基于光子晶體t型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種調(diào)制器，更具體地說(shuō)，尤其涉及一種基于光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向 輸出磁光調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)的光學(xué)調(diào)制器一般利用晶體的電光效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)光的調(diào)制，需要有一個(gè)微波 調(diào)制信號(hào)，一塊電光晶體，一個(gè)干涉結(jié)構(gòu)，如馬赫-曾德干涉結(jié)構(gòu)等。由于電光晶體的電光系 數(shù)的限制，需要采用幾何尺寸比較長(zhǎng)的電光晶體，這樣使得光學(xué)調(diào)制器的體積較大，只能用 在傳統(tǒng)光學(xué)器件中，無(wú)法集成到光學(xué)芯片中。光調(diào)制器是在整體光通信的光發(fā)射、傳輸、接 收過(guò)程中用于控制光強(qiáng)度的關(guān)鍵器件，也是最重要的集成光學(xué)器件之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種結(jié)構(gòu)體積小，高效短程便于集 成的光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器。
[0004] 本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)。
[0005] 本發(fā)明的基于光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器，包括一個(gè)具有ΤΕ禁帶的 光子晶體Τ型波導(dǎo);所述調(diào)制器還包括一個(gè)輸入端1、兩個(gè)輸出端2和3、背景硅介質(zhì)柱4、等腰 直角三角形缺陷介質(zhì)柱5和缺陷介質(zhì)柱6,所述調(diào)制器還包括一個(gè)提供偏置磁場(chǎng)的電磁鐵7， 一個(gè)調(diào)制電流源9和一個(gè)調(diào)制信號(hào)10;所述光子晶體Τ型波導(dǎo)的左端為輸入端1，所述兩個(gè)輸 出端2、3分別位于光子晶體Τ型波導(dǎo)的下端、上端，呈一條橫線布局;所述缺陷介質(zhì)柱6位于Τ 型波導(dǎo)中心交叉處;所述4個(gè)等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5分別位于Τ型波導(dǎo)交叉的四個(gè)拐 角處;所述光子晶體波導(dǎo)由端口 1輸入ΤΕ載波光，再?gòu)亩丝?2輸出調(diào)幅光。
[0006] 所述調(diào)制器進(jìn)一步包括導(dǎo)線8,所述電磁鐵7的一端與調(diào)制電流源9的負(fù)極相連接， 電磁鐵7的另一端通過(guò)導(dǎo)線8與調(diào)制電流源9的正極相連接。所述調(diào)制電流源9與調(diào)制信號(hào)10 相連接。
[0007] 所述光子晶體為二維正方晶格光子晶體。
[0008] 所述光子晶體由高折射率介質(zhì)材料和低折射率材料組成;所述高折射率介質(zhì)材料 為硅或折射率大于2的介質(zhì);所述低折射率介質(zhì)為空氣或折射率小于1.4的介質(zhì)。
[0009] 所述Τ型波導(dǎo)為光子晶體中移除中間一橫排和一豎排介質(zhì)柱后的結(jié)構(gòu)。
[0010] 所述Τ型波導(dǎo)交叉拐角處的4個(gè)背景介質(zhì)柱各刪除一個(gè)角以形成等腰直角三角形 缺陷介質(zhì)柱，該等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱(5)為三角柱型。
[0011] 所述背景硅介質(zhì)柱4的形狀為正方形。
[0012] 所述光子晶體正方形硅介質(zhì)柱以介質(zhì)柱軸線Ζ軸方向逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)41度。
[0013] 所述缺陷介質(zhì)柱6為鐵氧體方柱，其形狀為正方形，該鐵氧體為磁各向異性材料， 所述的鐵氧體方柱的磁導(dǎo)率為各向異性，且受偏置磁場(chǎng)的控制，偏置磁場(chǎng)方向沿著鐵氧體 方柱的軸線方向。
[0014] 所述端口 2為調(diào)幅波輸出端口。
[0015] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點(diǎn)：
[0016] (1)結(jié)構(gòu)體積小，時(shí)間響應(yīng)快，光傳輸效率高，適合大規(guī)模光路集成；
[0017] (2)便于集成，可以短程高效地實(shí)現(xiàn)TE載波光波信號(hào)調(diào)制器，具有極大的實(shí)用價(jià) 值；
