專利名稱：載置臺機(jī)構(gòu)、等離子體處理裝置和電壓施加方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置的玻璃基板等被處理體 進(jìn)行等離子體處理的等離子體處理裝置、在該等離子體處理裝置中使 用的載置臺機(jī)構(gòu)和向靜電吸盤施加電壓的電壓施加方法。
背景技術(shù)：
一般而言，在制造半導(dǎo)體集成電路、液晶顯示裝置時，需要在半 導(dǎo)體基板、玻璃基板上反復(fù)進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理、改性處理、氧 化擴(kuò)散處理等。
而且，在上述各種處理中，例如在蝕刻處理等中，使用等離子體
處理裝置進(jìn)行處理(專利文獻(xiàn)1 3)。下面，參照圖16，說明現(xiàn)有的等 離子體處理裝置的一例。如圖16所示，該等離子體處理裝置具有例如 由鋁合金構(gòu)成的處理容器2，在該處理容器2內(nèi)，能夠通過未圖示的真 空排氣系統(tǒng)進(jìn)行真空排氣。在該處理容器2的頂部，作為向該處理容器 2內(nèi)導(dǎo)入必要的氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，設(shè)置有例如由鋁合金構(gòu)成的噴淋 頭部4，并在處理容器2的底部側(cè)設(shè)置有載置臺機(jī)構(gòu)6。
該載置臺機(jī)構(gòu)6主要由隔著例如由氧化鋁等陶瓷材料構(gòu)成的絕緣 材料8設(shè)置的載置臺10和設(shè)置在載置臺10的上表面?zhèn)鹊撵o電吸盤12構(gòu) 成，其中，載置臺10例如由鋁合金構(gòu)成。而且，在上述靜電吸盤12上， 作為被處理體載置例如由玻璃基板或半導(dǎo)體基板構(gòu)成的被處理體W， 通過靜電力能夠吸住該被處理體W。
這樣，上述噴淋頭部4和載置臺10被對置配置，分別構(gòu)成上部電極
和下部電極而成為平行平板型的等離子體電極。具體而言，在上述載 置臺10上，連接有高頻線14，在該高頻線14上依次插設(shè)有匹配電路16 和例如13.56MHz的高頻電源18，通過高頻電力生成等離子體。
此外，在上述載置臺10上，經(jīng)由檢測線20設(shè)置有直流成分檢測電 路22。該直流成分檢測電路22在上述檢測線20上依次串聯(lián)連接高頻切斷用線圈24、第一電阻26和第二電阻28而構(gòu)成，從上述高頻切斷用線 圈24和第一電阻26的連接點(diǎn)處分出電容器30。而且，通過使用測定部 32測定上述第二電阻28的電壓降，能夠識別等離子體處理中的載置臺 IO的直流成分。
而且，通過上述高頻切斷用線圈24和電容器30切斷來自載置臺10 的高頻電力。此外，該直流成分檢測電路22還具有在等離子體處理結(jié) 束而停止施加高頻電力時釋放出被充電到吸盤電極34和載置臺10的電 荷的功能。
此外，上述靜電吸盤12在例如由聚酰亞胺類樹脂或陶瓷等構(gòu)成的 板狀的絕緣材料的內(nèi)部嵌入吸盤電極34而構(gòu)成。而且，從該吸盤電極 34延伸出供電線36，在該供電線36上，經(jīng)由阻止高頻電力進(jìn)入的濾波 部38連接有直流高壓電源40。
而且，通過向上述吸盤電極34施加產(chǎn)生自該直流高壓電源40的高 的直流電壓，能夠以靜電力吸附該靜電吸盤12上的被處理體W。上述 濾波部38在上述供電線36上依次串聯(lián)連接高頻切斷用線圈42和電阻44 而構(gòu)成，從上述高頻切斷用線圈42和電阻44的連接點(diǎn)分出電容器46。
而且，通過上述高頻切斷用線圈42阻止施加在載置臺10上的高頻 電力繞入直流高壓電源40。此外，在該供電線36的濾波部38的下游側(cè)， 設(shè)置有用于接通、斷開直流高壓電源40的吸盤用的開關(guān)部45。
在這樣的等離子體處理裝置中，如果被處理體被載置在載置臺io
上，則閉合上述吸盤用開關(guān)部45，從上述直流高壓電源40向靜電吸盤 12的吸盤電極34施加高的直流電壓，在該吸盤電極34中充分蓄積電荷， 通過靜電力更穩(wěn)定地吸附被處理體W。而且，在進(jìn)行吸附后，通過高 頻電源18施加高頻電力，并且，從噴淋頭部4流出規(guī)定的氣體例如蝕刻 氣體，通過上述高頻電力產(chǎn)生等離子體，進(jìn)行使用了等離子體的蝕刻 處理。
然后，在上述蝕刻處理結(jié)束時，停止蝕刻氣體的供給，并切斷施 加在載置臺10上的高頻電力。進(jìn)一步，打開上述吸盤用開關(guān)部45，切 斷施加在靜電吸盤12的吸盤電極34上的高的直流電壓，然后，在蓄積 在吸盤電極34和載置臺10上的電荷經(jīng)由直流成分檢測電路22而被充分 地放電后，取出上述被處理體W。專利文獻(xiàn)l:日本特開平08-017808號公報 專利文獻(xiàn)2:日本特開平08-031918號公報 專利文獻(xiàn)3:日本特開平2002-043402號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在吸附被處理體時、至在上述靜電吸盤12的吸盤電極34蓄 積使電荷靜電力充分上升而穩(wěn)定為止，或在等離子體處理結(jié)束時、在 停止施加高頻電力之后至將蓄積在靜電吸盤12上的電荷釋放而穩(wěn)定為 止，雖然與吸盤電極34的表面積相關(guān)，但是各自無法避免地需要秒單 位程度的時間。這是因?yàn)槲P等效電路具有基于在電阻26、 28、 44、 吸盤電極34與載置臺10之間形成的電容成分的時間常數(shù)。
在這種情況下，在半導(dǎo)體基板的直徑尺寸為6英寸或8英寸的小尺 寸時，不會發(fā)生特別的問題，但是，當(dāng)直徑尺寸為12英寸(300mm) 或12英寸以上時，在吸附被處理體時至在吸盤電極34上充分地蓄積電 荷為止所需的時間(電荷蓄積時間)，或在等離子體處理結(jié)束時至將蓄 積在吸盤電極34中的電荷充分地放電為止所需的時間(電荷釋放時間) 方面需要相當(dāng)?shù)臅r間，因此，存在產(chǎn)品的生產(chǎn)率變低，處理能力低下 的問題。
特別是存在如下問題在被處理體是液晶顯示裝置的玻璃基板的 情況下，該玻璃基板的大型化顯著，甚至存在長寬為3mx3m左右的大 型玻璃基板，在被處理體是這樣的大型玻璃基板的情況下，上述的電 荷蓄積時間和電荷釋放時間甚至各自需要50 60秒左右，處理能力被
大幅度降低。
本發(fā)明是著眼于上述問題點(diǎn)，為了有效地解決該問題而完成的。 本發(fā)明的目的在于提供一種載置臺機(jī)構(gòu)、使用它的等離子體處理裝置 和向靜電吸盤施加電壓的方法，該載置臺機(jī)構(gòu)能夠減小在向吸盤電極 施加直流電壓時和將施加在吸盤電極上的直流電壓切斷時的吸盤等效 電路的時間常數(shù)，其結(jié)果是，使對吸盤電極進(jìn)行的電荷的蓄積和電荷 的釋放各自迅速地進(jìn)行，能夠提高產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，提高處理能力。
權(quán)利要求l的發(fā)明是一種載置臺機(jī)構(gòu)，設(shè)置在能夠被真空排氣的處 理容器內(nèi)，載置利用通過高頻電力產(chǎn)生的等離子體實(shí)施規(guī)定的等離子體處理的被處理體，該載置臺機(jī)構(gòu)的特征在于，包括用于載置所述 被處理體的、由導(dǎo)電部件構(gòu)成的載置臺；配置在所述載置臺的上表面、 為了吸附所述被處理體而在內(nèi)部設(shè)置有吸盤電極的靜電吸盤；為了施 加產(chǎn)生靜電力的直流電壓而經(jīng)由供電線連接在所述吸盤電極上的直流 高壓電源；插設(shè)在所述供電線的中途、在吸附所述被處理體時被閉合 的吸盤用開關(guān)部；為了檢測在所述等離子體處理時施加在所述載置臺 上的直流成分而被連接在所述載置臺上的直流成分檢測電路；旁通所 述直流成分檢測電路的旁路線；插設(shè)在所述旁路線的中途、在將所述 吸盤用開關(guān)部切換到閉合狀態(tài)時和切換到打開狀態(tài)時使所述直流成分 檢測電路旁通從而使所述載置臺接地的旁路用開關(guān)部；和控制所述吸 盤用開關(guān)部和所述旁路用開關(guān)部的開關(guān)控制部。
這樣，在載置臺機(jī)構(gòu)中，在閉合吸盤用開關(guān)部向吸盤電極施加直 流電壓時，閉合使直流成分檢測電路旁通而使載置臺接地的旁路用開 關(guān)部，進(jìn)一步，在打開吸盤用開關(guān)部切斷施加在吸盤電極上的直流電 壓時，也閉合使直流成分檢測電路旁通而使載置臺接地的旁路用開關(guān) 部，因此，能夠減小在向吸盤電極施加直流電壓時和切斷施加在吸盤 電極上的直流電壓時的吸盤等效電路的時間常數(shù)，其結(jié)果是，能夠使 對吸盤電極進(jìn)行的電荷的蓄積和電荷的釋放各自迅速地進(jìn)行，能夠提 高產(chǎn)品的生產(chǎn)率、提高處理能力。
權(quán)利要求2的發(fā)明是在權(quán)利要求1的發(fā)明，其特征在于還包括插 設(shè)在所述供電線的中途的濾波部，該濾波部用于阻止所述高頻電力進(jìn) 入所述直流高壓電源。
權(quán)利要求3的發(fā)明是權(quán)利要求2的發(fā)明，其特征在于所述濾波部
由電阻元件構(gòu)成，或者由電阻元件和電容元件構(gòu)成。
權(quán)利要求4的發(fā)明是權(quán)利要求2的發(fā)明，其特征在于所述濾波部 由感應(yīng)元件構(gòu)成，或者由感應(yīng)元件和電容元件構(gòu)成。
權(quán)利要求5的發(fā)明是權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特征在
