專利名稱：半導體制造裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種半導體制造裝置，尤其涉及一種包含使組成半導體制造裝置的化學氣相蒸鍍裝置能進行升降移動及旋轉(zhuǎn)運動的晶片驅(qū)動單元，而能在晶片表面均勻蒸鍍化學氣相膜的半導體制造裝置。
背景技術(shù)：
半導體制造裝置為了在半導體制造過程中在晶片表面形成絕緣膜、金屬膜、有機膜等薄膜而包含化學氣相蒸鍍裝置，對此韓國公開專利公報“特2000-0019254號”揭示了化學氣相蒸鍍裝置的一例。
所述現(xiàn)有的化學氣相蒸鍍裝置包含對晶片進行薄膜蒸鍍工藝的反應室、用于向晶片噴射形成薄膜氣體的布置在反應室上部的噴頭、為能上下移動地支持晶片而貫通反應室下部設置的晶片升降裝置、為可旋轉(zhuǎn)地支持噴頭而貫通反應室上部設置的噴頭旋轉(zhuǎn)裝置。
由此結(jié)構(gòu)，將晶片放到反應室內(nèi)部升降裝置的上部，移動晶片升降裝置使其接近噴頭，然后通過由旋轉(zhuǎn)裝置而旋轉(zhuǎn)的噴頭向晶片噴射氣體，則可以在晶片表面蒸鍍氣體形成薄膜。
而所述現(xiàn)有的化學氣相蒸鍍裝置，由于使噴頭旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)軸能旋轉(zhuǎn)地密封于反應室的真空密封裝置受氣體蒸鍍過程中產(chǎn)生的等離子的影響而發(fā)生變形，因此存在很難維持反應室為真空狀態(tài)的缺點。
并且，現(xiàn)有的化學氣相蒸鍍裝置由于反應室在維持高溫的狀態(tài)下向晶片蒸鍍氣體的過程中真空密封裝置受熱變形而產(chǎn)生微粒(particle)，此微粒隨著噴頭的旋轉(zhuǎn)運動同反應氣體一起傳達到晶片而防礙晶片上形成優(yōu)質(zhì)薄膜。
并且，現(xiàn)有的化學氣相蒸鍍裝置由于具有在噴頭旋轉(zhuǎn)時向晶片噴射氣體的結(jié)構(gòu)，因此存在著形成多個氣體注入口的噴頭結(jié)構(gòu)變得復雜、通過噴頭噴射反應氣體的控制工作變得困難、且由于反應氣體進行暖流流動而不能在晶片表面形成均勻薄膜等不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種可以在晶片表面形成均勻薄膜的半導體制造裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種不會使反應氣體同微粒一起蒸鍍到晶片的半導體制造裝置。
為實現(xiàn)這種目的，本發(fā)明所提供的一種半導體制造裝置，包含進行晶片薄膜蒸鍍工藝的反應室、向所述晶片噴射反應氣體的噴頭、可升降地支持所述晶片的晶片驅(qū)動單元，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元包含支持所述晶片的支架、連接于所述支架的旋轉(zhuǎn)軸、與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的旋轉(zhuǎn)電機，以使所述晶片可以旋轉(zhuǎn)。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含分別設置在所述旋轉(zhuǎn)電機和旋轉(zhuǎn)軸的第一皮帶輪和連接所述兩個第一皮帶輪的第一皮帶，使所述旋轉(zhuǎn)電機的轉(zhuǎn)矩傳達到所述旋轉(zhuǎn)軸。
所述支架，其特征在于它布置在所述反應室內(nèi)部，并包含放置所述晶片的基座、從所述基座延長到所述反應室外部并與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的延長軸。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含用于升降所述支架的升降電機，以使所述支架能上下移動。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含支持所述旋轉(zhuǎn)電機的第一支持臺和支持所述升降電機的第二支持臺。