專利名稱：在質(zhì)譜儀中用于減小背景噪音的組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及質(zhì)譜儀。特別地，本發(fā)明提供用于在質(zhì)譜儀中減小由中性亞穩(wěn)定實體 引起的背景噪音的裝置及方法。更特別地，描述了用于捕獲由亞穩(wěn)定實體對組件的轟擊產(chǎn) 生的二次離子的儀器組件。
背景技術(shù)：
質(zhì)譜儀是一種分析技術(shù)，其根據(jù)離子質(zhì)荷比開發(fā)通過電場和磁場的離子軌道的相 關(guān)性。典型地，組件離子的傳播計算為質(zhì)荷比的函數(shù)，并且數(shù)據(jù)被匯編以形成物理樣本的質(zhì) 譜。質(zhì)譜例如對于未知特性的化合物的識別、確定已知化合物的元素的同位素組成、解析化 合物的結(jié)構(gòu)是有用的，以及利用校準的標準估計樣本中化合物的數(shù)量。利用質(zhì)譜儀的分析需要連續(xù)的三個組件過程，每個組件過程可以由幾種類型的裝 置的任一種執(zhí)行。首先，離子源將樣本轉(zhuǎn)成成組分離子。其次，離開離子源之后，在質(zhì)量分 析器中碎裂的樣本中的帶電粒種根據(jù)質(zhì)荷比受到分類。最后分類的離子進入檢測器室，在 檢測器室中檢測器將各分離的碎片離子轉(zhuǎn)變成表示其相對豐度的信號。被組裝構(gòu)成質(zhì)譜儀 的特定的離子源、質(zhì)量分析器和檢測器的屬性適應(yīng)用于分析特定樣本類型或獲取專門數(shù)據(jù) 的儀器的性能。對于一些應(yīng)用，通過與在質(zhì)譜儀中電離之前將樣本分離成組分的其他分析技術(shù)結(jié) 合，能使通過質(zhì)譜儀的分析得到增強。例如，在普通的增強中，氣相色譜儀將樣本在遇見質(zhì) 譜儀離子源之前分離成構(gòu)成組分，以提高相對低的分子量的組分之間的差別。這種設(shè)置，稱 為氣相色譜-質(zhì)譜儀(“GC/MS”)，廣泛地用于識別特別是環(huán)境分析以及藥物、火和爆炸研 究中的未知樣本。氣相色譜儀的分離能力使GC/MS識別物質(zhì)達到的確定性與單獨使用質(zhì)譜儀裝置 可能的達到的確定性相比大得多。但是，惰性載氣的必需使用也引入了背景噪音形式的分 析困難。在質(zhì)譜儀中惰性載氣的一些原子(例如氦)由于例如在離子源中的電子沖擊或由 與通過聚焦元件加速的氦離子碰撞而被激發(fā)到更高能亞穩(wěn)狀態(tài)。通常的氦亞穩(wěn)狀態(tài)(例如 23S1)具有大約20eV的能量級并能持續(xù)幾秒鐘。亞穩(wěn)原子不帶電荷并因此不能由任何離子光學聚焦。其容易遵循視線路徑并在其 路徑中轟擊儀器組件。碰撞通過已知為彭寧電離(Perming ionization)的過程產(chǎn)生二次 離子，由此由于在激發(fā)的亞穩(wěn)態(tài)原子和二次離子源之間的勢能的轉(zhuǎn)移而發(fā)生電離。二次離 子源被確認主要會是組件表面上的由泵油、樣本殘留物和減壓大氣引起的雜質(zhì)(例如碳氫 化合物)。在物質(zhì)束中(例如在離子源中或在分析器的上游部分中)早產(chǎn)生的二次離子有機 會被分析器分類并由檢測器計算為表示其化學組分和結(jié)構(gòu)。但是，如果二次離子相反不產(chǎn) 生在分析器的出口附近，例如通過穿透作為檢測器室的門的離子聚焦透鏡，或在檢測器室本身內(nèi)，那么二次離子就不能由分析器分辨。如果這些晚產(chǎn)生的二次離子進入檢測器，它們 確實非常無規(guī)則，從而產(chǎn)生背景噪音。亞穩(wěn)定氦原子是使用氦載氣的GC/MS系統(tǒng)中的主要 噪音源。二次離子也會由引入的其他元件的被激發(fā)的中性粒子產(chǎn)生，其他元素通過感應(yīng)耦 合等離子體(“ICP”)離子源或由液相色譜-質(zhì)譜儀(“LC/MS”)以及在大氣壓或減小的 壓力下電離樣本的其他方法引入。