于所述直流成分檢測電路經(jīng)由檢測線與所述載置臺連接。
權(quán)利要求6的發(fā)明是權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特征在
于所述開關(guān)控制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部切換到閉 合狀態(tài)時，與該切換同時或在切換之前將所述旁路用開關(guān)部切換到閉
10合狀態(tài)。
權(quán)利要求7的發(fā)明是權(quán)利要求6的發(fā)明，其特征在于所述開關(guān)控 制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部從打開狀態(tài)切換到閉合狀 態(tài)之后經(jīng)過了規(guī)定時間時將所述旁路用開關(guān)部切換到打開狀態(tài)。
權(quán)利要求8的發(fā)明是權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特征在
于所述開關(guān)控制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部切換到打 開狀態(tài)時，與該切換同時或在切換之前將所述旁路用開關(guān)部切換到閉 合狀態(tài)。
權(quán)利要求9的發(fā)明是權(quán)利要求8的發(fā)明，其特征在于所述開關(guān)控
制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部從閉合狀態(tài)切換到打開狀 態(tài)之后經(jīng)過了規(guī)定時間時將所述旁路用開關(guān)部切換到打開狀態(tài)。
權(quán)利要求10的發(fā)明是一種載置臺機(jī)構(gòu)，設(shè)置在能夠被真空排氣的
處理容器內(nèi)，載置利用通過高頻電力產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行規(guī)定的等離
子體處理的被處理體，該載置臺機(jī)構(gòu)的特征在于，包括用于載置所 述被處理體的、由導(dǎo)電部件構(gòu)成的載置臺；配置在所述載置臺的上表 面、為了吸附所述被處理體而在內(nèi)部設(shè)置有吸盤電極的靜電吸盤；為 了施加產(chǎn)生靜電力的直流電壓而經(jīng)由供電線連接在所述吸盤電極上的 直流高壓電源，在該供電線的中途設(shè)置有用于阻止高頻電力進(jìn)入的濾 波部；插設(shè)在所述供電線的中途、在吸附所述被處理體時被閉合的吸 盤用開關(guān)部；為了檢測在所述等離子體處理時施加在所述載置臺上的 直流成分而被連接在所述載置臺上的直流成分檢測電路；和控制所述 吸盤用開關(guān)部的開關(guān)控制部，所述濾波部不包括電阻元件而由電容元 件和感應(yīng)元件形成。
權(quán)利要求11的發(fā)明是權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)的發(fā)明，其特征在
于所述直流高壓電源能夠施加能夠被切換的多種直流電壓，還包括
設(shè)置在所述供電線的中途、用于監(jiān)視所述吸盤電極側(cè)的電位的電位監(jiān)
視部；和電源控制部，對所述直流電源進(jìn)行控制，使得在所述吸盤用 開關(guān)部被閉合時施加所述多種直流電壓中的電壓高的第一直流電壓， 并且在所述電位監(jiān)視部的檢測值為規(guī)定的值時切換為電壓低的第二直 流電壓進(jìn)行施加。
權(quán)利要求12的發(fā)明是權(quán)利要求11的發(fā)明，其特征在于所述直流高壓電源能夠施加能夠切換的多種直流電壓，還包括控制所述直流高 壓電源的電源控制部，所述電源控制部進(jìn)行控制，使得在所述吸盤用 開關(guān)部被閉合時，最初施加所述多種直流電壓中的電壓高的第一直流 電壓，在經(jīng)過了規(guī)定的時間時切換為電壓低的第二電壓進(jìn)行施加。
權(quán)利要求13的發(fā)明是權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)的發(fā)明，其特征在 于所述規(guī)定的時間是，開始向所述吸盤電極施加所述直流電壓之后 至所述吸盤電極的電位達(dá)到額定電壓為止的期間以下的長度。
權(quán)利要求14的發(fā)明是權(quán)利要求11 13中任一項(xiàng)的發(fā)明，其特征在
于所述第一直流電壓被設(shè)定為比所述吸盤電極的額定電壓高，所述 第二直流電壓被設(shè)定為所述額定電壓。
權(quán)利要求15的發(fā)明是權(quán)利要求11 14中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特
征在于所述直流高壓電源的輸出電壓被做成可變，使得能夠輸出所 述第一直流電壓和所述第二直流電壓。
權(quán)利要求16的發(fā)明是權(quán)利要求1 14中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特征
在于所述直流高壓電源具有輸出所述第一直流電壓的第一電源部和 輸出所述第二直流電壓的第二電源部。
權(quán)利要求17的發(fā)明是權(quán)利要求1 16中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特征
在于所述被處理體是絕緣物。
權(quán)利要求18的發(fā)明是一種等離子體處理裝置，對被處理體進(jìn)行規(guī) 定的等離子體處理，其特征在于，包括..能夠被真空排氣的處理容器； 用于向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入必要的氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)；對所述處理 容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣機(jī)構(gòu)；和用于在所述處理容器內(nèi)載置所述 被處理體的、權(quán)利要求1 17中任一項(xiàng)所述的載置臺機(jī)構(gòu)。
權(quán)利要求19的發(fā)明是權(quán)利要求18的發(fā)明，其特征在于所述氣體 導(dǎo)入機(jī)構(gòu)包括噴淋頭部，由該噴淋頭部和所述載置臺機(jī)構(gòu)的載置臺形 成平行平板型的上部電極和下部電極。
權(quán)利要求20的發(fā)明是權(quán)利要求19所述的發(fā)明，其特征在于在所
述載置臺上連接有高頻電源。
權(quán)利要求21的發(fā)明是權(quán)利要求18 20中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特
征在于在所述噴淋頭部連接有第二高頻電源。
權(quán)利要求22的發(fā)明是權(quán)利要求18 21中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特征在于所述被處理體是半導(dǎo)體基板或絕緣物基板。
權(quán)利要求23的發(fā)明是一種向設(shè)置在載置臺的靜電吸盤施加電壓的 方法，該載置臺在能夠進(jìn)行真空排氣的處理容器內(nèi)載置被實(shí)施等離子 體處理的被處理體，并且能夠被施加高頻電壓，所述方法的特征在于 在所述靜電吸盤的吸盤電極上，施加多種直流電壓中的電壓高的第一 直流電壓，并且在施加所述第一直流電壓的同時、或在施加之前使所 述載置臺接地，從施加所述第一直流電壓開始經(jīng)過規(guī)定時間時，切換 為電壓比所述第一直流電壓低的第二直流電壓進(jìn)行施加，從切換為所 述第二直流電壓開始經(jīng)過了規(guī)定時間時切斷所述載置臺的接地，在切 斷所述載置臺的接地之后，向所述載置臺施加高頻電壓。
權(quán)利要求24的發(fā)明是權(quán)利要求23所述的發(fā)明，其特征在于從施 加所述第一直流電壓開始的所述規(guī)定的時間被預(yù)先確定。
權(quán)利要求25的發(fā)明是權(quán)利要求23所述的發(fā)明，其特征在于從施
加所述第一直流電壓開始的所述規(guī)定的時間是，在開始向所述吸盤電 極施加所述第一直流電壓之后至所述吸盤電極的電位達(dá)到額定電壓為 止的期間以下的長度。
權(quán)利要求26的發(fā)明是權(quán)利要求23 25中任一項(xiàng)所述的發(fā)明，其特
征在于從切換為所述第二直流電壓開始的所述規(guī)定的時間是，至所
述載置臺的電位穩(wěn)定為止的時間。
采用本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)、使用該載置臺機(jī)構(gòu)的等離子體處理裝 置和向靜電吸盤施加電壓的方法，能夠發(fā)揮如下的優(yōu)越作用效果。
根據(jù)本發(fā)明，在載置臺機(jī)構(gòu)中，在閉合吸盤用開關(guān)部向吸盤電極 施加直流電壓時，閉合使直流成分檢測電路旁通而使載置臺接地的旁 路用開關(guān)部，而且，在打開吸盤用開關(guān)部而切斷施加在吸盤電極上的 直流電壓時也閉合使直流成分檢測電路旁通而使載置臺接地的旁路用 開關(guān)部，因此，能夠減小在向吸盤電極施加直流電壓時和切斷施加在 吸盤電極上的直流電壓時的吸盤等效電路的時間常數(shù)，其結(jié)果是，使 對吸盤電極的電荷的蓄積和電荷的釋放各自迅速地進(jìn)行，能夠提高產(chǎn) 品的生產(chǎn)率、提高處理能力。


