專利名稱：打磨工具和使用其的打磨方法及裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種打磨工具，特別涉及一種適用于打磨具有加工變形的半導體晶片背面的打磨工具，以及使用這種打磨工具的打磨方法及裝置背景技術半導體芯片的制作過程中，是在一個半導體晶片正面上以格子模式按列方式將其劃分成很多的矩形區(qū)域，而且半導體電路則被布置在該矩形區(qū)域上。該半導體晶片按列分割以使該矩形區(qū)域變成為半導體芯片。為使該半導體芯片緊湊體輕，在將矩形區(qū)域分割成單個芯片之前經(jīng)常是要磨削該晶片的背面，從而減小該半導體晶片的厚度。實現(xiàn)該晶片的背面磨削，通常是將一個高速轉動的磨削裝置壓靠到該半導體晶片的背面上，該磨削裝置是由將金剛石研磨顆粒用一種適合的粘結劑，例如樹脂粘結劑制成。在以該法磨削晶片背部時在該磨削晶片背部會產(chǎn)生一種叫作加工變形，從而嚴重降低橫向破裂強度。為使排除產(chǎn)生在該磨削晶片背部的加工變形，并因此避免橫向破裂強度降低，業(yè)已提出用沒有磨粒的方法打磨經(jīng)過磨削的該晶片背部，或使用含有硝酸和氫氟酸的腐蝕液以化學方式腐蝕該經(jīng)過磨削的晶片背部。還有，號為2000-343440的日本待審的公開專利中披露了用將研磨顆粒固定到適用布料上制成的打磨裝置，來打磨半導體晶片的背面。
而無磨粒打磨工藝，尚存在有諸多問題，在供應和回復等方面該無磨粒材料需要麻煩的工序，以導致低效，以及大量無磨粒材料使用造成的工業(yè)廢料的處理。用腐蝕液的化學腐蝕法也有因大量使用過的腐蝕液工業(yè)廢料的處理問題。而這類打磨在拋磨效率上尚不成功，其打磨質(zhì)量也還不盡如人意。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新的、經(jīng)改進的打磨工具，該工具以高的打磨效率和高質(zhì)量打磨半導體晶片背面，并不會形成須處理的大量工業(yè)廢料的物質(zhì)，從而能夠去除該半導體晶片背面上存在的加工變形。
本發(fā)明再一個目的是提供使用上述打磨工具的一種新的、經(jīng)改進的打磨方法及其設備。
本發(fā)明的還一個目的是提供一種新的、經(jīng)改進的磨削/打磨的方法和一種新的、經(jīng)改進的磨削/打磨的機器，它磨削半導體晶片背面，然后以高的打磨效率和高質(zhì)量打磨半導體晶片背面，從而能夠去除因磨削產(chǎn)生的加工變形。
本發(fā)明的發(fā)明人通過深入的研究，業(yè)已發(fā)現(xiàn)上述目的是通過裝備打磨裝置實現(xiàn)，該打磨裝置通過將磨粒散布到氈制品中而形成的，氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上并且硬度為30或以上。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，按實現(xiàn)上述目的的打磨工具，在此提供了一種打磨工具，其包括一支撐件和固定到該支撐件上的打磨裝置，該打磨裝置包括氈制品和散布到該氈制品中的磨粒，氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上并且硬度為30或以上。
該氈制品的密度最好是0.40克/厘米3或以上并且其硬度為50或以上。該打磨裝置最好含有0.05到1.00克/厘米3，特別是0.20到0.70克/厘米3的該磨粒。該打磨裝置的打磨表面包括該氈制品的層表面和條痕表面。該磨粒最好具有0.01到100μm的顆粒直徑。該磨粒包括下列中的一種或多種硅石、氧化鋁、鎂橄欖石、滑石、富鋁紅柱石、立方氮化硼、金剛石、氮化硅、碳化硅、碳化硼、碳酸鋇、碳酸鈣、氧化鐵、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈰、氧化鉻、氧化錫、和氧化鈦。支撐件具有一圓形支持表面，并且該打磨裝置的形式為一粘結到該圓形表面上的盤。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，在此還提供作為實現(xiàn)上述目的的一種打磨方法，其包括轉動一工件且還轉動打磨裝置，并將該打磨裝置壓靠到要打磨的表面，其中該打磨裝置通過將磨粒分散到氈制品中構造成，該氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上，并且其硬度為30或以上。
在一個優(yōu)選實施例中，該工件是一半導體晶片，而被磨的表面則是一個被磨削的背面。該工件和打磨裝置最好以相反的方向轉動。該工件的轉速最好是5到200rpm，特別是10至30rpm，而打磨裝置的轉速最好是2000到20000rpm，特別是5000至8000rpm。該打磨裝置最好是以100到300克/厘米2，特別是以180到220克/厘米2的壓力壓靠于該工件。在一個優(yōu)選實施例中，該工件為一個大體呈盤形的半導體晶片，該半導體晶片的外徑和該打磨裝置的外徑大體相同，該半導體晶片的外徑和該打磨裝置的外徑大體相同，并且該半導體晶片的中心軸線和該打磨裝置的中心軸線定位成，彼此偏移開該半導體晶片半徑的三分之一至二分之一。該打磨裝置優(yōu)選地沿垂直于打磨裝置的旋轉軸線并垂直于該打磨裝置中心軸線與該半導體晶片的中心軸線彼此偏移開方向的一方向相對于該工件來回地移動。該打磨裝置優(yōu)選地來回地移動，其速度為30至60秒往復一次，并且其幅度等于或略大于該半導體晶片的直徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種作為能實現(xiàn)附加目的的磨削/打磨方法，其包括使用一磨削件磨削半導體晶片的背面的一磨削步驟；并且在該磨削步驟后，轉動該半導體晶片、并且還轉動打磨裝置、以及將該打磨裝置壓靠到該半導體晶片背面上的一打磨步驟，該打磨裝置通過將磨粒散布到氈制品中構造成。
