專利名稱：濺射靶-背襯板組裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及提高PTF (漏磁通)的濺射靶-背襯板組裝體。
背景技術(shù)：
近年來，作為電子電氣部件用材料的成膜法之一，廣泛使用可以容易控制膜厚和成分的派射法。該濺射法使用如下原理將正極與作為負(fù)極的靶對置，在惰性氣體氣氛下在這些基板與靶間施加高電壓使得產(chǎn)生電場，此時電離的電子與惰性氣體撞擊而形成等離子體，該等離子體中的陽離子撞擊靶(負(fù)極)的表面將靶構(gòu)成原子擊出，該飛出的原子附著到對置的基板上形成膜。使用該濺射法時，靶的形狀和特性的好壞對在基板上形成的薄膜的性質(zhì)產(chǎn)生大的 影響。另外，祀的制造工藝的設(shè)計會對生產(chǎn)成本產(chǎn)生影響。一般而言，根據(jù)濺射裝置的種類，確定能夠使用的濺射靶的形狀。不將靶與背襯板接合而使用靶本身的，是普通的形狀。此時，可以說靶自身兼作背襯板。但是，降低濺射靶的價格的情況或者需要提高漏磁通的情況下，大多采用將靶與使用便宜的非磁性材料而得到的背襯板接合的方法。作為接合方法，一般的方法之一是使用銦等焊料的方法。但是，此時存在如下問題在濺射中濺射靶的溫度上升，由此溫度上升到焊料的熔點以上，從而產(chǎn)生接合點剝離。作為解決該問題的手段而采用的方法，有稱為擴(kuò)散焊接(擴(kuò)散接合)的方法。該方法為，完全不使用焊料，而是在將濺射靶材與背襯板疊合后，暴露在高溫和高壓下進(jìn)行固相擴(kuò)散的方法。但是，此時，濺射靶與背襯板各自需要預(yù)先進(jìn)行機(jī)械加工的準(zhǔn)備，因此存在工序長，成本聞的缺點。另一方面，在制作硬盤時，一般使用將磁性材料磁控濺射的方法。但是，磁性材料的濺射靶多數(shù)含有貴金屬，因此價格高。另外，磁導(dǎo)率高時，漏磁通不充分，引起放電不穩(wěn)定或者完全不引起放電等問題。因此，在磁性材料用途中，為了提高PTF (漏磁通)，要求PTF更高的靶，嘗試了如下技術(shù)將未被侵蝕部分，即相當(dāng)于背襯板的部分變更為漏磁通盡可能大的材料；以及分別制造(通過燒結(jié)等手段)靶和背襯板，并用焊料將它們接合或者進(jìn)行固相擴(kuò)散接合。但是，如上所述，在這些接合中，為了使靶和背襯板兩者在組合時不產(chǎn)生間隙，需要預(yù)先切削加工成適當(dāng)?shù)男螤?，但是這會產(chǎn)生在濺射中兩者在界面剝離這樣的、連磁性材料這種特殊材料也不會例外的、與上述的一般靶-背襯板組裝體同樣的問題。另外，說到現(xiàn)有技術(shù)，與背襯板接合的方法是低價格化對策之一，但是一般而言背襯板的形狀為平板，能夠侵蝕的深度減少，因此在研究機(jī)構(gòu)中在少量濺射時是有效的，但是不適合硬盤的大量生產(chǎn)。這在使用焊料的情況下、擴(kuò)散焊接的情況下、以及將粉末與背襯板同時燒結(jié)的情況下均是同樣的。因此，如果僅僅將背襯板的厚度減少，不能實現(xiàn)原本的目的即低價格化。
因此，當(dāng)利用存在被深度侵蝕的部分和不太被侵蝕的部分這一點，根據(jù)侵蝕形狀改變背襯板的厚度時，通過接合方法既可以實現(xiàn)低價格化也可以實現(xiàn)高漏磁通化。該接合方法是將粉末與背襯板同時燒結(jié)的方法。另一方面，利用使用焊料的方法或進(jìn)行擴(kuò)散焊接的方法時，準(zhǔn)備的靶母材的形狀不能縮小，并且在接合前需要進(jìn)行實施機(jī)械加工的工序，因此結(jié)果是存在阻礙低價格化的問題。從上述內(nèi)容可以看出，成型的固體相互之間的接合，在使用接合材料時存在接合部的強(qiáng)度問題，在擴(kuò)散接合時由于制造工序的復(fù)雜而導(dǎo)致生產(chǎn)成本上升的問題。對于現(xiàn)有公知的技術(shù)而言，作為將W-Ti靶的粉末與背襯板燒結(jié)時縮短工序的手段，提出了將以成為濺射靶材料的組成的方式準(zhǔn)備的粉末與背襯板一起填充到容器中，并進(jìn)行HIP處理的方法(參考專利文獻(xiàn)I)。此時，濺射靶的燒結(jié)工序和與背襯板接合的工序同時進(jìn)行，但是工序復(fù)雜且存在必須使用高價的HIP進(jìn)行處理的靶材料的特殊性。
