專利名稱：：電弧式蒸發(fā)源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電弧式蒸發(fā)源，其在例如工具、模具、裝飾件、機(jī)械部件等的基體材料外部表面，形成用于提高耐磨損性和降低摩擦損失、或者附加顏色的硬質(zhì)碳被膜。
背景技術(shù)：
：為了在基體材料的外部表面形成被膜，提高耐磨損性和耐久性，降低摩擦損失，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)表面形狀等的保護(hù)，使用通過電弧放電使陰極物質(zhì)熔化而蒸發(fā)的電弧式蒸發(fā)源。電弧式蒸發(fā)源在通過電弧放電而在陰極前方的空間形成的電弧等離子區(qū)的作用下，將蒸發(fā)后的陰極物質(zhì)的大部分電離。然后，利用電弧等離子區(qū)，對被成膜基體材料施加規(guī)定的電壓，由此將電離后的陰極物質(zhì)吸附到基體材料上，從而在基體材料表面形成被膜。使用了這樣的電弧式蒸發(fā)源的電弧離子鍍法，通過電弧放電而使陰極物質(zhì)熔化，由此能夠大量生成陰極物質(zhì)的蒸氣，因此成膜速度快，且被膜和基體材料之間的密接性優(yōu)越。因此，使用該方法的成膜裝置生產(chǎn)性優(yōu)越，從而在機(jī)械部件或切削工具等的表面廣泛地用作金屬或其碳化物、氮化物等的被膜形成裝置。電弧式蒸發(fā)源利用由磁鐵或線圈形成的磁場，以電弧放電的電弧點(diǎn)靠近陰極前方的蒸發(fā)面的方式進(jìn)行控制。然而，存在電弧點(diǎn)偶發(fā)性地向偏離陰極蒸發(fā)面的部位轉(zhuǎn)移的情況。因此，作為抑制電弧點(diǎn)的轉(zhuǎn)移的技術(shù)，公開了具備包圍陰極蒸發(fā)面的周圍、且至少在前部具有圓錐狀的斜面的細(xì)頭環(huán)(先細(xì)yy夕')的電弧式蒸發(fā)源(專利文獻(xiàn)1的圖1~圖3)。該技術(shù)利用磁力線中的電弧點(diǎn)朝著磁力線與斜面構(gòu)成的銳角的方向移動的性質(zhì)。這種情況如圖5所示，在線圈的作用下與陰極蒸發(fā)面大致垂直地產(chǎn)生的磁力線M'與細(xì)頭環(huán)64'的圓錐狀的斜面64，a形成銳角a的角度。因此，通過上述性質(zhì)，從陰極蒸發(fā)面偏離3而移動到細(xì)頭環(huán)斜面的電弧點(diǎn)，如圖5的軌跡A'所示返回到陰極蒸發(fā)面。另外，公開了在作為成膜材料的材料桿周圍設(shè)置薄壁環(huán)狀的內(nèi)側(cè)層、且由磁性體構(gòu)成該內(nèi)側(cè)層的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2的圖3)。這樣，由于將磁力線從磁性體吸附到內(nèi)側(cè)層，且擴(kuò)大等離子束，因此能夠比較均勻地加熱材料桿的上表面，且能夠穩(wěn)定地成膜。另外，公開了在陰極的周圍設(shè)置由強(qiáng)磁性體構(gòu)成的陰極護(hù)罩的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3的第1圖)日本特開2001-181829號公報(bào)(圖1圖3、段落0020);日本特開2002-30422號公報(bào)(圖3、段落0033);日本實(shí)開平02-38463號公報(bào)(第1圖)。然而，專利文獻(xiàn)l記載的技術(shù)，由于細(xì)頭環(huán)由與陰極等電位的導(dǎo)電性材料構(gòu)成，因此若從陰極蒸發(fā)面偏離的電弧點(diǎn)向細(xì)頭環(huán)的圓錐狀斜面轉(zhuǎn)移，則斜面(特別在靠近陰極蒸發(fā)面的斜面前端)在電弧放電的作用下蒸發(fā)從而消耗。若細(xì)頭環(huán)的斜面消耗，則斜面和磁力線形成的角不為銳角，使電弧點(diǎn)返回到陰極蒸發(fā)面的效果降低，因此需要定期地更換環(huán)。另外，在電弧放電電流大的情況下，或在使用了碳系或Cr系高熔點(diǎn)材料作為陰極的情況下，有時(shí)從陰極熔化的高溫的微小粒子(熔滴)飛濺。熔滴在通過等離子區(qū)中時(shí)電子附著而帶負(fù)電荷，但有時(shí)由于質(zhì)量比較大因此實(shí)質(zhì)上不受磁場的影響而運(yùn)動，并到達(dá)細(xì)頭環(huán)表面。此時(shí)，存在以下情況，即，由于熔滴為高溫且?guī)ж?fù)電，因此在細(xì)頭環(huán)表面溫度瞬間上升，且?guī)щ姷碾娮酉蚣?xì)頭環(huán)側(cè)放電，從而起到與在開始電弧放電時(shí)使用的觸發(fā)電路相同的機(jī)能。這種情況下，產(chǎn)生電弧放電不連續(xù)地變換地點(diǎn)而運(yùn)動的現(xiàn)象，即使設(shè)置細(xì)頭環(huán)，熔滴也越過細(xì)頭環(huán)而飛濺到與陰極等電位的任意的地點(diǎn)，使電弧放電轉(zhuǎn)移。其結(jié)果是，存在以下情況在陰極構(gòu)成物質(zhì)以比較弱的附著力堆積在陰極的側(cè)面或細(xì)頭環(huán)的表面后，再次剝離并飛濺，附著在被膜的表面而形成膜厚過小部，或者進(jìn)入被膜中而使被膜表面的平滑性和被膜強(qiáng)度降低。進(jìn)而，剝離、飛濺后的堆積物可能附著在成膜裝置的構(gòu)成部件上而產(chǎn)生各種問題。專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)由于采用了將作為陰極的等離子源配置在與蒸發(fā)源不同的位置、且將等離子束導(dǎo)入作為陽極的膜材料的方式，因此將等離子束從陰極直接吸附到陽極。