優(yōu)選的是，在該磨削步驟之后和該打磨步驟之前，在該半導體晶片背面噴射清洗液的一清洗步驟；和在該清洗步驟之后和該打磨步驟之前，在該半導體晶片背面噴射空氣的一干燥步驟。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種作為能實現(xiàn)另一目的的打磨裝置，其包括一用于保持工件的可旋轉地安裝的夾頭裝置；和一可旋轉地安裝的打磨工具，其中該打磨工具包括通過將磨粒分散到氈制品中構造成的打磨裝置，該氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上，并且其硬度為30或以上；并且轉動該夾頭裝置、也轉動該打磨裝置，并且該打磨工具的打磨裝置壓靠到由夾頭裝置保持的工件上，由此打磨工件。
在一個優(yōu)選實施例中，作為該工件的一半導體晶片保持在該夾頭裝置上，并且該打磨裝置打磨該半導體晶片的一已磨削過的背面。該夾頭裝置與打磨裝置最好以相反方向轉動。夾頭裝置的轉速最好為5至200rpm，特別是10至30rpm，而打磨工具的轉速最好是2000至20000rpm，特別是5000至8000rpm。該打磨裝置最好以100至300克/厘米2，特別是180至220克/厘米2的壓力壓靠到工件上。在一個優(yōu)選實施例中，該工件為一個大體呈盤形的半導體晶片，該半導體晶片的外徑和該打磨裝置的外徑大體相同，該半導體晶片的外徑和該打磨裝置的外徑大體相同，并且該半導體晶片的中心軸線和該打磨裝置的中心軸線定位成，彼此偏移開該半導體晶片半徑的三分之一至二分之一。該打磨裝置優(yōu)選地沿垂直于打磨裝置的旋轉軸線并垂直于該打磨裝置中心軸線與該半導體晶片的中心軸線彼此偏移開方向的一方向相對于該夾頭裝置來回地移動。該打磨裝置優(yōu)選地來回地移動，其速度為30至60秒往復一次，并且其幅度等于或略大于該半導體晶片的直徑。
根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供一種作為能實現(xiàn)附加目的的磨削/打磨的機器，其用于磨削半導體晶片的背面并隨后打磨該半導體晶片的背面，該機器包括一間歇轉動的轉臺；至少一個可旋轉地安裝在該轉臺上的夾頭裝置；至少一個磨削裝置；和一打磨設備，并且其中待磨削及打磨的該半導體晶片被保持在該夾頭裝置上，以暴露該半導體晶片的背面；該轉臺間歇地轉動，從而該夾頭裝置順序地位于至少一個磨削區(qū)和至少一個打磨區(qū)；該磨削裝置包括一磨削工具，該磨削工具受迫作用于由位于磨削區(qū)的該夾頭裝置保持的該半導體晶片的背面，以磨削該半導體晶片的背面；和該打磨設備包括一可轉動地安裝的打磨工具，該打磨工具有一通過在氈制品中散布磨粒構造成的打磨裝置，位于打磨區(qū)的該夾頭裝置被轉動并且該打磨工具也被轉動，并且該打磨裝置壓靠到由該夾頭裝置保持的該半導體晶片的所述背面上，由此打磨該半導體晶片的背面。
優(yōu)選的是，該磨削/打磨機還包括一用于在該半導體晶片的所述背面上噴射清洗液的清洗裝置，該半導體晶片由位于打磨區(qū)的該夾頭裝置所保持；和一用于在該半導體晶片的所述背面上噴射空氣的干燥裝置，該半導體晶片由位于打磨區(qū)的該夾頭裝置所保持。
根據(jù)深入的研究，發(fā)明人使用塊狀體和散布在該塊狀體中的磨粒構造在打磨工具中的打磨裝置，該塊狀體由至少兩種類型的纖維形成，該纖維選自包括各種動物毛的天然纖維以及人造纖維。發(fā)明人業(yè)已發(fā)現(xiàn)，與采用單一類型纖維和將磨粒散布入這種塊狀體，如氈制品而構造成的打磨裝置的打磨工具相比，上述打磨工具能實現(xiàn)從打磨裝置和/或工件中更為有效的散熱，并且提高打磨的質(zhì)量和效率，盡管為什么會有這些優(yōu)點的機制尚不明。
根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供一種作為能實現(xiàn)上述目的打磨工具，其包括一支撐件和固定到該支撐件上的打磨裝置，并且其中該打磨裝置包括塊狀體和散布在該塊狀體中的磨粒，該塊狀體由至少兩種類型的纖維形成，該纖維選自包括各種動物毛的天然纖維以及人造纖維。
在此，術語“天然纖維”是指基于動物的天然纖維，不僅包括羊毛和山羊毛，還包括豬毛、馬毛、牛毛、狗毛、貓毛、貉毛、和狐貍毛；植物纖維如棉和麻；以及礦物纖維如石棉。術語“塊狀體”是指諸如氈制品或纖維束之類的物件，它通過擠壓纖維成塊狀形式而形成。
在一個優(yōu)選實施例中，由第一纖維形成的第一氈制品和一由第二纖維形成的第二氈制品。該該第一纖維是羊毛或山羊毛，而該第二纖維是山羊毛或羊毛。優(yōu)選的是，該塊狀體通過如下構造成在實施第一氈制品中形成多個空隙，并將該第二氈制品裝配進每個所述多個空隙中。在該打磨裝置的打磨表面中，優(yōu)選的是，該第二氈制品分散地布置在第一氈制品中。在另一個優(yōu)選實施例中，該塊狀體包括由第一纖維形成的氈制品和由第二纖維形成的纖維束。該第一纖維是羊毛或山羊毛，而該第二纖維是除羊毛和山羊毛之外的動物毛。該塊狀體通過如下構造成在實施第一氈制品中形成多個空隙，并將該纖維束裝配進每個所述多個空隙中。在該打磨裝置的打磨表面中，該纖維束分散地布置在氈制品中。在再一個優(yōu)選實施例中，該塊狀體包括由至少兩種類型的纖維混合形成的氈制品。該塊狀體由羊毛和山羊毛混合形成的氈制品構造成。在任何實施例中，該塊狀體的密度為0.20克/厘米3或以上，特別是0.40克/厘米3或以上，其硬度為30或以上，特別是硬度為50或以上。