圖l是表示使用了本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的等離子體處理裝置的第 一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示吸盤用開關(guān)部和旁路用開關(guān)部的切換時機(jī)、與吸盤電極 的電位和高頻電力的施加的時機(jī)的關(guān)系的時序圖。
圖3是表示載置臺機(jī)構(gòu)的靜電吸盤上的相對于直流電壓的吸盤等 效電路的圖。
圖4是表示吸盤電極的電位變化的圖。
圖5是表示本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第二實(shí)施方式的主要部分的結(jié) 構(gòu)圖。
圖6是表示本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第三實(shí)施方式的主要部分的結(jié) 構(gòu)圖。
圖7是表示本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第四實(shí)施方式的主要部分的結(jié) 構(gòu)圖。
圖8是表示本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第五實(shí)施方式的主要部分的結(jié) 構(gòu)圖。
圖9是表示從開始向吸盤電極施加電壓到達(dá)到設(shè)定電壓為止的時 間和載置臺面積的關(guān)系的圖。
圖10是表示本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第六實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。
圖ll是表示在向吸盤電極施加直流電壓之后的作為電位監(jiān)視部的 點(diǎn)P1的電位的變化的圖表。
圖12是表示各開關(guān)部的切換的時機(jī)與電位監(jiān)視部的電壓和吸盤施 加電壓的變化的時序圖。
圖13是用于說明第六實(shí)施方式中的動作的流程圖。
圖14是表示本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第七實(shí)施方式的主要部分的結(jié) 構(gòu)圖。
圖15是表示直流高壓電源的變形例的圖。 圖16是表示現(xiàn)有的等離子體處理裝置的一例的結(jié)構(gòu)圖。
符號的說明
46 電容器(電容元件)50 等離子體處理裝置
52 處理容器
60 排氣機(jī)構(gòu)
68 噴淋頭部(氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu))
80 載置臺機(jī)構(gòu)
84 載置臺
86 靜電吸盤
92 高頻電源
94 檢測線
96 直流成分檢測電路
98 高頻切斷用線圈
100第一電阻
102第二電阻
108 旁路線
110旁路用開關(guān)部
112開關(guān)控制部
114 吸盤電極
116供電線
118 濾波部
120直流高壓電源
122高頻切斷用線圈(感應(yīng)元件)
124吸盤用開關(guān)部
126裝置控制部
130高頻切斷用線圈(感應(yīng)元件)
150電位監(jiān)視部
152電源控制部
154A第一電源部
154B第二電源部
156開關(guān)部
W 玻璃基板(被處理體)
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)、使用該載置臺機(jī)構(gòu)的等 離子體處理裝置和向靜電吸盤施加電壓的方法的一個優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn) 行詳細(xì)說明。
(第一實(shí)施方式)
圖l是表示使用了本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的等離子體處理裝置的第 一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。在此，作為等離子體處理，以對玻璃基板進(jìn)行 等離子體蝕刻處理的情況為例進(jìn)行說明。
如圖l所示，該等離子體處理裝置50具有例如由鋁合金構(gòu)成的處理 容器52，該處理容器52接地。在該處理容器52的側(cè)壁上形成有用于使 被處理體W通過的開口54，在該開口54上安裝有將其氣密地開閉的閘 閥56。
此外，在處理容器52的底部的周邊設(shè)置有排氣口58，在該排氣口 58上設(shè)置有對處理容器52內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣機(jī)構(gòu)60。具體而言， 該排氣機(jī)構(gòu)60具有與上述排氣口58連接的排氣線路62，在該排氣線路 62上依次插設(shè)有壓力調(diào)整閥64和真空泵66，能夠?qū)μ幚砣萜?2內(nèi)抽真 空、并且維持在規(guī)定的壓力。
此外，在處理容器52的頂部，作為向該處理容器52內(nèi)導(dǎo)入必要的 氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，設(shè)置有例如由鋁合金構(gòu)成的噴淋頭部68。在該 噴淋頭部68的上部設(shè)置有氣體入口70，在該氣體入口70上，經(jīng)由氣體 線路72連接有氣體源74。而且，在該氣體線路72的中途插設(shè)有如質(zhì)量 流量控制器那樣的流量控制器76，用以控制流量并流通必要的氣體例 如蝕刻氣體。
在上述噴淋頭部68的下表面的氣體噴射面上，形成有多個氣體噴 出孔78，用以向其下方的處理空間S供給上述被供給的氣體。而且，在 該處理容器52內(nèi)，以和上述噴淋頭部68對置的方式設(shè)置有本發(fā)明的載 置臺機(jī)構(gòu)80。
具體而言，該載置臺機(jī)構(gòu)80主要包括例如由鋁等導(dǎo)電材料構(gòu)成的 載置臺84和設(shè)置在其上表面?zhèn)鹊撵o電吸盤86，其中，載置臺84隔著例 如由氧化鋁等陶瓷材料構(gòu)成的絕緣材料82設(shè)置在處理容器52的底部。 而且，在該靜電吸盤86上，作為被處理體載置例如液晶顯示裝置用的
16玻璃基板W，能通過靜電力吸附該玻璃基板W。在此，上述玻璃基板W
的大小設(shè)定為例如縱橫各為3mx3m左右的大小，是非常大的尺寸。在 此，作為上述導(dǎo)電材料，除了例如鋁等金屬之外，還能夠使用不銹鋼 等合金、碳、以及它們的復(fù)合材料等。
這樣，上述噴淋頭部68和載置臺84被對置地配置，分別構(gòu)成上部 電極和下部電極而成為平行平板型的等離子體電極。具體而言，在上 述載置臺84上，連接有高頻線88，在該高頻線88上依次插設(shè)有匹配電 路90和例如13.56MHz的高頻電源92，通過高頻電力產(chǎn)生等離子體。
此外，在上述載置臺84上，經(jīng)由檢測線94設(shè)置有直流成分檢測電 路96。而且，也可以使該檢測線94在匹配電路90的下游側(cè)分支而設(shè)置， 其中，匹配電路90設(shè)置在上述高頻線88上。該直流成分檢測電路96在 上述檢測線94上依次串聯(lián)地連接高頻切斷用線圈98、第一電阻100和第 二電阻102而構(gòu)成，在上述高頻切斷用線圈98和第一電阻100的連接點(diǎn) 處分出電容器104，并將該電容器104的另一端接地。而且，通過使用 測定部106測定上述第二電阻102的電壓降，能夠檢測并識別等離子體 處理中的載置臺84的直流成分。
而且，通過上述高頻切斷用線圈98和電容器104切斷來自載置臺84 的高頻電力。此外，該直流成分檢測電路96還具有用于在等離子體處 理結(jié)束而停止施加高頻電力時將被充電到吸盤電極86和載置臺84的電
荷釋放的功能。
而且，在上述檢測線94上，設(shè)置有作為本發(fā)明的特征的旁路線108， 將該檢測線94的上述直流成分檢測電路96的上游側(cè)和下游側(cè)連接。而 且，在該旁路線108的中途設(shè)置有旁路用開關(guān)部110，在必要時，即如 后所述，在接通、斷開向靜電吸盤86施加的直流電壓時，閉合該旁路 用開關(guān)部IIO，使得上述載置臺84直接接地而不通過電阻和線圈。該旁 路用開關(guān)部110的開閉動作的控制通過開關(guān)控制部112進(jìn)行。
此外，上述靜電吸盤86將吸盤電極114埋入由聚酰亞胺類樹脂或陶 瓷構(gòu)成的板狀絕緣材料的內(nèi)部而構(gòu)成。而且，從該吸盤電極114延伸出 供電線116，在該供電線116上，經(jīng)由用于阻止高頻電力進(jìn)入的濾波部 118，連接有直流高壓電源120。
而且，通過將產(chǎn)生自該直流高壓電源120的高的直流電壓施加在上述吸盤電極114上，使得以靜電力吸附該靜電吸盤86上的玻璃基板W。 該直流高壓電源120的輸出電壓例如為3kV左右，但是并不限定于此。 在此，上述濾波部118由感應(yīng)元件、即高頻切斷用線圈122構(gòu)成。
而且，通過該高頻切斷用線圈122，能夠阻止施加在載置臺84上的 高頻電力繞入直流高壓電源120。此外，在該供電線116的濾波部118的 下游側(cè)，設(shè)置有用于接通、斷開直流高壓電源120的吸盤用開關(guān)部124。
