(RF)信號。另一電極(稱為上電極)可在襯底上方間隔一定距離設(shè)置。襯底上表面和上電極下表面之間的間隙通常形成等離子體產(chǎn)生區(qū)域。在典型的方案中，在襯底處理期間，上襯底通常接地，而提供給下電極的RF能量被電容耦合到等離子體。換言之，當反應(yīng)物氣體通過構(gòu)建在上電極中的氣體進給管道釋放到等離子體產(chǎn)生區(qū)域中時，RF能量可與所釋放的反應(yīng)物氣體耦合以在等離子體產(chǎn)生區(qū)域中點燃并維持等離子體,用于襯底處理。
[0004]替代地或另外地，在一些等離子體處理系統(tǒng)中，上電極可用RF能量激勵。施加到上電極的RF信號相對于 供應(yīng)給下電極的RF信號的RF頻率可具有相同或不同的RF頻率。
[0005]等離子體處理系統(tǒng)設(shè)計者所面對的一個挑戰(zhàn)是需要將等離子體一直(尤其是在等離子體處理過程中)約束在等離子體產(chǎn)生區(qū)域。在上電極有RF能量激勵的等離子體處理室中，約束等離子體的需要尤其強烈。
[0006]這是因為當用RF能量激勵上電極時，在接地的室部件和RF激勵的上電極之間形成電場。該電場可引起氣體進給通道中的反應(yīng)物氣體不希望地點燃成等離子體，氣體進給通道如前所述用于將反應(yīng)物氣體提供到等離子體產(chǎn)生區(qū)域。
[0007]為了詳細闡述這種現(xiàn)象，應(yīng)當注意，出于安全原因等，典型等離子體處理室的室壁和許多部分通常是接地的。當上電極被提供RF功率時，電場存在于RF激勵的上電極和其上方的接地室部件之間。在橫貫電場的氣體通道或管道中流動的反應(yīng)物氣體可以被充分激勵以在氣體通道內(nèi)或在上電極層和部件之間的間隙容積(interstitial volume)中形成等離子體。這種等離子體是非計劃中的且是不希望的，因為它的出現(xiàn)將不可預(yù)測性引入了該工藝,且因此往往對蝕刻結(jié)果不利。此外,不希望的等離子體往往加速上電極部件的腐蝕，過早導(dǎo)致上電極或等離子體處理系統(tǒng)的故障。
[0008]控制這種不希望的等離子體形成是本發(fā)明的實施方式的許多目標中的一個。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]在附圖中，本發(fā)明通過實施例的方式而非限制的方式進行闡述，其中同樣的附圖標記表示類似的元件且其中:
[0010]圖1根據(jù)本發(fā)明的實施方式示出了氣體進給嵌件的簡圖。
[0011]圖2根據(jù)本發(fā)明的實施方式示出了穿過示例性電容耦合等離子體處理室中的上電極的氣體進給嵌件的簡化剖視圖。
[0012]圖3根據(jù)本發(fā)明的實施方式示出了用于實現(xiàn)本發(fā)明的實施方式的氣體進給嵌件的方法。
【具體實施方式】
[0013]現(xiàn)在將參考附圖所示的本發(fā)明的一些實施方式對本發(fā)明進行詳細描述。在接下來的描述中，許多具體細節(jié)被陳述以便提供對本發(fā)明的透徹理解。但顯而易見的是，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可在沒有這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實施。另一方面，公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有被詳細描述以免不必要地模糊本發(fā)明。
[0014]本發(fā)明的實施方式涉及改進的氣體進給嵌件，其被構(gòu)造為置于穿過電極組件的通道中，所述電極組件比如上電極組件，但本發(fā)明也適用于其它電極組件，比如下電極組件或輔助電極組件。在一或多種實施方式中，改進的氣體進給嵌件具有第一嵌件端部，第一嵌件端部在第二嵌件端部的對面。在每個嵌件端部中設(shè)置有鉆孔以方便氣體流動。所述鉆孔平行于嵌件的線性軸而設(shè)置。在實施方式中，所述鉆孔之一或兩個鉆孔均可與嵌件的線性軸軸向?qū)R。
