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用于光纖增強(qiáng)部件的加熱處理裝置、設(shè)置有該加熱處理裝置的光纖熔接器以及對(duì)光纖增...的制作方法

文檔序號(hào):8207636閱讀:398來源:國(guó)知局
用于光纖增強(qiáng)部件的加熱處理裝置、設(shè)置有該加熱處理裝置的光纖熔接器以及對(duì)光纖增 ...的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于光纖增強(qiáng)部件的加熱裝置、包括該加熱裝置的光纖熔接器以及用 于加熱光纖增強(qiáng)部件的方法。加熱處理裝置加熱對(duì)光纖的熔接部分提供保護(hù)的光纖增強(qiáng)部 件并使光纖增強(qiáng)部件收縮,以增強(qiáng)熔接部分。
【背景技術(shù)】
[0002] 日本專利No. 4164375描述了一種加熱裝置,該加熱裝置加熱對(duì)光纖的熔接部分 提供保護(hù)的光纖增強(qiáng)部件并使光纖增強(qiáng)部件收縮,以增強(qiáng)熔接部分。加熱裝置包括加熱單 元(加熱部),加熱單元由彎曲成具有大致U形橫截面的面狀加熱元件形成。面狀加熱元件 具有:中央加熱部,中央加熱部是與保持在其中的增強(qiáng)部件進(jìn)行面接觸的U形底部;以及兩 個(gè)側(cè)方加熱部,側(cè)方加熱部都是不與增強(qiáng)部件接觸的側(cè)部。側(cè)方加熱部的加熱溫度比中央 加熱部的加熱溫度低。
[0003] 近年來,為了縮短加熱增強(qiáng)部件的時(shí)間,必須通過采用例如日本專利No. 4164375 中的面狀加熱元件作為加熱部來減小熱容量,或者將加熱溫度設(shè)置為高值。然而,采用面狀 加熱元件使得加熱部每單位時(shí)間所產(chǎn)生的發(fā)熱量減少,并且使得達(dá)到期望加熱溫度的時(shí)間 延長(zhǎng)。
[0004] 向加熱裝置施加的電壓越低,加熱部每單位時(shí)間所產(chǎn)生的發(fā)熱量越小。因此,當(dāng)向 加熱裝置施加的電壓較低時(shí),需要延長(zhǎng)加熱部的加熱時(shí)間以達(dá)到期望的加熱溫度。這導(dǎo)致 加熱部加熱一個(gè)增強(qiáng)部件所消耗的能量增大。如果從電池向加熱部供電,則電池有可能在 加熱處理完成之前耗盡。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 〈技術(shù)問題〉
[0006] 本發(fā)明的目的是提供用于光纖增強(qiáng)部件的加熱裝置、包括該加熱裝置的光纖熔接 器以及用于加熱光纖增強(qiáng)部件的方法,該加熱裝置能夠根據(jù)向加熱部施加的電壓來設(shè)置最 優(yōu)的加熱條件。
[0007] 〈技術(shù)方案〉
[0008] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,提供一種用于光纖增強(qiáng)部件的加熱裝置。所述加熱裝置包括: (1)光纖保持部,其構(gòu)造成保持光纖,所述光纖的熔接部分被所述光纖增強(qiáng)部件覆蓋;(2) 加熱部,其構(gòu)造成加熱所述光纖增強(qiáng)部件;(3)電源部,其構(gòu)造成向所述加熱部施加電壓; 以及(4)控制部,其構(gòu)造成控制所述電壓,所述控制部包括:檢測(cè)單元,其檢測(cè)用于確定所 述加熱部的發(fā)熱量的參數(shù);存儲(chǔ)單元,其存儲(chǔ)多個(gè)加熱條件;以及條件指示單元,其根據(jù)所 述參數(shù)的值來選擇所述多個(gè)加熱條件中的任一條件,并基于所選擇的加熱條件來指示所述 電源部向所述加熱部施加電壓。
[0009] 在本發(fā)明的加熱裝置中,用于確定所述加熱部的發(fā)熱量的參數(shù)可以是向所述加熱 部施加的電壓。本發(fā)明的加熱裝置還可以包括冷卻裝置,所述冷卻裝置用于冷卻所述加熱 部。所述加熱條件可以順序地包括:向所述加熱部施加電壓的施加電壓步驟中的條件,不向 所述加熱部施加電壓以允許所述光纖增強(qiáng)部件自然地冷卻的不施加電壓步驟中的條件,以 及利用所述冷卻裝置強(qiáng)制地冷卻所述光纖增強(qiáng)部件的冷卻步驟中的條件。