該吸盤用開關(guān)部124的開閉動作的控制也由上述開關(guān)控制部112進(jìn) 行。此外，通過由計算機(jī)構(gòu)成的裝置控制部126進(jìn)行該等離子體處理裝 置50的動作整體的控制，例如處理壓力的控制、供給氣體的供給開始、 供給停止的控制、高頻電力施加的控制、相對于開關(guān)控制部112的各開 關(guān)部的開閉動作的指示等。此外，進(jìn)行該動作控制所需的計算機(jī)能夠 讀取的計算機(jī)程序被存儲在存儲介質(zhì)128中。該存儲介質(zhì)128由軟盤、 CD (CompactDisc:光盤)、CD-ROM、硬盤、閃速存儲器或DVD等構(gòu) 成。另外，雖然未圖示，但是在上述載置臺機(jī)構(gòu)80上設(shè)置有在搬出搬 入被處理體時接收被處理體的未圖示的升降銷。
接著，參照圖2和圖3對使用以上述方式構(gòu)成的等離子體處理裝置 50進(jìn)行的等離子體蝕刻處理進(jìn)行說明。圖2是表示吸盤用開關(guān)部和旁路 用開關(guān)部的切換的時機(jī)與吸盤電極的電位以及高頻電力的施加的時機(jī) 的關(guān)系的時序圖，圖3是表示載置臺機(jī)構(gòu)的靜電吸盤中的相對于直流電 壓的吸盤等效電路的圖。
首先，對整體的流程進(jìn)行說明，將作為被處理基板的玻璃基板W 經(jīng)打開的閘閥56和開口54搬入處理容器52內(nèi)，通過升降未圖示的升降 銷將其載置在載置臺84上，將處理容器52內(nèi)密封。
然后，當(dāng)玻璃基板W被載置在載置臺84上時，閉合上述吸盤用開 關(guān)部124，從上述直流高壓電源120向靜電吸盤86的吸盤電極114施加較 高的直流電壓，在該吸盤電極114上充分地蓄積電荷，利用靜電力穩(wěn)定 地吸附玻璃基板W。在此，在閉合上述吸盤用開關(guān)部124時，也使旁路 用開關(guān)部110僅在規(guī)定期間處于閉合狀態(tài)。接著，在進(jìn)行吸附之后，由 高頻電源92施加高頻電力，并且從噴淋頭部68流出規(guī)定的氣體如蝕刻 氣體，通過上述高頻電力在處理空間S生成等離子體，利用等離子體進(jìn) 行蝕刻處理。
18此外，在等離子體處理中，通過在處理空間S生成的等離子體的作
用而產(chǎn)生電位，由于該電位而在檢測線94中流動電流，該電位經(jīng)過直 流成分檢測電路96的線圈98、第一電阻100和第二電阻102流入接地側(cè)。 而且，通過以測定部106測定電流在上述第二電阻102中流動時發(fā)生的 電壓降，檢測載置臺84的直流電壓。
此外，此時，通過上述線圈98和電容器104的作用，阻止施加在載 置臺84上的高頻電力轉(zhuǎn)入而流到直流成分檢測電路96側(cè)。此外，同樣 地，通過設(shè)置在供電線116上的高頻切斷用線圈122的作用，阻止施加 在載置臺84上的高頻電力轉(zhuǎn)入而流到直流成分檢測電路120側(cè)。
然后，在上述蝕刻處理結(jié)束時，停止供給蝕刻氣體，并且切斷施 加在載置臺84上的高頻電力。進(jìn)一步，打開上述吸盤用開關(guān)部124，切 斷施加在靜電吸盤86的吸盤電極114上的高的直流電壓，并且，通過直 流成分檢測電路96將蓄積在吸盤電極114和載置臺84上的電荷充分地 放電。在此，在打開上述吸盤用開關(guān)部124時，使旁路用開關(guān)部110僅 在規(guī)定的期間處于閉合狀態(tài)。然后，在所蓄積的電荷的放電結(jié)束之后， 取出上述玻璃基板。
在此，在現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，在閉合圖16所示的吸盤用 開關(guān)部45向吸盤電極34施加較高的直流電壓時，至在吸盤電極34和載 置臺10上蓄積電荷而產(chǎn)生足夠的靜電力為止所需的時間(電荷蓄積時 間)較長，此外，為了結(jié)束等離子體處理而至打開吸盤用開關(guān)部45將 蓄積在吸盤電極34和載置臺10中的電荷充分地放電為止所需的時間 (電荷放電時間)也較長，但是在使用本發(fā)明的等離子體處理裝置50 的情況下，能夠大幅度縮短上述電荷蓄積時間和電荷放電時間。
艮卩，在將吸盤用開關(guān)部124從打開狀態(tài)切換為閉合狀態(tài)時和從閉合 狀態(tài)切換為打開狀態(tài)時，將設(shè)置在旁路線108上的旁路用開關(guān)部110僅 在規(guī)定期間維持在閉合狀態(tài)，使載置臺84直接接地而不經(jīng)由包含電阻 成分的上述直流成分檢測電路96，使吸盤等效電路的電阻成分盡量小。 具體而言，上述開關(guān)控制部112進(jìn)行控制，使得在將上述吸盤用開關(guān)部 124切換為閉合狀態(tài)時，與該切換同時或在切換之前，將上述旁路用開 關(guān)部110切換為閉合狀態(tài)。
此外，上述開關(guān)控制部112進(jìn)行控制，使得在將上述吸盤用開關(guān)部124切換為打開狀態(tài)時，與該切換同時或在切換之前，將上述旁路用開 關(guān)部110切換為閉合狀態(tài)。其結(jié)果是，吸盤等效電路的時間常數(shù)變小， 相應(yīng)地，能夠迅速地對吸盤電極114和載置臺84進(jìn)行電荷蓄積和電荷放 電。此外，開關(guān)控制部112進(jìn)行控制，使得在上述吸盤用開關(guān)部124從 打開狀態(tài)切換至閉合狀態(tài)、或從閉合狀態(tài)切換至打開狀態(tài)之后，在經(jīng) 過了規(guī)定的時間時將旁路用開關(guān)部110從閉合狀態(tài)切換為打開狀態(tài)。
在此，參照圖2，對吸盤用開關(guān)部124和旁路用開關(guān)部110的切換的 時機(jī)、吸盤電極114的電位和施加高頻電力的時機(jī)的關(guān)系進(jìn)行說明。如 圖2所示，在將圖2 (A)所示的吸盤用開關(guān)部124從打開狀態(tài)切換為閉 合狀態(tài)時和從閉合狀態(tài)切換為打開狀態(tài)時，如圖2 (B)所示，以跨過 其切換點(diǎn)的方式將旁路用開關(guān)部110維持在閉合狀態(tài)，通過使直流成分 檢測電路96旁通，使此時的吸盤等效電路的時間常數(shù)小。
在此情況下，可以在切換吸盤用開關(guān)部124的開閉的同時將旁路用 開關(guān)部110切換為閉合，但是在將吸盤用開關(guān)部124切換為閉合之后， 至少在規(guī)定的時間T1維持上述旁路用開關(guān)部110的閉合狀態(tài)，至在吸盤 電極114和載置臺84上充分蓄積電荷而使靜電力穩(wěn)定為止(參照圖2 (C))。該規(guī)定的時間T1與吸盤電極114的面積相關(guān)，為幾秒至十幾秒。
此外，在現(xiàn)有的裝置例中，通過向吸盤電極114進(jìn)行充電而蓄積電 荷，載置臺84的電位隨之變動，在此狀態(tài)下如果施加高頻電壓，則有 發(fā)生異常放電的危險，但在本實(shí)施方式中，因?yàn)樵谑┘痈哳l電壓之前， 旁路用開關(guān)部110被閉合而接地，所以能夠?qū)⑤d置臺84的電位穩(wěn)定在接 地電位，而且，因?yàn)槭窃诖藸顟B(tài)施加高頻電壓，所以能夠抑制異常放 電的發(fā)生。
此外，同樣，在將吸盤用開關(guān)部124切換為打開之后，至少在規(guī)定 的時間T2維持上述旁路用開關(guān)部110的閉合狀態(tài)，至蓄積在吸盤電極 114和載置臺84上的電荷被充分地放電為止(參照圖2 (C))。該規(guī)定的 時間T2與吸盤電極114的面積相關(guān)，為幾秒至十幾秒。而且，如圖2(D) 所示，高頻電力在靜電力穩(wěn)定之后被施加在載置臺84上。此外，在等 離子體處理中，旁路用開關(guān)部110處于打開狀態(tài)，直流成分檢測電路96 發(fā)揮作用，測定載置臺84的直流電壓。
在此，參照圖3和圖4，對上述吸盤用開關(guān)部124開閉時(旁路用開關(guān)部110也為閉合狀態(tài))的吸盤等效電路進(jìn)行說明。圖3是表示載置臺 機(jī)構(gòu)的靜電吸盤上的相對于直流電壓的吸盤等效電路的圖，圖4是表示 吸盤電極的電位的變化的圖。
如圖3所示，為吸盤用開關(guān)部124開閉時(旁路用開關(guān)部110也處于 閉合狀態(tài))的直流高壓電源120的電動勢E、電阻成分R和電容成分C的 串聯(lián)電路。在此，因?yàn)橹绷鞒煞謾z測電路96被旁通，所以電阻成分R實(shí) 質(zhì)上只是設(shè)置在供電線116上的高頻切斷用線圈122的電阻成分，非常 小。此外，電容成分C取決于吸盤電極114的面積和載置臺84的上表面 的面積，由于依賴于裝置的大小，所以一旦裝置的尺寸被決定則固定 不變。
圖4 (A)表示將吸盤用開關(guān)部124從打開向閉合切換時的狀態(tài)，圖 4 (B)表示將吸盤用開關(guān)部124從閉合向打開切換時的狀態(tài)。而且，為 了參考，在圖4中，用虛線表示使用現(xiàn)有的等離子體處理裝置的情況。
在此，吸盤電極114的電位e (t)由以下的式子確定。
e(t),-e(崔c)]
此處，e表示自然對數(shù)(exp), RC表示時間常數(shù)，t表示時間。
如上所述，與現(xiàn)有的等離子體處理裝置相比，因?yàn)殡娮璩煞諶變得 非常小，所以時間常數(shù)"RC"變得非常小。因此，如圖4 (A)和圖4 (B) 所示，在本發(fā)明的情況下，至穩(wěn)定為止的過渡時間非常短。
將吸盤電極的大小設(shè)定為縱橫3mx3m進(jìn)行模擬，結(jié)果是，在現(xiàn)有 的裝置的情況下，至穩(wěn)定為止的時間L1為60秒左右，與此相對，在本 發(fā)明的情況下，至穩(wěn)定為止的時間L2為10秒左右，可以確認(rèn)為能夠縮 短電荷蓄積時間和電荷放電時間。