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了用于減少在質(zhì)譜儀系統(tǒng)中由亞穩(wěn)定中性原子和分子導(dǎo)致的背景噪 音的新組件，以及相關(guān)的新的質(zhì)譜儀分析方法。在本發(fā)明的一個方面提供了一種新的多層透鏡，用于允許離子從質(zhì)量分析器到達 檢測器系統(tǒng)。具有用于傳送對象離子(subject ion)的中心孔的透鏡具有被偏置以在透鏡 內(nèi)產(chǎn)生用于二次離子的局部勢能阱的外部和中部電極。由粒子轟擊中間電極產(chǎn)生的二次離 子被捕獲到勢能阱中并保持限定在中間電極的表面上。因此，該二次離子不能在檢測器中 造成背景噪音。特別地，透鏡包括相互電隔離的前部電極、中間電極和后部電極的分層結(jié)構(gòu)。前部 電極包括格柵，格柵將前部電極的電勢分配到透鏡的前部上以提供中間電極的靜電屏蔽， 但允許中性粒子和帶電粒子通過。對象離子被聚焦到中間孔，同時中性粒子穿過前部電極 并穿透格柵后面的中間電極的表面。中間電極相對于前部電極和后部電極被偏置以使得中間電極中的二次離子與其 在前部電極和后部電極中的任一個中相比處于更低的電勢。即，當負的帶電的二次離子要 被捕獲時，中間電極與前部電極和后部電極中的每一個相比處于較高電勢；相反地，對于正 的帶電的二次離子，中間電極與前部電極和后部電極中的每一個相比處于較低電勢。在優(yōu)選的實施例中，將對象離子從勢能阱屏蔽的外部電極是接地的。這種構(gòu)造包 括由中間電極產(chǎn)生的電場并限制中間電極對對象離子通過中心孔的軌道的影響，以使得對 于離子結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出與單個接地電極相似。類似的分層的偏轉(zhuǎn)板限定由亞穩(wěn)定中性粒子從質(zhì)量分析器輸送到檢測器室內(nèi)的 撞擊產(chǎn)生的二次離子。分層的偏轉(zhuǎn)板的格柵覆蓋的低電勢的中間電極表面面對進入孔以使 得中性粒子進入室穿過格柵并穿透表面。因此產(chǎn)生的二次離子被限制到偏轉(zhuǎn)板中間電極表這些分層的偏置結(jié)構(gòu)減小了由亞穩(wěn)定中性實體導(dǎo)致的系統(tǒng)背景噪音。改善的信號 噪音率轉(zhuǎn)化為本發(fā)明的質(zhì)譜儀系統(tǒng)的更低的檢測能力限制。附圖簡要說明下面本發(fā)明的描述對照附圖，其中

圖1示意地描繪了與本發(fā)明的相容的質(zhì)譜儀系統(tǒng)；圖2為根據(jù)本發(fā)明的實施例構(gòu)造的離子聚焦透鏡的分解圖；圖3A-3B示出了本發(fā)明的離子聚焦透鏡的實施例的透視圖，圖3A示出了完整的組 件而圖3B示出了移除了格柵以容易觀察的透鏡；圖4示出了具有根據(jù)本發(fā)明的實施例構(gòu)造的具有偏轉(zhuǎn)板的質(zhì)譜儀系統(tǒng)；以及
圖5描繪了本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)板實施例的截面圖。圖中的特征大體上不是按比例繪制。