[0015]嵌件的兩個端部中的鉆孔不會彼此相遇(meet)。相反，每個鉆孔與各自的橫向通道(cross channel)聯(lián)接，所述橫向通道又與設(shè)置在嵌件的外表面上的鉆孔到鉆孔連通通道聯(lián)接。在一或多種實施方式中，橫向通道相對于穿過嵌件的端部的鉆孔正交或成角度。在一或多種實施方式中，鉆孔到鉆孔連通通道是構(gòu)建到嵌件的外表面中的螺旋部。以這種方式，端到端氣體通道穿過嵌件而創(chuàng)建，其經(jīng)由兩個橫向通道和鉆孔到鉆孔連通通道從第一嵌件端部到第二嵌件端部 。
[0016]在一或多種實施方式中，所述鉆孔的直徑、所述橫向通道的直徑和/或所述鉆孔到鉆孔通道的直徑被保持為很小以便防止在這些鉆孔和通道中形成等離子體。此外，由于所述鉆孔、橫向通道和鉆孔到鉆孔通道在物理上不對齊，所以等離子體不在室的穿過氣體進給嵌件的其它部件的視線(line-of-sight)上。
[0017]在一或多種實施方式中，電極組件是多層電極組件，且氣體進給嵌件具有至少兩種不同的外徑或周長以更好地保護多層電極組件的各個層以免直接暴露于等離子體。
[0018]參考附圖和接下來的討論可以更好地理解本發(fā)明的實施方式的特征和優(yōu)點。
[0019]圖1根據(jù)本發(fā)明的實施方式示出了氣體進給嵌件100的簡圖，氣體進給嵌件100包括第一嵌件端部102和在該第一嵌件端部對面的第二嵌件端部104。嵌件端部102具有鉆孔112，鉆孔112自插入口延伸部分地穿過氣體進給嵌件100且與氣體進給嵌件100的線性軸120對齊，使得鉆孔112的底部位于箭頭110所指示的位置。同樣，嵌件端部104具有鉆孔114，鉆孔114自插入口延伸部分地穿過氣體進給嵌件100且與簡化的氣體進給嵌件100的線性軸120對齊，使得鉆孔114的底部位于箭頭116所指示的位置。
[0020]鉆孔到鉆孔通道130形成在氣體進給嵌件100的外表面132上。在優(yōu)選實施方式中，鉆孔到鉆孔通道130是形成在外表面132上的螺旋部，但如果需要，鉆孔到鉆孔通道130可以簡單地是直通道。橫向通道142和144用于分別將鉆孔112和114聯(lián)接到鉆孔到鉆孔通道130。當氣體進給嵌件100被置于穿過電極的孔中且貼合地甚或?qū)捤傻匕惭b在其中時，進入在第一嵌件端部102處的鉆孔112的氣體會穿過鉆孔112、橫向通道142、鉆孔到鉆孔通道130、橫向通道144和鉆孔114而在第二嵌件端部104處排出。
[0021]螺旋形式具有如下優(yōu)點:當RF能量被供應(yīng)給電極時，氣體從氣體進給嵌件的一端部處存在的接地電位到氣體進給嵌件的另一端部處存在的RF電位(反之亦然)行進的距離增加。但這種螺旋形式不是絕對要求，因為讓鉆孔102和104不可見(notline-of-sight)的鉆孔到鉆孔通道(比如130)的使用已經(jīng)提供了與防止等離子體對沿著氣體流動路徑設(shè)置的部件和設(shè)置于電極背面的部件的損害相關(guān)的優(yōu)點。
[0022]在優(yōu)選實施方式中，鉆孔112、橫向通道142、鉆孔到鉆孔通道130、橫向通道144和鉆孔114中的每一個的橫截面被設(shè)定尺寸使得橫截面的尺寸小于在這些部件中點燃和/或維持等離子體所必需的尺寸。本領(lǐng)域技術(shù)人員會容易理解，這種橫截面的尺寸計算屬于等離子體領(lǐng)域的本領(lǐng)域技術(shù)人員的技能(基于例如帕邢定律)且會根據(jù)例如點燃在給定壓強和/或其它參數(shù)(例如反應(yīng)物氣體的種類、所供應(yīng)的RF功率、RF頻率，等等)下放出的氣體所需的閾值電壓在不同的室之間變化。