從而，與將膜材料施加到陰極側(cè)的專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)不同，由于本來不會產(chǎn)生電弧點(diǎn)向膜材料的蒸發(fā)面之外轉(zhuǎn)移的問題，因此為了改善電弧點(diǎn)的轉(zhuǎn)移而使用專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)存在困難。專利文獻(xiàn)3公開了在陰極的周圍設(shè)置由強(qiáng)磁性體構(gòu)成的陰極護(hù)罩的技術(shù)。另外，該文獻(xiàn)記載了在陰極護(hù)罩表面覆蓋與陰極相同材質(zhì)的包覆材料的技術(shù)，這是為了防止電弧放電向陰極護(hù)罩轉(zhuǎn)移而局部熔化、蒸發(fā)。然而，在該技術(shù)的情況下，由于陰極護(hù)罩與陰極面平行，因此包覆材料在轉(zhuǎn)移的電弧放電的作用下消耗，需要用于定期更換部件和再覆蓋的工時(shí)及費(fèi)用，因此存在導(dǎo)致成膜成本增加的問題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制電弧點(diǎn)向陰極蒸發(fā)面以外的部分轉(zhuǎn)移的電弧式蒸發(fā)源。本發(fā)明是為了解決所述課題而提出的電弧式蒸發(fā)源，其通過由磁場控制的電弧放電來使陰極的陰極物質(zhì)蒸發(fā)，所述電弧式蒸發(fā)源的特征在于，具備所述陰極；磁場形成機(jī)構(gòu)，其在所述陰極前端的蒸發(fā)面附近形成與陰極中心軸平行的方向的磁場，且配置在所述陰極的外側(cè)；支承機(jī)構(gòu)，其支承所述陰極；冷卻機(jī)構(gòu)，其冷卻所述陰極；錐形環(huán)，其形成圓錐臺狀，具有使所述陰極沿其軸向貫通的貫通孔，且配置成向著所述陰極的蒸發(fā)面逐漸變細(xì)，所述錐形環(huán)由強(qiáng)磁性體構(gòu)成，使用時(shí)所述錐形環(huán)的前端與所述陰極的蒸發(fā)面位于相同的面或位于比所述蒸發(fā)面靠后方的位置。這樣，由于錐形環(huán)是強(qiáng)磁性體，因此使磁力線彎曲，在陰極外周面附近形成向外側(cè)擴(kuò)展的磁力線，并且錐形環(huán)前端的磁通密度變高，提高了電弧點(diǎn)返回到陰極蒸發(fā)面的效果，抑制電弧點(diǎn)向錐形環(huán)的圓錐面的轉(zhuǎn)移。優(yōu)選在所述錐形環(huán)的圓錐面的表面具備絕緣體。另外，優(yōu)選在所述錐形環(huán)的圓錐面的前方具備環(huán)狀的蓋，所述環(huán)狀的蓋具有使所述陰極沿其軸向貫通的貫通孔并由順磁質(zhì)的金屬或合金構(gòu)成，且與周圍電絕緣。這樣，即使高溫且?guī)ж?fù)電的熔滴飛濺，且到達(dá)錐形環(huán)的圓錐面(斜面)附近，但由于錐形環(huán)蓋或絕緣體覆蓋圓錐面，因此，即使附著在熔滴表面的電子放電，也不會作為觸發(fā)電路而發(fā)揮作用，不會產(chǎn)生電弧放電的轉(zhuǎn)移，且圓錐面不會消耗。所述磁場形成機(jī)構(gòu)優(yōu)選由線圈、沿軸向具有磁極的圓筒型的永久磁鐵或者具有鐵心和線圈的電磁鐵中的任意一種構(gòu)成。進(jìn)而優(yōu)選還具備使所述陰極沿其軸向進(jìn)退的陰極輸送機(jī)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，能夠可靠地抑制電弧點(diǎn)向陰極蒸發(fā)面以外的部分移動。另外，當(dāng)在錐形環(huán)的圓錐面的前方設(shè)置蓋時(shí)，即使電弧點(diǎn)向陰極蒸發(fā)面以外的部分移動，部件的消耗也少。圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電弧式蒸發(fā)源的剖面圖。圖2是表示通過第一實(shí)施方式的電弧式蒸發(fā)源而形成的磁場以及電弧點(diǎn)的轉(zhuǎn)移的圖。圖3是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電弧式蒸發(fā)源的剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的電弧式蒸發(fā)源的剖面圖。圖5是表示通過現(xiàn)有的電弧式蒸發(fā)源而形成的磁場以及電弧點(diǎn)的轉(zhuǎn)移的圖。符號說明11-真空腔(真空容器壁)，15-電弧點(diǎn)，16-熔滴，17-陰極構(gòu)成物質(zhì)的流動，19-電弧放電電流電源，22-陰極，26-支承機(jī)構(gòu)，42、81、93-磁場形成機(jī)構(gòu)(線圈、圓筒形磁鐵)，61、99-冷卻機(jī)構(gòu)，64-錐形環(huán)，64a-錐形環(huán)64的圓錐狀斜面的前端，65-錐形環(huán)蓋，66-絕緣體包覆，67-陰極輸送機(jī)構(gòu)，101、103、105-電弧式蒸發(fā)源，M-磁力線，Ax-陰極中心軸。具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)以下，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行具體說明。圖l是表示本發(fā)明的電弧式蒸發(fā)源的第一實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)例的剖面圖。電弧式蒸發(fā)源101設(shè)置在真空腔11(圖中僅示出局部的容器壁)的開口部，作為整體構(gòu)成電弧式蒸鍍裝置。