本公開涉及切削工具。

背景技術(shù)：

1、以往，為了提高切削工具的性能，正在開發(fā)將由硬質(zhì)合金、立方晶氮化硼燒結(jié)體等構(gòu)成的基材的表面包覆的覆膜(例如，專利文獻(xiàn)1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2022/176057號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的切削工具具備基材和設(shè)置在所述基材上的覆膜，其中，

2、所述覆膜包含第一層以及第二層，

3、所述第二層設(shè)置在比所述第一層靠近所述基材的位置，

4、所述第一層由第一單元層和第二單元層交替地層疊而成的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，

5、所述第一單元層的平均厚度為2nm以上且50nm以下，

6、所述第二單元層的平均厚度為2nm以上且50nm以下，

7、所述第一單元層由tiaal1-a-bbbn構(gòu)成，

8、其中，

9、滿足0.30≤a≤0.50、

10、0＜b≤0.10，

11、所述第二單元層由tical1-cn構(gòu)成，

12、其中，

13、滿足0.70≤c≤1.00，

14、在所述第一層中，鈦的原子數(shù)t2相對(duì)于鈦以及鋁的原子數(shù)的合計(jì)t1的百分率(t2/t1)×100為60％以上，

15、所述第二層由第三單元層和第四單元層交替地層疊而成的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，

16、所述第三單元層的平均厚度為2nm以上且100nm以下，

17、所述第四單元層的平均厚度為2nm以上且100nm以下，

18、所述第三單元層由tidal1-d-eben構(gòu)成，

19、所述第四單元層由tifal1-f-gbgn構(gòu)成，

20、其中，

21、滿足0.25≤d<0.45、

22、0<e≤0.10、

23、0.35≤f<0.55、

24、0<g≤0.10、

25、0.05≤f-d≤0.20，

26、在所述第二層的x射線衍射光譜中，來自(200)面的峰強(qiáng)度i(200)相對(duì)于來自(002)面的峰強(qiáng)度i(002)的比例i(200)/i(002)為2以上，并且來自所述(002)面的峰的半值寬度為2度以上。

技術(shù)特征：

1.一種切削工具，其具備基材和設(shè)置在所述基材上的覆膜，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切削工具，其中，25℃下的所述第一層的納米壓痕硬度為30gpa以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切削工具，其中，所述第一層的平均厚度為1.0μm以上且20μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的切削工具，其中，所述第二層的平均厚度為0.5μm以上且10μm以下。

技術(shù)總結(jié)
一種切削工具，其具備基材和設(shè)置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含第一層以及第二層，所述第二層設(shè)置在比所述第一層靠近所述基材的位置，所述第一層由第一單元層和第二單元層交替地層疊而成的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述第一單元層的平均厚度為2nm以上且50nm以下，所述第二單元層的平均厚度為2nm以上且50nm以下，所述第一單元層由Ti<subgt;a</subgt;Al<subgt;1?a?b</subgt;B<subgt;b</subgt;N構(gòu)成，其中，滿足0.30≤a≤0.50、0＜b≤0.10，所述第二單元層由Ti<subgt;c</subgt;Al<subgt;1?c</subgt;N構(gòu)成，其中，滿足0.70≤c≤1.00，在所述第一層中，鈦的原子數(shù)T2相對(duì)于鈦以及鋁的原子數(shù)的合計(jì)T1的百分率(T2/T1)×100為60％以上，所述第二層由第三單元層和第四單元層交替地層疊而成的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述第三單元層的平均厚度為2nm以上且100nm以下，所述第四單元層的平均厚度為2nm以上且100nm以下，所述第三單元層由Ti<subgt;d</subgt;Al<subgt;1?d?e</subgt;B<subgt;e</subgt;N構(gòu)成，所述第四單元層由Ti<subgt;f</subgt;Al<subgt;1?f?g</subgt;B<subgt;g</subgt;N構(gòu)成，其中，滿足0.25≤d<0.45、0<e≤0.10、0.35≤f<0.55、0<g≤0.10、0.05≤f?d≤0.20，在所述第二層的X射線衍射光譜中，來自(200)面的峰強(qiáng)度I(200)相對(duì)于來自(002)面的峰強(qiáng)度I(002)的比例I(200)/I(002)為2以上，并且來自所述(002)面的峰的半值寬度為2度以上。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木優(yōu)太,金岡秀明,今村晉也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友電工硬質(zhì)合金株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6