一種便捷球泡燈的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于照明技術(shù)領(lǐng)域，設(shè)及一種便捷球泡燈。
【背景技術(shù)】
[0002] 球泡燈是外觀采用人們已經(jīng)習(xí)慣的燈泡球形外形，是替代傳統(tǒng)白識燈泡的新型節(jié) 能燈具，造型美觀，其內(nèi)部光源選擇的是L邸燈珠。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，大多數(shù)的球泡燈結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，導(dǎo)致其照明效果不理想，無法滿足人 們對高質(zhì)量生活的需求。
[0004] 綜上所述，為解決現(xiàn)有球泡燈結(jié)構(gòu)上的不足，需要設(shè)計一種設(shè)計合理、照明效果好 的便捷球泡燈。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問題，提出了一種設(shè)計合理、照明效果 好、導(dǎo)熱性能佳的便捷球泡燈。
[0006] 本發(fā)明的目的可通過下列技術(shù)方案來實現(xiàn)：一種便捷球泡燈，包括：
[0007]燈座；
[0008] 燈頭，設(shè)置在燈座下方，所述燈頭的材料為侶合金材料，該侶合金材料由W下成分 (W重量份數(shù)計）組成：Al:110-150 份，Si:0. 1-0. 45 份，F(xiàn)e:0. 46-0. 65 份，Cu:4. 5-8 份， Mn:0. 45-0. 8 份，Mg:15-25 份，Cr:1. 8-4. 5 份，Zn:1. 5-2. 3 份，Ti:0. 8-1. 3 份，Zr:2. 5-3. 8 份，PbS: 1. 5~3份，稀±元素：15-28份；
[0009] 燈罩，呈球形設(shè)置且與燈座合圍形成容置腔；
[0010] 發(fā)光機構(gòu)，設(shè)置在容置腔內(nèi)，所述發(fā)光機構(gòu)包括水平擺放的多個第一發(fā)光光源W 及豎直擺放的多個第二發(fā)光光源，各發(fā)光光源依次串聯(lián)并構(gòu)成單個回路；
[0011] 控制面板，可拆卸安裝在燈座底部并分別與燈頭W及發(fā)光光源所在回路電氣連 接。
[0012] 為提高燈頭的強度、耐腐蝕性、導(dǎo)熱性能等特性，采用侶合金材料制備本發(fā)明中的 燈頭。侶合金是工業(yè)中應(yīng)用最廣泛的一類有色金屬結(jié)構(gòu)材料，其密度低，強度比較高，接近 或超過優(yōu)質(zhì)鋼，且塑性好，可加工成各種燈具的型材，具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和抗氧化 性。其中，Al-Mg-Si系合金具有良好的可成型性、可焊接性、可機加工性，同時具有中等強 度，在退火后仍能維持較好的操作性，但是其強度和導(dǎo)熱性略顯不夠，影響成品的表面質(zhì) 量、導(dǎo)熱性能W及成品燈具工作的穩(wěn)定性。
[0013] 因此，本發(fā)明優(yōu)選采用Al-Mg-Si系合金制備球泡燈的燈頭，但是，本發(fā)明在該侶 合金的基礎(chǔ)上，先對侶合金的組成成分及其重量份數(shù)進行了上述的調(diào)整，W獲得導(dǎo)熱性、輕 度等綜合性能更好的侶合金材料。
[0014] 本案在Al-Mg-Si系侶合金組成成分及其質(zhì)量百分比的基礎(chǔ)上，提高了化元素、Mg 元素W及化元素的含量，并優(yōu)選將（化元素+Mg元素）/化元素的質(zhì)量比控制在13-14. 3， 使化元素能配合化元素使侶合金材料獲得高強度、強耐蝕性和較好的塑性等性能，化元 素和Al元素在合金中能形成足夠量的強化相CuAlz,同時Mg元素和Zn元素在合金中能形 成足夠量的強化相M拉ri2,進一步提高侶合金材料的強度。