圖1所示為按本發(fā)明構造的打磨工具的一個優(yōu)選實施例的透視圖；圖2為圖1中的打磨工具翻轉狀態(tài)的透視圖；圖3為顯示出一部分氈制品的透視圖；圖4為按本發(fā)明構造的打磨工具的另一個實施例的透視圖，其處在翻轉狀態(tài)；圖5為按本發(fā)明構造的打磨工具的再一個實施例的透視圖，其處在翻轉狀態(tài)；圖6為按本發(fā)明構造的打磨工具的再一個實施例的透視圖，其處在翻轉狀態(tài)；圖7為按本發(fā)明構造的打磨工具的再一個實施例的透視圖，其處在翻轉狀態(tài)；圖8為按本發(fā)明構造的打磨工具的一個附加實施例的透視圖，其處在翻轉狀態(tài)；圖9為按本發(fā)明構造的磨削/打磨機的一個優(yōu)選實施例的透視圖；圖10為顯示圖9的磨削/打磨機中打磨裝置的一部分的剖視圖；圖11為按本發(fā)明構造的打磨工具的另一個優(yōu)選實施例透視圖；圖12為圖11的打磨工具處在翻轉狀態(tài)的透視圖；圖13是與圖12相似的透視圖，其示出構成打磨裝置塊狀體的第一與第二氈結合的修改模式；圖14是與圖12相似的透視圖，其示出構成打磨裝置塊狀體的第一與第二氈結合的另一種修改模式；圖15是與圖12相似的透視圖，其示出構成打磨裝置塊狀體的第一與第二氈結合的再一種修改模式；圖16與圖12相似的透視圖，其示出按本發(fā)明構造的處在翻轉狀態(tài)的打磨工具的再一個附加實施例；和圖17是與圖12相似的透視圖，其示出按本發(fā)明構造的處在翻轉狀態(tài)的打磨工具的再一個附加實施例。
具體實施例方式
結合附圖，將對本發(fā)明的實施例作詳細的描述。
圖1和圖2顯示了按本發(fā)明構造的打磨工具的一個優(yōu)選實施例。圖示的打磨工具，總體以標記2表示，包括支撐件4和打磨裝置6。支撐件4最好由諸如鋁的適用材料制成盤形，并具有一個圓的平支承表面，即下表面。如圖1所示，許多(圖中為4個)螺紋盲孔7從支撐件4的上表面向下延伸，它們在該支撐件4周向地間隔處形成。打磨裝置也是盤形，而且打磨裝置6與支撐件4的外徑大致相同。該打磨裝置6通過例如環(huán)氧樹脂的一種適用粘結劑被粘結到支撐件4的下面上(即其平的圓支承面)。
重要的是，打磨裝置6包括氈制品和散布到該氈制品中的許多磨粒。而該氈的密度為大于或等于0.20克/厘米3，特別是大于或等于0.40克/厘米3，以及硬度大于或等于30，特別是大于或等于50，也同樣重要。在此，所用“硬度”是指按標準JIS K6253-5(硬度計硬度試驗)測出的硬度。若該密度和硬度過低，就達不到所要求的打磨效率和質(zhì)量。氈則不限于羊毛，還可以包括諸如聚酯、聚丙烯、耐熱尼龍、丙烯酸酯、人造絲和凱夫拉爾(Kevlar)等適用的人造纖維，諸如硅及玻璃的耐火纖維，以及諸如棉和麻的天然纖維的氈制品。關于打磨效率和打磨質(zhì)量，最好是氈制品含有大于等于90％的羊毛，特別是100％羊毛的氈。散布在氈中的磨粒量則最好為0.05至1.00克/厘米3，特別是0.20至0.70克/厘米3。
散布在氈內(nèi)的磨粒最好具有顆粒尺寸為0.01至100μm。該磨?？梢杂扇魏喂枋?、氧化鋁、鎂橄欖石、滑石、富鋁紅柱石、立方氮化硼、金剛石、氮化硅、碳化硅、碳化硼、碳酸鋇、碳酸鈣、氧化鐵、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈰、氧化鉻、氧化錫和氧化鈦構成。如果需要，可以將兩種或兩種以上類型的磨粒散布到氈制品中。為使磨粒適當?shù)厣⒉嫉綒种破分?，可以將磨?；爝M一種適當?shù)囊后w中，再行以該液體注入氈，或者按需要，也可以在氈制品制作過程中，將磨粒作為材料結合入用于進氈制品的纖維之中。在磨粒正確散布進氈后，在該氈制品中注入適當?shù)囊簯B(tài)粘合劑，比如，一種酚醛樹脂粘合劑或是環(huán)氧樹脂粘合劑，以使磨?？捎眠@種粘合劑粘結到氈制品的內(nèi)部。
如在圖3中示意性地表示的那樣，該氈制品以片材S制作，沿其延伸方向的表面，即它的表面及背面，被稱為層表面H，而沿其厚度方向的表面叫條痕表面V。在圖1和2中表示的該打磨工具2中，構成打磨裝置6的該氈制品是將該板材切成盤形所形成的。這樣，該打磨裝置6的打磨表面，即下表面8，則是由該氈的層表面H形成的。如果需要，氈制品的條痕面V也可以用作打磨表面。根據(jù)本發(fā)明人的經(jīng)驗，業(yè)已發(fā)現(xiàn)與用該氈制品的層表面H作打磨表面相比，采用該氈制品的條痕表面V作打磨表面可增加打磨量20至30％。為使增加打磨效率，而不降低打磨質(zhì)量，可以允許采用該氈制品的層面H和條痕面V混合形成該打磨裝置6的打磨表面，即其下表面，如圖4至7中所示的。在圖4所示的打磨工具2中，打磨裝置6的下表面包括了由氈的層表面H形成的一個層表面區(qū)8H，以及由氈的條痕表面V形成的多個條痕表面區(qū)8V。條痕表面區(qū)8V的形狀類似小的圓形，并被分散地布置在該層表面區(qū)8H中。在圖5所示的打磨工具2中，該打磨裝置6的下表面包括了一個中央的層表面區(qū)8H和一個環(huán)繞該中央層表面區(qū)8H的外環(huán)條痕表面區(qū)8V。在圖6所示的打磨工具2中，該打磨裝置6的下表面由交替同心地布置的層表面區(qū)8H和條痕表面區(qū)8V構成。在圖7所示的打磨工具2中，該打磨裝置6的下表面包括了多個扇形的層表面區(qū)8H和于該扇形層表面區(qū)8H間徑向延伸的多個條痕表面區(qū)8V，以及環(huán)繞層表面區(qū)8H和條痕表面區(qū)8V的一個外環(huán)形條痕表面區(qū)8V。此外，如在圖8中所示，在打磨裝置6中許多狹縫10被切成。這些狹縫10的形狀類似多個同心布置的圓和/或等角距離布置的徑向線。
圖9所示是用于完成一個半導體晶片背面磨削的磨削步驟和一個其中采用了上述打磨工具2的后續(xù)打磨步驟的一臺磨削/打磨機器。所示的磨削/打磨機具有一個總體以標記12表示的外殼體。該殼體12具有形狀為細長地延伸的長方體的主體部14。大體垂直向上延伸的直立壁16設置在主體部14的后端部分。兩個磨削裝置，即粗磨裝置18a和精磨裝置18b，設置在直立壁16上。詳細地說，兩對導軌19a和19b固定于直立壁16的前表面。導軌對19a和19b的各個導軌基本是垂直延伸?；瑝K20a和20b被裝在導軌對19a和19b上以使可作垂直滑動。各個滑塊20a和20b具有兩個腿狀體22a和兩個腿狀體22b。每個腿狀體22a和22b與每個導軌對19a和19b的導軌可滑動接合。大致垂直延伸的螺紋軸28a和28b通過支承件24a和24B以及支承件26a和26b以可轉動方式安裝在該直立壁16的前表面上。電機30a和30b，可以是脈沖馬達，也被裝在了支承件24a和24B上。