專利名稱：直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)是指在真空條件下,采用物理方法，將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體或等離子體在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強。該技術(shù)廣泛應用于航空航天、電子、光學、機械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導電、絕緣、光導、壓電、磁性、潤滑、超導等特性的膜層。 物理氣相沉積系統(tǒng)通常采用真空蒸鍍原理或者濺射鍍膜原理或者電弧等離子體鍍膜原理進行薄膜沉積。在應用真空蒸鍍原理時，通常會使用直流磁控裝置。目前，在物理氣相沉積系統(tǒng)中，如需對直流磁控裝置的轉(zhuǎn)速進行測試，需要將物理氣相沉積系統(tǒng)停下來，打開蓋子去除直流磁控自鎖裝置，然后計算單位時間內(nèi)直流磁控裝置的轉(zhuǎn)速(直流磁控裝置的磁體的轉(zhuǎn)速)，此種方法無法實時監(jiān)控直流磁控裝置的轉(zhuǎn)速是不是偏離規(guī)定范圍。一旦直流磁控裝置的轉(zhuǎn)速超出規(guī)定范圍，會引起產(chǎn)品報廢和良率下降。因此，如何提供一種可以實現(xiàn)實時監(jiān)控的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，可以實時監(jiān)控直流磁控裝置的轉(zhuǎn)速，避免因直流磁控裝置轉(zhuǎn)速超出規(guī)定范圍而引起產(chǎn)品報廢和良率下降問題。為了達到上述的目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，用于探測直流磁控裝置中的磁體的轉(zhuǎn)速，包括磁體轉(zhuǎn)速偵測器、微處理器以及電池，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器相對所述直流磁控裝置的磁體設(shè)置，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器與所述微處理器連接，所述電池與所述微處理器連接。優(yōu)選的，在上述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置中，所述電池是太陽能電子板。優(yōu)選的，在上述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置中，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器采用強磁感應切抗干擾的傳感器。優(yōu)選的，在上述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置中，還包括整形器，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器經(jīng)所述整形器與所述微處理器連接，所述整形器與所述電池連接。本實用新型還公開了一種物理氣相沉積系統(tǒng)，包括直流磁控裝置，還包括如上所述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置。[0012]優(yōu)選的，在上述的物理氣相沉積系統(tǒng)中，所述電池是太陽能電子板。優(yōu)選的，在上述的物理氣相沉積系統(tǒng)中，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器采用強磁感應切抗干擾的傳感器。優(yōu)選的，在上述的物理氣相沉積系統(tǒng)中，還包括整形器，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器經(jīng)所述整形器與所述微處理器連接，所述整形器與所述電池連接。本實用新型提供ー種的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)，通過設(shè)置磁體轉(zhuǎn)速偵測器、微處理器以及電池，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器相對所述直流磁控裝置的磁體設(shè)置，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器與所述微處理器連接，所述電池與所述微處理器連接，磁體轉(zhuǎn)速偵測器用于檢測磁體的轉(zhuǎn)速并將檢測到的磁體的轉(zhuǎn)速信息輸送給微處理器，微處理器分析接收到的轉(zhuǎn)速信息，如果超出正常范圍就會發(fā)送報警信息，以便操作人員及時處理，因而，本實用新型通過對直流磁控裝置轉(zhuǎn)速(即直流磁控裝置的磁體的轉(zhuǎn)速)的實時監(jiān)控，可以避免因直流磁控裝置轉(zhuǎn)速超出規(guī)定范圍而引起產(chǎn)品報廢，從而有效提高產(chǎn)品良率。
本實用新型的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)由以下的實施例及附圖給出。圖I為本實用新型直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置一實施例工作原理示意圖。圖2為為本實用新型直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，I-磁體轉(zhuǎn)速偵測器、2-微處理器、3-電池、4-整形器、5-磁體、6-直流磁控裝置。
具體實施方式
以下將對本實用新型的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)作進ー步的詳細描述。下面將參照附圖對本實用新型進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實用新型而仍然實現(xiàn)本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須作出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱愆`個實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。為使本實用新型的目的、特征更明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式