[0015] 在本案中，還進一步減少了Si元素和化元素的含量，減少合金中難溶或不溶的 AWeSi等脆性相的存在，從而有利于進一步提高本發(fā)明侶合金材料的斷裂初性等性能。進 一步的，在合金中還加入了能夠細化晶粒的PbS,控制冷加工前的晶粒大小，有利于提高產(chǎn) 品的彈性模量W及疲勞強度。
[0016] 此外，本發(fā)明在對侶合金的組成成分及其質(zhì)量百分比的調(diào)整中，較為明顯的是，本 發(fā)明在Al-Mg-Si系侶合金的組成成分中添加了Zr元素和稀±元素。
[0017] 其中：微量元素Zr有良好的可塑性和很強的耐腐蝕性，有效地提高了燈座的耐腐 蝕性和抗氧化性能。添加上述微量的Zr元素可W抑制再結(jié)晶，提高侶合金再結(jié)晶溫度，改 善侶合金的強度、斷裂初性、抗應(yīng)力腐蝕W及抗剝落（或?qū)訝睿└g性能。 陽01引具體的，Zr元素與Al元素生成高密度的亞穩(wěn)AlsZr,高密度的亞穩(wěn)AlsZr細小彌 散，是一種極為有效的強化彌散體和再結(jié)晶抑制劑，從而對合金再結(jié)晶行為具有抑制作用， W獲得具有完全非再結(jié)晶組織的各類半成品，使變形過程中產(chǎn)生的高密度位錯和纖維組織 得W保留下來。而非再結(jié)晶組織的存在使合金半成品具有更優(yōu)良的抗腐蝕性能，AlsZr的強 化彌散則有利于提高合金的斷裂初性和強度，因而Zr元素的添加可W有效改善侶合金的 綜合性能。
[0019] 而由于本發(fā)明在侶合金材料中加入了適量的Zr元素，可W部分代替化元素和Mn 元素，因此，本發(fā)明可W適當?shù)慕档土嘶睾蚆n元素的質(zhì)量百分比。而降低化元素在 侶合金材料中的含量可W降低AWe化Si相，提高合金中MgzSi相的含量，從而也可W提高 合金的強度。
[0020] 在本案中，為使得成品后的燈頭具有良好的導(dǎo)熱性，保證內(nèi)部控制面板等機構(gòu)的 穩(wěn)定工作，提高使用時的安全性能，在侶合金材料中加入了稀±元素。稀±元素的加入不僅 可W起到微合金化的作用，還能與氨等氣體和許多非金屬有較強的親和力，能生成烙點高 的化合物，有一定的除氨、精煉、凈化作用。同時，稀±元素化學(xué)活性極強，可W在長大的晶 粒界面上選擇性地吸附，阻礙晶粒的生長，使晶粒細化，有變質(zhì)的作用，從而提高侶合金的 強度、硬度和初性，改善加工性能、耐熱性、可塑性及可鍛性。
[0021] 作為本發(fā)明的進一步改進，所述第二發(fā)光光源呈多列設(shè)置，所述發(fā)光機構(gòu)包括豎 直設(shè)置且與多列第二發(fā)光光源一一對應(yīng)的多個條形板，各列第二發(fā)光光源分別安裝在對應(yīng) 條形板上，所述條形板合圍形成圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)且相鄰兩條形板呈間隙設(shè)置，在同一列第二發(fā) 光光源中，相鄰兩第二發(fā)光光源呈間隙設(shè)置。
[0022] 作為本發(fā)明的更進一步改進，所述發(fā)光機構(gòu)還包括水平設(shè)置且同時與各條形板固 連的圓形板，所述第一發(fā)光光源安裝在圓形板上且呈多圈設(shè)置，相鄰兩第一發(fā)光光源呈間 隙設(shè)置，各圈第一發(fā)光光源的數(shù)量由外至內(nèi)呈倍數(shù)遞減。