另外，公開了如下技術(shù)將靶/嵌件與支撐板接合時，先將鎢粉末等高純度粉末成型，制作靶/嵌件，將其直接壓縮到具有凹陷的支撐板上，并使其固相擴(kuò)散而接合，從而在濺射中防止剝離(參考專利文獻(xiàn)2)。另外，公開了如下技術(shù)在由母材金屬與分散金屬構(gòu)成的壓坯上載置母材金屬的錠，將該錠熔融使金屬滲透到壓坯的空隙中進(jìn)行接合，從而使該錠的一部分成為背襯板(參考專利文獻(xiàn)3)。公開了如下技術(shù)將金屬膠粘到陶瓷靶板的四周，將該靶板載置到煙灰缸型的Cu制背襯板上進(jìn)行熱壓而接合(參考專利文獻(xiàn)4)。其目的在于冷卻和防止破裂。另外，公開含有鋁成分的靶、以及將靶材料粉末與背襯板材料粉末進(jìn)行冷壓后，進(jìn)行熱鍛壓的技術(shù)(參考專利文獻(xiàn)5)。但是，上述的公知技術(shù)存在并未公開用于解決磁性材料靶固有問題的具體手段的問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :美國專利第5397050號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2004-530048號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2004-2938號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開平7-18432號公報專利文獻(xiàn)5 日本專利第4226900號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于通過在背襯板上配置靶的原料粉末并進(jìn)行燒結(jié)，從而得到可以得到高平均漏磁通、可以更穩(wěn)定地進(jìn)行濺射的濺射靶-背襯板組裝體。另外，通過將燒結(jié)和接合同時進(jìn)行，提供制造工序少、可以縮短制造時間、并且不會由于濺射中的溫度上升而產(chǎn)生剝離問題的該組裝體。另外，本發(fā)明的課題在于，可以利用被深度侵蝕的部分薄，不太被侵蝕的部分反而厚的背襯板，與此相伴隨，可以將高價的靶進(jìn)一步變薄，從而可以提供降低成本和提高PTF(漏磁通)的濺射靶-背襯板組裝體。根據(jù)以上課題，本申請發(fā)明提供I) 一種濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，通過將以成為磁性材料濺射靶的組成的方式配合的原料粉末與背襯板一起填充到模具中并進(jìn)行熱壓，在所述磁性材料靶粉末燒結(jié)的同時與背襯板接合而得到。2)如上述I)所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶為在金屬相中微細(xì)分散有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物和碳氮化物中的一種以上無機(jī)物材料的材料。3)如上述I)或2)所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶含有18摩爾％以下的Cr和/或25摩爾％以下的Pt，其余包含Co和不可避免的雜質(zhì)。4)如上述I)或2)所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶含 有18摩爾％以下的Cr和/或45摩爾％以下的Pt，其余包含F(xiàn)e和不可避免的雜質(zhì)。5)如上述3)或4)所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶進(jìn)一步含有總計12摩爾％以下的選自Ru、Ti、Ta、Si、B和C中的一種以上元素。6)如上述3)至5)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶進(jìn)一步含有總計5 15摩爾％的選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳。另外，本申請發(fā)明提供7)如上述I)至6)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板具有比靶的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率。8)如上述I)至7)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板是包含磁導(dǎo)率為1.0以下的非磁性材料的背襯板。9)如上述I)至8)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板僅僅為金屬相、或者為在該金屬相中微細(xì)分散有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物和碳氮化物中的一種以上無機(jī)物材料的非磁性體。10)如上述9)所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板的金屬相含有Co，并且含有選自Cr、Ti、Ta、Si、B和C中的一種以上元素。