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含設置在所述第二支持臺上且外表面具有螺紋槽的垂直軸、分別設置在所述升降電機和垂直軸的第二皮帶輪、連接所述兩個第二皮帶輪的第二皮帶，使所述升降電機的轉(zhuǎn)矩傳達到所述垂直軸。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含內(nèi)部形成滾珠絲杠槽并隨所述垂直軸的螺紋槽上下移動的臂、與所述臂結(jié)合升降的升降筒，所述升降筒與所述第一支持臺結(jié)合可使所述旋轉(zhuǎn)電機和旋轉(zhuǎn)軸以及所述支架上下移動。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含結(jié)合在所述升降筒下端并密封所述升降筒下端的密封裝置，使用于旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)軸的所述第一皮帶輪結(jié)合于所述密封裝置，并使所述旋轉(zhuǎn)軸與所述密封裝置連接而可旋轉(zhuǎn)地支持旋轉(zhuǎn)軸。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含結(jié)合于所述反應室外側(cè)的機箱、連接所述機箱和所述升降筒的波紋管，所述機箱、升降筒和波紋管內(nèi)部由所述密封裝置密封，所述升降筒可由所述波紋管的伸縮作用進行升降。
所述密封，其特征在于最好為鐵磁流體密封(Ferro-Fluids-Seal)。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還進一步包含連接所述密封裝置和所述旋轉(zhuǎn)軸的聯(lián)結(jié)器。
所述機箱的一個側(cè)面設有電線供應孔，所述旋轉(zhuǎn)軸設有從側(cè)面連接到上端部的電線設置孔，由此可通過所述機箱連接多根電線到所述支架，從而能加熱所述支架的同時控制所述支架的旋轉(zhuǎn)。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含設置在所述電線供應孔并使所述電線供應孔在密封狀態(tài)下通過所述多根電線的饋線裝置。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含使所述旋轉(zhuǎn)軸在一定旋轉(zhuǎn)范圍內(nèi)進行正反旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)限制裝置。
所述旋轉(zhuǎn)限制裝置，其特征在于它包含從所述密封裝置延長而其外周表面形成一定長度螺旋形凹槽的基體、從所述第二支持臺延長的垂直條、結(jié)合于所述垂直條的滑動部件、從所述滑動部件水平延長并被夾到所述凹槽內(nèi)的擋銷，隨著所述基體旋轉(zhuǎn)所述擋銷會被卡到所述凹槽的上端和下端，以此限定所述旋轉(zhuǎn)軸正反方向的旋轉(zhuǎn)范圍。
所述密封裝置和所述旋轉(zhuǎn)軸形成中空，使通過所述密封裝置和所述旋轉(zhuǎn)軸中空部布置的多根電線連接到所述支架，而能加熱所述支架的同時控制所述支架的旋轉(zhuǎn)。
所述晶片驅(qū)動單元，其特征在于它還包含設置在所述旋轉(zhuǎn)軸外側(cè)的其內(nèi)部布置用于可旋轉(zhuǎn)地支持所述旋轉(zhuǎn)軸的多個軸承的軸承套。
所述多個軸承，其特征在于它包含分離軸承。
所述多個軸承，其特征在于它包含深溝軸承。
所述機箱，其特征在于機箱一側(cè)設置與所述反應室連通的排氣管，用于排出所述反應室內(nèi)產(chǎn)生的廢氣的同時維持所述反應室內(nèi)為真空狀態(tài)。
所述機箱，其特征在于它設有用于冷卻所述機箱內(nèi)部的冷卻氣體供應孔。
所述冷卻氣體，其特征在于最好為氮氣。