具體實施例方式參照圖1，現(xiàn)有技術(shù)的質(zhì)譜儀系統(tǒng)10包括三個主要部件離子源16、質(zhì)量分析器 18和檢測器系統(tǒng)20。實現(xiàn)樣本電離、離子分離和檢測技術(shù)以及通過質(zhì)譜儀執(zhí)行分析的這些 技術(shù)的因素通知裝置對于質(zhì)譜儀領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員是已知的。離子源16通過幾種技術(shù)中的任一項來實現(xiàn)樣本的電離，這幾種技術(shù)包括電子電 離、化學電離、電噴霧電離、基質(zhì)輔助激光解析/電離以及等離子的感應(yīng)耦合。電離技術(shù)可附帶地將與物理樣本無關(guān)的中性粒子引入到進入質(zhì)譜儀的離子束內(nèi)。 例如，氬或氦原子通常出現(xiàn)在ICP離子源的下游，而由以大氣壓力操作的離子源傳遞的離 子處于被氮分子污染的危險中。預(yù)電離分離技術(shù)是外來中性粒子(例如對于典型地使用氦 載氣的GC/MS通?？梢姷募ぐl(fā)的氦原子)另外的來源。LC/MS還會從離子源的活化劑(例 如霧化氣)或從其操作的大氣引入氮分子。由離子源16處理后，外來的中性粒子與樣本的組分離子一起被靜電地推進通過 門24中的入口 22進入質(zhì)量分析器18。門24可以是聚焦透鏡、準直儀或任何其它已知的與 質(zhì)譜儀系統(tǒng)的其它部件的功能相容的裝置，用于離子進入分析器。質(zhì)量分析器18(例如扇形磁場、時間飛行或四極分析器)根據(jù)離子的質(zhì)荷比將其 分類。分類的離子通過出口透鏡30中的孔(例如具有標準8mm中心孔的接地板)以由檢 測器系統(tǒng)20計算。分析器18中的中性粒子不會被施加的電場和磁場分類并且主要沿碰撞之間的直 的路徑移動通過分析器18。穿透儀器部件上的表面雜質(zhì)的充足高能的中性粒子產(chǎn)生二次離 子。在透鏡30孔附近由于對透鏡的轟擊產(chǎn)生的二次離子通過孔排出分析器。而且，通過孔 離開的激發(fā)的中性粒子會通過穿透檢測器系統(tǒng)20的元件而產(chǎn)生二次離子。源于這些位置 的二次離子進入檢測器而未被分類并由檢測器系統(tǒng)20隨意地計算，從而造成背景噪音。圖2以分解圖示出了本發(fā)明的噪音減小的集成的出口透鏡的描述性實施例的各 層，其適用于在質(zhì)譜儀系統(tǒng)10中代替現(xiàn)有技術(shù)的透鏡30。透鏡34包括夾在兩個外部電極 40和60之間的中間電極36，并具有居間的絕緣層50和55。前部電極40包括圍繞中心孔 44的實心導(dǎo)電環(huán)42，具有覆蓋孔44的附接的導(dǎo)電格柵46。前絕緣層50具有大小和形狀對 應(yīng)于孔44的窗口 52。導(dǎo)電的中間電極36、后絕緣層55和后部電極60分別具有一樣形狀 和大小的孔洞62，其小于窗口 34。圖3A示出了組裝后的圖2的集成透鏡。圖3B示出了為了便于說明而沒有格柵46 的透鏡34?，F(xiàn)在參照圖2和3-4，覆蓋了格柵的孔44和窗口 52在中間電極36上留下了暴 露的前表面64，其朝向質(zhì)譜儀18定向。在中間電極、后絕緣層55和后部電極60中的洞62 形成沿垂直于中間電極的暴露表面64的軸線穿過透鏡34的公共孔66。在該實施例中，公 共孔66相對于窗口 52居中?？蛇x地，格柵46具有開口(未示出)以使孔66延伸穿過前 部電極40。在操作中，中間電極36保持在不同于前部電極的電勢以及不同于后部電極60的 電勢的電勢，以使得中間電極36上的離子經(jīng)歷電勢局部最小化。處于比前部電極40和后部電極60更多正電勢的中間電極36將形成用于陰離子的勢能阱。處于比前部電極40和 后部電極60更少正電勢的中間電極36將形成用于陽離子的勢能阱。在一個實施例中，中 間電極36的電勢以10伏至75伏或更多伏地不同于前部電極40和后部電極60的電勢。在優(yōu)選的實施例中，兩個外部電極40和60接地并且中間電極36處于與以20至 70伏或更多伏不同于接地的電勢。在構(gòu)造為限定負二次離子的透鏡中，中間電極的電勢相 對于接地是正的。為了限定正二次離子，中間電極的電勢相對于接地是負的。接地的外部 電極40和60包括由中間電極36上的電勢形成的電場并限制中間電極對通過孔66的對象 離子的軌道的影響。電壓電源(未示出)可以用于將中間電極36保持在所需的相對電勢。