等離子顯示面板的制作方法
【專利摘要】等離子顯示面板具備前面板和與前面板對置地設(shè)置的背面板。前面板具有顯示電極、覆蓋顯示電極的電介質(zhì)層、和覆蓋電介質(zhì)層的保護層。保護層包含襯底層和形成在襯底層上的金屬氧化物。關(guān)于金屬氧化物，波長為200nm以上且小于300nm的范圍的光致發(fā)光的最大強度、與波長為300nm以上且小于500nm的范圍的光致發(fā)光的最大強度之比為0.1以上且10以下。并且，金屬氧化物包含重量濃度50ppm以上且200ppm以下的鋁、和重量濃度150ppm以上且600ppm以下的氟。
【專利說明】等離子顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]在此公開的技術(shù)涉及用于顯示設(shè)備等的等離子顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子顯示面板(以下稱為rop)的保護層的一個功能是釋放用于產(chǎn)生地址放電的初始電子。為了降低地址放電的錯誤，公知有在保護層具有氧化鎂晶體粒子的技術(shù)(例如，專利文獻I參照)。
[0003]在先技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2006-134735號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]PDP具備前面板、和與前面板對置配置的背面板。前面板具有顯示電極、覆蓋顯示電極的電介質(zhì)層、和覆蓋電介質(zhì)層的保護層。保護層包括襯底層和形成在襯底層上的金屬氧化物。關(guān)于金屬氧化物，波長為200nm以上且小于300nm范圍的光致發(fā)光的最大強度、與波長為300nm以上且小于500nm范圍的光致發(fā)光的最大強度之比為0.1以上且10以下。并且，金屬氧化物包含重量濃度50ppm以上且200ppm以下的鋁、和重量濃度150ppm以上且600ppm以下的氟。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是表示本實施方式的rop的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0008]圖2是表示本實施方式的前面板的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0009]圖3是表示本實施方式的保護層的形成方法的流程圖。
[0010]圖4是表示鋁濃度與放電延遲時間之間的關(guān)系的圖。
[0011]圖5是表示鋁濃度與統(tǒng)計延遲時間上升率之間的關(guān)系的圖。
[0012]圖6是表示氟濃度與統(tǒng)計延遲時間上升率之間的關(guān)系的圖。
[0013]圖7是表示氟濃度與粒度之間的關(guān)系的圖。
[0014]圖8是表示光致發(fā)光波形的圖。
[0015]圖9是表示光致發(fā)光特性與電荷逃脫量之間的關(guān)系的圖。
[0016]圖?ο是表示rop的驅(qū)動波形的圖。
【具體實施方式】
[0017][1.PDPl 的結(jié)構(gòu)]
[0018]本實施方式的ropi是交流面放電型rop。如圖1所示，pdpi對置地設(shè)置了由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2、和由背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10。前面板2和背面板10的外周部分被由玻璃料等構(gòu)成的密封材料氣密密封。在被密封的ropi內(nèi)部的放電空間16，以55kPa?80kPa的壓力封入Ne (氖)和Xe (氙)等放電氣體。
[0019]在前面玻璃基板3上,作為一例,配置多列由掃描電極4以及維持電極5構(gòu)成的一對顯示電極6。此外，配置了多列黑帶7。在前面玻璃基板3上設(shè)有覆蓋顯示電極6的電介質(zhì)層8。電介質(zhì)層8起到電容器的作用。并且，在電介質(zhì)層8上形成有由氧化鎂(MgO)等構(gòu)成的保護層9。
[0020]另外，在掃描電極4以及維持電極5、與前面玻璃基板3之間也可以形成透明電極。