圖1為根據(jù)本發(fā)明提供的組成半導體制造裝置的化學氣相蒸鍍裝置概略結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實施例提供的晶片驅(qū)動裝置示意圖；圖3為按圖2的III-III線剖面圖，表示晶片驅(qū)動裝置按正向旋轉(zhuǎn)移動的同時向上做直線移動；圖4為圖3的對應圖，表示晶片驅(qū)動裝置按反向旋轉(zhuǎn)移動的同時向下做直線移動；圖5為根據(jù)本發(fā)明第二實施例提供的晶片驅(qū)動裝置示意圖；圖6為按圖5的VI-VI線剖面圖，表示晶片驅(qū)動裝置按正向旋轉(zhuǎn)移動的同時向上做直線移動；圖7為圖6的對應圖，表示晶片驅(qū)動裝置按正向旋轉(zhuǎn)移動的同時向下做直線移動。
主要符號說明10為反應室，20、20a為晶片驅(qū)動單元，21為支架，22為旋轉(zhuǎn)軸，23為旋轉(zhuǎn)電機，24為密封裝置，30為旋轉(zhuǎn)限制裝置，41為機箱，42為波紋管，43為升降筒，60為升降電機。
具體實施例方式
以下，參照附圖來詳細描述本發(fā)明所提供的最佳實施例。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的組成半導體制造裝置的化學氣相蒸鍍裝置概略結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖1所述，用于制造半導體的半導體制造裝置的化學氣相蒸鍍裝置包含反應室10，由上部機體11和下部機體12構(gòu)成并形成用于向晶片蒸鍍化學氣相膜的密封空間；噴頭13，貫通上部機體11布置的并用于向晶片1噴射形成化學氣相膜的反應氣體；晶片驅(qū)動單元20，貫通下部機體12布置并支持晶片1使其能升降及旋轉(zhuǎn)，并使由噴頭13噴射的反應氣體蒸鍍在晶片1的表面。
對于這種化學氣相蒸鍍裝置，起動晶片驅(qū)動單元20上升晶片1到離噴頭13的適當距離之后旋轉(zhuǎn)晶片1，則從噴頭13噴射的反應氣體均勻蒸鍍在晶片1，以此晶片1整個表面形成均勻的化學氣相膜。
晶片驅(qū)動單元20還將噴頭13的蒸鍍過程中產(chǎn)生的廢氣排出到反應室10外部的同時使反應室10內(nèi)部維持所定的反應溫度和真空狀態(tài)，因而具有對反復投入到反應室10內(nèi)的晶片1蒸鍍化學氣相膜的功能。以下針對這種晶片驅(qū)動單元20的結(jié)構(gòu)進行詳細說明。
圖2至圖4為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的晶片驅(qū)動裝置結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為晶片驅(qū)動裝置示意圖，圖3為晶片驅(qū)動裝置正向旋轉(zhuǎn)移動的同時向上直線移動的剖面示意圖，圖4為晶片驅(qū)動裝置反向旋轉(zhuǎn)移動的同時向下直線移動的剖面示意圖。
如圖2至圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施例提供的晶片驅(qū)動裝置20包含支持晶片1的支架21、結(jié)合于支架21下端并使支架21旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸22、以皮帶連接方式與旋轉(zhuǎn)軸22連接而用于旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸22的旋轉(zhuǎn)電機23。
支架21布置在反應室10內(nèi)部，并由上部放置晶片1的基座21a和從基座21a下部延長到反應室10外部并結(jié)合于旋轉(zhuǎn)軸22上端的延長軸21b組成，延長軸21b下端連接通過旋轉(zhuǎn)軸22供應的多根電線14，可以加熱支架21的同時控制支架21的旋轉(zhuǎn)。
為包圍貫通反應室10布置的延長軸21b和結(jié)合于該延長軸21b下端的旋轉(zhuǎn)軸22使其與外部密封，延長軸21b和旋轉(zhuǎn)軸22外側(cè)設置機箱41和波紋管42和升降筒43。
機箱41結(jié)合在為將延長軸21b延長到反應室10外側(cè)而形成開口部15的下部機體12的外側(cè)下端并使開口部15與外部密封，皺紋筒42具有能上下方向伸縮的結(jié)構(gòu)并結(jié)合于機箱41的下端，升降筒43結(jié)合于波紋管42下端并由下述的升降電機60可上下升降。
