顯示面板、陣列基板及其形成方法與流程
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示面板、陣列基板及其形成方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,簡稱tft-lcd)是目前主流的顯示裝置，其顯示區(qū)由陣列基板上的無數(shù)個像素區(qū)域所組成。
tft-lcd工作時，通過掃描線給tft的柵極施加特定的電壓，控制tft的導(dǎo)通或斷開。由于掃描線一般為金屬層，從而存在一定電阻，隨著信號傳輸距離的增加，掃描線信號會逐步削弱，這種現(xiàn)象稱為壓降，隨著子像素與掃描線的驅(qū)動輸入端的距離由近至遠(yuǎn)，壓降效應(yīng)會逐漸增加，導(dǎo)致靠近掃描線輸入端的tft的柵極輸入電壓比遠(yuǎn)離掃描線輸入端的tft的柵極輸入電壓要大，因此會造成靠近掃描線輸入端的畫面較亮，而遠(yuǎn)離掃描線輸入端的畫面較暗，影響了顯示面板的顯示均一性。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示面板、陣列基板及其形成方法，改善了顯示面板的均一性問題，提高顯示面板的質(zhì)量。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的第一個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括多個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域包括像素電極以及至少一個氧化物薄膜晶體管，其中，所述像素電極的輸入端與所述氧化物薄膜晶體管的輸出端連接，所述氧化物薄膜晶體管的控制端與掃描線連接，所述掃描線的一端與驅(qū)動電路相連接，所述氧化物薄膜晶體管還包括設(shè)置在其柵極上的柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從所述驅(qū)動電路的連接點到所述柵極連接點的長度成反比。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的第二個技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，所述顯示面板包括本發(fā)明任一項所述的陣列基板，還包括與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及設(shè)置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的第三個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的形成方法，所述形成方法包括：在基板上形成柵極；在柵極上形成柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從所述掃描線與驅(qū)動電路的連接點到所述柵極連接點的長度成反比。
本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的陣列基板中所包含的氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從掃面線與驅(qū)動電路的連接點到掃描線與柵極的連接點的長度成反比。而薄膜晶體管的柵絕緣層的厚度與寄生電容cgs的大小成反比，因此可以降低了壓降效應(yīng)的影響，改善顯示面板均一性問題，從而提高了顯示面板的質(zhì)量。
附圖說明
圖1是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是圖1陣列基板氧化物薄膜晶體管的一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是圖1陣列基板的氧化物薄膜晶體管另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是圖1陣列基板像素區(qū)域一實施方式的電路示意圖；
圖5是本發(fā)明顯示面板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6是本發(fā)明陣列基板的形成方法一實施方式的流程示意圖；
圖7是圖6陣列基板的形成方法一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8是圖6陣列基板的形成方法另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖9是圖6陣列基板的形成方法又一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明提供一種顯示面板、陣列基板及其形成方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和技術(shù)效果更加明確、清楚，以下對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)當(dāng)理解此處所描述的具體實施條例僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
