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不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝的制作方法

文檔序號:3347168閱讀:1327來源:國知局
專利名稱:不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及塑膠件表面處理技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說涉及不導(dǎo)電膜層真空 鍍膜工藝。
背景技術(shù)
手機塑膠外殼一般要進行真空鍍膜,由于手機是帶電體,因此,進行真 空鍍膜時,要求在手機塑膠外殼鍍上不導(dǎo)電膜層。
目前,不導(dǎo)電膜層鍍膜工藝已較普遍及成熟,在工業(yè)應(yīng)用上如雨后春筍 般興起。這種工藝一般采用預(yù)熱后蒸發(fā)的鍍膜過程,而且大都使用相同工藝 參數(shù)及材料,即使用金屬錫進行蒸發(fā)鍍膜,但在自然光環(huán)境下,因為錫極易 氧化,使得產(chǎn)品底色始終偏黃。也有在錫的基礎(chǔ)上加銦的,雖然加銦可使膜 層較白,但仍無法很好地解決膜層顏色偏黃的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝, 該工藝可有效解決不導(dǎo)電膜層顏色偏黃的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的不導(dǎo)電膜層真空 鍍膜工藝,其特征在于,它包括以下步驟
第一步,調(diào)配鍍膜材料銀和銦,質(zhì)量配比為4:3,體積配比約為l:l; 第二步,將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料
筐;
第三步,投入待鍍膜產(chǎn)品,關(guān)真空室大門,對真空室進行抽真空;第四步,啟動真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動蒸發(fā)功能,將電壓調(diào)至1.70V,
進行時間為28S的預(yù)熱階段;
第五步,將電壓調(diào)至3.10V,進行時間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段; 第六步,將電壓調(diào)至3.85V,進行時間為10 12S的蒸發(fā)階段; 第七步,開真空室大門并放入空氣,取出產(chǎn)品。 所述第三步中,真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0Xl(T2Pa。 本發(fā)明的有益效果由于該工藝采用的鍍膜材料為銀和銦,而且由于鍍
膜材料的不同,預(yù)熱階段與蒸發(fā)階段之間增加了預(yù)蒸發(fā)階段,使得鍍膜材料
蒸發(fā)更完全,加上銀在自然光環(huán)境下不易發(fā)生氧化,以及銦的作用,使得不
導(dǎo)電膜層顏色不易偏黃。
具體實施例方式
實施例,不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝,它包括以下步驟-
第一步,調(diào)配鍍膜材料銀和銦,質(zhì)量配比為4:3,體積配比約為l:l;
第二步,將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料
筐;
第三步,投入待鍍膜產(chǎn)品,關(guān)真空室大門,對真空室進行抽真空; 第四步,啟動真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動蒸發(fā)功能,將電壓調(diào)至1.70V, 進行時間為28S的預(yù)熱階段;
第五步,將電壓調(diào)至3.10V,進行時間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段; 第六步,迅速將電壓調(diào)至3.85V,進行時間為10 12S的蒸發(fā)階段; 第七步,開真空室大門并放入空氣,取出產(chǎn)品。 所述第三步中,真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X10々Pa。由于銀的導(dǎo)電性極佳,用來制作不導(dǎo)電膜,工藝上必須有突破,蒸發(fā)時 要有適當?shù)碾妷汉瓦m當?shù)臅r間控制。因為銀的熔點高,如果電壓過低,則蒸 發(fā)不完全,電壓過高則可能導(dǎo)電,時間過短則蒸發(fā)不完全,時間過長也可能 會導(dǎo)電。因此針對這種銀加上銦的鍍膜材料,采用"分步同時蒸發(fā)方式","分 步"即先預(yù)熱、再預(yù)蒸發(fā)、最后蒸發(fā),"同時"即將調(diào)配好的銀和銦兩種材料 同時放在一個材料筐里進行蒸發(fā)。
此工藝獲得的膜層具有通透的底色,很好地解決膜層顏色偏黃的問題,適 合于用來制造高端手機透光面蓋,或其它半透裝飾件。
以上所述僅是本發(fā)明的較佳實施例,故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的 構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾,均包括于本發(fā)明專利申請范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝,其特征在于,它包括以下步驟第一步,調(diào)配鍍膜材料銀和銦,質(zhì)量配比為4∶3,體積配比約為1∶1;第二步,將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐;第三步,投入待鍍膜產(chǎn)品,關(guān)真空室大門,對真空室進行抽真空;第四步,啟動真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動蒸發(fā)功能,將電壓調(diào)至1.70V,進行時間為28S的預(yù)熱階段;第五步,將電壓調(diào)至3.10V,進行時間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段;第六步,將電壓調(diào)至3.85V,進行時間為10~12S的蒸發(fā)階段;第七步,開真空室大門并放入空氣,取出產(chǎn)品。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝,其特征在于所述 第三步中,真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X10^Pa。
全文摘要
本發(fā)明涉及塑膠件表面處理技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說涉及不導(dǎo)電膜層真空鍍膜工藝,它包括以下步驟第一步,調(diào)配鍍膜材料銀和銦,質(zhì)量配比為4∶3,體積配比約為1∶1;第二步,將調(diào)配好的鍍膜材料銀和銦放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐;第三步,投入待鍍膜產(chǎn)品,關(guān)真空室大門,對真空室進行抽真空;第四步,啟動真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動蒸發(fā)功能,將電壓調(diào)至1.70V,進行時間為28S的預(yù)熱階段;第五步,將電壓調(diào)至3.10V,進行時間為12S的預(yù)蒸發(fā)階段;第六步,將電壓調(diào)至3.85V,進行時間為10~12S的蒸發(fā)階段;第七步,開真空室大門并放入空氣,取出產(chǎn)品;該工藝可有效解決不導(dǎo)電膜層顏色偏黃的問題。
文檔編號C23C14/54GK101423926SQ20081002876
公開日2009年5月6日 申請日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月13日
發(fā)明者建 王 申請人:東莞勁勝精密組件股份有限公司
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