升降筒43下端設有密封裝置24，用于支持旋轉(zhuǎn)軸22使其可旋轉(zhuǎn)地連接于旋轉(zhuǎn)電機23的同時使升降筒43下端部與外部密封。并且，該升降筒43與用于設置旋轉(zhuǎn)電機23的第一支持臺46相結(jié)合。
密封裝置24具有貫通其中心的貫通軸24a，其內(nèi)部填充磁性流體而形成磁性流體密封。為使密封裝置24的貫通軸24a與旋轉(zhuǎn)軸22連接，密封裝置24上端和旋轉(zhuǎn)軸22下端之間設有聯(lián)結(jié)器25。
旋轉(zhuǎn)電機23下端和密封裝置24下部分別設有第一皮帶輪26及27，該兩個皮帶輪26及27由第一皮帶28連接，當設置在第一支持臺46的旋轉(zhuǎn)電機23旋轉(zhuǎn)時由第一皮帶28帶動旋轉(zhuǎn)密封裝置24的貫通軸24a，由此順序連接在密封裝置24的聯(lián)結(jié)器25旋轉(zhuǎn)軸22及延長軸21b相應旋轉(zhuǎn)，使放置在基座21a上的晶片1旋轉(zhuǎn)。
為可旋轉(zhuǎn)地支持旋轉(zhuǎn)軸22，旋轉(zhuǎn)軸22外側(cè)設置軸承套50。布置在升降筒43里面和旋轉(zhuǎn)軸22外面而被支持的所述軸承套50，包含布置在其內(nèi)側(cè)上端，軸向支持旋轉(zhuǎn)軸22的分離軸承51；布置在該分離軸承51下部，徑向支持旋轉(zhuǎn)軸22使旋轉(zhuǎn)軸22能無偏心旋轉(zhuǎn)的多個深溝軸承52。分離軸承51和深溝軸承52均由陶瓷材料制作，因而不產(chǎn)生微粒。
為從晶片驅(qū)動單元20外部向其內(nèi)部配多根電線14，機箱41的一個側(cè)面形成電線供應孔16，旋轉(zhuǎn)軸22形成從其側(cè)面連到其上端部的電線設置孔22a。并且，電線供應孔16設有饋線裝置29，該饋線裝置可以在密封電線供應孔16的狀態(tài)下將多根電線14供應到機箱41內(nèi)部。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實施例提供的晶片驅(qū)動單元20，由于多根電線14通過機箱41和旋轉(zhuǎn)軸22側(cè)面布置，因此若旋轉(zhuǎn)軸22只按某一方向旋轉(zhuǎn)會很容易產(chǎn)生多根電線14被絞斷的現(xiàn)象。
為防止產(chǎn)生這種現(xiàn)象，第一皮帶輪27下部設有旋轉(zhuǎn)限制裝置30，用于限制旋轉(zhuǎn)軸22在一定旋轉(zhuǎn)范圍內(nèi)進行正反旋轉(zhuǎn)。該旋轉(zhuǎn)限制裝置30，包含從密封裝置24延長，其外周表面形成一定長度的螺旋形凹槽31a的基體31；從支持后述升降電機60的支持臺44下端向下延長的垂直條32；能滑動地結(jié)合于垂直條32的滑動部件33；從滑動部件33水平延長并被夾到凹槽31a內(nèi)的擋銷34。
由此，隨著基體31旋轉(zhuǎn)滑動部件33在垂直條32上做上下移動，而擋銷34會被卡到凹槽31a的上端和下端而停止旋轉(zhuǎn)，以此限定旋轉(zhuǎn)軸22更多的旋轉(zhuǎn)。此時，旋轉(zhuǎn)電機23停止按某一方向的旋轉(zhuǎn)，再按其反向旋轉(zhuǎn)。
并且，為使支架21可上下移動機箱41外側(cè)設置升降電機60，以用于反應室10內(nèi)部放置在基座21a上的晶片1在離噴頭13所定距離的位置上進行蒸鍍過程，同時通過反應室10便于投入或取出晶片。
升降電機60設置在被支持于機箱41下端的第二支持臺44下部，而第二支持臺44的上端和下端之間設有垂直布置的垂直軸64，該垂直軸64隨著升降電機60的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。
為連接垂直軸64與升降電機60，升降電機60和垂直軸64下端分別設有第二皮帶輪61及62，其間連接第二皮帶63。
垂直軸64的外表面形成一定螺距的螺紋槽，該垂直軸64結(jié)合臂45，該臂45里面形成與垂直軸64螺紋槽相同螺距的滾珠絲杠槽，以此可以沿著垂直軸64的螺紋槽而上下移動。