電弧式蒸發(fā)源101包括磁場形成6機(jī)構(gòu)(線圈)42;支承圓柱狀的陰極22的棒狀的支承機(jī)構(gòu)26;陰極輸送機(jī)構(gòu)(步進(jìn)電動機(jī))67;冷卻陰極的冷卻機(jī)構(gòu)61;由強(qiáng)磁性體構(gòu)成的錐形環(huán)64。環(huán)狀的線圈42收容在比線圈42稍大的環(huán)狀的線圈收納容器46中，線圈收納容器46如后所述也作為中間電位電極起作用。冷卻機(jī)構(gòu)61形成具有比線圈收納容器46的內(nèi)徑稍小的外徑的有底圓筒狀，在冷卻機(jī)構(gòu)61的開口端側(cè)形成有向外側(cè)擴(kuò)展的凸緣部61a。而且，在冷卻機(jī)構(gòu)61的開口端安裝有與冷卻機(jī)構(gòu)61相同直徑的圓錐臺狀的錐形環(huán)64。這里，錐形環(huán)64的底面(平面)側(cè)與冷卻機(jī)構(gòu)61的開口端對置，且錐形環(huán)64的圓錐面(斜面)從冷卻機(jī)構(gòu)61的前端以逐漸變細(xì)的方式突出。另一方面，在冷卻機(jī)構(gòu)61的底面的中心開口有使支承機(jī)構(gòu)26插通的中心孔，比中心孔靠外側(cè)設(shè)有用于使制冷劑49出入冷卻機(jī)構(gòu)61的內(nèi)部空間的入口61b以及出口61c。制冷劑49與陰極22以及錐形環(huán)64直接接觸而將它們冷卻。若將陰極22以及錐形環(huán)64冷卻，則能夠?qū)⑺鼈兊臏囟缺３譃楹愣?，將成膜速度維持為恒定，從而使被膜的膜厚再現(xiàn)性提高。特別是，若制冷劑49與陰極22以及錐形環(huán)64直接接觸，則進(jìn)一步發(fā)揮所述效果。錐形環(huán)64具有使陰極22沿其軸向貫通的貫通孔，從該貫通孔將陰極22插入冷卻機(jī)構(gòu)61的內(nèi)部，從冷卻機(jī)構(gòu)61的底面?zhèn)炔逋ǖ闹С袡C(jī)構(gòu)26的前端與陰極22的后端面同軸連接。從而，陰極22被錐形環(huán)64的貫通孔的緣部和支承機(jī)構(gòu)26支承。支承機(jī)構(gòu)26的另一端安裝在陰極輸送機(jī)構(gòu)67上，根據(jù)陰極輸送機(jī)構(gòu)67的進(jìn)退，支承機(jī)構(gòu)26以及陰極22在冷卻機(jī)構(gòu)61內(nèi)沿軸向進(jìn)退。另外，為了防止制冷劑49的泄露，在支承機(jī)構(gòu)26和冷卻機(jī)構(gòu)61的中心孔之間的滑動部分、冷卻機(jī)構(gòu)61的開口端和錐形環(huán)64的底面的接合部分以及陰極22和錐形環(huán)64的貫通孔之間的滑動部分，分別安裝有O形環(huán)51、53、55。需要說明的是，若錐形環(huán)64的貫通孔的直徑與圓錐臺的上表面的直徑大致相同，則錐形環(huán)64的圓錐狀斜面的前端64a尖細(xì)地突出，因此對于后述的電弧點(diǎn)轉(zhuǎn)移的控制這一點(diǎn)來說為優(yōu)選。進(jìn)而，在該實(shí)施方式中，在錐形環(huán)64的錐狀的圓錐面的前方配置有傘狀的錐形環(huán)蓋65，其具有與錐形環(huán)64大致相同直徑的貫通孔，從貫通孔插通陰極22。錐形環(huán)蓋65經(jīng)由未圖示的陶瓷制襯套安裝在錐形環(huán)64的圓錐面上，并處于與周圍(錐形環(huán)64、陰極22以及電弧式蒸發(fā)源101的構(gòu)成部件和真空腔ll等)電絕緣的狀態(tài)。還有，錐形環(huán)蓋65的貫通孔的直徑比錐形環(huán)64的貫通孔的直徑稍大。錐形環(huán)蓋65由順磁質(zhì)的SUS304構(gòu)成，但只要是順磁質(zhì)的金屬或合金，則均可以使用。另外，作為安裝錐形環(huán)64和錐形環(huán)蓋65的絕緣體，可以使用氧化鋁、氮化硅、氧化鋯等絕緣性高的陶瓷。另外，在成膜作業(yè)時(shí)，使陰極22的位置進(jìn)退，以使錐形環(huán)64的前端64a與陰極的蒸發(fā)面22a位于相同的面或位于比蒸發(fā)面22a稍后退的位置。這是因?yàn)?，若錐形環(huán)64的前端64a位于比陰極的蒸發(fā)面22a靠前方(真空腔內(nèi)部側(cè))的位置，則不僅通過陰極而且通過錐形環(huán)來維持電弧放電，被膜的膜質(zhì)可能會產(chǎn)生問題。若錐形環(huán)蓋65位于比陰極22靠前方的位置，則也存在蒸發(fā)物質(zhì)向蓋的堆積以及剝離的問題，因此錐形環(huán)64、蓋65均位于比陰極蒸發(fā)面22a靠后方的位置。另外，由于隨著長期使用陰極有所消耗，蒸發(fā)面22a向真空腔的外側(cè)方向后退，因此，優(yōu)選預(yù)測該量而使用陰極輸送機(jī)構(gòu)67將陰極22向前方輸送，從而使蒸發(fā)穩(wěn)定，且將成膜速度和品質(zhì)保持為恒定。然而，在成膜處理時(shí)間短或者在放電電流小而導(dǎo)致陰極的消耗速度慢的情況下，即使不具備陰極輸送機(jī)構(gòu)，也可以在成膜處理時(shí)使陰極蒸發(fā)面22a位于比錐形環(huán)64的前端靠前方的位置。在電弧式蒸發(fā)源101向真空腔11的固定中，例如在如下狀態(tài)下將線圈收納容器46嵌入真空腔11，即，首先將絕緣環(huán)48外嵌于線圈收納容器46的軸向的一個(gè)端緣，并將絕緣環(huán)48安裝在線圈收納容器46的端緣和真空腔11的開口緣之間的狀態(tài)。