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Uv硬化方法

文檔序號:81796閱讀:949來源:國知局
專利名稱:Uv硬化方法
技術領域
本發(fā)明涉及液晶顯示器制造工藝,特別涉及一種封框膠UV硬化方法。
背景技術
如圖1、圖2所示,液晶面板的構成包括陣列(Array)基板1、彩膜(Color Filter)基板2、涂布在兩個基板間的封框膠3及封框膠與兩個基板所組成空間中的液晶4。
如圖3所示,彩膜基板主要由畫素區(qū)域5與黑矩陣6構成。
液晶面板制作流程,形成彩膜基板及陣列基板,在彩膜基板或是陣列基上涂布一完整的封框膠,使用液晶滴下裝置在封框膠所圍區(qū)域滴下適量的液晶,在真空環(huán)境中將另一枚基板與之貼合,使用紫外光(UV)照射使封框膠硬化,防止封框膠分子污染到液晶。
根據(jù)顯示需要,目前封框膠的涂布位置一般是全部與黑矩陣重合(如圖4,7為UV光束)或是部分與黑矩陣重合(如圖5),因此,在UV照射時,若采用從彩膜側進行照射,則由于黑矩陣的遮擋,封框膠不能充分硬化,所以采取從陣列側進行照射。但是,由于TFT器件的晶體管特性,在有強光照射時,非晶硅內的自由電子將吸收光能,發(fā)生躍遷并流動形成電流,破壞TFT開關特性,影響顯示。因此在照射過程中需要采用在陣列基板上放置掩膜板進行遮光的方法,保護晶體管特性,如圖6所示,8為貼合完成的基板,陣列基板在上;9為掩膜板。為了防止在對位時掩膜板與基板之間的摩擦,一般掩膜板與陣列基板之間保持1mm左右的間距進行UV照射,如圖7所示,其中10為UV燈。而掩膜板的使用在生產(chǎn)中造成了許多的不便,比如安裝復雜,耗時較長,撓度難于保證,長時間使用后會呈現(xiàn)彎曲,此時UV光會照射到表示部內,導致顯示不良,或是由于彎曲導致掩膜板與基板接觸而無法移動,出現(xiàn)對位(Alignment)異常,與基板摩擦造成劃痕。

發(fā)明內容為克服現(xiàn)有技術中使用掩膜板造成的不便,并減少不良品的發(fā)生率,本發(fā)明主要是不再使用掩膜板,從彩膜側直接照射,提出一種利用鏡面反射原理進行UV照射方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的一種UV硬化方法,在矩陣基板下方設置一個反射板,從彩膜基板上方發(fā)出UV光,經(jīng)過該反射板反射后,照射到封框膠上使之硬化。
在該反射板上方設有一個可完全透過UV光的隔板,UV光經(jīng)該反射板發(fā)射后,透過該隔板照射在封框膠上。
其中,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=L/2S,L為封框膠的幅寬,S為發(fā)射板與矩陣基板的距離。
其中,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=(D+L)/2S,封框膠的幅寬為L,黑矩陣寬于封框膠的寬度為D。
其中,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=D1/2S,D1為黑矩陣的寬度,S為發(fā)射板與矩陣基板的距離。
本發(fā)明的積極進步效果在于構造簡單,易于維修保養(yǎng),表面、內部同時照射,縮短照射時間。
圖1、為液晶面板的構成示意圖(以封框膠涂布與陣列基板為例)。
圖2、為液晶面板構成剖面示意圖。
圖3、為彩膜基板構成示意圖。
圖4、為封框膠與黑矩陣完全重合示意圖。
圖5、為封框膠與黑矩陣部分重合示意圖。
圖6、為掩膜板與貼合后基板結構示意圖。
圖7、為UV照射時情況示意圖。
圖8、為本發(fā)明所使用設備說明圖。
圖9、為入射角度可變時,硬化封框膠說明圖。
圖10、為基板與基臺間距可調時,硬化封框膠說明圖。
圖11、本發(fā)明實施例1的示意圖。
圖12、本發(fā)明實施例2的示意圖。
圖13、本發(fā)明實施例3的示意圖。
圖14、本發(fā)明實施例4的示意圖。
具體實施方式下面結合附圖給出本發(fā)明較佳實施例,以詳細說明本發(fā)明的技術方案。
實施例1如圖9、10所示,一種UV硬化方法,在矩陣基板下方設置一個反射板12,從彩膜基板2上方的UV燈10發(fā)出UV光13,在該反射板12上方設有一個可完全透過UV光的隔板11,經(jīng)過該反射板12反射后,透過該隔板11照射在封框膠3上使之硬化。
