一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著制造技術的發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，簡稱“TFT-LCD”)因其具有功耗低、制造成本低以及無福射等優(yōu)點，已經取代傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為顯示器的主流。TFT-LCD的顯示面板由薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板對盒形成，在陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶分子。結合圖1和圖2所示，陣列基板包括橫縱交叉的柵線10和數據線20，由柵線10和數據線20限定多個像素單元，在像素單元上形成有配向膜(圖中未示出)，用于為液晶分子提供一定的預傾角。每個像素單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱“TFT”，圖中未示出)和像素電極1。TFT作為開關器件，控制像素電極1和公共電極之間產生驅動電場，從而控制液晶分子的扭轉，實現畫面顯示。
[0003]相比于其它的顯示模式，FFS模式視角廣，透過率高，目前已經被廣泛使用于高端的顯示器中。
[0004]在FFS顯示模式中，如圖1所示，傳統(tǒng)的單疇(single domain)結構中，像素電極1上的每一狹縫沿同一方向延伸，形成單疇驅動電場。由于液晶分子的平面扭轉原因，會導致平面左右色偏現象嚴重。為了改善傳統(tǒng)單疇顯示模式的色偏問題，如圖2所示，目前在某些產品上面開始采用雙疇(dual domain)的結構，像素電極1上的每一狹縫沿兩個方向延伸，通常為折線形，相對于單疇結構，雙疇結構具有兩疇驅動電場，有助于色偏補償。為保證高的開口率，目前雙疇結構都將數據線20在像素區(qū)域彎曲，這樣使得數據線20總長度變大，增加了傳輸電阻。為了保證像素單元的充電效率，需將數據線20變寬或者變厚，但是這樣會導致開口率變小、配向膜摩擦不良等相關不良問題。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明提供一種示基板及其制作方法、顯示裝置，用以解決現有技術中的多疇顯示模式中會影響像素開口率的問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例中提供一種顯示基板，包括多個像素區(qū)域，還包括用于為液晶分子提供預傾角的配向膜，每一像素區(qū)域中，所述配向膜的表面具有多個沿至少兩個方向延伸的取向溝槽。
[0007]本發(fā)明實施例中的顯示基板，所述顯示基板為陣列基板，還包括位于所述像素區(qū)域中的像素電極，所述像素電極上具有多條狹縫，每一所述狹縫沿同一方向延伸。
[0008]本發(fā)明實施例中的顯示基板，所述顯示基板還包括交叉分布的柵線和數據線，用于限定所述像素區(qū)域，每一所述數據線沿同一方向延伸。
[0009]本發(fā)明實施例中的顯示基板，每一像素區(qū)域中，所述配向膜表面的取向溝槽為折線形。
[0010]本發(fā)明實施例中的顯示基板，每一像素區(qū)域中，所述配向膜包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述取向溝槽包括多個位于所述第一區(qū)域的第一取向溝槽和多個位于所述第二區(qū)域的第二取向溝槽，所述第一取向溝槽沿第一方向延伸，所述第二取向溝槽沿第二方向延伸。
[0011]本發(fā)明實施例中的顯示基板，所述顯示基板為彩膜基板。
[0012]本發(fā)明實施例中的顯示基板，所述配向膜為光配向膜。
[0013]本發(fā)明實施例中提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。
[0014]本發(fā)明實施例中提供一種如上所述的顯示基板的制作方法，所述顯示基板包括多個像素區(qū)域，所述制作方法包括形成用于為液晶分子提供預傾角的配向膜的步驟，形成配向膜的步驟包括:
[0015]在每一像素區(qū)域的配向膜表面形成多個沿至少兩個方向延伸的取向溝槽。
[0016]本發(fā)明實施例中的制作方法，所述顯示基板為陣列基板，所述制作方法還包括:
[0017]在所述像素區(qū)域中形成像素電極，并在所述像素電極上形成多條狹縫，每一所述狹縫沿同一方向延伸。
[0018]本發(fā)明實施例中的制作方法，所述制作方法還包括:
[0019]形成交叉分布的柵線和數據線，用于限定所述像素區(qū)域，每一所述數據線沿同一方向延伸。
[0020]本發(fā)明實施例中的制作方法，所述配向膜為光配向材料，每一像素區(qū)域中，所述配向膜包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
[0021]在每一像素區(qū)域的配向膜表面形成多個沿至少兩個方向延伸的取向溝槽的步驟具體包括:
[0022]偏振方向為第一方向的第一線性偏振光透過第一掩膜圖形對所述第一區(qū)域進行曝光，顯影，在所述第一區(qū)域形成第一取向溝槽，所述第一掩膜圖形具有沿第一方向延伸的透光條紋；
[0023]偏振方向為第二方向的第二線性偏振光透過第二掩膜圖形對所述第二區(qū)域進行曝光，顯影，在所述第二區(qū)域形成第二取向溝槽，所述第二掩膜圖形具有沿第二方向延伸的透光條紋。
[0024]本發(fā)明實施例中的制作方法，所述配向膜為光配向膜，每一像素區(qū)域中，所述配向膜包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
[0025]在每一像素區(qū)域的配向膜表面形成多個沿至少兩個方向延伸的取向溝槽的步驟具體包括:
[0026]第一波長的第一入射光透過第一掩膜圖形對所述第一區(qū)域進行曝光，在所述第一區(qū)域形成第一取向溝槽，所述第一掩膜圖形具有沿第一方向延伸的透光條紋；
[0027]第二波長的第二入射光透過第二掩膜圖形對所述第二區(qū)域進行曝光，在所述第二區(qū)域形成第二取向溝槽，所述第二掩膜圖形具有沿第二方向延伸的透光條紋。
[0028]本發(fā)明實施例中的制作方法，所述第一掩膜圖形和第二掩膜圖形共用同一基底；
[0029]所述對所述第一區(qū)域進行曝光時，遮擋所述第二掩膜圖形；
[0030]所述對所述第二區(qū)域進行曝光時，遮擋所述第一掩膜圖形。
[0031]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:
[0032]上述技術方案中，通過在配向膜的表面形成多個沿至少兩個方向延伸的取向溝槽，來為液晶分子提供不同方向的預傾角，實現多疇顯示模式。由于配向膜為透明材料，位于整個顯示區(qū)域，因此，本發(fā)明的多疇顯示結構不會影響像素的開口率，也不會對顯示基板的其他結構產生影響。
【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1表示現有技術中單疇顯示模式的陣列基板的結構示意圖；
[0035]圖2表示現有技術中雙疇顯示模式的陣列基板的結構示意圖；
[0036]圖3表示本發(fā)明實施例中不示意配向膜時，雙疇顯示模式的陣列基板的結構示意圖；
[0037]圖4表示本發(fā)明實施例中示意配向膜時，雙疇顯示模式的陣列基板的結構示意圖；
[0038]圖5表示每一像素區(qū)域中配向膜的結構示意圖；
[0039]圖6和圖7表示本發(fā)明實施例中配向膜的制作過程示意圖。
【具體實施方式】
[0040]在液晶顯示技術中，需要在對盒設置的陣列基板和彩膜基板的內側表面形成配向膜，用于為液晶分子提供預傾角，使液晶分子按一定規(guī)則排列。
[0041]本發(fā)明提供的顯示基板即為包括配向膜的陣列基板或彩膜基板，通過設置每一像素區(qū)域中，所述配向膜的表面具有多個沿至少兩個方向延伸的取向溝槽，來為液晶分子提供不同方向的