具有亮點缺陷的像素的修復(fù)方法、陣列基板及液晶面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種具有亮點缺陷的像素的修復(fù)方法、陣列基板及液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶面板上出現(xiàn)的亮點指的是由于薄膜晶體管(TFT)的制程缺陷，導(dǎo)致液晶面板顯示時某些像素點(或稱像素單元)始終保持單一顏色，這種缺陷是液晶面板中非常難解決的一種瑕瘋。
[0003]—般情況下，液晶面板上出現(xiàn)至少一個亮點就會被降低等級，而其如果出現(xiàn)至少二十個亮點則會被直接報廢。目前，對液晶面板上出現(xiàn)的亮點缺陷的主要解決方法是:將亮點變成暗點。在正常顯示下，液晶面板上的暗點的影響要比亮點的影響小很多，但是暗點也是液晶面板上的一種瑕疵。如何將液晶面板上出現(xiàn)的亮點變成正常點，這是目前亟需解決的一個問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供了一種能夠?qū)⒘咙c修復(fù)為正常點的修復(fù)方法、利用該修復(fù)方法修復(fù)像素亮點的陣列基板以及具有該陣列基板的液晶面板。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種具有亮點缺陷的像素的修復(fù)方法，所述像素設(shè)置在開關(guān)區(qū)域及位于所述開關(guān)區(qū)域一側(cè)的像素區(qū)域中；
[0006]所述像素包括:在所述開關(guān)區(qū)域和所述像素區(qū)域中形成的連續(xù)的公共電極；在所述開關(guān)區(qū)域中形成的且位于所述公共電極之上的薄膜晶體管；在所述開關(guān)區(qū)域和所述像素區(qū)域形成的且覆蓋薄膜晶體管的鈍化層以及在位于所述開關(guān)區(qū)域中的所述鈍化層中形成的過孔；在所述像素區(qū)域和所述開關(guān)區(qū)域中形成的且位于所述鈍化層之上的像素電極；
[0007]其中，所述修復(fù)方法包括:在所述過孔中打點熔融，使所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接接觸；將所述連續(xù)的公共電極切斷分離，以使位于所述開關(guān)區(qū)域的公共電極和位于所述像素區(qū)域的公共電極彼此分離；將位于所述公共電極的切斷分離處之上的像素電極去除，且使位于所述開關(guān)區(qū)域的像素電極和位于所述像素區(qū)域的像素電極彼此連接。
[0008]進一步地，在所述過孔中打點熔融的具體方法為:利用激光在所述過孔中打點熔融，使所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接接觸。
[0009]進一步地，所述公共電極包括:位于所述開關(guān)區(qū)域的主體部及由所述主體部延伸到所述像素區(qū)域中的多條平行的延伸部；其中，將所述連續(xù)的公共電極切斷分離的具體方法為:利用激光在所述主體部與各所述延伸部的交匯處進行切割，以使所述主體部與各所述延伸部以及各所述延伸部之間相互獨立。
[0010]進一步地，將位于所述公共電極的切斷分離處之上的像素電極去除的具體方法為:將位于所述主體部與各所述延伸部的交匯處之上的像素電極去除。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，該提供了一種陣列基板，其包括陣列排布的多個像素，所述像素設(shè)置在開關(guān)區(qū)域及位于開關(guān)區(qū)域一側(cè)的像素區(qū)域中；
[0012]當(dāng)所述陣列基板上的所述像素出現(xiàn)亮點缺陷時，所述像素包括:在所述開關(guān)區(qū)域和所述像素區(qū)域中形成的連續(xù)的公共電極；在所述開關(guān)區(qū)域中形成的且位于所述公共電極之上的薄膜晶體管；在所述開關(guān)區(qū)域和所述像素區(qū)域形成的且覆蓋薄膜晶體管的鈍化層以及在位于所述開關(guān)區(qū)域中的所述鈍化層中形成的過孔；在所述像素區(qū)域和所述開關(guān)區(qū)域中形成的且位于所述鈍化層之上的像素電極；
[0013]其中，對所述陣列基板上出現(xiàn)亮點缺陷的像素進行修復(fù)的方法包括:在所述過孔中打點熔融，使所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接接觸；將所述連續(xù)的公共電極切斷分離，以使位于所述開關(guān)區(qū)域的公共電極和位于所述像素區(qū)域的公共電極彼此分離；
[0014]將位于所述公共電極的切斷分離處之上的像素電極去除，且使位于所述開關(guān)區(qū)域的像素電極和位于所述像素區(qū)域的像素電極彼此連接。
[0015]進一步地，在對所述陣列基板上出現(xiàn)亮點缺陷的像素進行修復(fù)的方法中，在所述過孔中打點熔融的具體方法為:利用激光在所述過孔中打點熔融，使所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接接觸。
[0016]進一步地，所述公共電極包括:位于所述開關(guān)區(qū)域的主體部及由所述主體部延伸到所述像素區(qū)域中的多條延伸部；其中，在對所述陣列基板上出現(xiàn)亮點缺陷的像素進行修復(fù)的方法中，將所述連續(xù)的公共電極切斷分離的具體方法為:利用激光在所述主體部與各所述延伸部的交匯處進行切割，以使所述主體部與各所述延伸部以及各所述延伸部之間相互獨立。
[0017]進一步地，所述多條延伸部平行設(shè)置。