[0021]在背面玻璃基板11上，配置有沿著與顯示電極6正交的方向延伸的多個地址電極12。多個地址電極12互相平行。并且，設(shè)有覆蓋地址電極12的襯底電介質(zhì)層13。在襯底電介質(zhì)層13上設(shè)有規(guī)定高度的隔壁14。隔壁14劃分放電空間16。在隔壁14之間，形成有通過紫外線而發(fā)出紅色光或藍色光或綠色光的熒光體層15。
[0022]在顯示電極6與地址電極12交叉的位置形成有放電單元。一個像素具有發(fā)出紅色光的放電單元、發(fā)出藍色光的放電單元、和發(fā)出綠色光的放電單元。通過多個像素進行彩色顯示。
[0023][2.PDPl的制造方法]
[0024][2-1.前面板2的制造方法]
[0025]通過光刻法，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5和黑帶7。掃描電極4以及維持電極5具有為了獲得良好的導(dǎo)電性而包含銀(Ag)的白色電極4b、5b。此外，掃描電極4以及維持電極5具有為了提高圖像顯示面的對比度而包含黑色顏料的黑色電極4a、5a。白色電極4b層疊在黑色電極4a上。白色電極5b層疊在黑色電極5a上。
[0026]黑色電極4a、5a的材料使用包含用于確保黑色度的黑色顏料、用于使黑色顏料粘合的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的黑色糊劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，對前面玻璃基板3涂敷黑色糊劑。接著，通過干燥爐，去除黑色糊劑中的溶劑。接著，經(jīng)由規(guī)定圖案的光掩模，使黑色糊劑曝光。
[0027]白色電極4b、5b的材料使用包含銀(Ag)、用于使銀(Ag)粘合的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的白色糊劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，對已形成黑色糊劑的前面玻璃基板3涂敷白色糊劑。接著，通過干燥爐，去除白色糊劑中的溶劑。接著，經(jīng)由規(guī)定圖案的光掩模，使白色糊劑曝光。
[0028]接著，通過使黑色糊劑以及白色糊劑顯影，形成黑色電極圖案以及白色電極圖案。最后，通過燒成爐，在規(guī)定的溫度下對黑色電極圖案以及白色電極圖案進行燒成。也就是說，去除黑色電極圖案中的感光性樹脂以及白色電極圖案中的感光性樹脂。此外，使黑色電極圖案中的玻璃料熔化。熔化后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。此外，白色電極圖案中的玻璃料熔化。熔化后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上工序，形成黑色電極4a、5a以及白色電極4b、5b。
[0029]與黑色電極4a、5a同樣地形成黑帶7。另外，黑帶7也可以與黑色電極4a、5a同時形成。在此，除了對黑色電極糊劑以及白色電極糊劑進行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以采用濺射法、蒸鍍法等。
[0030]接著，形成電介質(zhì)層8。電介質(zhì)層8的材料使用包含電介質(zhì)玻璃料、樹脂和溶劑等的電介質(zhì)糊劑。首先，通過壓模涂敷法(die coating method)等，以規(guī)定的厚度在前面玻璃基板3上涂敷電介質(zhì)糊劑,使得覆蓋掃描電極4、維持電極5以及黑帶(black stripe) 70接著，通過干燥爐，去除電介質(zhì)糊劑中的溶劑。最后，通過燒成爐，在規(guī)定的溫度下燒成電介質(zhì)糊劑。也就是說，去除電介質(zhì)糊劑中的樹脂。此外，電介質(zhì)玻璃料熔化。熔化后的電介質(zhì)玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成電介質(zhì)層8。在此，除了對電介質(zhì)糊劑進行壓模涂覆的方法以外，還可以采用絲網(wǎng)印刷法、旋涂法等。此外，也可以不采用電介質(zhì)糊劑，而通過CVD (Chemical Vapor Deposition)法等,形成成為電介質(zhì)層8的膜。
[0031]接著，在電介質(zhì)層8上形成保護層9。將在后面詳細敘述保護層9。
[0032]通過以上工序，完成在前面玻璃基板3上具有掃描電極4、維持電極5、黑帶7、電介質(zhì)層8以及保護層9的前面板2。
[0033][2-2.背面板10的制造方法]