該馬達30a和30b的輸出軸連接于螺紋軸28a和28b。向后突伸的連接部分(未示出)形成在該滑塊20a和20b中。在該連接部中形成有垂直延伸的螺紋通孔，而螺紋軸28a和28b被擰進這些螺紋孔。這樣，當馬達30a和30b正常方向轉動則滑塊20a和20b下降，而當馬達30a和30b反方向轉動則滑塊20a和20b上升。向前突伸的支承部32a和32b作在滑塊20a和20b上，并且殼34a和34b固定于支承部32a和32b上。大體垂直延伸的轉軸36a和36b以轉動方式裝在殼34a和34b內(nèi)。殼34a和34b內(nèi)設置有電機(未示出)，而這些電機的輸出軸與轉軸34a和34b連接。盤形安裝件36a和36b裝于轉軸34a和34b的下端，而磨削工具38a和38b被裝在安裝件36a和36b上。多個弧形磨削件設置在每個磨削工具38a和38b的下表面上。磨削件最好是用如樹脂粘合劑的一種適用粘結劑粘結金剛石而形成。設置在殼34a和34b內(nèi)的馬達通電時，磨削工具38a和38b則以高速旋轉。
參見圖9，外殼體12的主體部14上表面后半部上設置有轉臺42。該轉臺裝成能繞大體為垂直延伸的中心軸線旋轉。一個適用的電機(未示出)驅動連接的轉臺42，如下文將提及的，該轉臺42間歇地被一次轉動120度。三個夾頭裝置44于轉臺42圓周方向上等角距離設置。圖示的夾頭裝置44各設置安裝有多孔滲水的盤，從而可以繞大體垂直延伸的中心軸線旋轉。一個適用的電機(未示出)驅動地連接各個夾頭裝置44，而該夾頭裝置44可以是以5至100rpm的轉速被轉動。一個真空源(未示出)以可選擇連接方式與夾頭裝置44連通，如下文將提及的，放到夾頭裝置44的一個半導體晶片因真空負壓吸附到夾頭裝置44上。通過間歇地一次轉動120度地轉動轉臺42，各個夾頭裝置44會順序地定位于一個上料/下料區(qū)46，一個粗磨區(qū)48及一個精磨區(qū)50。如通過下文的解釋即可明了的，該上料/下料區(qū)46也起到打磨區(qū)的作用。
上料盒區(qū)52，下料盒區(qū)54，傳送機構56，半導體晶片接受裝置58，及清洗裝置60設置在外殼體12的主體部14的第一半上表面上。傳送機構62和64設置在外殼體12主體部14的上表面中間。容納具有待磨削和打磨的背面的多個半導體晶片W的盒C放置在該上料盒區(qū)52。容納完成了背面的磨削和打磨的多個半導體晶片W的盒C放置在該下料盒區(qū)54。傳送機構56一次抓住一個半導體晶片W，從放置在該上料盒區(qū)52上的盒C中取出，翻轉半導體晶片W使其上面朝下，并將其放置在該半導體晶片接受裝置58之上。該傳送機構62將已放置在接受裝置58之上的其背面朝上的該半導體晶片W傳送到位于該上料/下料區(qū)46的該夾頭裝置44之上。
通過轉臺42作間歇的轉動，其背面朝上并裸露的、已被放置在夾頭裝置44上的半導體晶片W與夾頭裝置44一起位于粗磨削區(qū)48。在該粗磨削區(qū)48，保持該半導體晶片W的夾頭裝置44被轉動，并且該磨削工具38a也以高速轉動。該磨削工具38a壓靠半導體晶片W的背面，并逐漸下降，從而半導體晶片W的背面被磨削。該磨削工具38a與夾頭裝置44的中心軸線相互偏移一個預定的距離，以使該磨削工具38a對該半導體晶片W的整個背部起到足夠均勻地磨削。通過轉臺42作間歇的轉動，在粗磨削區(qū)48已被磨過的半導體晶片W與夾頭裝置44一起被帶到該精磨區(qū)50。然后，該半導體晶片W的背面由磨削工具38b進行精磨。由磨削工具38b進行的精磨方式與磨削工具38a進行粗磨方式類似。通過轉臺42作間歇的轉動，在精磨區(qū)50精磨過的該半導體晶片W與夾頭裝置44一起被帶到上料/下料區(qū)46。在上料/下料區(qū)46，該半導體晶片W的背面以一種在下文中將予描述的方式被打磨。
然后，該傳送機構64將位于該上料/下料區(qū)46的、在夾頭裝置44上的半導體晶片W傳送到該清洗裝置60。當半導體晶片W以高速旋轉時，該清洗裝置60噴射出可以是純水的清洗液，以清洗該半導體晶片W并且干燥它。該傳送機構56轉動經(jīng)清洗并干燥過的該半導體晶片W使其下面朝上，以正面向上，并且將其傳送進位于下料盒區(qū)54的該盒C之中。在位于該上料盒區(qū)52的盒C中的所有半導體晶片W被取出后，將裝有具有待磨削和打磨的背面的半導體晶片W的下一個盒C替換此盒C。當一個預定數(shù)量的半導體晶片W裝入位于下料盒區(qū)54的該盒C中后，此盒被取出，并放入一個空盒C。
除了以上說明的磨削/打磨機的結構和作用之外，即關于在該上料/下料區(qū)46中的半導體晶片W背面的打磨的結構和作用之外，其結構和作用都與例如以商標為“DFG841”以DISCO銷售的磨床的結構和作用類似，并且為本領域的普通技術人員熟悉。因此其結構和作用在此不再贅述。
在以上說明的磨削/打磨機中，除用于磨削該半導體晶片W背面的粗磨裝置18a和精磨裝置18b之外，設置一用于打磨該半導體晶片W的背面的打磨設備66。參見圖9和圖10，基本垂直向上延伸的柱67和68設置在該外殼體12主體部1的4后半上表面的相對兩側的邊緣部上。大體水平延伸的一導軌70固定于柱67和68之間，并且一滑塊72以可滑動方式安裝于導軌70上。如圖9和圖10中可清楚見到的，導軌70具有矩形橫截面，并且一具有通過其插入該導軌70的為矩形橫截面的開孔74在滑塊72中形成。大體水平延伸的一個螺紋軸76進一步以可旋轉方式安裝于柱67與68之間。電機78裝于柱68上，電機78的輸出軸與螺紋軸76連接。在滑塊72中形成的一螺紋通孔80大體水平延伸，并且該螺紋軸76被擰進螺紋孔80中。這樣，電機以正常方向轉動時，滑塊72則在沿箭頭82所指的方向向前移動。當電機78反方向轉動，滑塊72則沿箭頭84所指的方向向后移動。
