專利名稱：一種led發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種LED發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管LED照明因節(jié)能、環(huán)保和長壽命的優(yōu)點，已成為21世紀(jì)最引人 注目的高新技術(shù)領(lǐng)域之一，是國家大力提倡的新能源項目。大功率LED器件代 替小功率LED器件成為主流半導(dǎo)體照明器件是必然的。因為從實際應(yīng)用的角度 來看，小功率的LED組成的照明燈具為了達到照明的需要，必須集中許多個LED 的光能才能達到設(shè)計要求。帶來的缺點是線路異常復(fù)雜，散熱不暢，為了平衡 各個LED之間的電流電壓關(guān)系必需設(shè)計復(fù)雜的供電電路。相比之下，同樣為了 達到若干個小功率LED的總和功率，單體大功率LED供電線路相對簡單，物理 特性穩(wěn)定。采用現(xiàn)有技術(shù)對于大功率LED器件的封裝生產(chǎn)的成品由于缺少散熱 結(jié)構(gòu)存在散熱能力差，熱阻高的缺點，進而造成使用壽命短、耗電大。

實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種LED發(fā)光裝置，具有高效散熱能 力的散熱結(jié)構(gòu)。
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案LED發(fā)光裝置包括至 少一個LED發(fā)光源，所述LED發(fā)光源包括透鏡、灌封硅膠、熒光粉、LED芯片， 所述灌封硅膠、熒光粉、LED芯片設(shè)置在透鏡內(nèi)部，所述灌封硅膠設(shè)置在熒光粉 上部，所述熒光粉下部設(shè)置所述LED芯片，所述LED發(fā)光源下部還設(shè)有金球接 點I、金球接點II、鍍金電極層I、鍍金電極層II，所述金球接點I設(shè)置在鍍
金電極層i上部，所述金球接點n設(shè)置在鍍金電極層n上部，所述鍍金電極層 i和鍍金電極層n之間隔開，所述鍍t電極層i和鍍金電極層n都延伸至透鏡 外部，所述LED芯片兩端通過引線分別與金球接點I和金球接點II相連，所述
LED發(fā)光源設(shè)置在由銅箔層、高導(dǎo)熱陶瓷層、鋁基散熱器依次上下層疊而成的 PCB板上，所述銅箔層以各個獨立分開的形式設(shè)置在鍍金電極層I和鍍金電極層 II底部。
作為本實用新型的一種改進，所述銅箔層上設(shè)有凹槽，所述鍍金電極層I 和鍍金電極層II都嵌入凹槽與PCB板連成整體。
本實用新型采用上述技術(shù)方案，LED發(fā)光裝置將LED發(fā)光源產(chǎn)生的熱量通過 設(shè)置在其底部的高效率散熱PCB板有效散熱，這樣的結(jié)構(gòu)縮短散熱通道，增大 散熱面積，因此本LED發(fā)光裝置具有高效散熱能力，低功耗，長壽命的優(yōu)點。以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型進一步具體說明。


圖1為本實用新型一種LED發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為
圖1的A處放大圖。
具體實施方式
本實用新型LED發(fā)光裝置包括兩個部分， 一個LED發(fā)光源1，另一個是PCB 板15。如
圖1所示，該LED發(fā)光裝置有多個LED發(fā)光源1設(shè)置在PCB板15上， 所以該LED發(fā)光裝置為大功率的LED器件。如圖2所示，LED發(fā)光源1包括透鏡 2、灌封硅膠3、熒光粉4、 LED芯片5、金球接點I 6、金球接點I17、鍍金電極 層I 8、鍍金電極層I19。 LED發(fā)光源1為封閉式結(jié)構(gòu)，最外層被透鏡2和鍍金電 極層I 8、鍍金電極層I19包裹，鍍金電極層I 8和鍍金電極層I19都延伸至透鏡 2外部，里面從上至下依次設(shè)置了灌封硅膠3熒光粉4、 LED芯片5。鍍金電極 層18、鍍金電極層II9設(shè)置在透鏡2下方，在鍍金電極層I8、鍍金電極層I19 上分別設(shè)有金做的金球接點I 6、金球接點I17。鍍金電極層18和鍍金電極層n