而且，在圖16所示的現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，電阻成分為第 一電阻26、第二電阻28、電阻44、和線圈24、 42的電阻成分，其數(shù)值 與本發(fā)明的情況相比是非常大的值。此外，因?yàn)檠b置被設(shè)定為相同的 尺寸，所以本發(fā)明的裝置和現(xiàn)有的裝置的電容成分C相同。
這樣，在本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)80中，在閉合吸盤用開關(guān)部124向吸 盤電極114施加直流電壓時，閉合使直流成分檢測電路96旁通而使載置 臺84接地的旁路用開關(guān)部110，而且，在打開吸盤用幵關(guān)部124而切斷 施加在吸盤電極114上的直流電壓時，也閉合使直流成分檢測電路96旁通而使載置臺84接地的旁路用開關(guān)部110，因此，能夠減小在向吸盤電 極114施加直流電壓時和切斷施加在吸盤電極114上的直流電壓時的吸 盤等效電路的時間常數(shù)，其結(jié)果是，能夠使對吸盤電極114的電荷的蓄 積和電荷的釋放各自迅速地進(jìn)行，能夠提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率、提高處理 能力。
此外，因?yàn)橛糜谧柚垢哳l電力進(jìn)入直流高壓電源120的濾波部118 只由作為感應(yīng)元件的高頻切斷用線圈122構(gòu)成，所以與現(xiàn)有的等離子體 處理裝置相比較，能夠相應(yīng)地減小吸盤等效電路中的電阻成分R (參照 圖3)，從而進(jìn)一步減小時間常數(shù)，其結(jié)果是，能夠縮短電荷蓄積時間 和電荷放電時間，進(jìn)一步提高處理能力。 (第二實(shí)施方式)
接著，說明本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第二實(shí)施方式。圖5是表示本發(fā) 明的載置臺機(jī)構(gòu)的第二實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。另外，對于與 圖1和圖16所表示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注相同的參照符號并 省略其說明。
在上述第一實(shí)施方式中，連接在直流高壓電源120上的濾波部118 由作為感應(yīng)元件的高頻切斷用線圈122構(gòu)成，而且通過中間插設(shè)有旁路 用開關(guān)部110的旁路線108使直流成分檢測電路96在必要時旁通，但并 不僅限于此，也可以與圖16所示的現(xiàn)有的裝置同樣地構(gòu)成上述濾波部 118。
艮卩，如圖5所示，在此采用如下結(jié)構(gòu)，與圖16所示的濾波部38相同 地，令濾波部118與高頻切斷用線圈42和電阻44串聯(lián)連接，在兩者的連 接點(diǎn)處分出電容器46并使其另一端接地。
在此情況下，吸盤用開關(guān)部124和旁路用開關(guān)部110的開閉操作與 對圖2所作的說明的情況相同。在此第二實(shí)施方式的情況下，與上述第 一實(shí)施方式的情況相同，也能夠減小在向吸盤電極114施加直流電壓時 和切斷施加在吸盤電極114上的直流電壓時的吸盤等效電路的時間常 數(shù)，其結(jié)果是，能夠使對吸盤電極114的電荷的蓄積和電荷的釋放各自 迅速地進(jìn)行，能夠提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率、提高處理能力。
不過，與第一實(shí)施方式的情況相比，在此第二實(shí)施方式的情況下， 增加了濾波部118的直流成分(電阻44)，相應(yīng)地，時間常數(shù)增大，其
22結(jié)果是，電荷蓄積時間和電荷放電時間比在第一實(shí)施方式的情況下稍 欠迅速性。
(第三實(shí)施方式)
接著，說明本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第三實(shí)施方式。圖6是表示本發(fā) 明的載置臺機(jī)構(gòu)的第三實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。另外，對于與
圖l、圖5和圖16所表示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注相同的參照 符號并省略其說明。
在之前的圖5所示的第二實(shí)施方式中，濾波部118構(gòu)成為和圖16所 示的現(xiàn)有的裝置相同，但并不僅限于此，也可以如圖6所示的那樣，設(shè) 置另外的高頻切斷用線圈130代替上述濾波部118中的電阻44。 g卩，在 這樣的情況下，濾波部118由作為感應(yīng)元件的高頻切斷用線圈42、 130 和作為電容元件的電容器46構(gòu)成。在這樣的情況下，利用兩個高頻切 斷用線圈42、 130切斷高頻。
在此情況下，吸盤用開關(guān)部124和旁路用開關(guān)部110的開閉操作與 對圖2所作的說明的情況相同。在此第三實(shí)施方式的情況下，與上述第 一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的情況相同，也能夠減小在向吸盤電極114 施加直流電壓時和切斷施加在吸盤電極114上的直流電壓時的等效電 路的時間常數(shù)，其結(jié)果是，能夠使對吸盤電極114的電荷的蓄積和電荷 的釋放各自迅速地進(jìn)行，能夠提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率、提高處理能力。
不過，與第二實(shí)施方式的情況相比，在此第三實(shí)施方式的情況下， 減少了作為濾波部118的電阻成分的電阻44，相應(yīng)地，時間常數(shù)減小，
其結(jié)果是，電荷蓄積時間和電荷放電時間能夠比第二實(shí)施方式的情況 更短。
(第四實(shí)施方式)
接著，說明本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第四實(shí)施方式。圖7是表示本發(fā) 明的載置臺機(jī)構(gòu)的第四實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。另外，對于與 圖l、圖5、圖6和圖16所表示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分，標(biāo)注相同的 參照符號并省略其說明。
在上述第三實(shí)施方式中，連接在直流高壓電源120上的濾波部118 由作為感應(yīng)元件的高頻切斷用線圈42、 130和作為電容元件的電容器46 構(gòu)成，而且通過中途插設(shè)有旁路用開關(guān)部110的旁路線108使直流成分檢測電路96在必要時旁通，但并不僅限于此，也可以如圖7所示，不設(shè) 置上述旁路線108和旁路用開關(guān)部110。
在此情況下，吸盤用開關(guān)部124的開閉操作與對圖2所作的說明的 情況相同，但是在此第四實(shí)施方式中不使用圖2 (B)所示的旁路用開 關(guān)部IIO。在此第四實(shí)施方式的情況下，也與上述第一實(shí)施方式的情況 相同，能夠減小在向吸盤電極114施加直流電壓時和切斷施加在吸盤電 極114上的直流電壓時的等效電路的時間常數(shù)，其結(jié)果是，能夠使對吸 盤電極114進(jìn)行的電荷的蓄積和電荷的釋放各自迅速地進(jìn)行，能夠提高 產(chǎn)品的生產(chǎn)率、提高處理能力。
不過，與第三實(shí)施方式的情況相比，在此第四實(shí)施方式的情況下， 增加了直流成分檢測電路96的直流成分(電阻IOO、 102)，相應(yīng)地，時 間常數(shù)增大，其結(jié)果是，電荷蓄積時間和電荷放電時間比第三實(shí)施方 式的情況稍欠迅速性。但是，在此第四實(shí)施方式的情況下，與圖16所 示的現(xiàn)有裝置相比較，通過以高頻切斷用線圈130替換濾波部38的電阻 44，相應(yīng)地，電阻成分減少，因此，其結(jié)果為，能夠縮短電荷蓄積時 間和電荷放電時間。 (第五實(shí)施方式)
接著，說明本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第五實(shí)施方式。圖8是表示本發(fā) 明的載置臺機(jī)構(gòu)的第五實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。另外，對于與 圖l所表示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注相同的參照符號并省略其 說明。
在上述第一^^第四實(shí)施方式中，作為上部電極的噴淋頭部68處于 接地狀態(tài)，但是并不僅限于此，也可以在該噴淋頭部68上施加高頻電 力。作為代表，圖8示出使用圖1所示的裝置在噴淋頭部68上施加高頻 電力的情況的結(jié)構(gòu)，但在此說明的結(jié)構(gòu)，能夠適用于第一 第四的所 有的實(shí)施方式。即，如圖8所示，在此，作為氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的噴淋頭部 68隔著絕緣部件134被安裝在處理容器52的頂部。
而且，在此噴淋頭部68上，連接有高頻線136，在該高頻線136的 中途插設(shè)有匹配電路138，并在另一端連接有高頻電源140。該高頻電 源140的頻率能夠使用例如450kHz等。其結(jié)果是，在此第五實(shí)施方式中， 能夠在作為上部電極的噴淋頭部68和作為下部電極的載置臺84這兩者上，分別通過各自不同的電源施加高頻電力。