參見圖9和10，大體垂直延伸的導軌86形成在滑塊72的前表面上，而一上-下塊88安裝成可沿導軌86滑動。導軌86的橫截面為一個寬度方向向前漸增的倒置梯形，即呈燕尾形。具有相應橫截面的導向槽90在上-下塊88中形成，并且該導向槽90與導軌86相接合。如圖10所示，大體垂直延伸的通孔92在滑塊72的導軌86中形成。一個氣動氣缸機構94的氣缸96固定于通孔92中。該上-下塊88的下端部上形成有向后突起的凸出部98，并且開口100在凸出部98中形成。氣動氣缸機構94的活塞102從滑塊72向下延伸，并向下延伸通過在上-下塊88的凸出部98中形成的開口100。大于開口100的一凸緣104固定到該活塞102的下端。電機106固定于上-下塊88中，并且一個大體垂直延伸的轉軸108與電機106的輸出軸相連接。一安裝件110固定于轉軸108下端，該轉軸從上-下塊88向下延伸。圖1和2中所示的打磨工具2被固定于安裝件110的下端。更詳細地說，呈盤形的安裝件110具有與打磨工具2的支撐件4大體相同的外徑，該安裝件具有多個(圖中為4個)形成在周邊地間隔開的位置處的通孔。固定螺釘114擰進在打磨工具2的支撐件4上形成的螺紋盲孔7，以將打磨工具2固定到該安裝件110的下表面上。此外在圖示的實例中，噴射清洗液用的清洗裝置116和噴射空氣用的干燥裝置118設置在外殼體12的主體部14上，該清洗裝置，可選擇純水，向位于上料/下料區(qū)46夾頭裝置44上保持的半導體晶片W噴射，該干燥裝置將優(yōu)選的熱空氣向位于上料/下料區(qū)46的夾頭裝置44上保持的半導體晶片W噴射。
現(xiàn)簡要說明打磨設備66的作用。當轉臺42間歇地轉動時，或半導體晶片W傳送至位于該上料/下料區(qū)46的夾頭裝置44上時，或半導體晶片W傳送出位于該上料/下料區(qū)46的夾頭裝置44時，氣動氣缸機構94的活塞102退回至圖10中雙點劃線所指示的位置。于是，設在活塞102前端的凸緣104作用于上-下塊88的凸出部98上，從而將該上-下塊88抬升至以圖10中雙點劃線所示的一個升起位置。該上-下塊88抬升至升起位置時，打磨設備66的打磨工具2即向上與位于該上料/下料區(qū)46的夾頭裝置44和保持于其上的半導體晶片W分開。當該夾頭裝置44保持住半導體晶片W，隨著轉臺42間歇轉動其背面經(jīng)過在粗磨區(qū)48的粗磨和在精磨區(qū)50精磨位于該上料/下料區(qū)46時，該清洗裝置116將清洗液噴射到該半導體晶片W的背面以去除半導體晶片W的背面上的磨屑。然后，該干燥裝置118將空氣噴到半導體晶片W的背面以吹干它。
接著，該氣動氣缸機構94的活塞102伸出至圖10中實線所示的位置。于是活塞前端所設的凸緣104向下與該上-下塊88的凸出部98分開。這樣，打磨工具2的打磨裝置6在該上-下塊88和電機106、轉軸108、安裝件110、及裝在該上-下塊88上的打磨工具2的自重作用下壓靠到該半導體晶片W的背面。如果需要，諸如壓縮彈簧的一個適用彈性推靠裝置可附加地設置使用，或用以替代該上-下塊及安裝于其上的各種構件的自重作用，并且該打磨裝置6可以用該彈性推靠裝置來壓靠到該半導體晶片W的背面。在該打磨工具2的打磨裝置6壓靠到該半導體晶片W的背面的當時、或在其之、或在其之后，夾頭裝置44轉動，并且該馬達106通電以轉動該打磨工具2。隨后，馬達78反復地正反轉，由此使滑塊72作由箭頭82和84所示方向的前后運動。這樣，打磨工具2作由箭頭82和84所示方向的前后運動。以此方式，打磨該半導體晶片W的背面。
按本發(fā)明人的經(jīng)驗，在上述方式中采用打磨工具2打磨該半導體晶片W的背面時，優(yōu)選的是，夾頭裝置44以相對較低的轉速旋轉，最好5至200rpm，特別是10至30rpm，而打磨工具采用相對較高的轉速旋轉，最好是2000至20000rpm，特別是5000至8000rpm。夾頭裝置44和打磨工具2的旋轉方向可以相同，但最好是彼此相反。至于該打磨工具2作由箭頭82和84所示方向的前后運動，打磨工具2可以是以每次30至90秒以幅度等于或略大于該半導體晶片W的直徑作往復運動。該打磨工具2作用在該半導體晶片W的背面的壓力最好是100至300克/厘米2特別是180至220克/厘米2。如圖10所示，打磨工具2的打磨裝置6的直徑可以是與該半導體晶片的大體相同。為了使整個打磨裝置6完全均勻地作用于該半導體晶片W整個背面，保持在該夾頭裝置44上的半導體晶片W的中心軸線與該打磨裝置6的中心軸線最好相互間沿大致水平方向(即垂直于該夾頭裝置44和打磨工具2旋轉軸線的一個方向)和沿垂直于由箭頭82和84所指打磨工具2前后移動方向的一方向偏置開打磨裝置6半徑的約三分之一到二分之一。
當粗磨裝置18a粗磨和精磨裝置18b精磨該半導體晶片W的背面時，在該半導體晶片W的背面上產(chǎn)生一種所謂鋸齒樣痕跡，并且產(chǎn)生的所謂加工變形(這種加工變形可以在透射電子顯微鏡下清楚地被觀察到)自表面超過0.2μm的深度。經(jīng)磨削后，該半導體晶片W的背面通過本發(fā)明構造的打磨工具2進行打磨，以去除超過大約1.0μm深度的表面層。用此方法，對該半導體晶片W的背面可作鏡面精加工，該加工變形可基本去除。
圖11和12顯示的是按本發(fā)明構造的打磨工具的另一個優(yōu)選實施例。整體以標記202表示的一個打磨工具包括一個支撐件204和一個打磨裝置206。該呈盤形的支撐件204最好由如鋁的一種適用的金屬制成，并且具有一個圓的平支承面，即下表面。如圖11所示，許多(圖中為四個)螺紋盲孔208從支撐件204的上表面向下延伸，它們形成在該支撐件204周向的間隔開的位置處。打磨裝置206也是盤形，而且打磨裝置206與支撐件204的外徑大致相同。該打磨裝置206通過例如環(huán)氧樹脂的一種適用的粘結劑被粘到支撐件204的下表面上(即其平的圓支承面)。
重要的是，打磨工具206包括塊狀體和散布在塊狀體中的磨粒，塊狀體由選自天然和人造纖維中至少兩種類型纖維形成。天然纖維的例子為動物纖維，諸如羊毛、山羊毛、豬毛、馬毛、牛毛、狗毛、貓毛、貉毛和狐貍毛，植物纖維如棉和麻，以及礦物纖維如石棉。人造纖維的例子為尼龍纖維、聚乙烯纖維，聚丙烯纖維、聚酯纖維、丙烯酸纖維、人造絲纖維、凱夫拉爾(Kevlar)纖維和玻璃纖維。將纖維壓縮成塊狀形式而形成的塊狀體可以是氈制品或纖維束，并且最好具有密度為0.20克/厘米3或以上，特別是密度為0.40克/厘米3或以上，而硬度為30或以上，特別是為50或以上。太低的密度及硬度會降低打磨效率及質(zhì)量。