[0018]進一步地，在對所述陣列基板上出現(xiàn)亮點缺陷的像素進行修復(fù)的方法中，將位于所述公共電極的切斷分離處之上的像素電極去除的具體方法為:將位于所述主體部與各所述延伸部的交匯處之上的像素電極去除。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，又提供了一種液晶面板，包括對盒設(shè)置的彩色濾光片基板及上述的陣列基板。
[0020]本發(fā)明的有益效果:通過將位于開關(guān)區(qū)域和位于像素區(qū)域中的公共電極切斷分離，以破壞像素的存儲電容器，從而將該像素形成為沒有存儲電容器的像素，進而消除該像素的亮點缺陷；同時該像素的漏電極還與像素電極電接觸，因此該沒有存儲電容器的像素還能正常發(fā)光，將像素的亮點缺陷正?；?br>【附圖說明】
[0021]通過結(jié)合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中:
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；
[0023]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的像素的結(jié)構(gòu)平面圖；
[0024]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0025]以下，將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。
[0026]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管陣列基板的平面圖。
[0027]參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管陣列基板10包括:傳送柵極信號的多條柵極線匕至G n、傳送數(shù)據(jù)信號的多條數(shù)據(jù)線01至D ?以及陣列布置的多個像素PX。
[0028]多條柵極線匕至G n按行方向延伸并且彼此大致平行，而多條數(shù)據(jù)線D 1至D ?按列方向延伸并且彼此大致平行。每個像素PX包括:薄膜晶體管(TFT)，其連接到相應(yīng)的柵極線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線；液晶電容器，連接到該薄膜晶體管；存儲電容器，其與液晶電容器并聯(lián)連接。
[0029]以下將對根據(jù)本發(fā)明的實施例的每個像素PX的結(jié)構(gòu)進行詳細描述。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的像素的結(jié)構(gòu)平面圖。
[0030]參照圖2，每個像素PX設(shè)置在開關(guān)區(qū)域10a和位于開關(guān)區(qū)域10a —側(cè)的像素區(qū)域10b中。具體地，在本實施例中，像素區(qū)域10b位于開關(guān)區(qū)域10a的右側(cè)，但本發(fā)明并不限制于此，例如，像素區(qū)域10b也可位于開關(guān)區(qū)域10a的左側(cè)。
[0031 ] 針對像素PX的制作過程，具體為:
[0032]首先，在開關(guān)區(qū)域10a和像素區(qū)域10b中形成第一金屬層，并且對該第一金屬層進行曝光、顯影，以在開關(guān)區(qū)域10a中形成柵電極110，同時在開關(guān)區(qū)域10a和像素區(qū)域10b中形成連續(xù)一體的公共電極130。其中，該公共電極130作為存儲電容器的底電極。
[0033]進一步地，在本實施例中，公共電極130包括:位于開關(guān)區(qū)域10a的主體部131以及由主體部131延伸到像素區(qū)域10b中的三條平行的延伸部132。當(dāng)然，這里的描述僅僅是一種示例，本發(fā)明中的延伸部132的數(shù)量并不以三條為限制，其可根據(jù)實際情況任意設(shè)置所需數(shù)量。
[0034]此外，第一金屬層采用的金屬材料可例如是鉭(Ta)、鉬鉭(MoTa)、鉬鎢(MoW)或鋁(A1)等。需要說明的是，柵極線& (1彡i彡η)、柵電極110和公共電極130三者同時形成，并且柵電極110連接到柵極線GlD
[0035]接著，形成覆蓋柵電極110、公共電極130和柵極線&的柵極絕緣層(圖2中未示出)。也就是說，該柵極絕緣層形成在像素區(qū)域10b和開關(guān)區(qū)域10a中。這里，該柵極絕緣層可利用氮化硅和/或氧化硅制成，但本發(fā)明并不局限于此。
[0036]接著，在位于開關(guān)區(qū)域10a的柵極絕緣層上形成有源層111。這里，有源層111可由非晶硅等材料制成，但本發(fā)明并不局限于此。
[0037]接著，在有源層111上形成第二金屬層，并且對第二金屬層進行曝光、顯影，以在有源層111上形成彼此獨立的源電極112a和漏電極112b。其中，漏電極112b作為存儲電容器的頂電極。這里，第二金屬層采用的金屬材料可例如是鉭(Ta)、鉬鉭(MoTa)、鉬鎢(MoW)或鋁(A1)等。此外，需要說明的是，數(shù)據(jù)線^丨彡j彡m)、源電極112a和漏電極112b三者同時形成，并且源電極112a連接到數(shù)據(jù)線D,。
[0038]接著，在所述柵極絕緣層上形成覆蓋有源層111、源電極112a和漏電極112b的鈍化層(未示出)。也就是說，該鈍化層形成在像素區(qū)域1b和開關(guān)區(qū)域1a中。
[0039]接著，在位于開關(guān)區(qū)域1a的鈍化層中形成過孔(未示出)，其中，該過孔將漏電極112b露出。
[0040]最后，在像素區(qū)域1b的鈍化層上形成像素電極113，其中，該像素電極113延伸至開關(guān)區(qū)域1a的鈍化層上并