所述臂45結(jié)合于升降筒43，因此隨臂45的上下移動以此帶動結(jié)合于升降筒43的第一支持臺46和密封裝置24與升降筒43一起上下移動，由此連接于密封裝置24的旋轉(zhuǎn)軸22和支架21也上下移動，從而可以調(diào)節(jié)置于支架21的基座21a上的晶片1的高度。
機箱41的一個側(cè)面設有通過反應室10的開口部15而與反應室10連通的排氣管36，該排氣管36與真空泵(未圖示)連接，因此可以排出反應室10中產(chǎn)生的廢氣的同時維持反應室10內(nèi)部為蒸鍍工藝所需的真空狀態(tài)。
并且，機箱41的一個側(cè)面形成用于冷卻機箱41內(nèi)部的冷卻氣體供應孔35，用以冷卻由發(fā)熱體組成的支架21因通過多根電線14供應的電源而向機箱41周圍發(fā)散的熱量。由這種冷卻作用防止旋轉(zhuǎn)軸22的熱膨脹和多根電線16受到損壞。
為了不影響反應氣體的蒸鍍作用，冷卻氣體最好采用氮氣，這種冷卻氣體在機箱41內(nèi)部進行循環(huán)之后通過排氣管36與排出氣體一起排出。
由如上結(jié)構(gòu)組成的根據(jù)本發(fā)明第一實施例提供的驅(qū)動單元20的工作過程如下所述。即，如圖3及圖4所示，起動升降電機60，則第二皮帶63將升降電機60的轉(zhuǎn)矩傳到垂直軸64，使垂直軸64在被支持于第二支持臺44的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)，進而使以滾珠絲杠方式結(jié)合于垂直軸64的臂45做向上或向下滑動。
若臂45做升降移動則連接于該臂45的升降筒43也同時做升降移動而使波紋管42伸縮，與此同時與升降筒43結(jié)合在一起的第一支持臺46和密封裝置24也做升降移動，以此使旋轉(zhuǎn)軸22和支架21做上下移動。
通過升降電機60的起動調(diào)節(jié)置于支架21的基座21a上的晶片1在反應室10內(nèi)部離噴頭13具有適當距離之后起動旋轉(zhuǎn)電機23，則旋轉(zhuǎn)電機23的轉(zhuǎn)矩由第一皮帶28傳到密封裝置24的貫通軸24a，由此順序連接于貫通軸24a的聯(lián)結(jié)器25和旋轉(zhuǎn)軸22以及支架21一起低速旋轉(zhuǎn)。
這樣，若支架21以10RPM以下的速度低速旋轉(zhuǎn)，則置于支架21的基座21a上的晶片1隨之低速旋轉(zhuǎn)，由噴頭13噴射的反應氣體均勻噴散在晶片1的表面，并在晶片1形成均勻的化學氣相膜。
下面參照圖5至圖7描述根據(jù)本發(fā)明第二實施例提供的晶片驅(qū)動單元的結(jié)構(gòu)及工作過程。
圖5為晶片驅(qū)動裝置示意圖，圖6為晶片驅(qū)動裝置按正向旋轉(zhuǎn)移動的同時向上做直線移動的剖面示意圖，圖7為晶片驅(qū)動裝置按正向旋轉(zhuǎn)移動的同時向下做直線移動的剖面示意圖。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的晶片驅(qū)動單元20a是為了解決根據(jù)第一實施例的晶片驅(qū)動單元20由于多根電線14通過機箱41的側(cè)面連接到機架21而必須具備旋轉(zhuǎn)限制裝置30和饋線裝置29的結(jié)構(gòu)上的缺點而提出。
即，根據(jù)第二實施例的晶片驅(qū)動單元20a將旋轉(zhuǎn)軸22和密封裝置24的貫通軸24b設為中空軸，通過貫通軸24b內(nèi)部和旋轉(zhuǎn)軸22的中空部22b供應多根電線14連接到支架21的延長軸21b，旋轉(zhuǎn)軸22即使只按某一方向繼續(xù)旋轉(zhuǎn)也不會產(chǎn)生多根電線14纏繞的現(xiàn)象。
如上所述，晶片驅(qū)動單元20a由于多根電線14從外部電源連接到支架21的延長軸21b是通過密封裝置24和旋轉(zhuǎn)軸22內(nèi)部，因此不需要用第一實施例中適用的饋線裝置29密封通過多根電線14的部分，也不需要使旋轉(zhuǎn)電機23在一定旋轉(zhuǎn)范圍內(nèi)正反方向進行轉(zhuǎn)向變換而可以按某一方向持續(xù)旋轉(zhuǎn)，比第一實施例在結(jié)構(gòu)和工作過程方面變得更為簡單。