在此情況下，吸盤用開關(guān)部124和旁路用開關(guān)部110的開閉操作與 對圖2所作的說明的情況相同。在此第五實(shí)施方式的情況下，與上述第 一實(shí)施方式的情況相同，也能夠減小在向吸盤電極114施加直流電壓時 和切斷施加在吸盤電極114上的直流電壓時的等效電路的時間常數(shù)，其 結(jié)果是，能夠使對吸盤電極114進(jìn)行的電荷的蓄積和電荷的釋放各自迅 速地進(jìn)行，能夠提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率、提高處理能力。另外，在此第五 實(shí)施方式中，也可以不設(shè)置連接在載置臺84上的高頻電源92 (也包括 匹配電路卯)而將其省略。
(對吸盤電極的電位變化的評價)
在此，針對從開始向吸盤電極114施加電壓之后到吸盤電極114達(dá) 到設(shè)定電壓為止的時間，使吸盤電極的面積(載置臺的面積)變化而 進(jìn)行了模擬，以下對該模擬的評價結(jié)果進(jìn)行說明。
圖9是表示從開始向吸盤電極施加電壓至達(dá)到設(shè)定電壓為止的時 間和載置臺面積的關(guān)系的圖。在此，作為評價的對象，列舉了圖l所示 的第一實(shí)施方式(使濾波電阻變更為線圈、并且使直流成分檢測電路 旁通)、圖5所示的第二實(shí)施方式(使直流成分檢測電路旁通)和圖7所 示的第四實(shí)施方式(使濾波電阻變更為線圈)。此外，作為比較例，對 圖16所示的現(xiàn)有裝置也進(jìn)行了評價。
圖9 (A)表示從開始向吸盤電極施加電壓至達(dá)到設(shè)定電壓為止的 達(dá)到時間，圖9 (B)表示以現(xiàn)有裝置的達(dá)到時間為基準(zhǔn)時的各達(dá)到時 間的縮短比例。在此，使載置臺面積(—吸盤電極面積)在0.2m2 8.7m2 之間進(jìn)行各種變化。另夕卜，將對吸盤電極114施加的電壓設(shè)定為3000V。
如圖9 (A)所示，如果從0.2m2到8.7m2順次增大地設(shè)定載置臺面 積，則達(dá)到設(shè)定電壓為止的達(dá)到時間也逐漸變長。這是因?yàn)樵谖P電 極和載置臺之間形成的電容成分逐漸變大。
在此，對載置臺面積相同的情況下的各實(shí)施方式進(jìn)行研究，在例 如載置臺面積為8.7m2的情況下，第一實(shí)施方式中的達(dá)到時間為13.5sec， 第二實(shí)施方式中的達(dá)到時間為29.5 sec，第四實(shí)施方式中的達(dá)到時間為 44.3 sec，比較例為58.3sec。因此，能夠理解為，達(dá)到時間的縮短效果 良好的順序?yàn)?，第一?shí)施方式、第二實(shí)施方式和第四實(shí)施方式的順序，其中，第一實(shí)施方式為最好。在載置臺面積為0.2m2 8.7m2的所有的情 況下都是如此。
在此，如圖9 (B)所示，如果著眼于以現(xiàn)有裝置的達(dá)到時間為基 準(zhǔn)的各達(dá)到時間的縮短比例，則與載置臺面積無關(guān)，在各實(shí)施方式中 為一定的。S卩，第一實(shí)施方式的縮短比例與載置臺面積無關(guān)，為23 25%,第二實(shí)施方式的縮短比例與載置臺面積無關(guān)，為51 53%，第四 實(shí)施方式的縮短比例與載置臺面積無關(guān)，為76 78%。
因此，如上所述，因?yàn)檫_(dá)到時間的縮短比例與載置臺面積(—吸 盤電極面積)無關(guān)而大致一定，所以越是載置臺面積大的等離子體處 理裝置，被縮短的時間越多。其結(jié)果是，能夠理解為，如果將本發(fā)明 應(yīng)用于對縱橫例如為3mx3m左右大小這樣的大面積的玻璃基板進(jìn)行等 離子體處理這樣的等離子體處理裝置，則能夠非常大幅地提高上述達(dá) 到時間的縮短效果。 (第六實(shí)施方式)
接著，說明本發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第六實(shí)施方式。圖10是表示本 發(fā)明的載置臺機(jī)構(gòu)的第六實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。另外，對于 與之前的實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注相同的參照符號并省略其說 明。
在以上的各實(shí)施方式中，直流高壓電源120的輸出電壓恒定，例如 為3kV，但是并不限定于此，也可以使得能夠施加能夠切換輸出的多種 直流電壓。而且，在吸盤電極114上蓄積電荷的情況下，也可以首先施 加電壓高的直流電壓，在經(jīng)過一段時間之后進(jìn)行切換，施加通常的電 壓低的直流電壓，以這樣的方式，迅速地進(jìn)行對吸盤電極的電荷的蓄 積(充電)。
圖10表示這樣的第六實(shí)施方式的主要部分。如圖10所示，在該第 六實(shí)施方式中，直流高壓電源120能夠輸出能夠切換的多種直流電壓進(jìn) 行施加。在此，該直流高壓電源120例如其輸出電壓能夠變化，例如能 夠在3kV 5kV的范圍內(nèi)輸出各種電壓的直流電壓。具體而言，在此， 如后所述，使用作為吸盤電極114的通常施加時的額定電壓的3kV和比 這更高的電壓5kV。
此外，在此第六實(shí)施方式中，在供電線116的中途、并在由電阻元件160構(gòu)成的濾波部118和吸盤用開關(guān)部124之間，具有用于檢測吸盤電 極114側(cè)的電位的電位監(jiān)視部150、和根據(jù)該電位監(jiān)視部150的輸出值控 制上述直流高壓電源120的電源控制部152。
上述電位監(jiān)視部150由電阻元件等形成，因?yàn)殡y以直接檢測吸盤電 極114的電位，所以，在此插設(shè)在濾波部118和吸盤用開關(guān)部124之間的 供電線116上。因此，該電位監(jiān)視部150的檢測值，會無法避免地發(fā)生 誤差，該誤差量為在其下游側(cè)(吸盤電極114側(cè))的濾波部118上的電 壓降的量。另外，雖然在實(shí)際的裝置中需要大的設(shè)計變化，但也可以 在比濾波部118更靠向下游側(cè)的供電線116的中途設(shè)置該電位監(jiān)視部 150，在這種情況下，能夠消除濾波部118的電壓降的誤差量。
此外，當(dāng)吸盤用開關(guān)部124被閉合時，上述電源控制部152從上述 開關(guān)控制部112接收其確認(rèn)的信號，并在從上述電位監(jiān)視部150送來的 檢測值達(dá)到規(guī)定的值時，從電壓高的第一直流電壓例如5kV切換為電壓 低的第二直流電壓例如3kV，并進(jìn)行輸出。
接著，對上述第六實(shí)施方式的動作進(jìn)行說明。首先，在說明具體 的動作之前，對電位的變化進(jìn)行說明，其中，該電位是指，在吸盤電 極114上最初施加高電壓、之后切換為低電壓時的上述電位監(jiān)視部150 的電位，即圖10中的點(diǎn)P1處的電位。圖ll是表示向吸盤電極施加直流 電壓之后的作為電位監(jiān)視部的點(diǎn)P1的電位的變化的圖表，在圖U (A) 中，以實(shí)線表示施加了3kV的恒定的直流電壓的情況下的變化，在圖ll (B)中，以實(shí)線表示僅在最初的很短的期間施加5kV的直流電壓、之 后切換為3kV進(jìn)行施加的情況下的變化。在此，作為吸盤電極114的特 性，其大小為縱橫3mx3m，額定電壓為3kV。此外，在圖11中，以單點(diǎn) 劃線表示吸盤電極114的電位的經(jīng)驗(yàn)預(yù)測值。
如圖ll (A)所示，在吸盤電極114上從最初開始以3kV施加了恒定 的直流電壓的情況下，隨著在吸盤電極114上的電荷的蓄積，點(diǎn)P1的電 位隨著其電路的時間常數(shù)而逐漸上升，經(jīng)過一定程度的時間后達(dá)到3kV 并穩(wěn)定下來。在此，達(dá)到和吸盤電極114的額定電壓相同的3kV為止所 需要的時間為15sec左右。另外，施加電壓同樣為3kV，在吸盤電極114 的大小為2.2mx2.5m的情況下為9.8sec，大小為2.0 mx2.3m的情況下為 8.0sec。與此相對，如圖ll (B)所示，僅在最初的規(guī)定的期間T4向吸盤電 極114施加5kV、即比吸盤電極114的額定電壓高的電壓的直流電壓(第 一直流電壓)，然后，經(jīng)過一段時間之后，施加3kV、即電壓低的直流 電壓(第二直流電壓)，在這樣的情況下，點(diǎn)Pl的電位比圖ll (A)的 情況更急速地上升，而且，在即將切換之前達(dá)到例如4kV左右的峰值， 經(jīng)過規(guī)定的期間T4切換為低電壓，由此，點(diǎn)P1的電位經(jīng)過峰值之后逐 漸降低，達(dá)到3kV并穩(wěn)定。
在此，著眼于吸盤電極114的電位，可知，當(dāng)點(diǎn)Pl的電位為4kV左 右時，吸盤電極114的電位達(dá)到作為額定電壓的3kV，此時，通過切換 為3kV的直流電壓，能夠?qū)⑽P電極114的電位保持在3kV不變。在此 第六實(shí)施方式中，使用如上所述的特性，更迅速地使吸盤電極114的電 位上升。
接著，對使用上述圖ll所示的特性的該第六實(shí)施方式的動作進(jìn)行 說明。圖12是表示各開關(guān)部的切換的時刻與電位監(jiān)視部150的電壓、吸 盤施加電壓的變化的時序圖，圖13是用于說明第六實(shí)施方式中的動作 的流程圖。
在圖12中，圖12 (A)的吸盤用開關(guān)部124的開閉動作、旁路用開 關(guān)部110的開閉動作、圖12 (C)的吸盤電極114的電位、圖12 (D)的 高頻電力的施加狀況，分別與圖2所示的情況相同。而且，圖12 (E) 表示由電位監(jiān)視部150檢測出的電位，圖12 (F)表示由直流高壓電源 120輸出的吸盤施加電壓。