[0034]通過光刻法，在背面玻璃基板11上形成地址電極12。地址電極的材料使用包含用于獲得良好的導(dǎo)電性的銀(Ag)、用于使銀(Ag)粘合的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的地址電極糊劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，以規(guī)定厚度在背面玻璃基板11上涂敷地址電極糊劑。接著，通過干燥爐，去除地址電極糊劑中的溶劑。接著，經(jīng)由規(guī)定圖案的光掩模，使地址電極糊劑曝光。接著，使地址電極糊劑顯影，形成地址電極圖案7最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成地址電極圖案。也就是說，去除地址電極圖案中的感光性樹脂。此外，地址電極圖案中的玻璃料熔化。熔化后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成地址電極
12。在此，除了對地址電極糊劑進行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以采用濺射法、蒸鍍法等。
[0035]接著，形成襯底電介質(zhì)層13。襯底電介質(zhì)層13的材料使用包含電介質(zhì)玻璃料、樹脂和溶劑等的襯底電介質(zhì)糊劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，以規(guī)定厚度在形成有地址電極12的背面玻璃基板11上涂敷襯底電介質(zhì)糊劑以使覆蓋地址電極12。接著，通過干燥爐，去除襯底電介質(zhì)糊劑中的溶劑。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成襯底電介質(zhì)糊劑。也就是說，去除襯底電介質(zhì)糊劑中的樹脂。此外，電介質(zhì)玻璃料熔化。熔化后的電介質(zhì)玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成襯底電介質(zhì)層13。在此，除了對襯底電介質(zhì)糊劑進行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以采用壓模涂敷法、旋涂法等。此外，也可以不使用襯底電介質(zhì)糊劑，而是通過CVD(Chemical Vapor Deposition)法等,形成成為襯底電介質(zhì)層13的膜。
[0036]接著，通過光刻法，形成隔壁14。隔壁14的材料使用包含填料、用于使填料粘合的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的隔壁糊劑。首先，通過壓模涂敷法等，以規(guī)定厚度在襯底電介質(zhì)層13上涂敷隔壁糊劑。接著，通過干燥爐，去除隔壁糊劑中的溶劑。接著，經(jīng)由規(guī)定圖案的光掩模，使隔壁糊劑曝光。接著，使隔壁糊劑顯影，形成隔壁圖案。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成隔壁圖案。也就是說，去除隔壁圖案中的感光性樹脂。此外，隔壁圖案中的玻璃料熔化。熔化后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，還可以采用噴沙法等。
[0037]接著，形成熒光體層15。熒光體層15的材料使用包含熒光體粒子、粘合劑和溶劑等的熒光體糊劑。首先，通過分配法等，在以規(guī)定厚度相鄰的隔壁14之間的襯底電介質(zhì)層13上以及隔壁14的側(cè)面上涂敷熒光體糊劑。接著，通過干燥爐，去除熒光體糊劑中的溶劑。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成熒光體糊劑。也就是說，去除熒光體糊劑中的樹脂。通過以上的工序，形成熒光體層15。在此，除了分配法以外，還可以采用絲網(wǎng)印刷法等。
[0038]通過以上的工序，完成在背面玻璃基板11上具有地址電極12、襯底電介質(zhì)層13、隔壁14以及熒光體層15的背面板10。
[0039][2-3.前面板2與背面板10的組裝方法]
[0040]首先，通過分配法，在背面板10的周圍形成密封材料(未圖示)。密封材料(未圖示)的材料使用包含玻璃料、粘合劑和溶劑等的密封糊劑。接著，通過干燥爐，去除密封糊劑中的溶劑。接著，對置配置前面板2和背面板10以使顯示電極6與地址電極12正交。接著，用玻璃料密封前面板2和背面板10的周圍。最后，向放電空間16封入包含Ne、Xe等的放電氣體。通過以上的工序，完成ropi。