散布到塊狀體內(nèi)的磨粒量最好是0.05至1.00克/厘米3，特別是0.20至0.70克/厘米3。散布到塊狀體內(nèi)的磨粒本身可以與如圖1和2中所示的打磨裝置內(nèi)的磨粒大體相同。為能適當?shù)貙⒛チＩ⒉嫉綁K狀體中，例如，可以允許將該磨?；爝M適當?shù)囊后w中，然后將該液體注入塊狀體，或是在該塊狀體制作過程中，按要求將磨?；爝M作為用于塊狀體的材料的纖維之中。磨粒被適當?shù)厣⒉嫉綁K狀體中后，將例如酚醛樹脂膠或環(huán)氧樹脂膠的適用的液態(tài)粘合劑注進塊狀體中，從而使磨粒通過此粘合劑粘結于該塊狀體中。
如清楚地從圖12中見到的，在圖11和12所示的實施例中打磨裝置206包括第一氈制品210與許多的第二氈制品212。第一氈制品210由第一纖維形成，而第二氈制品212由不同于第一纖維的第二纖維形成。第一氈制品210整體呈圓形，穿透該第一氈制品210的多個孔隙214沿厚度方向在第一氈制品中以適當?shù)亻g隔形成。每個孔隙214的橫截面可以是直徑相對較小的圓。每個所取的相對較小直徑的圓形的多個第二氈制品212裝配到在第一氈制品210中形成的孔隙214中。在打磨面或打磨裝置206下表面中，該第二氈制品212被分散地布置在第一氈制品210中。通過將第二氈制品212強制裝配到孔隙214中，該第二氈制品212可以固定于該第一氈制品212的孔隙214。另外，用適當?shù)恼辰Y劑可以將第二氈制品212固定于第一氈制品210的孔隙214中。第一氈制品210可由羊毛形成，而第二氈制品212可由山羊毛形成。作為選擇方案，第一氈制品210可由山羊毛形成，而第二氈制品212可由羊毛形成。
圖13至15顯示了形成塊狀體的第一氈制品210和第二氈制品212的組合的修改實施例。在圖13所示的打磨工具202的打磨裝置206中，第一氈制品210呈盤形，而第二氈212制品形狀成一圍繞第一氈制品210的環(huán)形。在圖14所示的打磨工具202的打磨裝置206中，第一氈制品210和第二氈制品212交替地同心布置，第一氈制品210包括兩部分，即一中央圓形部分和一圓環(huán)形部分，而第二氈制品212包括一中間圓環(huán)形部分和一外圓環(huán)形部分。在圖15所示的打磨工具202的打磨裝置206中，第一氈制品210包括六個扇形部分，而第二氈212包括六個徑向延伸的線性部分和一個外環(huán)形部分。
圖16示出按本發(fā)明構成的打磨工具的另一個實施例。圖16所示的打磨工具302也包括支撐件304和打磨裝置306。該支撐件304可以與圖11和12中所示打磨工具202的支撐件204相同。包括塊狀體和散布于其中的磨粒的打磨裝置306呈盤形，并通過適合的粘結劑被粘結到該支撐件304的一圓形平支承面或下表面上。該打磨裝置306的塊狀體由氈制品310和多個纖維束312構成，氈制品310由第一纖維形成，纖維束312由不同于第一纖維的第二纖維形成。形成氈制品310的第一纖維可以是羊毛或山羊毛。構成該纖維束312的第二纖維可以是除了羊毛和山羊毛之外的其它動物毛，例如，豬毛、馬毛、牛毛、狗毛、貓毛、貉毛、或狐貍毛。該纖維束312可以通過將多個纖維綁成一束，并通過需要的壓力壓縮得到的纖維束而形成。在圖16所示實施例中，氈制品310整體呈圓形，而多個穿透氈制品310的孔隙314沿厚度方向在該氈制品310中以適當?shù)亻g隔而形成。每個孔隙314的橫截面形狀為直徑相對較小的圓。多個纖維束312的每一個取成直徑相對較小的圓形，并被裝配進氈制品310上形成的孔隙314中。在打磨裝置306下表面中，纖維束312分散地布置在氈制品310中。纖維束312通過強制裝配到孔隙314或通過適當?shù)恼辰Y劑，以固定于氈制品310的孔隙314之中。
圖17示出的是按本發(fā)明構成的打磨工具的再一個實施例。圖17中所示打磨工具402也包括支撐件404和打磨裝置406。該支撐件404可以與圖11和12所示打磨工具202的支撐件204相同。包括塊狀體和散布于其中的磨粒的打磨裝置406呈盤形，并通過適當?shù)恼辰Y劑粘結到支撐件404的一個圓形平支承面或下表面之上。該打磨裝置406的塊狀體由單一氈制品410形成，氈本身由至少兩種類型的纖維混合制成。例如，可以將羊毛和山羊毛以適當比例混合制成該氈制品410。
已經(jīng)參照附圖詳述了按本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，應當理解，本發(fā)明并不限于這些實施例，在不背離本發(fā)明精神和范圍的前提之下可作出各種的修改和變化。
權利要求
1.一種打磨工具，其包括一支撐件；和固定到該支撐件上的打磨裝置，并且其中，該打磨裝置包括氈制品和分散到該氈制品中的磨粒，該氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上，并且其硬度為30或以上。
2.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該氈制品的密度為0.40克/厘米3或以上。
3.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該氈制品的硬度為50或以上。
4.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該打磨裝置含有0.05到1.00克/厘米3的所述磨粒。
5.如權利要求4所述的打磨工具，其特征在于，該打磨裝置含有0.20到0.70克/厘米3的所述磨粒。
6.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，按重量該氈制品包括至少90％的羊毛。
7.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該打磨裝置的打磨表面包括該氈制品的層表面和條痕表面。
8.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該磨粒具有0.01到100μm的顆粒直徑。
