顯示面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種電子裝置，且特別是有關(guān)于一種顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 公知的多域垂直配向式（multi-domainve;rticallyalignment;MVA)液晶顯示面 板是利用配向結(jié)構(gòu)（alignmentstructure)的配置使不同區(qū)域內(nèi)的液晶分子W不同角度傾 倒，而達(dá)到廣視角的功效。配向結(jié)構(gòu)包括配向凸塊（alignmentprotrusion)W及設(shè)置于像 素電極上的配向狹縫（alignmentslit)。然而，位于配向凸塊與配向狹縫周邊的液晶分子 的傾倒方向往往不連續(xù)，而造成漏光的情形，使得液晶顯示面板的對(duì)比度降低。若為了降低 漏光程度，在對(duì)應(yīng)于配向凸塊或配向狹縫處配置遮光層，又會(huì)使得液晶顯示面板的開口率 下降。因此，一種聚合物穩(wěn)定配向（Polymer-st油ilizedalignment;PSA)工藝被提出， W改善多域垂直配向式液晶顯示面板的對(duì)比度不佳的問題。
[0003] 在公知的聚合物穩(wěn)定配向工藝中，先將可聚合單體滲在液晶材料中，W形成一顯 示介質(zhì)組成物。接著，將顯示介質(zhì)組成物填入液晶顯示面板的上基板與下基板之間。然 后，通過像素陣列施與顯示介質(zhì)組成物一特定電壓，并在此特定電壓下，W光線照射顯示 介質(zhì)組成物，使可聚合單體聚合，W于液晶分子與上下基板的交界處形成聚合物穩(wěn)定配向 層。雖然，此聚合物穩(wěn)定配向?qū)涌娠@著縮減液晶顯示面板的上升時(shí)間（risingtime;即液 晶顯示面板穿透率由10%變化至90%所需要的時(shí)間），但確會(huì)使液晶顯示面板的下降時(shí)間 (falling"me;即液晶顯示面板穿透率由90%變化至10%所需要的時(shí)間）變長(zhǎng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種顯示面板，其下降時(shí)間短。 陽〇化]本發(fā)明提供一種顯示面板的制造方法，其所制造出的顯示面板具有短下降時(shí)間。
[0006] 本發(fā)明的顯示面板，包括第一基板、位于第一基板上的像素陣列、覆蓋像素陣列的 第一配向?qū)?、位于第一基板?duì)向側(cè)的第二基板、位于第二基板上的第二配向?qū)覹及位于第 一配向?qū)优c第二配向?qū)又g的顯示介質(zhì)。第一配向?qū)泳哂卸鄠€(gè)第一配向顆粒。在一單位面 積中，面積介于250nm2至1000皿2的第一配向顆粒的數(shù)量占第一配向顆?？偭康?0 %W下。 第二配向?qū)泳哂卸鄠€(gè)第二配向顆粒。在所述單位面積中，面積介于250nm2至lOOOnm2的第 二配向顆粒的數(shù)量占第二配向顆?？偭康?0%W下。
[0007] 于一實(shí)施例中，該單位面積實(shí)質(zhì)上為3. 15xl〇-6nm2。 陽00引 于一實(shí)施例中：
[0009] 在所述單位面積中，面積介于250nm2至lOOOnm2的第一配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第一配向顆粒的總量的20%至40%，且
[0010] 在所述單位面積中，面積介于250nm2至lOOOnm2的第二配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第二配向顆粒的總量的20%至40%。
[0011] 于一實(shí)施例中：
[0012] 在所述單位面積中，面積介于lOOOnm2至2000nm2的第一配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第一配向顆粒的總量的15%至30%，且
[0013] 在所述單位面積中，面積介于lOOOnm2至2000nm2的第二配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第二配向顆粒的總量的15%至30%。
[0014] 于一實(shí)施例中：
[0015] 在所述單位面積中，面積介于2000nm2至3000nm2的第一配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第一配向顆粒的總量的10%至25%，且
[0016] 在所述單位面積中，面積介于2000nm2至3000nm2的第二配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第二配向顆粒的總量的10%至25%。
[0017] 于一實(shí)施例中：
[0018] 在所述單位面積中，面積介于3000nm2至4000nm2的第一配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第一配向顆粒的總量的5%至15%，且
[0019] 在所述單位面積中，面積介于3000nm2至4000nm2的第二配向顆粒的數(shù)量占所述多 個(gè)第二配向顆粒的總量的5%至15%。
[0020] 于一實(shí)施例中：
[0021] 在所述單位面積中，面積5000nm2w上的第一配向顆粒的數(shù)量占所述多個(gè)第一配 向顆粒的總量的10%至25%，且
[0022] 在所述單位面積中，面積5000nm2W上的第二配向顆粒的數(shù)量占所述多個(gè)第二配 向顆粒的總量的10%至25%。