然后，在將絕緣環(huán)63外嵌于冷卻機(jī)構(gòu)61的凸緣部61a、并將絕緣環(huán)63安裝在凸緣部61a和線圈收納容器46的內(nèi)壁的端緣之間的狀態(tài)下，將包括所述冷卻機(jī)構(gòu)61的組件(組裝有陰極22、支承機(jī)構(gòu)26、錐形環(huán)64、錐形環(huán)蓋65以及陰極輸送機(jī)構(gòu)67的組件)以冷卻機(jī)構(gòu)61的軸向沿著線8圈收納容器46的軸向的方式收容在線圈收納容器46的內(nèi)部，從而能夠設(shè)置電弧式蒸發(fā)源101。還有，絕緣環(huán)48、63作為絕緣件以及真空密封件而發(fā)揮作用。在向真空腔11設(shè)置的電弧式蒸發(fā)源101中，優(yōu)選陰極的蒸發(fā)面22a位于比真空腔11的內(nèi)壁面和構(gòu)成電弧式蒸發(fā)源101的磁場形成機(jī)構(gòu)等結(jié)構(gòu)物(例如，線圈收納容器46的前端面)靠前方(真空腔內(nèi)部側(cè))的位置。這是因?yàn)?，若所述壁面和結(jié)構(gòu)物比陰極蒸發(fā)面22a靠前方存在，則存在通過電弧放電蒸發(fā)的陰極構(gòu)成物質(zhì)(圖1的符號17表示蒸發(fā)或電離后的陰極構(gòu)成物質(zhì)的流動)堆積在壁面和結(jié)構(gòu)物的表面的情況。而且，有時(shí)堆積的陰極構(gòu)成物質(zhì)在其內(nèi)部應(yīng)力等的作用下在成膜作業(yè)中剝離、飛濺，附著在被成膜物的表面而防止被膜形成，或者混入被膜中使被膜品質(zhì)降低。接下來，對使用電弧式蒸發(fā)源101進(jìn)行成膜時(shí)的動作進(jìn)行說明。電弧放電電流電源19的陰極與具有電導(dǎo)電性的支承機(jī)構(gòu)26電連接，且支承機(jī)構(gòu)26與陰極22電連接。另一方面，電弧放電電流電源19的陰極側(cè)以及真空腔11與地線2連接。另外，具有電導(dǎo)電性的線圈收納容器46經(jīng)由電阻器21與地線2連接，作為中間電位電極而起作用。這樣，在陰極22和蘆空腔11之間、陰極22和線圈收納容器46之間產(chǎn)生電弧放電，蒸發(fā)、電離后的陰極構(gòu)成物質(zhì)從陰極的蒸發(fā)面22a向規(guī)定的陽極(與地線2連接)方向飛出，從而在真空腔11內(nèi)的基板表面(未圖示)形成被膜。另一方面，線圈42與勵磁電源44連接，并產(chǎn)生與線圈收納容器46的軸向(=陰極22的中心軸Ax)平行的磁場，而使電弧點(diǎn)向陰極蒸發(fā)面22a轉(zhuǎn)移。作為陰極22可以優(yōu)選使用實(shí)心的圓柱形狀的機(jī)構(gòu)。另外，若使用不為強(qiáng)磁性體的導(dǎo)電性材料作為陰極22，則即使陰極的突出量和陰極的長度變化，也不會對形成在錐形環(huán)64前端的磁場配位產(chǎn)生影響，因此優(yōu)選。作為陰極22的材料，可以舉出金屬、合金、碳等的半金屬材料、InAs等的半導(dǎo)體材料。特別是，在使用不為強(qiáng)磁性體的金屬時(shí)，優(yōu)選使用由金屬碳化物、金屬氮化物、金屬硼化物、金屬硫化物的一種以上構(gòu)成的材料，作為這樣的金屬，可以列舉選自Ti、V、Cr、Al、Nb、Zr、Mo、W、Hf、9Ta的組中的一種以上。錐形環(huán)64通過例如由鐵、鎳、鈷或者以這些作為主成分的合金構(gòu)成的強(qiáng)磁性體而構(gòu)成。從材料取得的容易性和加工成本來說，優(yōu)選使用具有強(qiáng)磁性的鐵系材料作為錐形環(huán)64。需要說明的是，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，磁場形成機(jī)構(gòu)形成"圓筒狀"，但并不局限于此，只要為筒狀，也可以是例如具有多邊形的截面的筒狀的機(jī)構(gòu)。另一方面，陰極的形狀也沒有限定，除上述的圓柱狀之外，也可以是多邊形柱狀。另外，雖然磁場形成機(jī)構(gòu)的筒的截面形狀和陰極的截面形狀可以相似也可以不同，但通常從所形成的磁場的對稱性等方面來說，優(yōu)選兩者的截面形狀相似(例如，在磁場形成機(jī)構(gòu)形成圓筒時(shí)，陰極也形成圓柱狀)。進(jìn)而，雖然磁場形成機(jī)構(gòu)的軸心和陰極的軸心可以同軸也可以不同，但從所形成的磁場的對稱性等方面來說，優(yōu)選兩者的軸心同軸。(錐形環(huán)的作用)對本發(fā)明中使用強(qiáng)磁性的錐形環(huán)而產(chǎn)生的作用進(jìn)行說明。這里，使用了不為強(qiáng)磁性體而僅為導(dǎo)電性(順磁性)的錐形環(huán)時(shí)的作用如圖5說明的那樣，在上述專利文獻(xiàn)1中記載了其作用。然而，若使用順磁性的錐形環(huán)，則如已經(jīng)敘述的那樣，在從陰極蒸發(fā)面偏移的電弧點(diǎn)向細(xì)頭環(huán)的圓錐狀斜面轉(zhuǎn)移的情況下，斜面(特別在靠近陰極蒸發(fā)面的斜面前端)在電弧放電的作用下蒸發(fā)從而消耗。而且，若細(xì)頭環(huán)的斜面消耗，則斜面和磁力線形成的角不為銳角，使電弧點(diǎn)返回到陰極蒸發(fā)面的效果降低，因此需要定期地更換環(huán)。因此，在本發(fā)明中，通過使用強(qiáng)磁性的錐形環(huán)改變磁力線的方向，進(jìn)而通過提高錐形環(huán)前端的磁通密度而使電弧點(diǎn)返回陰極蒸發(fā)面的效果大幅地提高，由此對電弧點(diǎn)向錐形環(huán)的圓錐面轉(zhuǎn)移的情況本身進(jìn)行抑制。若將強(qiáng)磁性材料以充分低于居里點(diǎn)的溫度配置在磁場中，則可知與順磁質(zhì)材料不同，與磁場強(qiáng)烈地相互作用而具有吸附磁力線的特性。