[0041][3.保護層9的詳細結(jié)構(gòu)]
[0042]在現(xiàn)有技術(shù)中，在保護層9中，有時釋放初始電子的能力和維持電荷的能力是相排斥的。若維持電荷的能力下降，則地址放電所需的電壓會上升。
[0043]在此公開的技術(shù)能降低地址放電錯誤的同時抑制地址放電所需電壓的上升。
[0044]如圖2所示，保護層9包括襯底膜91和金屬氧化物晶體粒子92a。襯底膜91作為一例是作為雜質(zhì)而含有鋁(Al)的氧化鎂(MgO)膜。金屬氧化物晶體粒子92a作為一例是MgO晶體粒子。此外，在本實施例中，多個金屬氧化物晶體粒子92a凝集而成的凝集粒子92，在襯底膜91的整個面上附著有多個，且分布均勻。
[0045][3-1.凝集粒子92的詳情]
[0046]在地址放電開始時，成為觸發(fā)的初始電子從保護層9的表面被釋放到放電空間16中。初始電子量不足被認為是放電延遲的主因。凝集粒子92主要具有抑制地址放電中的放電延遲的效果、和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。即，凝集粒子92具有高初始電子釋放能力。因此，在本實施方式中，凝集粒子92起到放電脈沖上升時所需的初始電子供給部的作用。凝集粒子92在放電脈沖上升時使初始電子豐富地存在于放電空間16中。因此，PDPl變得更精細，即使用于地址放電的分配時間短，也能抑制放電延遲，能夠進行快速驅(qū)動。
[0047]凝集粒子92是多個規(guī)定的一次粒徑的金屬氧化物晶體粒子92a凝集后的狀態(tài)下的粒子。凝集粒子92并不是通過作為固體而強有力的結(jié)合力結(jié)合而成。凝集粒子92是通過靜電或范德華力等多個一次粒子集合而成的產(chǎn)物。此外，凝集粒子92通過超聲波等外力，其一部分或全部通過分解為一次粒子的狀態(tài)的程度的力而結(jié)合。優(yōu)選金屬氧化物晶體粒子92a是具有14面體、12面體等7面以上的面的多面體形狀。
[0048][3-2.MgO晶體粒子的制作方法]
[0049]本實施方式的方法基于熱分解法。具體而言，通過燒成爐等，燒成具有羥基、碳酸基的MgO前體(以下，稱為前體)。通過熱，去除前體所具備的羥基、碳酸基等，制作金屬氧化物粗粒子、即MgO粗粒子。MgO粗粒子是多個作為金屬氧化物晶體的MgO晶體的一次粒子凝集而成的粒子。接著，通過噴射研磨機(jet mill)等,粉碎MgO粗粒子。通過粉碎,制作平均粒徑小的MgO晶體粒子。
[0050]另外，前體是通過液相法生成的。因此，前體本身是一次粒子的凝集體。此外，前體的種類并沒有特別限制。例如，可以使用氫氧化鎂、堿式碳酸鎂、碳酸鎂、草酸鎂等。
[0051]此外，若前體包含較多的雜質(zhì)，則有時制作出的MgO晶體粒子中會混入不期望的雜質(zhì)。有時MgO晶體粒子的特性會有偏差，因此優(yōu)選前體的雜質(zhì)較少。具體而言，作為前體所包含的雜質(zhì)量，優(yōu)選通過熱分解法生成了 MgO晶體粒子時殘留的雜質(zhì)的總量在0.1重量％以下，且更優(yōu)選在0.0l重量％以下。
[0052]燒成爐使用大氣爐等。燒成是在大氣或氧氣等環(huán)境下開放的狀態(tài)下進行的?；蛘?，燒成也可以是大氣或氧氣等流動的同時進行。燒成溫度優(yōu)選700V至1500°C的范圍。進而，燒成溫度最優(yōu)選是1200°C左右。燒成時間依賴燒成溫度，是I小時至10小時左右。例如，在燒成溫度是1200°C左右的情況下，燒成時間為5小時左右是恰當?shù)?。燒成爐的升溫速度沒有特別限制。升溫速度優(yōu)選例如從5°C開始是10°C/min左右。燒成時的環(huán)境沒有特別限制。燒成時的環(huán)境例如采用大氣、氧氣、氮氣、氬氣等。另外，若采用氧化性環(huán)境，則能夠?qū)⑶绑w所包含的雜質(zhì)作為氧化氣體來去除。因此，燒成時的環(huán)境優(yōu)選大氣或氧氣。
[0053]通過上述的工序,制作MgO粗粒子。MgO粗粒子的平均粒徑是1.0 μ m至4.0 μ m的范圍。另外，在本實施方式中，平均粒徑是體積累積平均直徑(D50)。此外，平均粒徑的測量使用激光衍射式粒度分布測量裝置MT-3300(日機裝株式會社制造)。若將MgO粗粒子直接用于保護層9，則有時會在制造裝置中產(chǎn)生不良情況。并且，在組裝前面板2和背面板10時，有時隔壁14會被破壞。因此，優(yōu)選將MgO粗粒子粉碎成平均粒徑更小的粒子。
