一種多通道濾光片的納米掩膜制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新的鍍膜掩膜工藝，特別是涉及一種適合多通道濾光片的納米掩膜制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光學(xué)薄膜濾光片朝著尺寸減小和高度集成化發(fā)展，多通道集成濾光片陣列的通道更多、體積更小、集成度更高，其制作難度越來(lái)越高。對(duì)于集成度高的多通道集成濾光片，目前通常采用光刻膠作為掩膜。
[0003]利用光刻膠作為掩膜的方法為，首先在基片上進(jìn)行甩膠，然后通過(guò)曝光、顯影，在基片上留出需要鍍膜的通道，再鍍制濾光片膜層，去掉光刻膠完成相應(yīng)通道的制作，如此往復(fù)，直至完成集成多通道濾光片的制作。
[0004]光刻膠掩膜為疏松膜層，通常較厚(厚度通常為幾個(gè)微米)，在鍍膜時(shí)可能形成陰影區(qū)，從而引起通道內(nèi)膜層不均勻。鍍制某些膜層時(shí)需要較高的基底溫度，容易引起光刻膠變性、流動(dòng)或去膠困難，嚴(yán)重的可能造成對(duì)鍍膜腔的污染；另外，光刻膠容易與丙酮等溶劑反應(yīng)，與基片結(jié)合性差，在后續(xù)處理中容易發(fā)生脫膠現(xiàn)象，會(huì)降低產(chǎn)品良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一尚廣品良率、尚效的多通道濾光片的納米掩膜制作方法。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0007]—種多通道濾光片的納米掩膜制作方法，包括以下步驟:
[0008]a.在干凈的濾光片基片上形成納米掩膜膜層；
[0009]b.在納米掩膜膜層上進(jìn)行旋涂光刻膠，90°C_100°C烘烤lOmin以上，在納米掩膜膜層上形成光刻膠層；
[0010]c.曝光:把步驟b后的濾光片基片置于掩膜板下進(jìn)行紫外曝光；
[0011]d.顯影和后烘:將曝光后的濾光片基片使用顯影液進(jìn)行顯影，其中顯影液與步驟b中所使用的光刻膠相對(duì)應(yīng);顯影后在需要鍍膜的通道上留光刻膠，在不需要鍍膜的區(qū)域去掉光刻膠，在烘箱中90°C-100°C烘干殘留在濾光片基片表面的水分；
[0012]e.通過(guò)蝕刻去掉暴露在外的納米掩膜膜層，形成納米掩膜，留出需要鍍膜的濾光片通道；
[0013]f.使用溶液濃度為5 %的NaOH或丙酮去除光刻膠，留出需要鍍膜的通道；
[0014]g.在步驟f中留出的通道上鍍制濾光片膜層；
[0015]h.去除納米掩膜，留下相應(yīng)通道上的相應(yīng)的濾光片膜層；
[0016]1.重復(fù)a-h，直至完成所有通道的濾光片膜層。
[0017]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述負(fù)型光刻膠與正型光刻膠所對(duì)應(yīng)的掩膜板不同，兩種掩膜板的透光區(qū)與遮光區(qū)互補(bǔ)。
[0018]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述多通道濾光片的通道數(shù)大于或等于兩個(gè)。
[0019]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-200個(gè)。
[0020]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-64個(gè)。
[0021]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述納米掩膜膜層材料為金屬、金屬化合物或金屬氧化物材料中的一種。
[0022]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述納米掩膜膜層采用蒸鍍、濺射、印刷方式中的一種鍍制在所述濾光片基片上。
[0023]優(yōu)選的是，所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其中，所述納米掩膜膜層為選自 Ag、Cu、Al、CaC03、CaO、NaCl、ZnS 或 ZnSe 中的一種薄膜。
[0024]本發(fā)明的有益效果:納米掩膜與基底結(jié)合牢固，能承受較高的溫度，基底面上厚度均勻，且不容易發(fā)生變性、脫膜等現(xiàn)象，可以明顯提高集成多通道濾光片的良率；同時(shí)降低了成本;納米掩膜可以通過(guò)鍍膜、電鍍、噴涂或旋涂等方法實(shí)現(xiàn);納米掩膜與集成濾光片基片結(jié)合良好，去除方便快捷，在與去除液接觸時(shí)，整個(gè)掩膜層可以同時(shí)快速地與去除液反應(yīng);選用的掩膜層(如金屬、金屬化合物、金屬氧化物等)材料穩(wěn)定，在鍍?yōu)V光片膜層時(shí)，能起到很好的保護(hù)作用；該掩膜材料與基片的結(jié)合力優(yōu)于光刻膠，耐水和酒精、丙酮等有機(jī)溶劑，在基片上形成掩膜以后，方便后續(xù)處理，處理方便快速。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法的流程示意圖。
[0026]其中，1-納米掩膜膜層，2-濾光片基片，3-光刻膠層，4-紫外光，5-掩膜板，6_濾光片通道，7-濾光片膜層，8-集成多通道濾光片。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0028]一種多通道濾光片的納米掩膜制作方法，請(qǐng)參閱附圖1，包括以下步驟:
[0029]a.在干凈的濾光片基片2上形成納米掩膜膜層1;
[0030]b.在納米掩膜膜層上進(jìn)行旋涂光刻膠，90°C_100°C烘烤lOmin以上，在納米掩膜膜層上形成光刻膠層3;