從質(zhì)量分析器18接近透鏡34的離子經(jīng)過格柵46并通過孔66被聚焦。透鏡34 不能電聚焦任何中性粒子。具有足夠能量的穿透透鏡34的中性粒子產(chǎn)生二次離子。由于 在分層的電極34中局部電勢最小化，從而防止通過穿過格柵46并然后與中間電極暴露的 表面64碰撞的中性粒子在孔66附近產(chǎn)生的二次離子離開表面64。局部化的二次離子不會 到達檢測器20從而其將會產(chǎn)生的噪音被取代。這與圖1中的現(xiàn)有技術(shù)的透鏡30相反，透 鏡30的前表面釋放二次離子，因此允許二次離子進入檢測器系統(tǒng)20并造成背景噪音。在另一方面，在圖4中示出的實施例，本發(fā)明提供了用于將二次離子限制在檢測 器腔69內(nèi)的具有偏軸檢測器70的偏轉(zhuǎn)板68。參照圖5，該實施例的偏轉(zhuǎn)板68優(yōu)選地包括以下層前部電極72、前絕緣層80、中 間電極86、后絕緣層90和后部電極92。前部電極72為圍繞內(nèi)孔76的實心導(dǎo)電環(huán)74，附接的導(dǎo)電格柵78覆蓋內(nèi)孔76。前 絕緣層80為圍繞與內(nèi)孔76同闊的窗口 84的實心架82。中間電極86具有面對出口透鏡 30、通過內(nèi)孔76和窗口 84暴露的表面88。中間電極86通過電壓電源94保持在大約20至70伏或更多伏的電勢，根據(jù)以負 或正二次離子為目標，所述電勢比前部電極72和后部電極92中的每一個的電勢更高或更 低。在優(yōu)選的實施例中，前部電極72和后部電極92是接地的。離開質(zhì)量分析器18的離子經(jīng)過出口透鏡30進入室69并被吸入由幾千伏負偏置 的偏軸檢測器70內(nèi)。進入室69的中性粒子繼續(xù)它們的軌道直到穿透面對透鏡30的中間 電極86的暴露表面88為止。最終得到的二次離子保持在表面88上并被防止前進到檢測 器70內(nèi)。這與現(xiàn)有技術(shù)的質(zhì)譜儀系統(tǒng)相反，在現(xiàn)有技術(shù)的質(zhì)譜儀系統(tǒng)中，中性粒子與室69 的室壁或其它表面碰撞，由此產(chǎn)生被吸入檢測器內(nèi)的二次離子并造成背景噪音。原則上，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)板85能在沒有后絕緣層90和后部電極92的情況下起作 用。接地的后部電極92確保由中間電極86形成的電場被抑制以使其對進入檢測器室69 的離子的軌道影響最小化。實施例的分層結(jié)構(gòu)可由不銹鋼板、聚乙烯(四氟乙烯)板和鎢網(wǎng)容易地制成。例 如外部電極和中間電極可以由0. 5mm厚的不銹鋼制成，在前部電極上具有網(wǎng)，并用0. 25mm 厚的塑料絕緣層分隔開。網(wǎng)可以是50 X 50絲/英寸以及0. 003英寸線直徑的鎢線網(wǎng)，其不 會不適當?shù)馗蓴_對象離子的傳送。各層可以通過常規(guī)的裝置(例如夾子或螺栓)保持在一 起。在其他實施例中，前部電極可以完全由網(wǎng)構(gòu)成，而沒有任何實心邊。如此處使用 的，網(wǎng)不僅指交織或互繞結(jié)構(gòu)，而且還可以等同地為格柵或多孔材料，其能分配中間電極的