[0054]另外，在本實施方式中，粉碎是指將多個一次粒子凝集而成的金屬氧化物粗粒子拆分為規(guī)定平均粒徑的金屬氧化物。因此，金屬氧化物的平均粒徑可以從金屬氧化物晶體的一次粒子的大小變動至多個金屬氧化物晶體的一次粒子凝集時的大小。另外，通過粉碎，金屬氧化物晶體的一次粒子的粒徑幾乎不變。
[0055]接著，通過噴射研磨機粉碎MgO粗粒子。噴射研磨機具有圓筒狀腔。腔內(nèi)配置有多個粉碎噴嘴。從粉碎噴嘴向腔內(nèi)導(dǎo)入壓縮空氣。因此，MgO粗粒子彼此沖突從而被粉碎。另外，噴射研磨機中，具備分級機。因此，能夠取出規(guī)定粒徑的MgO晶體粒子。
[0056]在本實施方式，使用具備直徑為160mm、高度為140mm的腔的噴射研磨機。每隔I分鐘向腔內(nèi)導(dǎo)入0.2?0.3m3的空氣。在導(dǎo)入空氣時，在0.2MPa?0.4MPa的范圍內(nèi)調(diào)整壓力。另外，也可以代替空氣而使用氮氣。這是因為由于不含氧，因此不會改變MgO粗粒子的氧缺損量等。最終，MgO晶體粒子的平均粒徑在0.3μπι?2μπι的范圍。
[0057]通常，通過圖10所示的子場驅(qū)動來點亮TOPI。在子場驅(qū)動中，I場被分成初始化期間、地址期間、以及維持期間。在地址期間，由于決定維持放電的有無，因此在初始化期間與維持放電的有無無關(guān)地進行初始化放電。因此，為了提高點亮ropi時的對比度，例如如將初始化放電在數(shù)場中設(shè)為I次那樣減少初始化放電次數(shù)是有效的。但是，僅靠減少初始化放電次數(shù)，壁電荷的蓄積有可能變得不充分。
[0058][3-3.添加元素I
[0059]發(fā)明人通過使用日本特開2007-48733號公報記載的方法，明確了凝集粒子92中添加元素的影響。測量了以地址放電時的延遲時間(放電延遲時間)以及放電產(chǎn)生容易度為目標的數(shù)值(統(tǒng)計延遲時間)。統(tǒng)計延遲時間越小，就越容易產(chǎn)生放電。放電延遲時間是從地址放電脈沖的上升沿到地址放電延遲產(chǎn)生為止的時間。認為放電延遲產(chǎn)生的主要原因在于，成為產(chǎn)生地址放電時的觸發(fā)的初始電子很難從保護層表面被釋放到放電空間中。
[0060]優(yōu)選凝集粒子92含有鋁(Al)。這是因為通過含鋁(Al)，從而能夠?qū)Ρ陔姾傻男罘e做貢獻。以下，只要無特別記載，“濃度”就意味著“重量濃度”。如圖4所示，若凝集粒子92中的鋁(Al)的濃度小于50ppm，則放電延遲時間急劇增加。另外，圖4中的放電延遲時間是在產(chǎn)生了多次地址放電的期間一直到最早產(chǎn)生地址放電為止的時間。也就是說，圖4中的放電延遲時間是反映了壁電荷的形成量的值。
[0061]另一方面，若鋁(Al)的濃度過高，有時會妨礙金屬氧化物晶體粒子92a的晶體生長。其結(jié)果，金屬氧化物晶體粒子92a的晶體性有可能會惡化。若晶體性惡化，則會在帶隙內(nèi)形成無用能級。如圖5所示，可知若鋁(Al)的濃度超過200ppm，則統(tǒng)計延遲時間上升率會增大。另外，圖5中的統(tǒng)計延遲時間上升率是將每I個場中產(chǎn)生了初始化放電時的統(tǒng)計延遲時間設(shè)為1，每6個場中產(chǎn)生了初始化放電時的統(tǒng)計延遲時間。
[0062]因此，優(yōu)選凝集粒子92中的鋁(Al)的濃度為50ppm以上且200ppm以下。
[0063]另外，有時統(tǒng)計延遲時間也會隨著TOPI的累計點亮?xí)r間而上升。因此，優(yōu)選凝集粒子92含有氟(F)。這是因為通過含氟(F)，從而能夠抑制統(tǒng)計延遲時間的增加。如圖6所示，若凝集粒子92中的氟(F)的濃度在150ppm以上，則統(tǒng)計延遲時間的上升率會降低。另外，統(tǒng)計延遲時間的上升率是將I3DPl的初始點亮?xí)r的統(tǒng)計延遲時間設(shè)為1，點亮了 2000小時后的統(tǒng)計延遲時間。通過添加氟(F)，從而促進金屬氧化物晶體粒子92a的晶體生長。因此，認為金屬氧化物晶體粒子92a的晶體性變高。認為通過提高凝集粒子92中的放電時的耐噴性，從而抑制了統(tǒng)計延遲時間的上升率。