9.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該磨粒包括下列中的一種或多種硅石、氧化鋁、鎂橄欖石、滑石、富鋁紅柱石、立方氮化硼、金剛石、氮化硅、碳化硅、碳化硼、碳酸鋇、碳酸鈣、氧化鐵、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈰、氧化鉻、氧化錫、和氧化鈦。
10.如權利要求1所述的打磨工具，其特征在于，該支撐件具有一圓形支持表面，并且該打磨裝置的形式為一粘結到該圓形表面上的盤。
11.一種打磨方法，其包括轉動一工件并且還轉動一打磨裝置；和將該打磨裝置壓靠到待打磨的該工件的表面上，并且其中，該打磨裝置通過將磨粒分散到氈制品中構造成，該氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上，并且其硬度為30或以上。
12.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該工件是一半導體晶片，并且?guī)Т蚰サ谋砻媸且灰涯ハ鬟^的背面。
13.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該氈制品的密度為0.40克/厘米3或以上。
14.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該氈制品的硬度為50或以上。
15.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置含有0.05到1.00克/厘米3的該磨粒。
16.如權利要求15所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置含有0.20到0.70克/厘米3的該磨粒。
17.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，按重量該氈制品包括至少90％的羊毛。
18.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置的打磨表面包括該氈制品的層表面和條痕表面。
19.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該磨粒具有0.01到100μm的顆粒直徑。
20.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該磨粒包括下列中的一種或多種硅石、氧化鋁、鎂橄欖石、滑石、富鋁紅柱石、立方氮化硼、金剛石、氮化硅、碳化硅、碳化硼、碳酸鋇、碳酸鈣、氧化鐵、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈰、氧化鉻、氧化錫、和氧化鈦。
21.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該工件和該打磨裝置以相反的方向旋轉。
22.如權利要求21所述的打磨方法，其特征在于，該工件的轉速是5到200rpm，而打磨裝置的轉速是2000到20000rpm。
23.如權利要求22所述的打磨方法，其特征在于，該工件的轉速是10到30rpm，而該打磨裝置的轉速是5000到8000rpm。
24.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置以100到300克/厘米2的壓力壓靠在該工件上。
25.如權利要求24所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置是180到220克/厘米2的壓力壓靠在該工件上。
26.如權利要求11所述的打磨方法，其特征在于，該工件為一大體呈盤形的半導體晶片，該打磨裝置呈盤形，該半導體晶片的外徑和該打磨裝置的外徑大體相同，并且該半導體晶片的中心軸線和該打磨裝置的中心軸線定位成，彼此偏移開該半導體晶片半徑的三分之一至二分之一。
27.如權利要求26所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置沿垂直于打磨裝置的旋轉軸線并垂直于該打磨裝置中心軸線與該半導體晶片的中心軸線彼此偏移開方向的一方向相對于該工件來回地移動。
28.如權利要求27所述的打磨方法，其特征在于，該打磨裝置來回地移動，其速度為30至60秒往復一次，并且其幅度等于或略大于該半導體晶片的直徑。
29.一種磨削/打磨方法，其包括使用一磨削件磨削半導體晶片的背面的一磨削步驟；和在該磨削步驟后，轉動該半導體晶片、并且還轉動打磨裝置、以及將該打磨裝置壓靠到該半導體晶片背面上的一打磨步驟，該打磨裝置通過將磨粒散布到氈制品中構造成。
30.如權利要求29所述的磨削/打磨方法，其特征在于，其還包括在該磨削步驟之后和該打磨步驟之前，在該半導體晶片背面噴射清洗液的一清洗步驟；和在該清洗步驟之后和該打磨步驟之前，在該半導體晶片背面噴射空氣的一干燥步驟。
31.一種打磨設備，其包括一用于保持工件的可旋轉地安裝的夾頭裝置；和一可旋轉地安裝的打磨工具，并且其中，該打磨工具包括通過將磨粒分散到氈制品中構造成的打磨裝置，該氈制品的密度為0.20克/厘米3或以上，并且其硬度為30或以上；和轉動該夾頭裝置、也轉動該打磨裝置，并且該打磨工具的打磨裝置壓靠到由夾頭裝置保持的工件上，由此打磨工件。
32.如權利要求31所述的打磨設備，其特征在于，作為該工件的一半導體晶片保持在該夾頭裝置上，并且該打磨裝置打磨該半導體晶片的一已磨削過的背面。
33.如權利要求31所述的打磨設備，其特征在于，該夾頭裝置與該打磨裝置以相反的方向旋轉。
34.如權利要求33所述的打磨設備，其特征在于，該夾頭裝置的轉速為5至200rpm，而打磨工具的轉速是2000至20000rpm。
35.如權利要求34所述的打磨設備，其特征在于，該夾頭裝置的轉速為10至30rpm，而打磨工具的轉速是5000至8000rpm。