[0023] 本發(fā)明的顯示面板的制造方法，包括下列步驟：在第一基板上形成像素陣列W及 第一配向?qū)?；在第二基板上形成第二配向?qū)樱恢苽湟伙@示介質(zhì)組成物，其包括正型或負(fù)型 液晶材料W及可聚合單體，可聚合單體能夠在紫外光照射下發(fā)生聚合反應(yīng)；將第一基板與 第二基板組立在一起，并且將顯示介質(zhì)組成物填入至第一基板的第一配向?qū)优c第二基板的 第二配向?qū)又g；進(jìn)行第一次熟化程序，第一次熟化程序包括同時(shí)進(jìn)行照光步驟W及施加 第一電壓于像素陣列；進(jìn)行第二次熟化程序，第二次熟化程序包括進(jìn)行照光步驟，W使得 可聚合單體進(jìn)行一聚合反應(yīng)，W于第一配向?qū)由闲纬啥鄠€(gè)第一配向顆粒，并且于第二配向 層上形成多個(gè)第二配向顆粒，其中在一單位面積中，面積介于250nm2至lOOOnm2的第一配 向顆粒的數(shù)量占第一配向顆?？偭康?0%W下，且在所述單位面積中，面積介于250nm2至 lOOOnm2的第二配向顆粒的數(shù)量占第二配向顆?？偭康?0%W下。
[0024] 于一實(shí)施例中，該第一次熟化程序的該照光步驟的波長(zhǎng)介于200納米至450納米， 該第一次熟化程序的該照光步驟的時(shí)間介于0分鐘至10分鐘，且該第一次熟化程序的該照 光步驟的照光能量介于OmW/cm2至150mW/cm2,該第一次熟化程序所施加的第一電壓介于0 伏特至30伏特。
[00巧]于一實(shí)施例中，該第二次熟化程序的該照光步驟的波長(zhǎng)介于200納米至450納米， 該第二次熟化程序的該照光步驟的時(shí)間介于0分鐘至180分鐘，且第二次熟化程序的該照 光步驟的照光能量介于OmW/cm2至150mW/cm2,且該第二次熟化程序未施加電壓。
[00%] 于一實(shí)施例中，該顯示介質(zhì)組成物還包括穩(wěn)定劑，且該可聚合單體的重量百分比 介于0. 1%至1%。
[0027] 基于上述，本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板制造方法利用二階段的熟化程序，使得在 最終制得的顯示面板的單位面積中，面積介于250nm2至lOOOnm2的第一配向顆粒的數(shù)量占 第一配向顆粒pi的總量的40%W下，且在所述單位面積中，面積介于250nm2至lOOOnm2的 第二配向顆粒的數(shù)量占第二配向顆粒的總量的40%W下，進(jìn)而使顯示面板的下降時(shí)間短。
[0028] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0029] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板制造方法的流程圖。
[0030] 圖2A~圖2D為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板制造方法的剖面示意圖。
[0031] 圖3為在一單位面積中圖2D的第一配向?qū)蛹岸鄠€(gè)第一配向顆粒的上視示意圖。
[0032] 圖4為在所述單位面積中圖2D的第二配向?qū)蛹岸鄠€(gè)第二配向顆粒的上視示意圖。
[0033] 其中，附圖標(biāo)記說明如下：
[0034] 100 :顯示面板 陽03引 110:第一基板
[0036] 120 :第二基板
[0037] A:像素陣列 陽0測(cè) COM:共用電極
[0039] I皿：穩(wěn)定劑
[0040] L1、L2:光束 陽OWLC:液晶材料 陽0創(chuàng) MX:顯示介質(zhì)組成物
[0043]MX，：顯示介質(zhì) W44]PI1 :第一配向?qū)?W45]pi:第一配向顆粒
[0046] PI2 :第二配向?qū)?W47] p2 :第二配向顆粒 陽〇48] RM巧聚合單體
[0049] R:單位面積 陽化0] S110~S160:步驟
[0051] VI:第一電壓
【具體實(shí)施方式】
[0052] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板制造方法的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，顯示面板的制 造方法包括下列步驟：在第一基板上形成像素陣列W及第一配向?qū)樱ú襟ES110);在第二基 板上形成第二配向?qū)樱ú襟ES120);制備顯示介質(zhì)組成物，其包括正型或負(fù)型液晶材料及可 聚合單體，可聚合單體在紫外光照射下能夠發(fā)生聚合反應(yīng)（步驟S130);將第一基板與第二 基板組立在一起，并且將顯示介質(zhì)組成物填入第一基板的第一配向?qū)优c第二基板的第二配 向?qū)又g（步驟S140);進(jìn)行第一次熟化程序（curing),第一次熟化程序包括同時(shí)進(jìn)行照光 步驟W及施加第一電壓于像素陣列（步驟S150);進(jìn)行第二次熟化程序（curing),第二次熟 化程序包括進(jìn)行照光步驟，w使得可聚合單體進(jìn)行聚合反應(yīng)，w于第一配向?qū)由闲纬啥鄠€(gè) 第一配向顆粒，并且于第二配向?qū)由闲纬啥鄠€(gè)第二配向顆粒，其中在單位面積中，面積介于 250nm2至lOOOnm2的第一配向顆粒的數(shù)量占第一配向顆?？偭康?0%W下，且在所述單位 面積中，面積介于250nm2至1000皿2的第二配向顆粒的數(shù)量占第二配向顆?？偭康?0%W 下（步驟S160)。
[0053] 需說明的是，前述步驟S110~S130的順序可做適當(dāng)?shù)母鼊?dòng)，舉例而言，可先進(jìn)行 步驟S110后，再依序進(jìn)行步驟S130、S120