首先，開關(guān)控制部112通過閉合設(shè)置在旁路線108的中途的旁路用 開關(guān)部IIO，使載置臺84接地(Sl)。接著，開關(guān)控制部112通過閉合設(shè) 置在供電線116的中途的吸盤用開關(guān)部124，開始從直流高壓電源120對 吸盤電極114施加第一直流電壓、即電壓高的直流電壓5kV(S2)。此夕卜， 也可以同時進(jìn)行步驟S1和步驟S2。
從這一時刻開始，進(jìn)入如之前在圖ll中所說明的狀態(tài)。g卩，通過 施加5kV，對吸盤電極114迅速地進(jìn)行充電，其電位急劇地上升。另外， 開關(guān)控制部112在閉合吸盤用開關(guān)部124時，將該主旨通知電源控制部 152，這是為了防止電源控制部152的誤動作。
接著，由設(shè)置在供電線116的中途的電位監(jiān)視部150檢測出的電位被輸入電源控制部152，該電源控制部152判斷由上述電位監(jiān)視部150檢 測出的電位是否達(dá)到預(yù)先確定的規(guī)定值、例如4kV，并待機(jī)至達(dá)到4kV
(S3的N0)，此處如果已達(dá)至U4kV (S3的YES)，則控制直流高壓電源 120，從第一直流電壓(5kV)切換為比其低的電壓即第二直流電壓
(3kV)進(jìn)行施加(S4)。該3kV是吸盤電極114的額定電壓。此時的吸 盤電極112的電位，如圖ll所說明的那樣為額定電壓的3kV左右，因此， 能夠更迅速地充電至額定電壓。
此外，在此，施力Q5kV的直流電壓的期間T4，如圖ll所說明的那樣， 結(jié)果為4sec左右。其中，4sec的時間當(dāng)然要根據(jù)靜電吸盤86的大小和第 一直流電壓的大小等而變化。
這樣，在切換為第二直流電壓之后，在直到載置臺84上的電位穩(wěn) 定為止的規(guī)定的時間T5、例如5 10sec左右的期間(S5的NO)待機(jī)， 如果已進(jìn)行上述規(guī)定的時間T5的待機(jī)(S5的YES)，則接著令旁路用開 關(guān)部110為打開狀態(tài)，切斷載置臺84的接地(S6)。上述規(guī)定的時間T5 是指，如上所述，至上述載置臺84的電位穩(wěn)定為止所需要的時間。然 后，接著向載置臺84施加來自高頻電源92的高頻電壓(S7)，進(jìn)行等離 子體處理。
這樣，在此第六實(shí)施方式中，在將電荷蓄積(充電)在吸盤電極 114上時，最初施加電壓高的第一直流電壓(例如5kV)，然后，經(jīng)過一 段時間之后，施加電壓比上述第一直流電壓低的第二直流電壓(例如 3kV)，因此，能夠更迅速地進(jìn)行向吸盤電極114的充電。在圖12 (C) 中，以單點(diǎn)劃線表示圖2 (C)的情況的吸盤電極114的電位的變化，與 圖2 (C)的情況相比，完成向吸盤電極114的充電能夠加快10sec左右。 另外，此第六實(shí)施方式除了未設(shè)置旁路線108的圖7的第四實(shí)施方式之 外，對之前的第一 第三和第五的所有實(shí)施方式都能應(yīng)用。 (第七實(shí)施方式)
接著，說明本發(fā)明的載置臺結(jié)構(gòu)的第七實(shí)施方式。圖14是表示本 發(fā)明的載置臺結(jié)構(gòu)的第七實(shí)施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。另外，對于 和之前的第六實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注相同的參照符號并省略 其說明。
在圖10所示的第六實(shí)施方式中，在供電線116的中途設(shè)置有電位監(jiān)視部150，參照該檢測值，電源控制部152進(jìn)行施加的直流電壓的切換， 但是，不僅限于此，在此第七實(shí)施方式中，在令上述吸盤用開關(guān)部124 為閉合狀態(tài)之后計測時間，在經(jīng)過了一定的時間時切換施加的直流電壓。
艮口，如圖14所示，在此，在供電線116上未設(shè)置如在圖10中所設(shè)置 的電位監(jiān)視部150，代之使電源控制部152具有定時器功能(未圖示)， 將從開關(guān)控制部112接受到已閉合吸盤用開關(guān)部124的主旨的信號的時 間作為起點(diǎn)，利用上述的定時器功能測定經(jīng)過的時間。然后，對該定 時器功能的計測時間已經(jīng)過規(guī)定的時間的情況作出響應(yīng)，該電源控制 部152對直流高壓電源120發(fā)出指令，使其從第一直流電壓(5kV)切換 為第二直流電壓(3kV)進(jìn)行輸出。
在此，用于上述切換的規(guī)定的時間是指，從開始向吸盤電極114施 加第一直流電壓后到該吸盤電極114的電位達(dá)到額定電壓為止的期間 以下的長度。在此，如從圖ll所示的圖表所求的那樣，上述規(guī)定的期 間被設(shè)定為例如4sec。通過由感應(yīng)元件構(gòu)成濾波部118，該4sec的時間 能夠進(jìn)一步縮短，如前所述，其根據(jù)吸盤電極114的大小和第一直流電 壓的大小等而變化，此外，上述規(guī)定的時間的設(shè)定也可變。
該第七實(shí)施方式的動作，在圖13所示的第六實(shí)施方式的流程圖的 步驟S3中，取代電位監(jiān)視部150的檢測值的判斷，在閉合吸盤用開關(guān)部 124之后判斷"是否經(jīng)過了規(guī)定的時間？"，除此點(diǎn)不同之外，第七實(shí)施 方式的動作的其它各步驟與圖13所示的流程圖相同。此外，各開關(guān)部 的切換時機(jī)和各電壓的變化的狀態(tài)也與圖13所示的時序圖相同。另外， 此第七實(shí)施方式除了未設(shè)置旁路線108的圖7的第四實(shí)施方式之外，對 之前的第一 第三和第五的所有的實(shí)施方式都能夠應(yīng)用。
但是，在圖10和圖14所示的第六、第七實(shí)施方式中，作為直流高 壓電源120使用了能夠使輸出電壓發(fā)生變化的可變電源，伹是也可以替 代它，如圖15所示的直流高壓電源的變形例那樣，并聯(lián)設(shè)置第一電源 部154A和第二電源部154B，其中，第一電源部154A輸出第一直流電壓、 例如5kV，第二電源部154B輸出第二直流電壓、例如3kV，通過由電源 控制部152控制的開關(guān)部156對這兩個電源部154A、 154B的輸出進(jìn)行切 換。當(dāng)然，在此，上述的5kV和3kV分別只是表示一個例子，這些數(shù)值
30不被限定。
此外，在上述圖10和圖14所示的第六實(shí)施方式和第七實(shí)施方式中， 為了使本發(fā)明容易理解，將開關(guān)控制部112和電源控制部152作為兩個 部件分別設(shè)置，但是，當(dāng)然也可以將它們設(shè)置為一體。
另外，在以上的各實(shí)施方式中，作為等離子體處理，以等離子體 蝕刻處理為例進(jìn)行了說明，但是，能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于具備靜電吸盤 并通過高頻電力生成等離子體而進(jìn)行等離子體處理的所有等離子體處 理裝置中。此外，在以上的各實(shí)施方式中，在載置臺84上未設(shè)置加熱 機(jī)構(gòu)，但也可以在該載置臺84上設(shè)置例如電阻加熱器作為加熱機(jī)構(gòu)， 將被處理體加熱至規(guī)定的溫度。
此外，此處，作為被處理體，以作為絕緣物的液晶顯示裝置用的 玻璃基板為例進(jìn)行了說明，但是并不僅限于此，也能夠在陶瓷基板等 其它絕緣物的基板或半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板)上應(yīng)用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種載置臺機(jī)構(gòu)，設(shè)置在能夠被真空排氣的處理容器內(nèi)，載置利用通過高頻電力產(chǎn)生的等離子體實(shí)施規(guī)定的等離子體處理的被處理體，該載置臺機(jī)構(gòu)的特征在于，包括用于載置所述被處理體的、由導(dǎo)電部件構(gòu)成的載置臺；配置在所述載置臺的上表面、為了吸附所述被處理體而在內(nèi)部設(shè)置有吸盤電極的靜電吸盤；為了施加產(chǎn)生靜電力的直流電壓而經(jīng)由供電線連接在所述吸盤電極上的直流高壓電源；插設(shè)在所述供電線的中途、在吸附所述被處理體時被閉合的吸盤用開關(guān)部；為了檢測在所述等離子體處理時施加在所述載置臺上的直流成分而被連接在所述載置臺上的直流成分檢測電路；旁通所述直流成分檢測電路的旁路線；插設(shè)在所述旁路線的中途、在將所述吸盤用開關(guān)部切換到閉合狀態(tài)時和切換到打開狀態(tài)時使所述直流成分檢測電路旁通從而使所述載置臺接地的旁路用開關(guān)部；和控制所述吸盤用開關(guān)部和所述旁路用開關(guān)部的開關(guān)控制部。
2. 如權(quán)利要求l所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 還包括插設(shè)在所述供電線的中途的濾波部，該濾波部用于阻止所述高頻電力進(jìn)入所述直流高壓電源。