[0010] 作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例,提供一種光纖熔接器,所述光纖熔接器包括本發(fā)明 的加熱裝置。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的用于加熱光纖增強(qiáng)部件的加熱方法是如下所述的增強(qiáng)部件加熱方 法:在將光纖熔接在一起之后,利用加熱部來加熱將光纖的熔接部分覆蓋的所述光纖增強(qiáng) 部件,以增強(qiáng)所述熔接部分。所述加熱方法包括:基于多個(gè)加熱條件中的任一條件向所述加 熱部施加電壓;檢測(cè)用于確定所述加熱部的發(fā)熱量的參數(shù);根據(jù)檢測(cè)到的參數(shù)的值來選擇 所述多個(gè)加熱條件中的任一條件;以及基于所選擇的加熱條件向所述加熱部施加電壓,以 加熱和增強(qiáng)所述光纖增強(qiáng)部件。在本發(fā)明的加熱方法中,用于確定所述加熱部的發(fā)熱量的 所述參數(shù)優(yōu)選地包括向所述加熱部施加的電壓。
[0012] 〈有益效果〉
[0013] 在本發(fā)明中,加熱部以根據(jù)從檢測(cè)單元獲取的參數(shù)的值而從多個(gè)不同的加熱條件 中選擇的加熱條件為基礎(chǔ)進(jìn)行加熱。這樣,可以根據(jù)包括向加熱裝置施加的電壓在內(nèi)的多 個(gè)參數(shù)來優(yōu)化用于增強(qiáng)部件的加熱條件。
【附圖說明】
[0014] 圖1是示出本發(fā)明的加熱裝置所要處理的光纖增強(qiáng)部件的概念圖(光纖從光纖增 強(qiáng)部件穿過)。
[0015] 圖2是示出安裝有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置的光纖熔接器的透視圖(光纖設(shè) 置在光纖熔接器上)。
[0016] 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置的透視圖(光纖被保持在加熱裝置中)。
[0017] 圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的加熱裝置的實(shí)例的框圖。
[0018] 圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱處理的流程圖。
[0019] 圖6是示出圖5中的加熱處理從開始到完成的過程中溫度如何變化的曲線圖。
[0020] 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱處理的變型例的流程圖。
[0021] 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱處理的另一變型例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖只是出于示例的目的,而不意在限制 本發(fā)明的范圍。為了避免重復(fù)描述,附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。附圖不一定 是按比例精確地繪制的。
[0023] 首先,描述由根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光纖熔接器執(zhí)行的光纖熔接處理以及由根據(jù)本 發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置執(zhí)行的光纖增強(qiáng)部件加熱處理。圖1是示出本發(fā)明的加熱裝置所要 處理的光纖增強(qiáng)部件200的概念圖,光纖從光纖增強(qiáng)部件200穿過。圖2是示出安裝有根 據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置10的光纖熔接器1的透視圖,光纖設(shè)置在光纖熔接器1上。