另外，當(dāng)強(qiáng)磁性體材料在磁力線方向上具有銳角的前端時(shí)，其前端部的磁通密度變大。本發(fā)明利用這些特性，如圖2所示改變磁力線的方向。圖2示出使用了強(qiáng)磁性的錐形環(huán)64時(shí)的磁力線的方向與電弧點(diǎn)的轉(zhuǎn)移。根據(jù)上述特性，與陰極軸Ax平行入射的磁力線在強(qiáng)磁性的錐形環(huán)的作用下被彎曲。此時(shí)，在陰極外周面形成向陰極前方外周方向擴(kuò)展的磁力線。而且，在陰極側(cè)面和磁力線構(gòu)成最銳角的方向、即在陰極前方構(gòu)成最銳角3，根據(jù)電弧點(diǎn)朝著陰極面和磁力線構(gòu)成角為銳角的方向移動的性質(zhì)，使電弧點(diǎn)返回到陰極蒸發(fā)面的力發(fā)揮作用。另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)(專利文獻(xiàn)l)的情況下，如圖5所示，磁力線M'與錐形環(huán)表面在前方構(gòu)成銳角a，由此利用電弧點(diǎn)朝著陰極面和磁力線構(gòu)成的銳角方向移動的特性而使電弧點(diǎn)返回到蒸發(fā)面。另一方面，若著眼于錐形環(huán)中與陰極外周鄰接(最靠近陰極外周)的部位，則在所述現(xiàn)有技術(shù)的情況下，與陰極的軸平行的磁力線M'與陰極外周附近部分基本不能形成角度。因此，在該部分不能發(fā)揮使電弧點(diǎn)返回到陰極蒸發(fā)面的作用，有助于電弧點(diǎn)朝著銳角方向移動的特性的部分，僅為順磁質(zhì)的錐形環(huán)的斜面和磁力線M'在前方側(cè)形成的銳角a的部分。與此相對，在本發(fā)明的情況下，通過強(qiáng)磁性的錐形環(huán)將磁力線向外側(cè)彎曲，由此在與陰極外周鄰接(最靠近陰極外周)的部分，陰極外周和磁力線在前方構(gòu)成銳角P，在該部分利用電弧點(diǎn)朝著陰極面和磁力線構(gòu)成的銳角方向移動的特性而使電弧點(diǎn)返回到蒸發(fā)面的效果較大。即，在電弧點(diǎn)向斜面轉(zhuǎn)移前在陰極外周附近使電弧點(diǎn)返回到蒸發(fā)面，由此與現(xiàn)有的技術(shù)相比能夠有效地使電弧點(diǎn)返回到蒸發(fā)面。當(dāng)然，在本發(fā)明中，也會產(chǎn)生錐形環(huán)的斜面的效果。進(jìn)而，在本發(fā)明的情況下，由于與陰極前端部鄰接的強(qiáng)磁性的錐形環(huán)的前端尖，因此強(qiáng)磁性錐形環(huán)前端部附近的磁通密度增加，形成比離子產(chǎn)生地點(diǎn)的磁場強(qiáng)的磁場強(qiáng)度。電子或離子由于具有抑制沿磁力線向更強(qiáng)的磁場強(qiáng)度的區(qū)域移動的性質(zhì)，因此若錐形環(huán)前端部附近的磁場變強(qiáng)，則能夠防止電弧點(diǎn)從該部分向外側(cè)的轉(zhuǎn)移。通過以上所述的協(xié)同作用，進(jìn)一步提高使電弧點(diǎn)返回到蒸發(fā)面的效果。即，推回陰極蒸發(fā)面22a側(cè)的力與現(xiàn)有的使用了順磁質(zhì)的環(huán)的情況相比更強(qiáng)地作用，將電弧點(diǎn)在到達(dá)錐形環(huán)之前推回陰極蒸發(fā)面的效果進(jìn)一步變強(qiáng)。由于越接近錐形環(huán)64的前端磁通密度越增加，因此該力變強(qiáng)。通過上述兩個(gè)協(xié)同作用，能夠在電弧點(diǎn)15到達(dá)錐形環(huán)64之前使其返ii回陰極蒸發(fā)面22a，從而提高了抑制電弧點(diǎn)向陰極側(cè)面的轉(zhuǎn)移的效果。另外，由于這樣抑制了電弧點(diǎn)向錐形環(huán)表面的移動，因此錐形環(huán)前端由于電弧放電而消耗的情況變少，能夠長期保持錐形環(huán)的形狀，從而能夠長時(shí)間維持抑制電弧點(diǎn)向陰極側(cè)面轉(zhuǎn)移的效果。進(jìn)而，還能夠抑制錐形環(huán)的構(gòu)成材料在電弧放電的作用下蒸發(fā)而混入被膜的不良情況。還有，這些效果不會受到進(jìn)行電弧放電的真空容器的真空度影響，即使是沒有導(dǎo)入載氣的環(huán)境下的電弧放電，也能夠獲得與導(dǎo)入氣體時(shí)相同的效果。(錐形環(huán)蓋的作用)實(shí)施方式1中使用錐形環(huán)蓋65的作用如下所述。即，如圖2所示，即使高溫且?guī)ж?fù)電的烙滴16飛濺、到達(dá)錐形環(huán)64的圓錐面(斜面)附近，由于錐形環(huán)蓋65覆蓋圓錐面，因此熔滴16附著在錐形環(huán)蓋65表面。由于錐形環(huán)蓋65與周圍絕緣，因此附著在熔滴表面的電子不會放電，不能作為電弧放電開始的觸發(fā)電路而發(fā)揮作用。另外，假設(shè)即使陰極構(gòu)成物質(zhì)覆蓋了錐形環(huán)蓋65表面，由于錐形環(huán)64和錐形環(huán)蓋65的電絕緣性不會降低，因此也能夠長期地維持錐形環(huán)蓋65的功能。進(jìn)而，由于錐形環(huán)蓋65與錐形環(huán)64之間有間隙，因此能夠抑制熱從通過電弧放電而形成的高溫等離子區(qū)傳向錐形環(huán)64，并能夠防止由強(qiáng)磁性體構(gòu)成的錐形環(huán)64的磁導(dǎo)率的降低。還有，代替錐形環(huán)蓋65，如后述的實(shí)施方式3那樣，通過電鍍或噴鍍將絕緣體覆蓋在錐形環(huán)64表面、或者利用粘接劑或絕緣性螺釘將絕緣體安裝在錐形環(huán)64表面時(shí)，也能夠獲得相同的效果。特別是，絕緣體不僅導(dǎo)電差，導(dǎo)熱也差，因此抑制熱從高溫等離子區(qū)向錐形環(huán)流入的效果好。