[0023]在一或多種實施方式中，鉆孔112、橫向通道142、鉆孔到鉆孔通道130、橫向通道144和鉆孔114中只有一些而不是每一個被設(shè)定尺寸使得橫截面的尺寸小于在這些部件中點燃和/或維持等離子體所必需的尺寸。
[0024]在圖1的實施方式中，部分170 (port1n)具有外徑180，部分172具有小于外徑180的外徑182。當沿著 +Z方向到-Z方向插入氣體進給嵌件100而將氣體進給嵌件100置于電極中的孔中時，具有較大外徑180的部分170停止在為容納部分172而設(shè)計的較小的孔上，從而沿著Z方向?qū)怏w進給嵌件100置于電極內(nèi)。此外，當沿著-Z向+Z方向觀察，鄰近部分170的電極材料沒有以沿著氣體進給嵌件100的外表面延伸的視線的方式暴露。這是因為部分170的較大的直徑180要求電極的容納氣體進給嵌件100的部分170的孔部分大于電極的容納氣體進給嵌件100的部分172的孔部分。因此，鄰近部分170的電極材料實質(zhì)上會凹進去，遠離氣體進給嵌件的軸，使得這種鄰近部分170的電極材料更受保護以避免等離子體的影響，該等離子體可存在于第二嵌件端部104下方或者沿著嵌件的外表面向上滲(se印)。雖然圖1只示出了一個這種“凹進去”的特征來保護鄰近該特征的電極材料，但如果需要，可以提供具有不同外徑尺寸的多個氣體進給嵌件部分來保護電極的不同部分。
[0025]圖2根據(jù)本發(fā)明的實施方式示出了穿過示例性電容耦合等離子體處理室中的上電極的氣體進給嵌件100的簡化剖視圖。雖然示出的是電容耦合等離子體處理室，但應(yīng)當知道，本發(fā)明可以等同地適用于采用電感耦合等離子體、電子回旋技術(shù)、微波技術(shù)等的室。
[0026]在圖2中，示出的氣體進給嵌件100置于穿過電極組件200的層而創(chuàng)建的孔208中。在圖2的實施例的情況下，電極組件200是上電極，但本發(fā)明的實施方式可很好地等同適用于其它電極，比如下電極、輔助電極等。在圖2的實施例中，電極組件200包括通常由鋁或其它適合材料制成的加熱器板210，且可包括用于加熱/冷卻循環(huán)流體的液體通道和/或電阻加熱元件。在示例性的室中，加熱器板210可接地。
[0027]由氮化鋁或其它適合的絕緣材料制成的電絕緣層212被示出設(shè)置在接地的加熱器板210和包括兩個層216和218的氣體分配板214之間，如圖所示。層216和218通常由鋁或其它適合材料制成。氣體分配板214可包括氣體歧管230和氣體擴散孔232，用于將通過置于孔208中的氣體進給嵌件100接收的氣體分配到氣體分配板214下方的區(qū)域以產(chǎn)生等離子體。雖然圖2的實施例中未示出，但可在氣體分配板214下面設(shè)置其中也具有氣體擴散孔的硅層。該硅層或板和/或氣體分配板214可以是RF加熱的(RF-hot)(即，一者或二者均可被供應(yīng)RF能量)。從圖2可知，電場通過接地的加熱器板210和RF加熱的氣體分配板214之間的電勢差而形成，如果沒有提供恰當設(shè)計的嵌件，便可能點燃孔208中的氣體。
[0028]氣體嵌件的使用大大簡化了電極組件200中的部件的制造、維護和替換。在電極組件200的每一個孔208中銑削或機械加工合適尺寸的偏移氣體路徑是非常困難且昂貴的。相反，本發(fā)明的實施方式僅僅要求:穿過電極組件200創(chuàng)建孔，且由嵌件執(zhí)行防止在所述孔中形成不希望的等離子體和防止對電極組件200的部件或?qū)υO(shè)置在電極組件200上方的部件的與視線內(nèi)等離子體相關(guān)的損害的任務(wù)。嵌件本身可以廉價地單獨制成且獨立于較大、較笨重且較昂貴的電極組件。如果嵌件中的任何一個被發(fā)現(xiàn)有缺陷或故障，則可置換該嵌件，而不用像在偏移氣體路徑被集成到電極組件本身中的情況那樣不得不置換整個電極組件。當使用不同的反應(yīng)物氣體、不同的RF功率方案(regime)、不同的RF頻率和氣體通道的橫截面需要變成較小的橫截面以防止在氣體通道中形成不希望的等離子體時，可以簡單地置換嵌件。
