一種esd保護單元、陣列基板、液晶面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種ESD保護單元、陣列基板、液晶面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，液晶面板的制作工藝主要包括陣列基板制備工藝、液晶盒制備工藝以及模塊組裝工藝三個過程。其中，在陣列基板制備工藝中，由于需要不斷傳送玻璃基板和在玻璃基板上制備薄膜晶體管；因此，在傳送玻璃基板和在玻璃基板上制備薄膜晶體管的過程中玻璃基板會不斷地被摩擦、移動，從而持續(xù)產(chǎn)生靜電；而且，由于玻璃基板為絕緣體，在陣列基板制備工藝中產(chǎn)生的靜電散逸速度緩慢，所以，與液晶盒制備工藝和模塊組裝工藝相比，陣列基板制備工藝中更容易出現(xiàn)靜電釋放(又稱為Electro-Static discharge，簡稱ESD)的問題；尤其是在陣列基板制備過程中，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法成膜和干法刻蝕時，陣列基板上的走線中更容易收集到大量電荷，從而與相鄰的走線之間發(fā)生擊穿，造成短路或斷路，影響了陣列基板的良率，因此，需要在陣列基板走線間設(shè)置ESD保護單元，以提尚陣列基板良率。
[0003]現(xiàn)有的ESD保護單元一般是將接成二極管的薄膜晶體管反向連接在具有電壓差的相鄰走線之間，或者在具有電壓差的相鄰走線之間引入與避雷針原理相同的結(jié)構(gòu)。經(jīng)過實踐證明，這些ESD保護單元在某種程度上可以起到一定的保護作用，但是由于具有電壓差的相鄰走線之間不能發(fā)生相互串?dāng)_，因此，即使在具有電壓差的相鄰走線之間設(shè)置了 ESD保護單元，ESD保護單元泄放的電流也往往比較有限，導(dǎo)致ESD保護效果差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種ESD保護單元、陣列基板、液晶面板及顯示裝置，以解決陣列基板制備過程中ESD保護效果差的問題。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種ESD保護單元，包括薄膜晶體管、柵極線以及數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管的柵極裸露在數(shù)據(jù)線和柵極線所形成的與像素單元對應(yīng)的區(qū)域，以收集所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線之間產(chǎn)生的電荷；
[0007]其中，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述薄膜晶體管的漏極與所述柵極線相連；或
[0008]所述薄膜晶體管的源極與所述柵極線相連，所述薄膜晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0009]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
[0010]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括多個上述技術(shù)方案所述ESD保護單元，各所述ESD保護單元中，所述薄膜晶體管的柵極與用于使所述薄膜晶體管保持關(guān)閉的直流負電壓源相連。
[0011]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管的柵極通過半導(dǎo)體走線連接在的焊盤上，所述焊盤與所述直流負電壓源相接。
[0012]較佳的，所述半導(dǎo)體走線為ITO走線。
[0013]優(yōu)選的，所述直流負電壓源由與所述陣列基板相連的集成電路提供。
[0014]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，包括上述技術(shù)方案所述的陣列基板。
[0015]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所述的液晶面板。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0017]本發(fā)明提供的ESD保護單元中，薄膜晶體管的柵極裸露在數(shù)據(jù)線和柵極線所形成的與像素單元對應(yīng)的區(qū)域，因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線和柵極線之間未產(chǎn)生靜電釋放時，薄膜晶體管處在關(guān)閉狀態(tài)；當(dāng)數(shù)據(jù)線和柵極線之間產(chǎn)生靜電釋放時，薄膜晶體管的柵極就能夠收集靜電釋放產(chǎn)生的電荷，使原來關(guān)閉的薄膜晶體管開啟，從而釋放積累在相鄰走線的電荷，減小壓差，降低擊穿機率，從而從根本上解決陣列基板制備過程中ESD保護效果差的問題。
【附圖說明】
[0018]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0019]圖1為本發(fā)明實施例提供的ESD保護單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]附圖標記:
[0022]1-第一引線，2-第二引線，3-薄膜晶體管。
【具體實施方式】
[0023]為了進一步說明本發(fā)明實施例提供的ESD保護單元、陣列基板、液晶面板及顯示裝置，下面結(jié)合說明書附圖進行詳細描述。
[0024]請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的ESD保護單元，包括薄膜晶體管3、第一引線I和第二引線2，第一引線I和第二引線2之間具有電壓差；其中，薄膜晶體管的源極與第一引線相連，薄膜晶體管的漏極與第二引線相連，薄膜晶體管的柵極表面裸露在第一引線I和第二引線2之間所形成的與像素單元對應(yīng)的區(qū)域，以收集第一引線I和第二引線2之間產(chǎn)生的電荷。
[0025]而且，第一引線I作為數(shù)據(jù)線或柵極線均是由實際情況決定的。因此，實施例中的第一引線I為數(shù)據(jù)線，第二引線2為柵極線；或，第一引線為柵極線1，第二引線2為數(shù)據(jù)線。
[0026]為了便于說明，下面以第一引線I為數(shù)據(jù)線，第二引線2為柵極線時的ESD保護單元為例，對本實施例中的ESD保護單元的使用方法進行說明。
[0027]使用時，當(dāng)數(shù)據(jù)線和柵極線之間發(fā)生靜電釋放，柵極吸收靜電釋放所產(chǎn)生的電荷，使薄膜晶體管3導(dǎo)通，從而收集靜電釋放所產(chǎn)生的電荷，以泄放的因靜電釋放所產(chǎn)生的電流。
[0028]從上述使用過程可以看出，本實施例提供的ESD保護單元中，薄膜晶體管的柵極裸露在數(shù)據(jù)線和柵極線之間所形成的與像素單元對應(yīng)的區(qū)域，因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線和柵極線之間未產(chǎn)生靜電釋放時，薄膜晶體管處在關(guān)閉狀態(tài)；當(dāng)數(shù)據(jù)線和柵極線之間產(chǎn)生靜