陣列基板、液晶顯示面板及驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)液晶顯示器的畫面品質(zhì)提出了更高的要求。提高液晶顯示器的亮度可以使顯示的畫面更加靚麗自然，是提升畫面品質(zhì)的重要內(nèi)容。高亮度設(shè)計(jì)的主要措施包括增加背光源的亮度以及提高顯示屏的透過率。增大像素單元的開口率可以有效提高顯示屏的透過率。
[0003]像素單元的開口率指的是液晶顯示器的像素單元的有效透光區(qū)域的面積占整個(gè)像素單元區(qū)域的面積的比例。由于在陣列基板上不同像素單元的像素電極之間設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的信號(hào)走線，且在信號(hào)走線與像素電極之間存在的間隙會(huì)產(chǎn)生漏光，因此需要在CF基板上設(shè)置黑矩陣進(jìn)行遮光，而黑矩陣會(huì)嚴(yán)重影響像素單元的開口率。
[0004]目前，針對(duì)黑矩陣所進(jìn)行的改進(jìn)包括，將黑矩陣布置在陣列基板上的BM on array技術(shù)以及使數(shù)據(jù)線的配線細(xì)線化。其中，將黑矩陣布置在陣列基板上可以在滿足對(duì)盒要求的情況下減小黑矩陣的設(shè)計(jì)尺寸，但由于材料方面的限制導(dǎo)致該技術(shù)未獲大范圍普及。而配線細(xì)線化會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)寫入能力不足以及面內(nèi)DC惡化，進(jìn)而引發(fā)亮度均一性惡化、畫面閃爍、長(zhǎng)期殘像等多種不良影響。因此，針對(duì)黑矩陣所導(dǎo)致的像素單元的開口率的下降的問題還沒有行之有效的解決方法。
[0005]綜上，亟需針對(duì)黑矩陣進(jìn)行改進(jìn)以提高像素單元的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是需要針對(duì)黑矩陣進(jìn)行改進(jìn)以提高像素單元的開口率。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)的實(shí)施例首先提供了一種陣列基板，包括:多個(gè)像素單元，所述像素單元排布成具有行列形式的像素矩陣；多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線貫穿設(shè)置于各像素單元的內(nèi)部，且每條數(shù)據(jù)線能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)沿列方向的多個(gè)像素單元，其中，與位于所述像素矩陣邊界的數(shù)據(jù)線內(nèi)側(cè)的每條數(shù)據(jù)線依次電連接的兩個(gè)像素單元分別位于所述像素矩陣相鄰的行與相鄰的列上。
[0008]優(yōu)選地，以設(shè)置于陣列基板上的公共電極層遮擋所述多個(gè)像素單元之間的間隙以防止漏光。
[0009]優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線貫穿設(shè)置于各像素單元的中心位置。
[0010]優(yōu)選地，位于所述像素矩陣邊界的數(shù)據(jù)線內(nèi)側(cè)的多條數(shù)據(jù)線中的第η條數(shù)據(jù)線依次電連接于所述像素矩陣第2m-l行的第η個(gè)像素單元以及第2m行的第n+1個(gè)像素單元，其中m與η均為正整數(shù)。
[0011]優(yōu)選地，位于所述像素矩陣邊界的數(shù)據(jù)線內(nèi)側(cè)的多條數(shù)據(jù)線中的第η條數(shù)據(jù)線依次電連接于所述像素矩陣第2m-l行的第η個(gè)像素單元以及第2m行的第n_l個(gè)像素單元，其中m為正整數(shù)，η為大于I的正整數(shù)。
[0012]優(yōu)選地，位于所述像素矩陣邊界的數(shù)據(jù)線內(nèi)側(cè)的多條數(shù)據(jù)線中的第η條數(shù)據(jù)線依次電連接于所述像素矩陣第2m-l行的第η個(gè)像素單元、第2m行的第n_l個(gè)像素單元、第2m+l行的第η個(gè)像素單元以及第2m+2行的第n+1個(gè)像素單元，其中m為正整數(shù)，η為大于I的正整數(shù)。
[0013]本申請(qǐng)的實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括陣列基板，所述陣列基板包括:多個(gè)像素單元，所述像素單元排布成具有行列形式的像素矩陣；多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線貫穿設(shè)置于各像素單元的內(nèi)部，且每條數(shù)據(jù)線能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)沿列方向的多個(gè)像素單元，其中，與位于所述像素矩陣邊界的數(shù)據(jù)線內(nèi)側(cè)的每條數(shù)據(jù)線依次電連接的兩個(gè)像素單元分別位于所述像素矩陣相鄰的行與相鄰的列上。
[0014]另一方面，還提供了一種液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，包括:在同一幀畫面的顯示中，分別以不同極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)任意相鄰的兩列像素單元；在任意連續(xù)的兩幀畫面的顯示中，分別以不同極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)同一列像素單元。
[0015]優(yōu)選地，在顯示一幀畫面時(shí)，以正極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的奇數(shù)列，以負(fù)極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的偶數(shù)列；在顯示該幀畫面的下一幀畫面時(shí)，以負(fù)極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的奇數(shù)列，以正極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的偶數(shù)列。
[0016]優(yōu)選地，正極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為施加于像素電極的電壓高于公共電極的電壓的信號(hào)，負(fù)極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為施加于像素電極的電壓低于公共電極的電壓的信號(hào)。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