[0018] (3)應(yīng)用光子晶體可等比例縮放的特性，通過(guò)等比例改變晶格常數(shù)的方法，可以 實(shí)現(xiàn)不同波長(zhǎng)光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的功能。
[0019] (4)高對(duì)比度、高隔離度，同時(shí)還具有較寬的工作波長(zhǎng)范圍，可以允許有一定頻譜 寬度的脈沖，或高斯光，或不同波長(zhǎng)的光工作，或多個(gè)波長(zhǎng)的光同時(shí)工作，具有實(shí)用意義。
【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1是本發(fā)明的基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖中：輸入端1輸出端2輸出端3背景娃介質(zhì)柱4等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5 缺陷介質(zhì)柱6
[0022] 圖2是本發(fā)明基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 圖中：電磁鐵7導(dǎo)線8調(diào)制電流源9調(diào)制信號(hào)10
[0024] 圖3是本發(fā)明基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器結(jié)構(gòu)參數(shù)分布圖。
[0025] 圖4是本發(fā)明基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的偏置磁場(chǎng)正弦波形 圖。
[0026] 圖5是本發(fā)明基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器在一個(gè)周期內(nèi)隨的偏 置磁場(chǎng)變化時(shí)磁導(dǎo)率μΛ的值的關(guān)系圖。
[0027] 圖6是本發(fā)明基于光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制曲線圖。
[0028] 圖7(a)是實(shí)施例1中光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制曲線圖。
[0029] 圖7(b)是實(shí)施例1中光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制靈敏度圖。
[0030] 圖8(a)是實(shí)施例2中光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制曲線圖。
[0031 ]圖8(b)是實(shí)施例2中光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制靈敏度圖。
[0032] 圖9(a)是實(shí)施例3中光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制曲線圖。
[0033] 圖9(b)是實(shí)施例3中光子晶體Τ型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器調(diào)制靈敏度圖。
[0034]圖10(a)、（b)是本發(fā)明光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的光場(chǎng)分布不意 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]如圖1所示，本發(fā)明基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)示意圖 (刪除了偏置電路和偏置線圈），包括一個(gè)具有TE禁帶的光子晶體T型波導(dǎo)，該調(diào)制器還包括 一個(gè)輸入端1、兩個(gè)輸出端2和3、背景娃介質(zhì)柱4、等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5和缺陷介質(zhì) 柱6。本器件初始信號(hào)光從左方端口 1入射，端口 2、3輸出光波;光子晶體T型波導(dǎo)的左端為輸 入端1，兩個(gè)輸出端口 2、3分別位于光子晶體T型波導(dǎo)的下端、上端，呈一條橫線布局;光子晶 體波導(dǎo)由端口 1輸入TE載波光，再?gòu)亩丝?2輸出調(diào)幅光;背景娃介質(zhì)柱4形狀為方形，光軸方 向垂直紙面向外，等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5為，T型波導(dǎo)交叉拐角處的4個(gè)背景介質(zhì)柱各 刪除一個(gè)角以形成等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱，該等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5為三角柱 型，4個(gè)等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5分別位于T型波導(dǎo)交叉的四個(gè)拐角處，光軸方向與背景 介質(zhì)柱相同，缺陷介質(zhì)柱6位于T型波導(dǎo)中心交叉處，缺陷介質(zhì)柱6為鐵氧體方柱，其形狀為 正方形，光軸方向垂直紙面向外;該鐵氧體方柱為磁各向異性材料，鐵氧體方柱的磁導(dǎo)率為 各向異性，且受偏置磁場(chǎng)的控制，偏置磁場(chǎng)方向沿著鐵氧體方柱的軸線方向。