8電勢同時允許中性和帶電粒子通過。孔和窗口的相對尺寸和位置不必須如實施例中所描述 的。而是，孔和窗口可以是建立網(wǎng)后面的中間電極表面以及在出口透鏡的情況下建立孔以 將對象離子送出分析器的任何關(guān)系。而且，鄰接中間電極的絕緣層可以都不存在。例如，電 極可以在邊緣被獲得并且其相互絕緣通過間隙以裝置的低壓大氣被保持。特定的電壓范圍被確定用于具有四極分析器和倍增電極檢測器的GC/MS系統(tǒng)。可 以預(yù)期的是類似的電壓范圍對于具有不同主要部件的質(zhì)譜儀系統(tǒng)將是有效的。盡管在一些實施例和附圖中包括了本發(fā)明特定特征，而沒有包括在其他實施中， 但是應(yīng)注意的是每個特征都可以與根據(jù)本發(fā)明的其他特征的任一個或全部結(jié)合。因此，可以看到上文描述了用于質(zhì)譜儀的高度有利的方案，特別對于依賴于將惰 性氣體引入儀器內(nèi)的技術(shù)變體。本文使用的術(shù)語和表達方式是用于描述的目的而不用于限 定，并且在使用這些術(shù)語和表達方式時不意圖排除示出的以及描述的特征或其部分的任何 等同物，而是理解為在本發(fā)明要求保護的范圍內(nèi)各種修改都是可能的。
權(quán)利要求
一種限制具有電荷的二次離子的裝置，包括a.處于后電勢的后部電極；b.處于前電勢的前部電極，包括格柵；c.處于中間電勢的中間電極，其位于所述前部電極和所述后部電極之間并與所述前部電極和后部電極電絕緣，并具有位于所述格柵后面的表面，在所述中間電勢下二次離子被限制在所述表面上，所述二次離子通過由中性粒子對所述表面的轟擊產(chǎn)生，當電荷是負時所述中間電勢比所述后電勢和前電勢中的每一個高，當電荷是正時所述中間電勢比所述后電勢和前電勢中的每一個低。
2.權(quán)利要求1的裝置，其中，公共孔穿過所述中間電極和所述后部電極。
3.權(quán)利要求2的裝置，其中，所述格柵具有開口，所述公共孔延伸通過所述開口。
4.權(quán)利要求2的裝置，其中，所述裝置是離子聚焦透鏡，用于在質(zhì)譜儀中允許物質(zhì)束中 的離子從質(zhì)量分析器進入檢測器系統(tǒng)內(nèi)，所述表面面對所述物質(zhì)束。
5.權(quán)利要求1的裝置，其中，所述裝置是質(zhì)譜儀的檢測器室中的偏轉(zhuǎn)板，所述中間電極 的所述表面與所述質(zhì)量分析器的出口相對地定位。
6.權(quán)利要求1的裝置，其中，所述中間電勢以至少20伏不同于所述前電勢和后電勢中 的每一個。
7.權(quán)利要求1的裝置，其中，所述前部電極和后部電極處于接地電勢。
8.權(quán)利要求4的裝置，其中，所述質(zhì)量分析器為四極分析器。
9.權(quán)利要求1的裝置，還包括a.在所述后部電極和所述中間電極之間的后絕緣層；以及b.在所述前部電極和所述中間電極之間的前絕緣層。
10.一種離子聚焦透鏡，用于在質(zhì)譜儀中允許物質(zhì)束中的離子從質(zhì)量分析器進入檢測 器系統(tǒng)內(nèi)以及用于限制由中性粒子與所述透鏡碰撞所產(chǎn)生的二次離子，所述透鏡包括a.處于后電勢的后部電極；b.處于前電勢的前部電極，包括格柵；c.處于中間電勢的中間電極，其位于所述前部電極和所述后部電極之間并與所述前部 電極和所述后部電極電絕緣，并具有位于所述格柵后面的表面，在所述中間電勢下二次離 子被限制在所述表面上，所述二次離子通過由中性粒子轟擊所述表面產(chǎn)生，當電荷是負時 所述中間電勢比所述后電勢和前電勢中的每一個高，當電荷是正時所述中間電勢比所述后 電勢和前電勢中的每一個低；以及d.通過所述中間電極和所述后部電極的公共孔。
11.權(quán)利要求10的裝置，其中，所述中間電勢以至少20伏不同于所述前電勢和所述后 電勢中的每一個。
12.權(quán)利要求10的透鏡，其中，所述前部電極和所述后部電極是接地的。
13.權(quán)利要求11的透鏡，其中，所述前部電極和所述后部電極是接地的。
14.權(quán)利要求10的裝置，其中，所述質(zhì)量分析器是四極分析器。
15.權(quán)利要求10的裝置，其中，所述公共孔穿過所述格柵。
16.權(quán)利要求10的裝置，還包括a.在所述后部電極和所述中間電極之間的后絕緣層；以及b.在所述前部電極和所述中間電極之間的前絕緣層，所述公共孔延伸通過所述后絕緣 層和所述前絕緣層。