[0064]另一方面，了解了若氟(F)濃度過高，則凝集粒子92的粒徑會變大。也就是說，氟(F)濃度過高就意味著構(gòu)成凝集粒子92的金屬氧化物晶體粒子92a的數(shù)量變多。若凝集粒子92的粒徑變大，則在對置配置前面板2和背面板10時，隔壁14受到破壞的概率增大。如圖7所示，可知若凝集粒子92中的氟(F)濃度超過600ppm，則凝集粒子92的粒徑(D90)會超過規(guī)定值2.5 μ m。若粒徑超過規(guī)定值，則隔壁14受到破壞的概率增大。
[0065]因此,優(yōu)選凝集粒子92中的氟(F)濃度在150ppm以上且600ppm以下。
[0066]但是，這樣的話，統(tǒng)計延遲時間過小，暫時蓄積的電荷會逃脫。也就是說，有時會產(chǎn)生被稱為電荷逃脫(電荷拔K:charge through)的現(xiàn)象。若產(chǎn)生電荷逃脫,則會產(chǎn)生應(yīng)點売的單兀未點売的不良情況。
[0067][3-4.光致發(fā)光評價]
[0068]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了當凝集粒子92的光致發(fā)光波形在規(guī)定范圍內(nèi)時，能夠抑制電荷逃脫。
[0069]針對金屬氧化物晶體粒子92a、即MgO晶體粒子測量了光致發(fā)光的發(fā)光強度。光致發(fā)光測量是在以下條件下進行的。光源使用了發(fā)光波長為146nm的受激準分子燈(々'>才電機株式會社(USH10 INC.)制)。受激準分子燈設(shè)置在距樣品的上方IOOmm的位置上。通過渦輪分子泵，將真空腔內(nèi)的壓力保持為lX10_2pa。探測器使用了 C⑶一體型的波長范圍為200nm至800nm的分光器(濱松'于、卜二夕 > 株式會社(Hamamatsu Photonics K.K.)制)。由于入射光的波長為146nm，因此認為光致發(fā)光是幾乎從樣品的最表面產(chǎn)生的。
[0070]如圖8所示，MgO晶體粒子發(fā)出了在波長200nm至300nm的范圍內(nèi)具有峰值的光。另外，MgO晶體粒子發(fā)出了在波長300nm至500nm的范圍內(nèi)具有峰值的光。
[0071]發(fā)光在波長200nm至300nm的范圍意味著MgO晶體粒子具有與波長200nm至300nm的發(fā)光對應(yīng)的能級。認為能級能夠長時間(幾msec以上)捕獲初始化放電時產(chǎn)生的電子。若在地址放電時施加地址電壓，則在保護層9形成電場。被能級捕獲的電子因熱以及電場而被取出到放電空間。若迅速且充分獲得了地址放電開始所需的初始電子，則放電開始時間提前。如以上所述，認為若波長為200nm至300nm的發(fā)光強度大，則統(tǒng)計延遲時間會縮短。[0072]另一方面,認為波長為300nm至500nm的發(fā)光表不存在氧缺損。認為發(fā)光強度大則氧缺損也較多。被MgO晶體粒子的最表面附近的電子釋放能級捕獲的電子跳入因氧缺損引起的較深的能級，所以初始電子釋放能力會下降，但電荷保持能力卻上升。也就是說，若波長為300nm至500nm的發(fā)光強度大，則能夠抑制電荷逃脫量。
[0073]將波長為200nm至300nm的發(fā)光強度的最大值設(shè)為A、波長為300nm至500nm的發(fā)光強度的最大值設(shè)為B時，可知若A除以B的A/B超過10，則如圖9所示，電荷逃脫量急劇增大。另一方面，若A/B小于0.1，則初始電子釋放不充分。因此，優(yōu)選A/B在0.1以上且10以下。另外，從初始電子釋放的觀點出發(fā)，優(yōu)選A/B在2以上。另外，在圖9中，對4個標準的樣品進行了光致發(fā)光測量。是通過噴射研磨機粉碎后的兩個樣品、通過球磨機粉碎后的樣品、以及未粉碎的樣品。在噴射研磨機的情況下，是導(dǎo)入的空氣壓力相對高的樣品和相對低的樣品這兩個樣品。導(dǎo)入的空氣壓力相對低的樣品的A/B是7.6。導(dǎo)入的空氣壓力相對高的樣品的A/B是3.7。從圖9可知，通過噴射研磨機粉碎后的氧化鎂晶體粒子表現(xiàn)出良好的特性。
[0074][3-5.保護層9的形成方法]
[0075]如圖3所示，在形成電介質(zhì)層8之后開始形成保護層9。首先，在步驟I中，形成襯底膜91。材料使用例如含鋁(Al)的MgO燒結(jié)體。方法使用例如真空蒸鍍法。具體而言，在真空腔內(nèi)向原材料照射電子束，從而使原材料蒸發(fā)并使其附著于電介質(zhì)層8上。在電介質(zhì)層8上形成主要由MgO構(gòu)成的襯底膜91。襯底膜91的膜厚作為一例是500nm至IOOOnm左右。