11)如上述9)或10)所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，在背襯板的金屬相中分散的所述無機(jī)物材料為包含選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的至少一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者為碳。12)如上述I)至11)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板含有19 40摩爾％的Cr，總計5 15摩爾％的選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳，其余為Co和不可避免的雜質(zhì)。另外，本申請發(fā)明提供13)如上述I)至12)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板與磁性材料靶的線性膨脹率之差在從室溫至1000°c之間最大為O. 5以內(nèi)。14)如上述I)至13)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板是以濺射靶的邊角料或廢料為原料制作的。15) 一種制造上述I)至14)中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體的方法，其特征在于，通過將以成為磁性材料濺射靶的組成的方式配合的原料粉末與背襯板一起填充到模具中后進(jìn)行熱壓，在所述磁性材料靶粉末燒結(jié)的同時與背襯板接合。發(fā)明效果本發(fā)明在通過在背襯板上配置靶的原料粉末并進(jìn)行燒結(jié)而制造的濺射靶-背襯板組裝體中可以得到高平均漏磁通。因此，具有可以更穩(wěn)定地濺射、可以提供高品質(zhì)制品的優(yōu)良效果。另外，將燒結(jié)和接合同時進(jìn)行，因此具有如下效果 制造工序少，可以縮短制造時間，并且與使用In等焊料的接合方法不同，不會由于濺射中的溫度上升而引起剝離問題。另外，具有可以利用被深度侵蝕的部分薄，不太被侵蝕的部分反而厚的背襯板，與此相伴隨，可以將高價的靶進(jìn)一步變薄，從而可以提供降低成本和提高PTF (漏磁通)的濺射靶-背襯板組裝體的效果，并且未被侵蝕的部分為不含Pt的材料，因此具有與一體型的靶相比可以抑制原料費用的效果。由以上可以看出，通過將以成為目標(biāo)組成的方式配合的濺射靶的原料粉末與背襯板在燒結(jié)的同時進(jìn)行接合，具有如下顯著的效果可以提供能夠便宜并且穩(wěn)定地提供磁性材料濺射靶-背襯板組裝體的技術(shù)。


圖I是表示實施例I所示的包含靶和背襯板材料的接合體的概要的說明圖。圖2是表示實施例2和4所示的煙灰缸型靶-背襯板組裝體的概要的說明圖。圖3是使用本申請發(fā)明的煙灰缸型背襯板時的侵蝕輪廓的示意圖。
具體實施例方式本申請發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體，通過將以成為磁性材料濺射靶的組成的方式配合的原料粉末與背襯板一起填充到模具中并進(jìn)行熱壓，可以在所述磁性材料靶粉末燒結(jié)同時地與背襯板接合。背襯板既可以使用燒結(jié)體，也可以使用熔融物。將所述背襯板配置到碳石墨制模具中，在該背襯板上載置靶的原料粉末，然后在真空中、溫度100(Tl20(TC、壓力2(T40MPa、保持時間6(Tl20分鐘的條件下進(jìn)行熱壓，由此可以容易地制造?？梢姡捎趯Y(jié)和接合同時進(jìn)行，因此具有如下效果制造工序少，可以縮短制造時間，并且與使用In等焊料的接合方法的缺點不同，不會由于濺射中的溫度上升而引起剝離問題。另外，可以利用被深度侵蝕的部分薄，不太被侵蝕的部分反而厚的背襯板，與此相伴隨，可以將高價的靶進(jìn)一步變薄，從而可以降低成本和提高PTF (漏磁通)。另外，本發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體可以得到高平均漏磁通，因此具有可以更穩(wěn)定地濺射，可以提供高品質(zhì)制品的優(yōu)良效果。一般而言，為了實施穩(wěn)定的濺射，有時根據(jù)裝置需要PTF為50%以上，但是，即使例如PTF低于50%的靶，根據(jù)本申請發(fā)明，也具有如下顯著優(yōu)點在保持該靶的厚度不變的情況下，可以使PTF為50%以上。本申請發(fā)明包括上述這樣的靶。本申請發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體的磁性材料靶，可以設(shè)定為在金屬相中微細(xì)分散有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物和碳氮化物中的一種以上無機(jī)物材料的材料。另外，本發(fā)明的磁性材料靶，可以制成含有18摩爾％以下的Cr和/或25摩爾％以下的Pt，其余包含Co和不可避免的雜質(zhì)的濺射靶-背襯板組裝體。