[0029]在圖1和2的實施例中，氣體進給嵌件由合適的陶瓷(比如氧化鋁)制成。但也可采用其它合適的材料，比如石英或塑料。在實施例中，氣體進給嵌件中的氣體通道的橫截面尺寸為約0.062英寸。
[0030]在圖2中，有彈性的O形環(huán)或墊圈250、252和254被提供以防止逸出孔208的任何氣體滲入在電極組件200的子部件之間的間隙裂縫或區(qū)域。為了輔助制造和/或組裝，如果需要，氣體進給嵌件可制成不同的分段(sect1n)(比如圖2所示的兩個分段260和262)或者制成3個或4個或更多個分段。為了幫助組裝和/或?qū)R過程，可在電極組件主體中提供同中心O形環(huán)從 而在電極組件與氣體進給嵌件組裝在一起時幫助將氣體進給嵌件分段保持在恰當位置和/或使氣體進給嵌件分段處于電極組件孔的中心。
[0031]例如，可使用由彈性材料制成的同中心O形環(huán)270來使氣體進給嵌件分段260保持在恰當位置且相對于安裝氣體進給嵌件分段260的孔處于中心位置?？梢允褂眉绮?72通過在將加熱器板210和絕緣層212配對在一起之前從下面將氣體進給嵌件分段260插入加熱器板210中的孔時在加熱器板210中沿著Z方向自動對齊氣體進給嵌件分段260來簡化組裝。通過使用肩部272和同中心O形環(huán)270的組合，組裝可被大大簡化，因為氣體進給嵌件分段260通過同中心O形環(huán)相對于孔被自動地軸向?qū)R且通過?？吭跇?gòu)建到電極主體材料中的互補架(complimentary shelf)上的肩部272的操作在Z方向上對齊。
[0032]從圖2可見，在第一端部202進入鉆孔112的反應(yīng)物氣體從接地RF電位的區(qū)域(因為加熱器板210通常是接地的)移動到鉆孔114的開口附近的RF加熱區(qū)域(因為氣體分配板214通常是RF加熱的)。通過借助橫向通道和/或非視線螺旋部(nonline-of-sightspiral)使氣體移動的路徑更長，氣體分子穿過電場的路徑較長，這降低了點燃的趨勢。從圖2還可看到，氣體進給嵌件不需要跨越電極組件的整個厚度才有效，因為非視線的優(yōu)點不論嵌件長度如何都會保有。在本發(fā)明的實施方式中，非視線的優(yōu)點在某種程度上通過偏移鉆孔并用橫向通道和設(shè)置在氣體進給嵌件的外表面上的任選的鉆孔到鉆孔通道連接它們而獲得。此外，每個鉆孔和/或螺旋部和/或鉆孔到鉆孔通道的長度可根據(jù)需要變化，具體取決于室。
[0033]圖3根據(jù)本發(fā)明的實施方式示出了用于實現(xiàn)本發(fā)明的實施方式的氣體進給嵌件的方法。在步驟302中，提供氣體進給嵌件，該氣體進給嵌件具有部分穿過嵌件的長度而創(chuàng)建且相對于氣體進給嵌件的線性軸平行或?qū)R或居中設(shè)置的兩個鉆孔。該氣體進給嵌件還具有橫向通道以連接這些線性鉆孔和設(shè)置在氣體進給嵌件的外表面上的鉆孔到鉆孔通道。氣體進給嵌件可任選地具有不同的分段，所述不同的分段具有不同的外徑以保護電極的不同部分，如前所述。
[0034]在步驟304中，氣體進給嵌件被置于等離子體處理室的電極中的孔中。如果氣體進給嵌件由不同的分段形成，則氣體進給嵌件的不同分段可在將電極組件組裝在一起作為一個部件之前被置于電極的不同層或分塊中。在步驟306中，其中具有氣體進給嵌件的電極被置于等離子體處理室中。在步驟308中，用RF能量激勵電極以在室中處理一或多個襯底，同時反應(yīng)物氣體流過氣體進給嵌件并被提供到等離子體處理室的等離子體產(chǎn)生區(qū)域以產(chǎn)生等離子體從而處理襯底。
[0035]由上可知，本發(fā)明的實施方式有利地防止了對電極的部件和/或電極附近或后面的部件的與視線內(nèi)等離子體相關(guān)的損害。此外，本發(fā)明的實施方式使用其執(zhí)行、制造、維持和/或替換是簡單、高效且符合成本效益的方法和裝置來防止在氣體進給通道中形成不希望的等離子體。