(第二實(shí)施方式)圖3是表示本發(fā)明的電弧式蒸發(fā)源的第二實(shí)施方式的剖面圖。在圖3中，作為磁場形成機(jī)構(gòu)，使用圓筒形電磁鐵81代替線圈42，且沒有使用錐形環(huán)，除此之外與第一實(shí)施方式相同，因此對相同部分的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號而省略其說明。其中，在第二實(shí)施方式的情況下，由于沒有使用線圈42因此不需要線圈收納容器46,這樣沒有在真空腔11的開口設(shè)置電弧式蒸發(fā)源103。因此，使用與線圈收納容器46外徑以及內(nèi)徑相同的環(huán)狀的安裝板(中間電位電極)85，分別將絕緣環(huán)48、63與該安裝板85的外緣以及內(nèi)緣嵌合，由此進(jìn)行與第一實(shí)施方式相同的設(shè)置。另外，在第二實(shí)施方式的情況下，由于沒有線圈42，因此不需要勵磁電源44。圓筒形磁鐵81并不局限于整體由磁鐵構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。例如也可以將由強(qiáng)磁性體構(gòu)成的圓筒以與陰極22同軸的方式配置在陰極22的外側(cè)，在該圓筒的后方同軸設(shè)置環(huán)狀(圓筒狀)磁鐵或圓盤狀磁鐵。這種情況下，在圓筒(圓盤)狀磁鐵的作用下，在其前方的強(qiáng)磁性體的端部產(chǎn)生磁場，進(jìn)而在強(qiáng)磁性體的另一端形成磁極。而且，圓筒(圓盤)狀磁鐵的端部和強(qiáng)磁性體的端部作為整體發(fā)揮與圓筒形磁鐵大致等價(jià)的作用。另外，也可以通過在圓筒形磁鐵81的外周以及/或者后方附加未圖示的磁鐵來調(diào)節(jié)磁場強(qiáng)度。而且，圓筒形磁鐵既可以是以容易拆裝的方式分割成兩個(gè)以上的構(gòu)造，也可以是以周狀配置小型的圓柱型或棱柱型的條形磁鐵而使整體構(gòu)成圓筒狀的磁鐵組。還有，在第二實(shí)施方式的情況下，由于使用永久磁鐵，因此不需要電磁鐵用電流源，能夠使蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)簡單化，另外，由于能夠通過比較小型的磁鐵形成強(qiáng)磁場，因此裝置變得緊湊。另一方面，在第一實(shí)施方式的情況下，若控制電磁鐵的電流，則使電弧放電穩(wěn)定的磁場強(qiáng)度的調(diào)整變得容易。(第三實(shí)施方式)圖4是表示本發(fā)明的電弧式蒸發(fā)源的第三實(shí)施方式的剖面圖。在圖4中，作為磁場形成機(jī)構(gòu)，使用線圈93代替圓筒型電磁鐵81，在錐形環(huán)64的圓錐面的表面覆蓋絕緣體66，除此之外與第二實(shí)施方式相同，因此對相同部分的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號而省略其說明。還有，與使用線圈93相伴，設(shè)有勵磁電源91。作為絕緣體66，優(yōu)選使用耐熱性高的氧化鋁或氮化硅等陶瓷。絕緣體66可以通過噴鍍等方法覆蓋在錐形環(huán)64的圓錐面的表面。當(dāng)覆蓋絕緣體66困難時(shí)，可以將瓦狀的陶瓷與錐形環(huán)64的圓錐面的表面粘接，或者通13過陶瓷制螺釘卡止。在錐形環(huán)的圓錐面的表面覆蓋絕緣體的效果如使用了錐形環(huán)蓋的第一實(shí)施方式所說明的那樣。第三實(shí)施方式不像第一實(shí)施方式那樣僅是線圈發(fā)揮作用，其不同點(diǎn)在于冷卻機(jī)構(gòu)99作為圓筒形鐵心也發(fā)揮作用。冷卻機(jī)構(gòu)99的結(jié)構(gòu)與冷卻機(jī)構(gòu)61相同，但由強(qiáng)磁性體構(gòu)成。在第三實(shí)施方式的情況下，由于將冷卻機(jī)構(gòu)作為強(qiáng)磁性體鐵心而使用，因此能夠獲得比第一實(shí)施方式強(qiáng)的磁場?？梢允估鋮s機(jī)構(gòu)99的構(gòu)成材料不全是強(qiáng)磁性體，可以將冷卻機(jī)構(gòu)的局部(例如外表面)做成強(qiáng)磁性體制。另外，冷卻機(jī)構(gòu)99自身也可以不是強(qiáng)磁性體，而是將冷卻機(jī)構(gòu)99收容在強(qiáng)磁性體制的圓筒內(nèi)。例如，在使用水作為制冷劑49的情況下，陰極冷卻機(jī)構(gòu)自身可以由不易生銹(非磁性)的不銹鋼(SUS304)構(gòu)成，并將陰極冷卻機(jī)構(gòu)收容于強(qiáng)磁性體制的圓筒中。作為所述強(qiáng)磁性體，優(yōu)選使用鐵、鎳、鈷以及以這些作為主成分的合金。金屬材料導(dǎo)熱度比較高，對冷卻錐形環(huán)有效。還有，磁場強(qiáng)度可以通過改變在線圈93中流動的電流而進(jìn)行調(diào)整。根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施方式的電弧式蒸發(fā)源，由于將電弧放電限制在陰極蒸發(fā)面，因此能夠抑制電弧放電向陰極蒸發(fā)面以外的地點(diǎn)轉(zhuǎn)移。進(jìn)而，通過在錐形環(huán)的圓錐面上覆蓋絕緣體或者設(shè)置錐形環(huán)蓋，能夠抑制錐形環(huán)與電弧放電所形成的高溫的等離子區(qū)相接從而溫度上升，且能夠抑制錐形環(huán)的磁導(dǎo)率降低，因此大幅地提高抑制電弧放電的轉(zhuǎn)移的效果。(實(shí)施例)以下，根據(jù)實(shí)施例對本發(fā)明更加具體地進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不局限于以下的實(shí)施例。