另外，本發(fā)明的磁性材料靶，可以制成含有18摩爾％以下的Cr和/或45摩爾％以下的Pt，其余包含F(xiàn)e和不可避免的雜質(zhì)的濺射靶-背襯板組裝體。本申請發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體的磁性材料靶，在上述靶中，可以進(jìn)一步含有總計12摩爾％以下的選自Ru、Ti、Ta、Si、B和C中的一種以上元素。本申請發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體的磁性材料靶，在上述靶中，可以進(jìn)一步含有總計5 15摩爾％的選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳。這些靶，是作為磁性材料有用的成分。本申請發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體的磁性材料靶，可以得到高的(例如50%以上的)平均漏磁通。 本申請發(fā)明的濺射靶-背襯板組裝體中，通過將背襯板的磁導(dǎo)率設(shè)定為低于靶的磁導(dǎo)率，可以增加靶的平均漏磁通，可以有效地進(jìn)行濺射。更優(yōu)選的背襯板是磁導(dǎo)率為1.0以下(基于CGS單位制；下同)的非磁性材料?？梢?，即使使用靶自身的磁導(dǎo)率例如超過10的高磁導(dǎo)率材料，由于背襯板的磁導(dǎo)率低，因此也可以形成等離子體，進(jìn)行濺射。背襯板的磁導(dǎo)率如果充分低，則背襯板可以僅僅使用金屬相，另外，也可以為在金屬相中微細(xì)分散有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物中的一種以上無機(jī)物材料的非磁性體。為了實現(xiàn)這一點，可以在背襯板的金屬相中含有Co、并且含有選自Cr、Ti、Ta、Si、B和C中的一種以上兀素。另外，也可以含有Fe作為金屬相。Co和Fe均為強(qiáng)磁性體，因此需要降低背襯板的磁導(dǎo)率的添加物的調(diào)節(jié)或者控制背襯板的組織。另外，濺射靶-背襯板組裝體中，可以將在所述背襯板的金屬相中分散的所述無機(jī)物材料設(shè)定為包含選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的至少一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳?？梢蕴峁⒈骋r板設(shè)定為含有1^40摩爾％的Cr，總計5 15摩爾％的選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳，其余為Co和不可避免的雜質(zhì)的濺射靶-背襯板組裝體。一般而言，作為靶的原料的粉末，使用微細(xì)粉末，以提高燒結(jié)體靶的密度，但是，本發(fā)明的目的并不在于僅僅使用微細(xì)粉末。因此，可以使用已知水平的平均粒徑的粉末。后述的實施例、比較例的粉末中，例示了代表性的粉末，但是可以容易地理解本申請發(fā)明并不限于這些粉末。另外，制造背襯板的情況也同樣。如后所述，背襯板材料的原料粉末大多與靶類似，因此可以使用靶的剩余材料或邊角料。即，作為背襯板的材料，可以以濺射靶的邊角料或廢料為原料，并且進(jìn)一步根據(jù)需要添加可以調(diào)節(jié)漏磁通的材料，從而可以制作濺射靶-背襯板組裝體。但是，可以容易地理解并不限于剩余材料。材料選擇的最終目的在于增加漏磁通。只要是可以實現(xiàn)該目的的材料，則可以使用不產(chǎn)生翹曲等的材料，可以選擇具有可以保持靶的適度強(qiáng)度的材料。這可以通過本申請發(fā)明的燒結(jié)容易地得到。本發(fā)明中，背襯板的形狀為煙灰缸型(別名也稱為TUB型(澡盆形狀))是有效的。煙灰缸型的背襯板的形狀和尺寸需要根據(jù)靶的形狀進(jìn)行調(diào)節(jié)，沒有特別限制。另外，靶-背襯板組裝體自身也需要基于濺射裝置的種類進(jìn)行設(shè)計，因此可以是任意的設(shè)計。
使用煙灰缸型的背襯板情況下，靶的侵蝕輪廓示意圖如圖3所示。該圖3中，點線線表示背襯板，短劃線表示靶，實線表示侵蝕輪廓。另外，圖3的表示尺寸的數(shù)值均表示一例，可以容易地理解本發(fā)明不限于該數(shù)值。本申請發(fā)明的靶-背襯板組裝體，以這樣的形狀進(jìn)行靶的侵蝕。該侵蝕輪廓，只用于容易理解本申請發(fā)明，通過參考該侵蝕輪廓，可以更容易理解本申請發(fā)明。制造背襯板時的熱壓條件，只要是可以實現(xiàn)作為背襯板的適度強(qiáng)度則可以是任意的。另外，得到靶與背襯板的接合體的情況也同樣。通常，使用碳石墨制模具，在該模具中配置制作好的背襯板，并且在背襯板上裝載所述磁性材料靶的混合粉末，然后在真空中進(jìn)行熱壓以接合。此時的溫度、壓力、保持時間的選擇是任意的，只要得到適度強(qiáng)度的靶-背襯板組裝體即可?？梢允褂萌我庖环N公知的方法?？梢匀菀椎乩斫獗旧暾埌l(fā)明并以不以熱壓條件作為發(fā)明，后述的實施例和比較例中所示的熱壓條件表示這些通常進(jìn)行的代表例，沒有必要限于這些。