[0031 ] c.曝光:把步驟b后的濾光片基片置于掩膜板5下進(jìn)行采用紫外光4紫外曝光；
[0032]d.顯影和后烘:將曝光后的濾光片基片使用顯影液進(jìn)行顯影，其中顯影液與步驟b中所使用的光刻膠相對(duì)應(yīng);顯影后在需要鍍膜的通道上留光刻膠，在不需要鍍膜的區(qū)域去掉光刻膠，在烘箱中90°C_100°C烘干殘留在濾光片基片表面的水分；
[0033]e.通過(guò)蝕刻去掉暴露在外的納米掩膜膜層，形成納米掩膜，留出需要鍍膜的濾光片通道6;
[0034]f.使用溶液濃度為5 %的NaOH或丙酮去除光刻膠，留出需要鍍膜的通道；
[0035]g.在步驟f中留出的通道上鍍制濾光片膜層；
[0036]h.去除納米掩膜，留下相應(yīng)通道上的相應(yīng)的濾光片膜層7;
[0037]1.重復(fù)a_h，直至完成所有通道的濾光片膜層，形成集成多通道濾光片8。
[0038]進(jìn)一步的，所述負(fù)型光刻膠與正型光刻膠所對(duì)應(yīng)的掩膜板不同，兩種掩膜板的透光區(qū)與遮光區(qū)互補(bǔ)。
[0039]進(jìn)一步的，所述多通道濾光片的通道數(shù)大于或等于兩個(gè)。
[0040]進(jìn)一步的，所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-200個(gè)。
[0041 ]進(jìn)一步的，所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-64個(gè)。
[0042]進(jìn)一步的，所述納米掩膜膜層材料為金屬、金屬化合物或金屬氧化物材料中的一種。
[0043]進(jìn)一步的，所述納米掩膜膜層采用蒸鍍、濺射、印刷方式中的一種鍍制在所述濾光片基片上。
[0044]進(jìn)一步的，所述納米薄膜為選自Ag、Cu、Al、CaC03、Ca0、NaCl、ZnS或ZnSe中的一種薄膜。
[0045]盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說(shuō)明書和實(shí)施方式中所列運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在干凈的濾光片基片上形成納米掩膜膜層； 在納米掩膜膜層上進(jìn)行旋涂光刻膠，90°C-100°C烘烤10 min以上，在納米掩膜膜層上形成光刻膠層； 曝光:把步驟b后的濾光片基片置于掩膜板下進(jìn)行紫外曝光； 顯影和后烘:將曝光后的濾光片基片使用顯影液進(jìn)行顯影，其中顯影液與步驟b中所使用的光刻膠相對(duì)應(yīng);顯影后在需要鍍膜的通道上留光刻膠，在不需要鍍膜的區(qū)域去掉光刻膠，在烘箱中90°C_100°C烘干殘留在濾光片基片表面的水分； 通過(guò)蝕刻去掉暴露在外的納米掩膜膜層，形成納米掩膜，留出需要鍍膜的濾光片通道； 使用溶液濃度為5%的NaOH或丙酮去除光刻膠，留出需要鍍膜的通道； 在步驟f中留出的通道上鍍制濾光片膜層； 去除納米掩膜，留下相應(yīng)通道上的相應(yīng)的濾光片膜層； 重復(fù)a-h，直至完成所有通道的濾光片膜層。2.如權(quán)利要求1所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述負(fù)型光刻膠與正型光刻膠所對(duì)應(yīng)的掩膜板不同，兩種掩膜板的透光區(qū)與遮光區(qū)互補(bǔ)。3.如權(quán)利要求2所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述多通道濾光片的通道數(shù)大于或等于兩個(gè)。4.如權(quán)利要求2所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-200個(gè)。5.如權(quán)利要求2所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述多通道濾光片的通道數(shù)為2-64個(gè)。6.如權(quán)利要求2所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述納米掩膜膜層材料為金屬、金屬化合物或金屬氧化物材料中的一種。7.如權(quán)利要求2所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述納米掩膜膜層采用蒸鍍、濺射、印刷方式中的一種鍍制在所述濾光片基片上。8.如權(quán)利要求2所述的多通道濾光片的納米掩膜制作方法，其特征在于，所述納米掩膜膜層選自 Ag、Cu、A1、CaC03、CaO、NaC 1、Zn S 或 Zn Se 中的一種薄膜。
【專利摘要】本案為一種多通道濾光片的納米掩膜制作方法，包括以下步驟：a.在干凈的濾光片基片上形成納米掩膜膜層；b.在納米掩膜膜層上進(jìn)行旋涂光刻膠，90℃-100℃烘烤10min以上，在納米掩膜膜層上形成光刻膠層；c.曝光；d.顯影和后烘；e.通過(guò)蝕刻去掉暴露在外的納米掩膜膜層，形成納米掩膜，留出需要鍍膜的濾光片通道；f.使用溶液濃度為5％的NaOH或丙酮去除光刻膠，留出需要鍍膜的通道；g.在步驟f中留出的通道上鍍制濾光片膜層；h.去除納米掩膜，留下相應(yīng)通道上的相應(yīng)的濾光片膜層；i.重復(fù)a-h，直至完成所有通道的濾光片膜層。本案的方法可以提高集成多通道濾光片的良率。
【IPC分類】G02B5/20, G03F7/00
【公開號(hào)】CN105467751
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510932747
【發(fā)明人】周東平
【申請(qǐng)人】蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2015年12月15日