作進ー步的說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。請參閱圖I和圖2，其中，圖I所示為本實用新型直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置ー實施例的工作原理示意圖，圖2所示為本實用新型物理氣相沉積系統(tǒng)及直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例提供的物理氣相沉積系統(tǒng)，包括直流磁控裝置6和直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置。所述直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置用于探測直流磁控裝置6中的磁體5的轉(zhuǎn)速，所述直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置包括磁體轉(zhuǎn)速偵測器I、微處理器2以及電池3，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I相對所述直流磁控裝置6的磁體5設(shè)置，以便所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I可以檢測到所述磁體5的轉(zhuǎn)速，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I可以設(shè)置于所述磁體5的上方也可以設(shè)置于所述磁體5的側(cè)方，本實施例中，設(shè)置于所述磁體5的側(cè)方，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I與所述微處理器2連接，所述電池3與所述微處理器2連接，以向所述微處理器2供電。使用時，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I可以檢測到所述磁體5的轉(zhuǎn)速，并將將檢測到的磁體5的轉(zhuǎn)速信息輸送給所述微處理器，微處理器分析所接收到的轉(zhuǎn)速信息，如果超出正常范圍就會發(fā)送報警信息，以便操作人員及時處理，因此，本實用新型可以實現(xiàn)對直流磁控裝置轉(zhuǎn)速(即直流磁控裝置6的磁體5的轉(zhuǎn)速)的實時監(jiān)控，避免因直流磁控裝置6轉(zhuǎn)速超出規(guī)定范圍而引起廣品報廢，提聞廣品良率。在本實施例中，所述電池4是太陽能電子板。該太陽能電子板可以減少整個裝置·的電源負載及消耗，實現(xiàn)節(jié)能減耗的目標。在本實施例中，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I采用強磁感應切抗干擾的傳感器，從而可以避免傳統(tǒng)光電感應傳感器受工廠(FAB)內(nèi)某些特定光線的干擾，提高轉(zhuǎn)速探測精度和穩(wěn)定性。在本實施例中，所述直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置還包括整形器4，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器I經(jīng)所述整形器4與所述微處理器2連接，所述整形器4與所述電池3連接。在上述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置中，所述整形器4采用24V的電頻電路。采用整形器4用于將磁體轉(zhuǎn)速偵測器I檢測到的磁體的轉(zhuǎn)速信號進行優(yōu)化和整形，從而可以將更加精確的轉(zhuǎn)速信號傳輸給微處理器2，故而可以提高轉(zhuǎn)速測量精度和抗干擾性。綜上所述，本實用新型提供一種的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)，通過設(shè)置磁體轉(zhuǎn)速偵測器、微處理器以及電池，磁體轉(zhuǎn)速偵測器用于檢測磁體的轉(zhuǎn)速并將檢測到的磁體的轉(zhuǎn)速信息輸送給微處理器，微處理器分析接收到的轉(zhuǎn)速信息，如果超出正常范圍就會發(fā)送報警信息，以便操作人員及時處理，因而，本實用新型通過對直流磁控裝置轉(zhuǎn)速的實時監(jiān)控，可以避免因直流磁控裝置轉(zhuǎn)速超出規(guī)定范圍而引起產(chǎn)品報廢，從而有效提聞廣品良率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，用于探測直流磁控裝置中磁體的轉(zhuǎn)速，其特征在于，包括磁體轉(zhuǎn)速偵測器、微處理器以及電池，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器相對所述直流磁控裝置的磁體設(shè)置，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器與所述微處理器連接，所述電池與所述微處理器連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，其特征在于，所述電池是太陽能電子板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，其特征在于，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器采用強磁感應切抗干擾的傳感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，其特征在于，還包括整形器，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器經(jīng)所述整形器與所述微處理器連接，所述整形器與所述電池連接。
5.ー種物理氣相沉積系統(tǒng)，包括直流磁控裝置，其特征在于，還包括如權(quán)利要求I所述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的物理氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述電池是太陽能電子板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的物理氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器采用強磁感應切抗干擾的傳感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的物理氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，還包括整形器，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器經(jīng)所述整形器與所述微處理器連接，所述整形器與所述電池連接。
專利摘要本實用新型公開了一種直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置，用于探測直流磁控裝置中的磁體的轉(zhuǎn)速，包括磁體轉(zhuǎn)速偵測器、微處理器以及電池，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器相對所述直流磁控裝置的磁體設(shè)置，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器與所述微處理器連接，所述電池與所述微處理器連接。還公開了一種物理氣相沉積系統(tǒng)，包括直流磁控裝置，還包括如上所述的直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置。本實用新型通過設(shè)置磁體轉(zhuǎn)速偵測器、微處理器以及電池，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器相對所述直流磁控裝置的磁體設(shè)置，所述磁體轉(zhuǎn)速偵測器與所述微處理器連接，所述電池與所述微處理器連接，可以實現(xiàn)對直流磁控裝置轉(zhuǎn)速的實時監(jiān)控，避免因直流磁控裝置轉(zhuǎn)速超出規(guī)定范圍而引起產(chǎn)品報廢，提高產(chǎn)品良率。
文檔編號C23C14/54GK202595263SQ201220262649
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月5日
發(fā)明者周琦, 李秀軍, 桂鯤, 袁洪 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司