[0036]雖然已根據(jù)若干優(yōu)選實施方式描述了本發(fā)明，但還有落在本發(fā)明的范圍內(nèi)的變化方案、置換方案和等同方案。雖然本文提供了各種實施例，但本意是這些實施例對本發(fā)明而言是說明性的而非限制性的。此外，本文為方便起見提供了標題和概要，但不應(yīng)當被用于解釋本文的權(quán)利要求的范圍。進一步地，摘要以高度濃縮的形式寫就且在本文中為方便起見而提供，因此不應(yīng)當被 用于解釋或限制權(quán)利要求中所表述的整個發(fā)明。如果本文使用了術(shù)語“成組的(set) ”，那么這種術(shù)語意在表示其通常理解的數(shù)學(xué)意義，涵蓋零個、一個或多于一個的元素。還應(yīng)當注意，有許多實現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置的替代方式。因此，接下來所附的權(quán)利要求書意在被解釋為包括所有這樣的落在本發(fā)明的真實精神和范圍內(nèi)的變化方案、置換方案和等同方案。
【權(quán)利要求】
1.一種被構(gòu)造為置于穿過電極的組件的通道中的氣體進給嵌件，其包括 第一嵌件端部，其中具有與所述氣體進給嵌件的線性軸平行對齊的第一鉆孔； 在所述第一嵌件端部對面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有與所述氣體進給嵌件的所述線性軸平行對齊的第二鉆孔；以及 與所述第一鉆孔和所述第二鉆孔氣流連通的鉆孔到鉆孔連通通道，所述鉆孔到鉆孔連通通道被形成在所述氣體進給嵌件的外表面中以便在氣體從所述第一嵌件端部流動穿過所述鉆孔到鉆孔連通通道到所述第二嵌件端部時阻礙視線。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體進給嵌件，其中所述氣體連通通道其中所述鉆孔到鉆孔連通通道是在所述氣體進給嵌件的外表面中創(chuàng)建的螺旋通道。
3.如權(quán)利要求1所述的氣體進給嵌件，其中所述電極表現(xiàn)為多層電極且其中所述氣體進給嵌件是具有至少兩個不同部分的圓筒形嵌件，所述至少兩個不同部分有至少兩種不同外徑。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體進給嵌件，其進一步包括與所述第一鉆孔和所述鉆孔到鉆孔連通通道聯(lián)接的至少一個橫向通道。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體進給嵌件，其中所述至少一個橫向通道被設(shè)置為與所述第一鉆孔正交。
6.如權(quán)利要求4 所述的氣體進給嵌件，其中所述至少一個橫向通道被設(shè)置為與所述第一鉆孔成角度，而不是平行于所述第一鉆孔。
7.如權(quán)利要求4所述的氣體進給嵌件，其中所述至少一個橫向通道還聯(lián)接到所述第二鉆孔。
8.如權(quán)利要求1所述的氣體進給嵌件，其中所述第一鉆孔的橫截面尺寸沒有大到足以在RF功率被提供到所述電極的組件的至少一部分時在所述第一鉆孔中維持等離子體。
9.如權(quán)利要求1所述的氣體進給嵌件，其進一步包括構(gòu)建到所述氣體進給嵌件的外表面中的至少一個肩部以在所述氣體進給嵌件被組裝到所述電極的組件的所述通道中時幫助在Z方向上對齊所述氣體進給嵌件。
10.如權(quán)利要求1所述的氣體進給嵌件，其中所述氣體進給嵌件由兩個在組裝之前在物理上分開的分段形成，所述第一鉆孔設(shè)置在第一分段中，所述第二鉆孔至少部分設(shè)置在第二分段中。