第二實施例的晶片驅(qū)動單元20a除了所述的差異以外，具有與第一實施例的晶片驅(qū)動單元20相同的結(jié)構(gòu)和工作過程，因而在此省略其余的說明。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明所提供的半導體制造裝置，由于晶片驅(qū)動單元具有可以將晶片上下移動及旋轉(zhuǎn)運動的結(jié)構(gòu)，因而使噴頭所噴射的反應氣體不進行暖流動的狀態(tài)下，在晶片整個表面進行均勻蒸鍍而制造優(yōu)質(zhì)晶片。
此外，依據(jù)本發(fā)明所提供的半導體制造裝置，由于密封裝置和軸承由抑制產(chǎn)生微粒的結(jié)構(gòu)和材料組成，因而可以制造出更優(yōu)質(zhì)的晶片。
權(quán)利要求
1.一種半導體制造裝置，包含進行晶片薄膜蒸鍍工藝的反應室、向所述晶片噴射反應氣體的噴頭、可升降地支持所述晶片的晶片驅(qū)動單元，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元包含支持所述晶片的支架、連接于所述支架的旋轉(zhuǎn)軸、與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的旋轉(zhuǎn)電機，以使所述晶片可以旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含分別設置在所述旋轉(zhuǎn)電機和旋轉(zhuǎn)軸的第一皮帶輪和連接所述兩個第一皮帶輪的第一皮帶，使所述旋轉(zhuǎn)電機的轉(zhuǎn)矩傳達到所述旋轉(zhuǎn)軸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述支架布置在所述反應室內(nèi)部，并包含放置所述晶片的基座、從所述基座延長到所述反應室外部并與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的延長軸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含用于升降所述支架的升降電機，以使所述支架能上下移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含支持所述旋轉(zhuǎn)電機的第一支持臺和支持所述升降電機的第二支持臺。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含設置在所述第二支持臺上且外表面具有螺紋槽的垂直軸、分別設置在所述升降電機和垂直軸的第二皮帶輪、連接所述兩個第二皮帶輪的第二皮帶，使所述升降電機的轉(zhuǎn)矩傳達到所述垂直軸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含內(nèi)部形成滾珠絲杠槽并隨所述垂直軸的螺紋槽上下移動的臂、與所述臂相結(jié)合而升降的升降筒，所述升降筒與所述第一支持臺結(jié)合以使所述旋轉(zhuǎn)電機和旋轉(zhuǎn)軸以及所述支架上下移動。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含結(jié)合在所述升降筒下端并密封所述升降筒下端的密封裝置，使用于旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)軸的所述第一皮帶輪結(jié)合于所述密封裝置，并使所述旋轉(zhuǎn)軸與所述密封裝置連接而可旋轉(zhuǎn)地支持旋轉(zhuǎn)軸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含結(jié)合于所述反應室外側(cè)的機箱、連接所述機箱和所述升降筒的波紋管，所述機箱、升降筒和波紋管內(nèi)部由所述密封裝置密封，所述升降筒可由所述波紋管的伸縮作用進行升降。