(實(shí)施例1)使用圖1所示的電弧式蒸發(fā)源101，安裝直徑50mm、長度120mm的Cr(純度99.9%)作為陰極22，在陰極22蒸發(fā)面的后方的位置，同軸地設(shè)置有內(nèi)徑50.5mm、外徑90mm、圓錐面的傾斜角為45度的SS400鋼材制(JISG3101)的錐形環(huán)64。使用厚度1.5mm的SUS304制的機(jī)構(gòu)作為錐形環(huán)蓋65。將該蒸發(fā)源101設(shè)置在電弧式離子鍍成膜裝置上來進(jìn)行氮化鉻被膜的成膜。作為被成膜基體材料，使用研磨成表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度)0.02|am以下的高速工具鋼(SKH材)。首先，在成膜之前實(shí)施離子轟擊處理工序，進(jìn)行被成膜基體材料表面的清潔化。離子轟擊處理工序通過未圖示的真空排氣泵，將真空容器(成膜裝置)內(nèi)排氣為2，7X10-3Pa(2X10-5Torr)以下后，以1.7Xl(T2Pam3/s(10sccm(標(biāo)準(zhǔn)單位cc/min))的流量從未圖示的氣體導(dǎo)入孔導(dǎo)入Ar氣體，將真空容器內(nèi)維持在大約1.3Pa(10mTorr)而進(jìn)行。然后，在被成膜基體材料上，經(jīng)由未圖示的阻抗匹配器施加10分鐘頻率13.56MHz、功率IOOW的高頻功率，從而進(jìn)行高頻等離子放電。被成膜基體材料在來自等離子區(qū)的電子附著的作用下負(fù)的自身偏壓起作用，作為正離子的Ar離子被加速而濺射該基體材料表面，從而將表面清潔化。接著離子轟擊處理工序來實(shí)施成膜工序。向真空容器內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)怏w，并將真空容器內(nèi)維持在2.6Pa。然后，向陰極通電弧電流100A以進(jìn)行電弧放電，與此同時(shí)在被成膜基體材料上施加直流電壓(一20V)。維持該狀態(tài)，進(jìn)行60分鐘成膜。更換被成膜基體材料，將該工序反復(fù)實(shí)施20次，對第二十次成膜的被成膜基體材料進(jìn)行膜質(zhì)評價(jià)以及對錐形環(huán)64表面的電弧放電的痕跡進(jìn)行觀察。還有，在20次的成膜實(shí)施中，除了設(shè)置在電弧蒸發(fā)源的陰極22的更換之外不實(shí)施成膜裝置以及電弧式蒸發(fā)源101的維護(hù)。(實(shí)施例2)使用圖3所示的電弧式蒸發(fā)源103代替電弧式蒸發(fā)源101，除此之外與實(shí)施例1完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。其中，錐形環(huán)64的材質(zhì)使用了S50C鋼制(JISG4051)的機(jī)構(gòu)。(實(shí)施例3)使用圖4所示的電弧式蒸發(fā)源105代替電弧式蒸發(fā)源101，除此之外與實(shí)施例1完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。其中，在錐形環(huán)64的圓錐面的表面覆蓋以厚度0.2mm噴鍍氧化鋁而成的物質(zhì)作為絕緣陶瓷。(實(shí)施例4)15代替Cr而使用與其相同尺寸的碳(石墨純度99.9%)作為陰極22，進(jìn)行硬質(zhì)碳(DLC)被膜的成膜，將錐形環(huán)64的材質(zhì)替換為SS400鋼，并且將陰極22收容在未圖示的厚度lmm的SUS304制圓筒中，從而使陰極不與冷卻水直接接觸而進(jìn)行間接冷卻，除此之外與實(shí)施例1完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。其中，將成膜工序中的導(dǎo)入氣體替換為Ar氣體，并且將真空容器內(nèi)壓力變?yōu)?.02Pa，且將施加在被成膜基體材料上的直流電壓變?yōu)橐?00V。(實(shí)施例5)使用圖3所示的電弧式蒸發(fā)源103代替電弧式蒸發(fā)源101，除此之外與實(shí)施例4完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。其中，在成膜工序中不導(dǎo)入Ar氣體。(實(shí)施例6)使用圖4所示的電弧式蒸發(fā)源105代替電弧式蒸發(fā)源101，除此之外與實(shí)施例4完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。其中，不使用錐形環(huán)蓋65，而是在錐形環(huán)64的圓錐面的表面利用陶瓷制螺釘卡止厚度為1.5mm的氮化硅制瓦來作為絕緣體。另外，在成膜工序中不導(dǎo)入Ar氣體。(比較例1)將錐形環(huán)64的材質(zhì)替換為順磁性的Cr(純度99.9%)，除此之外與實(shí)施例2完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。(比較例2)將錐形環(huán)64的材質(zhì)替換為順磁性的碳(石墨純度99.9%)，除此之外與實(shí)施例2完全相同地進(jìn)行成膜，并實(shí)施評價(jià)。(評價(jià))對形成在被成膜物表面的氮化鉻被膜以及硬質(zhì)碳被膜，如下述所示實(shí)施了評價(jià)。1.表面粗糙度(十點(diǎn)平均粗糙度)Rz(JIS-B0601)使用觸針式粗糙度測量儀，根據(jù)JIS-B0601進(jìn)行被膜表面的表面粗糙度Rz的測定。