[0018]通過將數(shù)據(jù)線設(shè)置于像素單元的內(nèi)部區(qū)域，進(jìn)而不需要設(shè)置黑矩陣進(jìn)行遮光，提高了像素單元的開口率，有利于提升畫質(zhì)。
[0019]本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)，和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0020]附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案或現(xiàn)有技術(shù)的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分。其中，表達(dá)本申請(qǐng)實(shí)施例的附圖與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本申請(qǐng)的技術(shù)方案，但并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的限制。
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3(a)_(b)為本申請(qǐng)實(shí)施例的數(shù)據(jù)線與像素單元的連接示意圖；
[0024]圖4為像素電極上的電壓的極性分布示意圖；
[0025]圖5為垂直串?dāng)_廣生的原理不意圖；
[0026]圖6(a)_(b)為顯示特殊畫面時(shí)像素單元上所加灰階電壓的示意圖，其中圖6(a)為現(xiàn)有技術(shù)中像素單元上所加灰階電壓的示意圖，圖6(b)為本申請(qǐng)實(shí)施例的像素單元上所加灰階電壓的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成相應(yīng)技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。本申請(qǐng)實(shí)施例以及實(shí)施例中的各個(gè)特征，在不相沖突前提下可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0028]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如“上”、“下”、“左”、“右”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中11為數(shù)據(jù)線，12為掃描線，13為像素電極，虛線框所包圍的區(qū)域14為開關(guān)元件。其中，數(shù)據(jù)線11與開關(guān)元件14的源極和漏極位于同一層上。開關(guān)元件14的源極與像素電極13電連接，可以為像素電極13提供灰階電壓信號(hào)。開關(guān)元件14的柵極與掃描線12位于同一層上且相互連接，掃描線12為開關(guān)元件14提供控制信號(hào)使其開啟與關(guān)閉。如圖所示，現(xiàn)有技術(shù)中的數(shù)據(jù)線12會(huì)相互平行地設(shè)置于每個(gè)像素單元的邊界處。另外，在圖1中未示出的是，當(dāng)將上述結(jié)構(gòu)的像素單元以矩陣的形式排布在陣列基板上之后，一條數(shù)據(jù)線11可以用于驅(qū)動(dòng)像素矩陣的一整列的像素單元。
[0030]從圖1中還可以看出，當(dāng)數(shù)據(jù)線11設(shè)置于相鄰的像素電極13之間時(shí)，為保證數(shù)據(jù)線11上的信號(hào)與像素電極13上的信號(hào)互不影響，需要使數(shù)據(jù)線11與像素電極13之間保持有一定的間隙dl。因此，在設(shè)置黑矩陣時(shí)，為防止數(shù)據(jù)線11與像素電極13之間的間隙漏光，需要使黑矩陣的邊的寬度至少等于2*dl+d2，其中d2為數(shù)據(jù)線11的走線寬度，如圖1所示，這樣才能使黑矩陣能夠完全覆蓋住兩個(gè)相鄰的像素電極13之間的間隙。而另一方面，黑矩陣一般是設(shè)置在CF基板上的，考慮到CF基板和陣列基板在成盒制程中需要滿足一定的對(duì)位精度，因此需要使黑矩陣的邊的寬度在前述2*dl+d2的基礎(chǔ)上再留有一定的寬度余量，以保證黑矩陣在CF基板與陣列基板貼合后仍然能夠可靠地遮光。特別是對(duì)于大尺寸高解析度的面板，其上下基板的相對(duì)位移(shift)較大，因此需要較寬的黑色矩陣進(jìn)行遮光，進(jìn)而嚴(yán)重降低像素單元的開口率。針對(duì)上述問題，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，提出一種不需要設(shè)置黑矩陣進(jìn)行遮光的陣列基板的結(jié)構(gòu)。
[0031]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中矩形虛線框所圍成的區(qū)域20為一個(gè)像素單元。其中，21為數(shù)據(jù)線，23為像素電極，22為一層金屬層，在該層金屬層上具體圖案化有開關(guān)元件的柵極、電連接于柵極的掃描線以及設(shè)置于陣列基板上的COM公共電極層，上述結(jié)構(gòu)均未在圖2中示出，但這并不影響本申請(qǐng)實(shí)施例中的方案，且上述結(jié)構(gòu)的形式并不對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的方案構(gòu)成限定。
[0032]如圖2所示，數(shù)據(jù)線21不再位于像素單元20的邊界處，而是沿像素矩陣的列的方向貫穿像素單元20的內(nèi)部，設(shè)置在像素電極23的下方。同時(shí)，利用COM公共電極層對(duì)相鄰的兩個(gè)像素單元20之間的間隙進(jìn)行遮擋，進(jìn)而無需在CF基板上設(shè)置黑矩陣。其中，將數(shù)據(jù)線21優(yōu)選設(shè)置于貫穿像素單元20的中心位置處(如圖2所示)，這樣可以使得數(shù)據(jù)線21距位于像素單元20兩側(cè)邊界處的由COM公共電極層形成的遮擋布線的距離相等，保證液晶顯示的均衡。
[0033]將數(shù)據(jù)線21移入像素單元20的內(nèi)部之后，相鄰的兩個(gè)像素單元20之間的間隙將減小，有利于減小遮光結(jié)構(gòu)的尺寸。且由于利用同樣設(shè)置于陣列基板上的COM公共電極層進(jìn)行遮光，所以不存在對(duì)位精度的問題，因此在考慮遮光結(jié)構(gòu)的寬度的預(yù)留余量時(shí)，能夠采用更小的余量。也就是說像素單元20中保有的有效的透光區(qū)域增大，像素單元的開口率得以提尚