[0076]在步驟2中，形成金屬氧化物糊劑膜。材料使用例如多個MgO晶體粒子凝集而成的凝集粒子92與有機樹脂成分及稀釋溶劑一起被混攪(kneading)而成的金屬氧化物糊劑。方法使用例如絲網(wǎng)印刷法。具體而言，在襯底膜91上的整個面涂敷金屬氧化物糊劑，從而形成金屬氧化物糊劑膜。金屬氧化物糊劑膜的膜厚作為一例是5μπι至20μπι左右。另外，作為在襯底膜上形成金屬氧化物糊劑膜的方法，除了絲網(wǎng)印刷法以外，還可以使用濺射法、旋涂法、壓模涂敷法、縫隙涂敷法等。
[0077]在步驟3中，使金屬氧化物糊劑膜干燥。通過干燥爐等，在規(guī)定溫度下加熱金屬氧化物糊劑膜。溫度范圍作為一例是100°C至150°C左右。通過加熱，從金屬氧化物糊劑膜中去除溶劑成分。
[0078]在步驟4中，對干燥后的金屬氧化物糊劑膜進行燒成。通過燒成爐等，在規(guī)定溫度下加熱金屬氧化物糊劑膜。溫度范圍作為一例是400°C至500°C左右。燒成時的環(huán)境并沒有特別限制。例如，可使用大氣、氧氣、氮氣等。通過加熱，從金屬氧化物糊劑膜中去除樹脂成分。
[0079]通過以上步驟，使凝集粒子92離散地附著在襯底膜91上。
[0080][4.實施例]
[0081]制作多個ropi。此外，評價制作出的ropi的性能。制作出的ropi適合于42英寸的高清電視。ropi具備前面板2和與前面板2對置配置的背面板10。此外，前面板2和背面板10的周圍被密封材料密封。前面板2具有顯示電極6、電介質(zhì)層8和保護層9。背面板10具有地址電極12、襯底電介質(zhì)層13、隔壁14和熒光體層15。向TOPl以60kPa的內(nèi)壓封入了 Xe含有量為15體積％的Ne-Xe系混合氣體。此外，顯不電極6與顯不電極6的電極間距離是0.06mm。隔壁14的高度是0.15mm、隔壁14與隔壁14的間隔(單元間隔)是0.15mm0
[0082]實施例采用了通過噴射研磨機粉碎后的MgO晶體粒子凝集多個而成的凝集粒子92。噴射研磨機適用了所導(dǎo)入的空氣壓力相對高的條件。實施例中的凝集粒子92具有A/B為3.7的光致發(fā)光特性。實施例中的凝集粒子92的粒度分布是0.5 Um(DlO)U.2 ym(D50)、
2.1 μ m(D90)。
[0083]另夕卜，粉碎前的MgO粗粒子的粒度分布是0.6 Um(DlO)、1.9 μ m(D50)、
3.7 μ m(D90)。
[0084]另一方面，比較例采用了通過球磨機粉碎后的MgO晶體粒子凝集多個而成的凝集粒子92。比較例中的凝集粒子92具有與由圖9所示的球磨機粉碎的樣品相等的光致發(fā)光特性。
[0085]實施例以及比較例的凝集粒子92的平均粒徑是1.Ιμπι。并且，實施例和比較例中的凝集粒子92中鋁(Al)濃度是150ppm，氟(F)濃度是400ppm。實施例以及比較例的凝集粒子92的覆蓋率是8.0%。覆蓋率是在I個放電單元區(qū)域中用I個放電單元的面積b的比率表示了附著有凝集粒子92的面積a的比率。也就是說，是通過覆蓋率(％)=a/bX100的計算式算出的值。作為測量方法，例如，通過照相機拍攝包含與被隔壁14劃分的I個放電單元相當?shù)膮^(qū)域在內(nèi)的區(qū)域。接著，拍攝到的圖像被修剪成一個放電單元的大小。接著，修剪后的圖像被2值化成黑白數(shù)據(jù)。接著，基于2值化后的數(shù)據(jù)計算出凝集粒子92所占的黑區(qū)域的面積a。最后，通過a/bX100的計算式計算覆蓋率(％ )。
[0086]實施例和比較例中的I3DPl的制造方法的不同點僅在于MgO粗粒子的粉碎方法。
[0087]發(fā)明人通過減少了初始化放電次數(shù)的子場驅(qū)動法點亮ropi來評價了放電特性。實施例能夠降低地址放電錯誤的同時抑制放電所需的電壓上升。也就是說，實施例能夠兼顧統(tǒng)計延遲時間和電荷逃脫這2個特性。另一方面，比較例雖然能夠降低地址放電錯誤，但是放電所需的電壓比實施例上升。也就是說，比較例不能兼顧統(tǒng)計延遲時間和電荷逃脫這2個特性。
[0088][5.總結(jié)]
[0089]本實施方式的I3DPl具備前面板2和與前面板2對置地設(shè)置的背面板10。前面板2具有顯示電極6、覆蓋顯示電極6的電介質(zhì)層8、和覆蓋電介質(zhì)層8的保護層9。保護層9包含襯底膜91和形成在襯底膜91上的凝集粒子92。關(guān)于多個MgO晶體粒子凝集而成的凝集粒子92 (金屬氧化物)，波長為200nm以上且小于300nm的范圍內(nèi)的光致發(fā)光的最大強度、與波長為300nm以上且小于500nm的范圍內(nèi)的光致發(fā)光的最大強度之比為0.1以上且10以下。另外，凝集粒子92 (金屬氧化物)包含重量濃度在50ppm以上且200ppm以下的鋁(Al)、和重量濃度在150ppm以上且600ppm以下的氟(F)。