[0024] 為了熔接光纖,如圖1所示,將單芯光纖IOOa和IOOb各自的端部處的外涂層去 除,以使裸光纖部分露出。然后,在將光纖IOOb插入增強(qiáng)部件200中的情況下,將光纖IOOa 和IOOb設(shè)置在熔接器1的熔化機(jī)構(gòu)單元2中(參見圖2)。然后,利用電弧放電等將從光纖 IOOa和IOOb的端部露出的裸光纖部分熔接在一起,從而形成熔接部分110。利用監(jiān)控裝置 3連續(xù)地監(jiān)控熔接的狀態(tài)。
[0025] 然后,將熔接起來的光纖IOOa和IOOb從熔化機(jī)構(gòu)單元2移開,并移動(dòng)增強(qiáng)部件 200以覆蓋熔接部分110 (參見圖1)。然后,將增強(qiáng)部件200設(shè)置在與熔化機(jī)構(gòu)單元2相鄰 的加熱裝置10中,并進(jìn)行預(yù)定的加熱處理。這樣,增強(qiáng)部件200受熱并收縮,由此增強(qiáng)光纖 IOOa和IOOb的熔接部分。
[0026] 如圖1所示,增強(qiáng)部件200優(yōu)選地由熱收縮性保護(hù)管210形成。增強(qiáng)部件200可以 包括:熱熔性粘合劑管220,熔接部分110插入熱熔性粘合劑管220中;以及抗張力體230, 其增強(qiáng)熔接部分110,以防止熔接部分110彎曲。
[0027] 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置10的透視圖,光纖被保持在加熱裝置10 中。圖4是加熱裝置10的框圖。安裝在熔接器1上的加熱裝置10包括一對(duì)光纖保持部 11、加熱部12以及蓋部13,光纖保持部11能夠保持光纖IOOa和100b,加熱部12能夠加熱 增強(qiáng)部件200。
[0028] 這對(duì)光纖保持部11可旋轉(zhuǎn)地安裝在加熱裝置10中。光纖保持部11構(gòu)造成保持 分別連接在熔接部分110的兩端上的各光纖IOOa和100b。加熱部12設(shè)置在光纖保持部 11之間。加熱部12由彎曲成具有U形橫截面的面狀加熱元件形成。覆蓋熔接部分110的 增強(qiáng)部件200被保持在U形面狀加熱元件內(nèi)。加熱部可以是長(zhǎng)板狀部件,熔接部分110設(shè) 置在該長(zhǎng)板狀部件上。蓋部13可開閉地設(shè)置在加熱部12的上側(cè),以便在加熱處理期間防 止加熱部12被手觸及或者防止加熱環(huán)境被外部空氣改變。
[0029] 如圖4所示,加熱裝置10還包括電源部14和控制部20。電源部14與加熱部12 電連接并且向加熱部12施加預(yù)定電壓以加熱加熱部12??刂撇?0控制加熱部12對(duì)覆蓋 熔接部分110的增強(qiáng)部件200進(jìn)行加熱時(shí)所處的加熱條件??刂撇?0包括檢測(cè)單元21、存 儲(chǔ)單元22和條件指示單元23。這里,加熱條件是指增強(qiáng)部件加熱部12的加熱溫度和加熱 時(shí)間的組合,并且被存儲(chǔ)為各種增強(qiáng)部件200的表格的形式。
[0030] 在將用于啟動(dòng)加熱增強(qiáng)部件200的處理的加熱開關(guān)(未示出)打開之后,檢測(cè)單 元21檢測(cè)電源部14施加在加熱部12上的電壓,該電壓用作確定加熱部12的發(fā)熱量的參 數(shù)。例如,如果檢測(cè)到的電壓較高,則能確定加熱部12的發(fā)熱量較大;相反地,如果檢測(cè)到 的電壓較低,則能確定加熱部12的發(fā)熱量較小。檢測(cè)單元21可以檢測(cè)電源部14的供應(yīng)電 壓代替施加到加熱部12上的電壓,以作為用于確定加熱部12的發(fā)熱量的參數(shù)。
[0031] 存儲(chǔ)單元22存儲(chǔ)用于加熱增強(qiáng)部件200
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