改變測量位置實(shí)施5次，以其平均值進(jìn)行評價(jià)。2.膜厚均勻性任意選擇5處被膜表面的分別為0.5mmX0.5mm的方形的區(qū)域，使用激光千涉式的三維形狀測量裝置(奧林巴斯株式會社制激光顯微鏡OLI1100)對表面形狀進(jìn)行觀察。在獲得的曲線中，統(tǒng)計(jì)尺寸(最大長度部)為0.5mm以上的膜厚過小部和膜厚過大部的總數(shù)。這里，膜厚過小部(膜厚過大部)是指相對于平均膜厚形成有超過20%的臺階的區(qū)域。若尺寸0.05mm以上的膜厚過小部或膜厚過大部產(chǎn)生，則以此為起點(diǎn)發(fā)生剝離的可能性變大，或者存在配合部件攻擊性增加、配合部件的磨損加劇的可能性。還有，平均膜厚是對被膜表面的任意10個(gè)部位，通過球面研磨法(球研磨法)測量膜厚，將其平均值作為平均膜厚。由于所述膜厚過大部和膜厚過小部與其他部分(平均膜厚部)相比具有明顯的臺階，因此通過表面形狀的曲線能夠進(jìn)行確認(rèn)。3.錐形環(huán)表面的電弧放電的痕跡觀察通過肉眼觀察錐形環(huán)表面，檢查電弧放電的痕跡的有無。將上述的評價(jià)結(jié)果分別在表1中表示。_<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從表1明確可知，在各實(shí)施例中，被膜的表面粗糙度(Rz)小，且沒有看見膜厚過小部以及膜厚過大部，膜厚均勻性良好。特別是，在錐形環(huán)的前方設(shè)有錐形環(huán)蓋的實(shí)施例1和實(shí)施例4以及用絕緣物覆蓋錐形環(huán)的圓錐面的表面的實(shí)施例3和實(shí)施例6中，完全沒有看見向錐形環(huán)圓錐面的電弧轉(zhuǎn)移。另外，在實(shí)施例2以及實(shí)施例5中，雖然在錐形環(huán)的圓錐面看見幾處電弧放電的痕跡，但這種部位與比較例l、2相比大幅地減少。另一方面，在使用了順磁質(zhì)的錐形環(huán)的比較例1以及比較例2中，被膜的表面粗糙度(Rz)增大，另外，在被膜表面看見膜厚過小部和膜厚過大部，向錐形環(huán)的圓錐面的電弧放電的痕跡與實(shí)施例相比增加數(shù)倍。另外，在各實(shí)施例中，在錐形環(huán)的圓錐面、特別是在錐形環(huán)的前端部的整周上能夠確認(rèn)電弧放電暫時(shí)轉(zhuǎn)移的痕跡。進(jìn)而，即使在遠(yuǎn)離錐形環(huán)的前端部的圓錐面上也看見多個(gè)電弧痕。后者的電弧痕不與錐形環(huán)前端部的電弧痕相連，因此可以確認(rèn)二者是分別進(jìn)行轉(zhuǎn)移的。18權(quán)利要求1.一種電弧式蒸發(fā)源，其通過由磁場控制的電弧放電來使陰極的陰極物質(zhì)蒸發(fā)，所述電弧式蒸發(fā)源的特征在于，具備所述陰極；磁場形成機(jī)構(gòu)，其在所述陰極前端的蒸發(fā)面附近形成與陰極中心軸平行的方向的磁場，且配置在所述陰極的外側(cè)；支承機(jī)構(gòu)，其支承所述陰極；冷卻機(jī)構(gòu)，其冷卻所述陰極；錐形環(huán)，其形成圓錐臺狀，具有使所述陰極沿其軸向貫通的貫通孔，且配置成向著所述陰極的蒸發(fā)面逐漸變細(xì)，所述錐形環(huán)由強(qiáng)磁性體構(gòu)成，使用時(shí)所述錐形環(huán)的前端與所述陰極的蒸發(fā)面位于相同的面或位于比所述蒸發(fā)面靠后方的位置。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電弧式蒸發(fā)源，其特征在于，在所述錐形環(huán)的圓錐面的表面具備絕緣體。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電弧式蒸發(fā)源，其特征在于，在所述錐形環(huán)的圓錐面的前方具備環(huán)狀的蓋，所述環(huán)狀的蓋具有使所述陰極沿其軸向貫通的貫通孔并由順磁質(zhì)的金屬或合金構(gòu)成，且與周圍電絕緣。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的電弧式蒸發(fā)源，其特征在于，所述磁場形成機(jī)構(gòu)由線圈、沿軸向具有磁極的圓筒型的永久磁鐵或者具有鐵心和線圈的電磁鐵中的任意一種構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的電弧式蒸發(fā)源，其特征在于，還具備使所述陰極沿其軸向進(jìn)退的陰極輸送機(jī)構(gòu)。全文摘要本發(fā)明提供一種能夠抑制電弧點(diǎn)向陰極蒸發(fā)面以外的部分移動的電弧式蒸發(fā)源。所述電弧式蒸發(fā)源通過由磁場控制的電弧放電來使陰極(22)的陰極物質(zhì)蒸發(fā)，其具備磁場形成機(jī)構(gòu)(42)，其在陰極前端的蒸發(fā)面(22a)附近形成與陰極中心軸(Ax)平行的成分強(qiáng)的磁場(M)，且配置在陰極的外側(cè)；支承機(jī)構(gòu)(26)，其支承陰極；冷卻機(jī)構(gòu)(61)，其冷卻陰極；錐形環(huán)(64)，其形成圓錐臺狀，具有使陰極沿其軸向貫通的貫通孔，且配置成向著陰極的蒸發(fā)面逐漸變細(xì)，錐形環(huán)由強(qiáng)磁性體構(gòu)成，使用時(shí)錐形環(huán)的前端(64a)與陰極的蒸發(fā)面位于相同的面或位于比蒸發(fā)面稍后退的位置。文檔編號C23C14/32GK101636519SQ200880006759公開日2010年1月27日申請日期2008年2月15日優(yōu)先權(quán)日2007年3月2日發(fā)明者西村和也,辻勝啟申請人:株式會社理研;日新電機(jī)株式會社