[0090]根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠降低地址放電錯誤的同時抑制放電所需的電壓上升。
[0091]另外，在本實施方式中，例示了金屬氧化物晶體粒子92a為MgO晶體粒子的情況。但是，本發(fā)明并不限于此。除了 MgO外，還可以使用氧化鍶(SrO)、氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鋁(Al2O3)等?？傊?，只要使用具有高初始電子釋放能力的金屬氧化物晶體粒子92a，就能夠獲得同樣的效果。因此，金屬氧化物晶體粒子92a并不限于MgO。此外，也可以使用多種金屬氧化物晶體粒子。[0092]另外，在本實施方式中，例示了在襯底膜91上形成了凝集粒子92的情況。但是，本發(fā)明并不限于此。也就是說，金屬氧化物品體粒子92a也可以不凝集，而是以一次粒子的狀態(tài)形成在襯底膜91上。
[0093]另外，在本實施方式中，例示了襯底層是含有Al2O3的MgO膜的情況。但是，本發(fā)明并不限于此。除了 MgO外,還可以使用Sr0、Ca0、Ba0、Al203等金屬氧化物膜。此外，也可以使用混合了多種金屬氧化物的膜。
[0094]另夕卜，除了金屬氧化物膜外，也可以使用Mg0、Sr0、Ca0、Ba0、Al203等金屬氧化物微粒子的集合體。此外，也可以采用混合了多種金屬氧化物微粒子的集合體。
[0095](工業(yè)上的可利用性)
[0096]在此公開的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)可降低地址放電錯誤的同時抑制放電電壓上升的rop。因此，在大畫面顯示設(shè)備等中是有用的。
[0097]符號說明
[0098]I PDP
[0099]2前面板
[0100]3前面玻璃基板
[0101]4掃描電極
[0102]4a、5a黑色電極
[0103]4b、5b 白色電極
[0104]5維持電極
[0105]6顯示電極
[0106]7 黑帶
[0107]8電介質(zhì)層
[0108]9保護層
[0109]10背面板
[0110]11背面玻璃基板
[0111]12地址電極
[0112]13襯底電介質(zhì)層
[0113]14 隔壁
[0114]15熒光體層
[0115]16放電空間
[0116]91襯底膜
[0117]92凝集粒子
[0118]92a金屬氧化物晶體粒子
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示面板，具備前面板、和與所述前面板對置地設(shè)置的背面板， 所述前面板具有顯示電極、覆蓋所述顯示電極的電介質(zhì)層、和覆蓋所述電介質(zhì)層的保護層， 所述保護層包含襯底層、和形成在所述襯底層上的金屬氧化物， 關(guān)于所述金屬氧化物，波長為200nm以上且小于300nm的范圍的光致發(fā)光的最大強度、與波長為300nm以上且小于500nm的范圍的光致發(fā)光的最大強度之比為0.1以上且10以下，并且， 所述金屬氧化物包含重量濃度50ppm以上且200ppm以下的鋁、和重量濃度為150ppm以上且600ppm以下的氟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中， 關(guān)于所述金屬氧化物，波長為200nm以上且小于300nm的范圍的光致發(fā)光的最大強度、與波長為300nm以上且小于500nm的范圍的光致發(fā)光的最大強度之比為2以上且10以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示面板，其中， 所述金屬氧化物是凝集多個氧化鎂的晶體粒子而成的凝集粒子。
【文檔編號】H01J11/40GK103430273SQ201280014156
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月15日
【發(fā)明者】溝上要, 坂元光洋, 久富慶之, 大江良尚 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社