另外，可以提供背襯板與磁性材料靶的線性膨脹率之差在室溫至1000°C之間最大為O. 5以內(nèi)的濺射靶-背襯板組裝體。通過減少該線性膨脹率之差，可以防止靶的翹曲。以上的濺射靶-背襯板組裝體，具有如下效果可以得到高的(例如，50%以上的)平均漏磁通，因此可以更穩(wěn)定地進(jìn)行濺射，可以提供高品質(zhì)的制品。實施例以下，對實施例進(jìn)行說明。另外，該實施例用于容易地理解本發(fā)明，不限制本發(fā)明。即，在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)的其它實施例和變形也包括在本發(fā)明中。(實施例I)準(zhǔn)備平均粒徑I μ m的Co粉末、平均粒徑2 μ m的Cr粉末、平均粒徑2 μ m的Pt粉末、平均粒徑Ιμπι的3102粉末和平均粒徑3μπι的CoO粉末，將這些原料粉末以Co-17Cr-15Pt-5Si02-8Co0 (摩爾％)進(jìn)行配合，用混合機(jī)將這些粉末混合，得到磁性材料靶的混合粉末。另一方面，關(guān)于背襯板，同樣地準(zhǔn)備平均粒徑I μ m的Co粉末、平均粒徑2 μ m的Cr粉末和平均粒徑I μ m的SiO2粉末(另外，這些粉末的粒徑不會特別地成問題，因此沒有列出，但是可以使用靶的剩余粉末；下同)，將這些粉末以Co-25Cr-9Si02 (摩爾％)進(jìn)行配合，將該配合的粉末進(jìn)行熱壓，再進(jìn)行機(jī)械加工，而得到背襯板。該背襯板的磁導(dǎo)率用B-H計(分析儀)測定的結(jié)果是，磁導(dǎo)率為1.0。靶的磁導(dǎo)率比其高得多。另外，在制造背襯板時，粉末的粒度并不需要那么嚴(yán)格，可以為靶的剩余材料。另夕卜，制造方法也不必限于熱壓。只要可以實現(xiàn)適度的強(qiáng)度，可以是任意制造方法。對此，以下也同樣。然后，將上述制作的背襯板配置到碳石墨制模具中，在該背襯板上填充上述磁性材料靶的混合粉末，然后在真空中、溫度1100°c、壓力30MPa、保持時間90分鐘的條件下進(jìn)行熱壓，在燒結(jié)的同時進(jìn)行接合，得到圖I所示的包含靶和背襯板的接合體。使用熱機(jī)械分析裝置('J力' ”公司制造，TMA-8310E1)，測定上述靶和背襯板的線性膨脹率。靶在1000°C下為I. 4%，在500°C下為O. 9%，在100°C下為O. 4%。與此相對，背襯板的線性膨脹率在1000°C下為I. 2%，在500°C下為O. 7%，在100°C下為O. 3%。因此，在從室溫至1000°C之間線性膨脹率之差最大為O. 2。可見，靶與背襯板的線性膨脹率極其近似，因此完全不用擔(dān)心靶的翹曲、剝離、破裂。將該包含靶和背襯板的接合體以Φ 165. 10、背襯板部分厚度2. 00_、靶部分厚度4. 35mm的方式進(jìn)行機(jī)械加工，得到濺射靶-背襯板組裝體。該組裝體的平均漏磁通(PTF)為53.0%?？梢?，漏磁通(PTF)大，因此容易進(jìn)行濺射。將結(jié)果匯總于表I中。
另外，漏磁通的測定根據(jù)ASTM F2086-01 (Standard Test Method for PassThrough Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets,方法 2)實施。將革E的中心固定，將旋轉(zhuǎn)O度、30度、60度、90度、120度、150度、180度、210度、240度、270度、300度和330度而測定的漏磁通除以ASTM定義的reference field (參考域)的值,并乘以100用百分?jǐn)?shù)表示。然后，對于這些12個點取平均，所得結(jié)果以平均漏磁通(％)記載于表I中。表I
權(quán)利要求
1.一種濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，通過將以成為磁性材料濺射靶的組成的方式配合的原料粉末與背襯板一起填充到模具中并進(jìn)行熱壓，在所述磁性材料靶粉末燒結(jié)的同時與背襯板接合而得到。
2.如權(quán)利要求I所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶為在金屬相中微細(xì)分散有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物和碳氮化物中的一種以上無機(jī)物材料的材料。