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于所述密封為鐵磁流體密封(Ferro-Fluids-Seal)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含連接所述密封裝置和所述旋轉(zhuǎn)軸的聯(lián)結(jié)器。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述機箱的一個側(cè)面設有電線供應孔，所述旋轉(zhuǎn)軸設有從側(cè)面連接到上端部的電線設置孔，由此可通過所述機箱連接多根電線到所述支架，從而能加熱所述支架的同時控制所述支架的旋轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含設置在所述電線供應孔并使所述電線供應孔在密封狀態(tài)下通過所述多根電線的饋線裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含使所述旋轉(zhuǎn)軸在一定旋轉(zhuǎn)范圍內(nèi)進行正反旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)限制裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)限制裝置包含從所述密封裝置延長而其外周表面形成一定長度螺旋形凹槽的基體、從所述第二支持臺延長的垂直條、結(jié)合于所述垂直條的滑動部件、從所述滑動部件水平延長并被夾到所述凹槽內(nèi)的擋銷，隨著所述基體旋轉(zhuǎn)所述擋銷會被卡到所述凹槽的上端和下端，以此限定所述旋轉(zhuǎn)軸正反方向的旋轉(zhuǎn)范圍。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述密封裝置和所述旋轉(zhuǎn)軸形成有中空，使通過所述密封裝置和所述旋轉(zhuǎn)軸中空部布置的多根電線連接到所述支架，而能加熱所述支架的同時控制所述支架的旋轉(zhuǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述晶片驅(qū)動單元還包含設置在所述旋轉(zhuǎn)軸外側(cè)的其內(nèi)部布置用于可旋轉(zhuǎn)地支持所述旋轉(zhuǎn)軸的多個軸承的軸承套。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于所述多個軸承包含分離軸承。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于所述多個軸承包含深溝軸承。
20.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述機箱一側(cè)設置與所述反應室連通的排氣管，用于排出所述反應室內(nèi)產(chǎn)生的廢氣的同時維持所述反應室內(nèi)為真空狀態(tài)。
21.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述機箱設有用于冷卻所述機箱內(nèi)部的冷卻氣體供應孔。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于所述冷卻氣體為氮氣。
全文摘要
揭示一種可以在晶片整個表面形成均勻薄膜的半導體制造裝置。本發(fā)明所提供的半導體制造裝置包含反應室、噴頭、晶片驅(qū)動單元。晶片驅(qū)動單元包含支持晶片的支架、連接于支架的旋轉(zhuǎn)軸、與旋轉(zhuǎn)軸連接的旋轉(zhuǎn)電機，以使晶片可以旋轉(zhuǎn)。支架和旋轉(zhuǎn)軸被機箱和波紋管、升降筒和密閉裝置所圍住并設置在軸承套內(nèi)部，由連接密封裝置和旋轉(zhuǎn)電機的皮帶帶動旋轉(zhuǎn)。晶片驅(qū)動單元還具備升降電機，可使支架按上下方向移動。
文檔編號C23C16/458GK1841663SQ20051006832
公開日2006年10月4日 申請日期2005年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月28日
發(fā)明者李相昊, 李乘茂, 李秀浩, 姜東佑, 金應秀 申請人:三星電子株式會社