11.一種用于制造具有至少一個等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)的方法，所述等離子體處理室包括電極的組件，所述方法包括: 提供氣體進給嵌件，所述氣體進給嵌件具有至少 第一嵌件端部，其中具有與所述氣體進給嵌件的線性軸平行對齊的第一鉆孔； 在所述第一嵌件端部對面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有與所述氣體進給嵌件的所述線性軸平行對齊的第二鉆孔；以及 與所述第一鉆孔和所述第二鉆孔氣流連通的鉆孔到鉆孔連通通道，所述鉆孔到鉆孔連通通道被形成在所述氣體進給嵌件的外表面中以便在氣體從所述第一嵌件端部流動穿過所述鉆孔到鉆孔連通通道到所述第二嵌件端部時阻礙視線； 將所述氣體進給嵌件置于所述電極的組件中的孔中；以及 將所述電極組裝在所述等離子體處理室中。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述氣體連通通道其中所述鉆孔到鉆孔連通通道是在所述氣體進給嵌件的外表面中創(chuàng)建的螺旋通道。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述電極表現(xiàn)為多層電極且其中所述氣體進給嵌件是具有至少兩個不同部分的圓筒形嵌件，所述至少兩個不同部分有至少兩種不同外徑。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述氣體進給嵌件進一步包括與所述第一鉆孔和所述鉆孔到鉆孔連通通道聯(lián)接的至少一個橫向通道。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述至少一個橫向通道被設(shè)置為與所述第一鉆孔正交。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述至少一個橫向通道還聯(lián)接到所述第二鉆孔。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一鉆孔的橫截面尺寸沒有大到足以在RF功率被提供到所述電極的組件的至少一部分時在所述第一鉆孔中維持等離子體。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述氣體進給嵌件由兩個在組裝之前在物理上分開的分段形成，所述第一鉆孔設(shè)置在第一分段中，所述第二鉆孔至少部分設(shè)置在第二分段中。
19.一種包括至少一個 等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理室包括: 電極；以及 被構(gòu)造為置于穿過所述電極的組件的通道中的氣體進給嵌件，其包括 第一嵌件端部，其中具有與所述氣體進給嵌件的線性軸平行對齊的第一鉆孔； 在所述第一嵌件端部對面的第二嵌件端部，所述第二嵌件端部中具有與所述氣體進給嵌件的所述線性軸平行對齊的第二鉆孔；以及 與所述第一鉆孔和所述第二鉆孔氣流連通的鉆孔到鉆孔連通通道，所述鉆孔到鉆孔連通通道被形成在所述氣體進給嵌件的外表面中以便在氣體從所述鉆孔流動穿過所述鉆孔到鉆孔連通通道到所述鉆孔時阻礙視線。
20.如權(quán)利要求19所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述氣體連通通道其中所述鉆孔到鉆孔連通通道是在所述氣體進給嵌件的外表面中創(chuàng)建的螺旋通道。
21.如權(quán)利要求19所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述電極表現(xiàn)為多層電極且其中所述氣體進給嵌件是具有至少兩個不同部分的圓筒形嵌件，所述至少兩個不同部分有至少兩種不同外徑。
【文檔編號】C23F1/00GK104040028SQ201280058684
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月29日
【發(fā)明者】邁克爾·C·凱洛格, 阿列克謝·馬拉赫塔諾夫, 拉金德爾·迪恩賽 申請人:朗姆研究公司