3.如權(quán)利要求I或2所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶含有18摩爾％以下的Cr和/或25摩爾％以下的Pt，其余包含Co和不可避免的雜質(zhì)。
4.如權(quán)利要求I或2所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶含有18摩爾％以下的Cr和/或45摩爾％以下的Pt，其余包含F(xiàn)e和不可避免的雜質(zhì)。
5.如權(quán)利要求4所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶進(jìn)一步含有總計12摩爾％以下的選自Ru、Ti、Ta、Si、B和C中的一種以上元素。
6.如權(quán)利要求4或5所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，所述磁性材料靶進(jìn)一步含有總計5 15摩爾％的選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳。
7.如權(quán)利要求I至6中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板具有比靶的磁導(dǎo)率低的磁導(dǎo)率。
8.如權(quán)利要求I至7中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板是包含磁導(dǎo)率為1.0以下的非磁性材料的背襯板。
9.如權(quán)利要求I至8中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板僅僅為金屬相、或者為在該金屬相中微細(xì)分散有選自碳、氧化物、氮化物、碳化物和碳氮化物中的一種以上無機(jī)物材料的非磁性體。
10.如權(quán)利要求9所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板的金屬相含有Co，并且含有選自Cr、Ti、Ta、Si、B和C中的一種以上元素。
11.如權(quán)利要求9或10所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，在背襯板的金屬相中分散的所述無機(jī)物材料為包含選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的至少一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者為碳。
12.如權(quán)利要求I至11中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板含有19 40摩爾％的Cr，總計5 15摩爾％的選自Si、Ti、Ta、Co、Cr和B中的一種以上元素的氧化物、氮化物、碳化物或碳氮化物、或者碳，其余為Co和不可避免的雜質(zhì)。
13.如權(quán)利要求I至12中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板與磁性材料靶的線性膨脹率之差在從室溫至1000°c之間最大為O. 5以內(nèi)。
14.如權(quán)利要求I至13中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，背襯板是以濺射靶的邊角料或廢料為原料制作的。
15.一種制造權(quán)利要求I至14中任一項所述的濺射靶-背襯板組裝體的方法，其特征在于，通過將以成為磁性材料濺射靶的組成的方式配合的原料粉末與背襯板一起填充到模具中后進(jìn)行熱壓，在所述磁性材料靶粉末燒結(jié)的同時與背襯板接合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種濺射靶-背襯板組裝體，其特征在于，通過將以成為磁性材料濺射靶的組成的方式配合的原料粉末與背襯板一起填充到模具中并進(jìn)行熱壓，在所述磁性材料靶粉末燒結(jié)的同時與背襯板接合而得到。本發(fā)明的課題在于通過在背襯板上配置靶的原料粉末并進(jìn)行燒結(jié)，得到能夠得到高平均漏磁通，可以更穩(wěn)定地進(jìn)行濺射的濺射靶-背襯板組裝體。另外，本發(fā)明通過將燒結(jié)和接合同時進(jìn)行，提供制造工序少，可以縮短制造時間，不會由于濺射中的溫度上升而引起剝離問題的該組裝體。另外，本發(fā)明的課題在于可以降低成本和提高PTF(漏磁通)的濺射靶-背襯板組裝體。
文檔編號C22C1/04GK102812152SQ20118001005
公開日2012年12月5日 申請日期2011年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月19日
發(fā)明者池田祐希, 中村祐一郎, 荒川篤俊 申請人:吉坤日礦日石金屬株式會社