[0023] 作為本發(fā)明的更進一步改進，所述第一發(fā)光光源呈兩圈設(shè)置，位于內(nèi)圈的第一發(fā) 光光源數(shù)量為=個且該=個第一發(fā)光光源沿同一圓周呈=等分設(shè)置，位于外圈的第一發(fā)光 光源數(shù)量為六個，在外圈中，其中=個第一發(fā)光光源與內(nèi)圈的=個第一發(fā)光光源正對設(shè)置， 剩余=個第一發(fā)光光源與內(nèi)圈的=個第一發(fā)光光源間隔設(shè)置。
[0024] 作為本發(fā)明的更進一步改進，各發(fā)光光源均為單個L邸燈泡，同列設(shè)置的相鄰兩 第二發(fā)光光源之間的間隙小于同圈設(shè)置的相鄰兩第一發(fā)光光源之間的間隙，所述第二發(fā)光 光源設(shè)置為九列，其中=列第二發(fā)光光源中靠近圓形板設(shè)置的第二發(fā)光光源分別與位于內(nèi) 圈的=個第一發(fā)光光源正對設(shè)置。
[00巧]作為本發(fā)明的又一種改進，所述控制面板設(shè)有與發(fā)光光源所在回路電氣連接的線 性恒流L邸驅(qū)動忍片，所述線性恒流L邸驅(qū)動忍片包括：
[00%] 帶隙基準模塊，包括用于激活基準電壓源的啟動電路、運算放大電路W及用于提 供忍片內(nèi)部電源的基準電壓產(chǎn)生電路；
[0027] 調(diào)光模塊，包括線性調(diào)光電路；
[0028] 保護電路模塊，包括過溫保護電路和欠壓封鎖電路，所述過溫保護電路與基準電 壓產(chǎn)生電路電氣連接。
[0029] 作為本發(fā)明的進一步改進，所述啟動電路包括電阻Rl、第一MOS管Ml、第二MOS管 M2、第SMOS管M3、第四MOS管M4W及第五MOS管M5,所述第一MOS管Ml的漏極與第二 MOS管M2的柵極連，第一MOS管Ml的源極接地，所述第二MOS管M2的漏極與第SMOS管的 柵極連，所述第SMOS管M3的源極與第二MOS管M2的柵極之間連接電阻Rl，所述第SMOS 管M3的漏極與第一MOS管Ml的柵極連，所述第二MOS管M2的源極接地，所述第SMOS管 M3的源極接工作電壓；所述第四MOS管M4的漏極與第SMOS管M3的漏極相連，第四MOS管 M4的源極與第五MOS管M5的漏極相連，第五MOS管M5的源極接地，第四MOS管M4的柵極 與第四MOS管M4的漏極連接，第五MOS管M5的柵極與第五MOS管M5的漏極相連；
[0030] 當電源上電，由于第一MOS管Ml沒有導(dǎo)通，第二MOS管M2的柵極電壓會被拉高到 工作電壓，第二MOS管M2把第SMOS管M3的柵極電壓下拉，第四MOS管M4的柵極和第五 MOS管M5的柵極的電壓升高，即第SMOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5導(dǎo)通，電路 開始上電，當?shù)谝籑OS管Ml導(dǎo)通后，第二MOS管M2的柵極電壓被逐漸拉低，直至第二MOS 管M2關(guān)斷，啟動電路關(guān)斷，但第SMOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5仍然導(dǎo)通。 陽03U 作為本發(fā)明的進一步改進，所述運算放大電路包括由第六MOS管M6、第屯MOS管 M7和第八MOS管M8連接而成的第一支路，由第九MOS管19、第十MOS管MlO和第^^一MOS管Mll連接而成的第二支路，W及第十二MOS管M12,第十SMOS管M13和第十四MOS管 M14 ； W巧所述第一支路中第六MOS管M6的漏極連接第屯MOS管M7的漏極，第屯MOS管M7 的源極連接第八MOS管M8的漏極，第八MOS管M8的源極接地，所述第六MOS管M6的源極 與第九MOS管M9的源極相連并接工作電壓，第六MOS管M6的柵極與第九MOS管M9的柵極 相連；所述第二支路中第九MOS管M9的漏極與第十MOS管MlO的漏極連，第十MOS管MlO 的源極連第十一MOS管Ml1的漏極，第十一MOS管Ml1的源極接地，所述第屯MOS管M