17.—種通過質(zhì)譜儀分析樣本的方法，該方法包括以下步驟a.提供離子源；b.提供質(zhì)量分析器；c.提供位于檢測器室內(nèi)的檢測器；d.提供在所述質(zhì)量分析器和所述檢測器室之間的透鏡，所述透鏡包括i.處于后電勢的后部電極； .處于前電勢的前部電極，包括格柵；iii.處于中間電勢的中間電極，其位于所述前部電極和所述后部電極之間并與所述前 部電極和所述后部電極電絕緣，并具有位于所述格柵后面的表面，當電荷是負時所述中間 電勢比后電勢和前電勢中的每一個高，當電荷是正時所述中間電勢比后電勢和前電勢中的 每一個低；以及iv.通過所述中間電極和所述后部電極的公共孔；e.利用所述離子源將所述樣本轉(zhuǎn)變成組分離子；f.移動包含組分離子和激發(fā)的中性粒子的物質(zhì)束朝向所述透鏡通過所述質(zhì)量分析器， 所述質(zhì)量分析器根據(jù)所述組分離子各自的質(zhì)荷比將其分類；g.將組分離子傳送通過所述孔進入所述檢測器室內(nèi)；h.將激發(fā)的中性粒子傳送通過所述格柵以使得所述粒子穿透所述中間電極上的所述 表面，最終得到的二次離子在所述中間電勢下被限制在所述表面上；以及i.在所述檢測器中將所述組分離子轉(zhuǎn)變?yōu)樾盘枴?br> 18.權(quán)利要求17的方法，還包括以下步驟a.在所述檢測器室內(nèi)與所述孔相對提供離子偏轉(zhuǎn)器，所述離子偏轉(zhuǎn)器包括i.處于偏轉(zhuǎn)器前電勢的偏轉(zhuǎn)器前部電極，包括格柵； .處于偏轉(zhuǎn)器中間電勢的偏轉(zhuǎn)器中間電極，當電荷為負時所述偏轉(zhuǎn)器中間電勢高于 所述偏轉(zhuǎn)器前電勢，當電荷為正時所述偏轉(zhuǎn)器中間電勢低于所述偏轉(zhuǎn)器前電勢，所述偏轉(zhuǎn) 器中間電極在所述偏轉(zhuǎn)器前部電極的后面并與所述偏轉(zhuǎn)器前電極電絕緣，并具有在所述格 柵后面的偏轉(zhuǎn)器表面，在所述偏轉(zhuǎn)器中間電勢下所述二次離子被限制在所述偏轉(zhuǎn)器表面 上，所述二次離子通過由中性粒子轟擊所述表面產(chǎn)生；以及b.將激發(fā)的中性粒子輸送到所述偏轉(zhuǎn)器中間電極上的所述偏轉(zhuǎn)器表面，在所述偏轉(zhuǎn)器 中間電勢下最終得到的二次離子被限制在所述偏轉(zhuǎn)器表面上。
19.權(quán)利要求18的方法，其中所述離子偏轉(zhuǎn)器還包括偏轉(zhuǎn)器后部電極，其位于所述中 間電極的后面并與所述中間電極電絕緣，當電荷為負時所述偏轉(zhuǎn)器中間電勢高于所述偏轉(zhuǎn) 器前電勢，當電荷為正時所述偏轉(zhuǎn)器中間電勢低于所述偏轉(zhuǎn)器前電勢。
20.權(quán)利要求17的方法，還包括步驟在將所述樣本轉(zhuǎn)變?yōu)榻M分離子之前通過氣相色 譜儀制備樣本。
21.權(quán)利要求17的要求的質(zhì)譜儀的方法，其中，所述激發(fā)的中性粒子是氦原子。
22.權(quán)利要求17的方法，其中，所述中間電勢以至少20伏不同于所述前電勢和所述后 電勢中的每一個。
23.權(quán)利要求17的方法，其中，所述質(zhì)量分析器為四極分析器。
全文摘要
在質(zhì)譜儀系統(tǒng)中減少由亞穩(wěn)定實體轟擊產(chǎn)生的二次離子產(chǎn)生的背景噪音的新組件。用于出口電極和偏轉(zhuǎn)板的分層結(jié)構(gòu)將二次離子限制在局部低能阱中，從而防止二次離子進入檢測器。
文檔編號H01J49/14GK101933117SQ200980103042
公開日2010年12月29日 申請日期2009年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
發(fā)明者J·L·德塞薩雷, P·J·莫里斯勒 申請人:珀金埃爾默保健科學公司