如圖11所示,封框膠部分與黑矩陣重合、部分在黑矩陣的外側,針對位于黑矩陣外側的封框膠,則利用由彩膜側直接照射的UV光即可硬化。
針對與黑矩陣重合部分的封框膠硬化,采用以下方式設封框膠的幅寬為L,陣列基板與鏡面基臺的間距為S。為使UV光充分利用,并且不照射到顯示部內,則要求最大傾斜角θ的入射光沿著封框膠遠離顯示部一側入射,其反射光剛好達到封框膠靠近顯示部的一側,根據(jù)鏡面反射原理及三角函數(shù)關系,則有tanθ=L/2S,L為封框膠的幅寬,S為發(fā)射板與矩陣基板的距離。
UV燈在±θ范圍內掃描式照射。
實施例2當封框膠全部與黑矩陣重合,如圖12所示。
設封框膠的幅寬為L,黑矩陣寬于封框膠的部分為D,陣列基板與鏡面基臺的間距為S,以最大傾斜角θ的入射光沿著外側黑矩陣入射,其反射光剛好達到封框膠靠近顯示部的一側,根據(jù)鏡面反射原理及三角函數(shù)關系,則有tanθ=(D+L)/2S,封框膠的幅寬為L,黑矩陣寬于封框膠的寬度為D。
設以a角入射的UV光經(jīng)過鏡面反射后剛好達到封框膠遠離顯示部的一側,如圖10,通過調節(jié)S及UV燈的位置,使UV光在入射角為a~θ范圍內進行掃描照射。
實施例3封框膠與黑矩陣不重合且接觸時,如圖13所示。
此時,可完全利用從彩膜側照射的UV光進行直接照射使封框膠充分硬化,無需調整UV光的照射角度,固定UV光以垂直方式直接照射。
為確保接近于陣列基板的封框膠能充分硬化,也可采用兩面同時照射。
UV光的照射輻角可利用實施例1所述的方法確定。
實施例4框膠與黑矩陣不重合但有間距時,如圖14所示。
此時,此時,可完全利用從彩膜側照射的UV光進行直接照射使封框膠充分硬化,無需調整UV光的照射角度,固定UV光以垂直方式直接照射。
為確保接近于陣列基板的封框膠能充分硬化,也可采用兩面同時照射。
設封框膠的幅寬為L,黑矩陣的幅寬為D1,陣列基板與鏡面基臺的間距為S。
當封框膠的幅寬L大于黑矩陣的幅寬D1時,UV光的照射輻角可根據(jù)實施例1所述的方法確定。
當黑矩陣的幅寬D1大于當封框膠的幅寬L時,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=D1/2S,D1為黑矩陣的寬度,S為發(fā)射板與矩陣基板的距離。
權利要求
1.一種UV硬化方法,其特征在于,其在矩陣基板下方設置一個反射板,從彩膜基板上方發(fā)出UV光,經(jīng)過該反射板反射后,照射到封框膠上使之硬化。
2.根據(jù)權利要求
1所述的UV硬化方法,其特征在于,在該反射板上方設有一個可完全透過UV光的隔板,UV光經(jīng)該反射板發(fā)射后,透過該隔板照射在封框膠上。
3.根據(jù)權利要求
2所述的UV硬化方法,其特征在于,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=L/2S,其中,L為封框膠的幅寬,S為發(fā)射板與矩陣基板的距離。
4.根據(jù)權利要求
2所述的UV硬化方法,其特征在于,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=(D+L)/2S,其中,封框膠的幅寬為L,黑矩陣寬于封框膠的寬度為D。
5.根據(jù)權利要求
2所述的UV硬化方法,其特征在于,UV光的照射輻角根據(jù)如下方法確定tanθ=D1/2S,其中,D1為黑矩陣的寬度,S為發(fā)射板與矩陣基板的距離。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種UV硬化方法,在矩陣基板下方設置一個反射板,從彩膜基板上方發(fā)出UV光,經(jīng)過該反射板反射后,照射到封框膠上使之硬化。本發(fā)明所使用的設備構造簡單,易于維修保養(yǎng),表面、內部同時照射,縮短照射時間。
文檔編號G02F1/13GK1996115SQ200510112275
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日
發(fā)明者張晶思 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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