9之間隔開，LED芯片5兩端通過引線14分別與金球接點I 6和金球接點117相 連，LED發(fā)光源1所需的電流從鍍金電極層I 8和鍍金電極層I19輸入。PCB板 15由銅箔層10、絕緣的高導(dǎo)熱陶瓷層11和鋁質(zhì)的鋁基散熱器12組成，高導(dǎo)熱 陶瓷層11設(shè)置在鋁基散熱器12上，銅箔層10設(shè)置在高導(dǎo)熱陶瓷層11上。銅 箔層10以各個獨立分開的形式設(shè)置在鍍金電極層I 8和鍍金電極層I19底部。 因為鍍金電極層I8和鍍金電極層II9不容易鍍在高導(dǎo)熱陶瓷層11上，所以要 通過在高導(dǎo)熱陶瓷層11上鍍一層銅箔層10，這樣鍍金電極層I 8和鍍金電極層 119就能很容易設(shè)置在高導(dǎo)熱陶瓷層11上。銅箔層10上設(shè)有凹槽13，鍍金電 極層I 8和鍍金電極層119都嵌入凹槽13與PCB板15連成整體。這樣增加了 LED 發(fā)光源1與PCB板15的接觸面積。同時形成了一個由銅箔層10、鍍金電極層I 8和鍍金電極層119構(gòu)成的漸進型導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。
與以往的大功率LED器件相比，該LED發(fā)光源1沒有支架結(jié)構(gòu)，而是直接 將LED發(fā)光源1與PCB板15相連，縮短散熱通道。利用金和銅的高導(dǎo)熱率將LED 芯片5產(chǎn)生的熱量高效傳遞到鋁基散熱器12，再通過鋁基散熱器12將熱量散出。 從而使LED發(fā)光裝置具有高效散熱能力，低功耗，長壽命的優(yōu)點。
權(quán)利要求1、一種LED發(fā)光裝置，所述LED發(fā)光裝置包括至少一個LED發(fā)光源(1)，所述LED發(fā)光源(1)包括透鏡(2)、灌封硅膠(3)、熒光粉(4)、LED芯片(5)，所述灌封硅膠(3)、熒光粉(4)、LED芯片(5)設(shè)置在透鏡(2)內(nèi)部，所述灌封硅膠(3)設(shè)置在熒光粉(4)上部，所述熒光粉(4)下部設(shè)置所述LED芯片(5)，其特征在于所述LED發(fā)光源(1)下部還設(shè)有金球接點I(6)、金球接點II(7)、鍍金電極層I(8)、鍍金電極層II(9)，所述金球接點I(6)設(shè)置在鍍金電極層I(8)上部，所述金球接點II(7)設(shè)置在鍍金電極層II(9)上部，所述鍍金電極層I(8)和鍍金電極層II(9)之間隔開，所述鍍金電極層I(8)和鍍金電極層II(9)都延伸至透鏡(2)外部，所述LED芯片(5)兩端通過引線(14)分別與金球接點I(6)和金球接點II(7)相連，所述LED發(fā)光源(1)設(shè)置在由銅箔層(10)、高導(dǎo)熱陶瓷層(11)、鋁基散熱器(12)依次上下層疊而成的PCB板(15)上，所述銅箔層(10)以各個獨立分開的形式設(shè)置在鍍金電極層I(8)和鍍金電極層II(9)底部。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述LED發(fā)光裝置，其特征在于所述銅箔層(10)上設(shè) 有凹槽(13)，所述鍍金電極層I (8)和鍍金電極層II(9)都嵌入凹槽(13)與PCB 板(15)連成整體。
專利摘要本實用新型公開了一種LED發(fā)光裝置，該LED發(fā)光裝置包括至少一個LED發(fā)光源，所述LED發(fā)光源包括透鏡、灌封硅膠、熒光粉、LED芯片，所述灌封硅膠、熒光粉、LED芯片設(shè)置在透鏡內(nèi)部，所述灌封硅膠設(shè)置在熒光粉上部，所述熒光粉下部設(shè)置所述LED芯片，所述LED發(fā)光源設(shè)置在由銅箔層、高導(dǎo)熱陶瓷層、鋁基散熱器依次上下層疊而成的PCB板上。LED發(fā)光裝置將LED發(fā)光源產(chǎn)生的熱量通過設(shè)置在其底部的高效率散熱PCB板有效散熱，這樣的結(jié)構(gòu)縮短散熱通道，增大散熱面積，因此本LED發(fā)光裝置具有高效散熱能力，低功耗，長壽命的優(yōu)點。
文檔編號F21V19/00GK201057441SQ200720111780
公開日2008年5月7日 申請日期2007年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者秦邦堅, 胡順香 申請人:浙江金華滿天星光電有限公司