3. 如權(quán)利要求2所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于-所述濾波部由電阻元件構(gòu)成，或者由電阻元件和電容元件構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求2所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述濾波部由感應(yīng)元件構(gòu)成，或者由感應(yīng)元件和電容元件構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于所述直流成分檢測電路經(jīng)由檢測線與所述載置臺連接。
6. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述開關(guān)控制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部切換到閉合狀態(tài)時，與該切換同時或在切換之前將所述旁路用開關(guān)部切換到閉 合狀態(tài)。
7. 如權(quán)利要求6所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述開關(guān)控制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部從打開狀態(tài)切換到閉合狀態(tài)之后經(jīng)過了規(guī)定時間時將所述旁路用開關(guān)部切換到 打開狀態(tài)。
8. 如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述開關(guān)控制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部切換到打開狀態(tài)時，與該切換同時或在切換之前將所述旁路用開關(guān)部切換到閉 合狀態(tài)。
9. 如權(quán)利要求8所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述開關(guān)控制部進(jìn)行控制，使得在將所述吸盤用開關(guān)部從閉合狀態(tài)切換到打開狀態(tài)之后經(jīng)過了規(guī)定時間時將所述旁路用開關(guān)部切換到 打開狀態(tài)。
10. —種載置臺機(jī)構(gòu)，設(shè)置在能夠被真空排氣的處理容器內(nèi)，載 置利用通過高頻電力產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理的被處 理體，該載置臺機(jī)構(gòu)的特征在于，包括-用于載置所述被處理體的、由導(dǎo)電部件構(gòu)成的載置臺；配置在所述載置臺的上表面、為了吸附所述被處理體而在內(nèi)部設(shè)置有吸盤電極的靜電吸盤；為了施加產(chǎn)生靜電力的直流電壓而經(jīng)由供電線連接在所述吸盤電 極上的直流高壓電源，在該供電線的中途設(shè)置有用于阻止高頻電力進(jìn) 入的濾波部；插設(shè)在所述供電線的中途、在吸附所述被處理體時被閉合的吸盤用開關(guān)部；為了檢測在所述等離子體處理時施加在所述載置臺上的直流成分 而被連接在所述載置臺上的直流成分檢測電路；和 控制所述吸盤用開關(guān)部的開關(guān)控制部，所述濾波部不包括電阻元件而由電容元件和感應(yīng)元件形成。
11. 如權(quán)利要求1或10所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于-所述直流高壓電源能夠施加能夠被切換的多種直流電壓， 還包括設(shè)置在所述供電線的中途、用于監(jiān)視所述吸盤電極側(cè)的電位的電 位監(jiān)視部；和電源控制部，對所述直流電源進(jìn)行控制，使得在所述吸盤用開關(guān) 部被閉合時施加所述多種直流電壓中的電壓高的第一直流電壓，并且 在所述電位監(jiān)視部的檢測值為規(guī)定的值時切換為電壓低的第二直流電 壓進(jìn)行施加。
12. 如權(quán)利要求1或10所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述直流高壓電源能夠施加能夠切換的多種直流電壓， 還包括控制所述直流高壓電源的電源控制部，所述電源控制部進(jìn)行控制，使得在所述吸盤用開關(guān)部被閉合時，最初施加所述多種直流 電壓中的電壓高的第一直流電壓，在經(jīng)過了規(guī)定的時間時切換為電壓 低的第二電壓進(jìn)行施加。
13. 如權(quán)利要求12所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述規(guī)定的時間是，開始向所述吸盤電極施加所述直流電壓之后至所述吸盤電極的電位達(dá)到額定電壓為止的期間以下的長度。
14. 如權(quán)利要求ll所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述第一直流電壓被設(shè)定為比所述吸盤電極的額定電壓高，所述第二直流電壓被設(shè)定為所述額定電壓。
15. 如權(quán)利要求ll所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述直流高壓電源的輸出電壓被做成可變，使得能夠輸出所述第一直流電壓和所述第二直流電壓。
16. 如權(quán)利要求ll所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述直流高壓電源具有輸出所述第一直流電壓的第一電源部和輸出所述第二直流電壓的第二電源部。
17. 如權(quán)利要求1或10所述的載置臺機(jī)構(gòu)，其特征在于 所述被處理體是絕緣物。
18. —種等離子體處理裝置，對被處理體進(jìn)行規(guī)定的等離子體處 理，其特征在于，包括能夠被真空排氣的處理容器；用于向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入必要的氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)； 對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣機(jī)構(gòu)；和 用于在所述處理容器內(nèi)載置所述被處理體的、權(quán)利要求1或10所述 的載置臺機(jī)構(gòu)。
19. 如權(quán)利要求18所述的等離子體處理裝置，其特征在于-所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)包括噴淋頭部，由該噴淋頭部和所述載置臺機(jī)構(gòu)的載置臺形成平行平板型的上部電極和下部電極。
20. 如權(quán)利要求19所述的等離子體處理裝置，其特征在于-在所述載置臺上連接有高頻電源。
21. 如權(quán)利要求18所述的等離子體處理裝置，其特征在于 在所述噴淋頭部連接有第二高頻電源。
22. 如權(quán)利要求18所述的等離子體處理裝置，其特征在于-所述被處理體是半導(dǎo)體基板或絕緣物基板。
23. —種向設(shè)置在載置臺的靜電吸盤施加電壓的方法，該載置臺在能夠被真空排氣的處理容器內(nèi)載置被實(shí)施等離子體處理的被處理體，并且能夠被施加高頻電壓，所述方法的特征在于在所述靜電吸盤的吸盤電極上，施加多種直流電壓中的電壓高的第一直流電壓，并且在施加所述第一直流電壓的同時、或在施加之前使所述載置臺接地，從施加所述第一直流電壓開始經(jīng)過規(guī)定時間時，切換為電壓比所 述第一直流電壓低的第二直流電壓進(jìn)行施加，從切換為所述第二直流電壓開始經(jīng)過了規(guī)定時間時切斷所述載置臺的接地，在切斷所述載置臺的接地之后，向所述載置臺施加高頻電壓。
24. 如權(quán)利要求23所述的向靜電吸盤施加電壓的方法，其特征在于從施加所述第一直流電壓開始的所述規(guī)定的時間被預(yù)先確定。
25. 如權(quán)利要求23所述的向靜電吸盤施加電壓的方法，其特征在于從施加所述第一直流電壓開始的所述規(guī)定的時間是，在開始向所 述吸盤電極施加所述第一直流電壓之后至所述吸盤電極的電位達(dá)到額 定電壓為止的期間以下的長度。
26. 如權(quán)利要求23 25中任一項(xiàng)所述的向靜電吸盤施加電壓的方法，其特征在于從切換為所述第二直流電壓開始的所述規(guī)定的時間是，至所述載 置臺的電位穩(wěn)定為止的時間。
全文摘要
本發(fā)明提供載置臺機(jī)構(gòu)、等離子體處理裝置和電壓施加方法。該載置臺機(jī)構(gòu)通過減小在向吸盤電極施加直流電壓時和切斷直流電壓時的吸盤等效電路的時間常數(shù)，使電荷的蓄積和電荷的釋放分別得以迅速地進(jìn)行。在處理容器(52)內(nèi)載置被進(jìn)行等離子體處理的被處理體(W)的載置臺機(jī)構(gòu)，設(shè)置有載置臺(84)、在內(nèi)部設(shè)置有吸盤電極(114)的靜電吸盤(86)、經(jīng)供電線(116)連接的直流高壓電源(120)、插設(shè)在供電線上的吸盤用開關(guān)部(124)、用于檢測載置臺的直流成分的直流成分檢測電路(96)、旁通直流成分檢測電路的旁路線(108)、插設(shè)在旁路線的中途用于使直流成分檢測電路旁通而使載置臺接地的旁路用開關(guān)部(110)、和控制開關(guān)部的開關(guān)控制部(112)。
文檔編號H01J37/32GK101587813SQ20091020345
公開日2009年11月25日 申請日期2009年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月21日
發(fā)明者東條利洋, 古屋敦城 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社