如圖2所示，本 發(fā)明的基于光子晶體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)示意圖（含有偏置電路和偏置 線圈），調(diào)制器還包括一個(gè)提供偏置磁場(chǎng)的電磁鐵7(電磁鐵線圈），一個(gè)調(diào)制電流源9和一個(gè) 調(diào)制信號(hào)10,調(diào)制器進(jìn)一步包括導(dǎo)線8,電磁鐵7的一端與調(diào)制電流源9的負(fù)極相連接，電磁 鐵7的另一端通過(guò)導(dǎo)線8與調(diào)制電流源9的正極相連接;調(diào)制電流源9與調(diào)制信號(hào)10相連接。 本發(fā)明調(diào)制器如圖1與圖3所示采用笛卡爾直角坐標(biāo)系:x軸正方向?yàn)樗较蛴?y軸正方向 為豎直向上;z軸正方向?yàn)榇怪庇诩埫嫦蛲狻?br>[0036]如圖3所示，本器件的相關(guān)參數(shù)為：
[0037] di = a(晶格常數(shù)）
[0038] d2 = 0.3a(方形硅柱邊長(zhǎng)）
[0039] d3 = 0.2217a(方形缺陷柱邊長(zhǎng)）
[0040] d4=0.3a(等腰直角三角形缺陷柱腰長(zhǎng)）
[00411 d5= 1.2997a(等腰直角三角形缺陷柱斜邊到方形缺陷柱中心的距離）
[0042] d6=l.577a(波導(dǎo)寬長(zhǎng)）
[0043]本發(fā)明的光子晶體為正方晶格，晶格常數(shù)為a，介質(zhì)柱邊長(zhǎng)為0.3a，在光子晶體正 方形硅介質(zhì)柱參考介質(zhì)柱軸線方向（z軸)逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)41度時(shí)，采用平面波展開(kāi)法得到光子 晶體中TE禁帶結(jié)構(gòu)，其光子TE禁帶為0.3150至0.4548( ω a/23ic)，其中間的任何頻率的光波 將被限制在波導(dǎo)中，正方晶格介質(zhì)柱參考介質(zhì)柱軸線方向（z軸)逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)41度后，獲得了 更大更寬的禁帶范圍。
[0044] 本發(fā)明所使用硅介質(zhì)波導(dǎo)需要?jiǎng)h除一行和一列介質(zhì)柱而形成T型波導(dǎo)。波導(dǎo)平面 垂直于光子晶體中的介質(zhì)柱的軸線。通過(guò)在上述光子晶體T型波導(dǎo)中心交叉處引入一個(gè)鐵 氧體方柱(方形缺陷介質(zhì)柱6)，其邊長(zhǎng)為0.2217a，4個(gè)等腰直角三角形缺陷介質(zhì)柱5斜邊面 分別到鐵氧體柱(方形缺陷介質(zhì)柱6)軸線的距離為1.2997a。鐵氧體方柱的光軸與背景介質(zhì) 柱的光軸方向一致。
[0045] 本發(fā)明的原理介紹主要針對(duì)磁光介質(zhì)加以解釋。鐵氧體是一種磁各向異性的材 料，鐵氧體的磁各向異性是由外加直流偏置磁場(chǎng)所誘導(dǎo)的。該磁場(chǎng)使鐵氧體中的磁偶極子 循同一方向排列，從而產(chǎn)生合成的磁偶極距，并使磁偶極子在由偏置磁場(chǎng)強(qiáng)度所控制的頻 率下做進(jìn)動(dòng)。通過(guò)調(diào)整偏置磁場(chǎng)強(qiáng)度可控制與外加微波信號(hào)的相互作用，從而實(shí)現(xiàn)光子晶 體T型波導(dǎo)的橫向輸出磁光調(diào)制器。在偏置磁場(chǎng)的作用下，鐵氧體的磁導(dǎo)率張量表現(xiàn)為非對(duì) 稱(chēng)性，其中鐵氧體張量磁導(dǎo)率[μ ]為：
[0046]
偏置）（1)
[0047] 磁導(dǎo)率張量的矩陣元由以下方程給出：
[0048] ω 〇 = μ〇 γ Ho (2)
[0049]
[0050]
[0051] ( 5 )
[0052] (6)
[0053] 其中，μ〇為真空中的磁導(dǎo)率，γ為旋磁比，Ho為外加磁場(chǎng)，Ms為飽和磁化強(qiáng)度，為工 作頻率，P = k/y為歸一化磁化頻率，也叫分離因子，參數(shù)μ和k決定不同鐵氧體材料，具有這 種形式的磁導(dǎo)率張量的材料稱(chēng)為旋磁性的，假定偏置的方向是相反的，則Ho和Ms將改變符 號(hào)，所以旋轉(zhuǎn)方向也會(huì)相反。
[0054] 偏置磁場(chǎng)由偏置電磁鐵產(chǎn)生，該偏置電磁鐵中加載偏置電流;偏置電流為調(diào)制信 號(hào)。
[0055] 通過(guò)外加磁場(chǎng)按正弦波形變化來(lái)調(diào)節(jié)偏置磁場(chǎng)Η的