36.如權利要求31所述的打磨設備，其特征在于，該打磨裝置以100至300克/厘米2的壓力壓靠到工件上。
37.如權利要求36所述的打磨設備，其特征在于，該打磨裝置以180至220克/厘米2的壓力壓靠到工件上。
38.如權利要求31所述的打磨設備，其特征在于，該工件為大致盤形的半導體晶片，該打磨裝置呈盤形，該半導體晶片和該打磨裝置的外徑大體相同，并且該半導體晶片的中心軸線和該打磨裝置的中心軸線定位成，彼此偏移開該半導體晶片半徑的三分之一至二分之一。
39.如權利要求38所述的打磨設備，其特征在于，該打磨工具沿垂直于打磨工具的旋轉軸線并垂直于該打磨裝置中心軸線與該半導體晶片的中心軸線彼此偏移開方向的一方向相對于該夾頭裝置來回地移動。
40.如權利要求39所述的打磨設備，其特征在于，該打磨裝置來回地移動，其速度為30至60秒往復一次，并且其幅度等于或略大于該半導體晶片的直徑。
41.一種用于磨削半導體晶片的背面并隨后打磨該半導體晶片的背面的磨削/打磨機器，其包括一間歇轉動的轉臺；至少一個可旋轉地安裝在該轉臺上的夾頭裝置；至少一個磨削裝置；和一打磨設備，并且其中，待磨削及打磨的該半導體晶片被保持在該夾頭裝置上，以暴露該半導體晶片的背面；該轉臺間歇地轉動，從而該夾頭裝置順序地位于至少一個磨削區(qū)和打磨區(qū)；該磨削裝置包括一磨削工具，該磨削工具受迫作用于由位于磨削區(qū)的該夾頭裝置保持的該半導體晶片的背面，以磨削該半導體晶片的背面；和該打磨設備包括一可轉動地安裝的打磨工具，該打磨工具有一通過在氈制品中散布磨粒構造成的打磨裝置，位于該打磨區(qū)的夾頭裝置被轉動并且該打磨工具也被轉動，并且該打磨裝置壓靠到由該夾頭裝置保持的該半導體晶片的所述背面上，由此打磨該半導體晶片的背面。
42.如權利要求所述41的磨削/打磨機器，其特征在于，其還包括一用于在該半導體晶片的所述背面上噴射清洗液的清洗裝置，該半導體晶片由位于打磨區(qū)的該夾頭裝置所保持；和一用于在該半導體晶片的所述背面上噴射空氣的干燥裝置，該半導體晶片由位于打磨區(qū)的該夾頭裝置所保持。
43.一種打磨工具，其包括一支撐件；和固定到該支撐件上的打磨裝置，并且其中，該打磨裝置包括塊狀體和散布在該塊狀體中的磨粒，該塊狀體由至少兩種類型的纖維形成，該纖維選自包括各種動物毛的天然纖維以及人造纖維。
44.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體包括一由第一纖維形成的第一氈制品和一由第二纖維形成的第二氈制品。
45.如權利要求44所述的打磨工具，其特征在于，該第一纖維是羊毛或山羊毛，而該第二纖維是山羊毛或羊毛。
46.如權利要求44所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體通過如下構造成在實施第一氈制品中形成多個空隙，并將該第二氈制品裝配進每個所述多個空隙中，并且該第二氈制品分散地布置在該打磨裝置的打磨表面中的第一氈制品中。
47.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體包括由第一纖維形成的氈制品和由第二纖維形成的纖維束。
48.如權利要求47所述的打磨工具，其特征在于，該第一纖維是羊毛或山羊毛，而該第二纖維是除羊毛和山羊毛之外的動物毛。
49.如權利要求47所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體通過如下構造成在實施第一氈制品中形成多個空隙，并將該纖維束裝配進每個所述多個空隙中，并且該纖維束分散地布置在該打磨裝置的打磨表面中的氈制品中。
50.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體包括由至少兩種類型的纖維混合形成的氈制品。
51.如權利要求50所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體包括由羊毛和山羊毛混合形成的氈制品。
52.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體的密度為0.20克/厘米3或以上，其硬度為30或以上。
53.如權利要求52所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體的密度為0.40克/厘米3或以上。
54.如權利要求52所述的打磨工具，其特征在于，該塊狀體的硬度為50或以上。
55.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該打磨裝置含有0.05至1.00克/厘米3的該磨粒。
56.如權利要求55所述的打磨工具，其特征在于，該打磨裝置含有0.20到0.70克/厘米3的該磨粒。
57.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該磨粒具有0.01到100μm的顆粒直徑。
58.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該磨粒包括下列中的一種或多種硅石、氧化鋁、鎂橄欖石、滑石、富鋁紅柱石、立方氮化硼、金剛石、氮化硅、碳化硅、碳化硼、碳酸鋇、碳酸鈣、氧化鐵、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈰、氧化鉻、氧化錫、和氧化鈦。
59.如權利要求43所述的打磨工具，其特征在于，該支撐件具有一圓形支持表面，并且該打磨裝置的形式為一粘結到該圓形表面上的盤。
全文摘要
一種打磨工具,其包括支撐件和固定到該支撐件上的打磨裝置。該打磨裝置包括氈制品和散布到該氈制品中的磨粒,該氈制品的密度為0.20克/厘米
文檔編號B24B7/22GK1384534SQ02119818
公開日2002年12月11日 申請日期2002年3月28日 優(yōu)先權日2001年3月28日
發(fā)明者關家臣之典, 山本節(jié)男, 狛豐, 青木昌史, 松谷直宏 申請人:株式會社迪斯科