本實施方式提供一種陣列基板，該陣列基板包括多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括像素電極以及至少一個氧化物薄膜晶體管。陣列基板還包括多條相互平行的數(shù)據(jù)線，氧化物薄膜晶體管的輸入端連接至對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，為像素電極輸入顯示信號。其中，像素電極的輸入端與氧化物薄膜晶體管的輸出端連接，氧化物薄膜晶體管的控制端與掃描線的一端連接，掃描線的另一端與驅(qū)動電路相連接。
其中，前述驅(qū)動電路為可以提供特定電壓的電路，通過掃描線向氧化物薄膜晶體管的控制端寫入相應(yīng)的電壓，控制氧化物薄膜晶體管的通斷。
在其中一個實施方式中，氧化物薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)，氧化物薄膜晶體管包括柵極，還包括設(shè)置在柵極上的柵極絕緣層和覆蓋在柵極絕緣層上的氧化物薄膜層以及設(shè)置在氧化物薄膜層上的源極以及漏極，且源極和漏極以一溝道分隔開。而且，在源極、漏極以及源極和漏極未覆蓋到的氧化物薄膜層上還覆蓋有鈍化層。
可選地，在另一個實施方式中，氧化物薄膜晶體管也可以是頂柵型結(jié)構(gòu)，即氧化物薄膜晶體管包括源極以及漏極、設(shè)置在源極以及漏極上的柵極絕緣層以及設(shè)置在柵極絕緣層上的柵極。氧化物薄膜晶體管的類型可以根據(jù)情況設(shè)計，在此不做具體限定。
需要說明的是，不論氧化物薄膜晶體管是頂柵型結(jié)構(gòu)還是底柵型結(jié)構(gòu)，柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從掃描線與驅(qū)動電路的連接點到掃描線與對應(yīng)柵極的連接點之間的長度成反比。
另外，每個像素區(qū)域的氧化物薄膜晶體管的數(shù)目也可以是2個或3個，可根據(jù)實際情況設(shè)計，在此不做具體限定。
為了清楚的說明上述陣列基板的結(jié)構(gòu)，參閱圖1，圖1是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
在本實施方式中，陣列基板10包括多條平行的掃描線102和多條平行的數(shù)據(jù)線104。其中，掃描線102和數(shù)據(jù)線104的總數(shù)目不做具體限定，可根據(jù)實際情況設(shè)計。掃描線102與數(shù)據(jù)線104相互交叉但不相交組成多個像素區(qū)域101，其中，像素區(qū)域101包括氧化物薄膜晶體管1011和像素電極1012。氧化物薄膜晶體管1011的輸出端與像素電極1012的輸入端連接，氧化物薄膜晶體管1011的控制端與掃描線102的一端連接，掃描線102的另一端與驅(qū)動電路103連接。
其中，氧化物薄膜晶體管1011包括柵極和柵極絕緣層，柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線102，從掃描線102與驅(qū)動電路103的連接點到掃描線102與對應(yīng)氧化物薄膜晶體管1011的柵極的連接點之間的長度成反比。
具體地，為了清楚的說明陣列基板中氧化物薄膜晶體管的的柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從掃描線與驅(qū)動電路的連接點到掃描線與對應(yīng)氧化物薄膜晶體管的柵極的連接點之間的長度成反比，參閱圖2，圖2是圖1陣列基板氧化物薄膜晶體管的一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
其中，陣列基板20中的氧化物薄膜晶體管包括基板201、設(shè)置在基板201上的氧化物薄膜晶體管的其他膜層202、以及設(shè)置在氧化物薄膜晶體管的其他膜層202上的柵極絕緣層203。圖2中箭頭x所指的方向為陣列基板20掃描線的延展方向，即從掃描線與驅(qū)動電路的連接點到掃描線與對應(yīng)氧化物薄膜晶體管的柵極的連接點所指的方向。沿著箭頭x的方向，掃描線與對應(yīng)氧化物薄膜晶體管的柵極的連接點與掃描線與驅(qū)動電路的連接點之間的長度逐漸增大，對應(yīng)氧化物薄膜晶體管柵極絕緣層203的厚度逐漸減小，即成反比關(guān)系。
在此，需要強(qiáng)調(diào)的是，圖2所示的氧化物薄膜晶體管是陣列基板中部分氧化物薄膜晶體管的整體結(jié)構(gòu)示意圖，用于表征，本實施方式中與同一條掃描線連接的不同氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度不同。
為了清楚的說明上述實施例的氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，以底柵型結(jié)構(gòu)的氧化物薄膜晶體管為例說明，參閱圖3，圖3是圖1陣列基板的氧化物薄膜晶體管另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
在本實施方式中，氧化物薄膜晶體管30包括基板301、柵極302、設(shè)置在柵極302上的柵極絕緣層303、覆蓋在柵極絕緣層303上的氧化物薄膜層304、設(shè)置在氧化物薄膜層304上的源極305以及漏極306，其中，源極305和漏極306被一溝道307隔開，覆蓋在源極305、漏極306、所述源極305和所述漏極306未覆蓋到的氧化物薄膜層304上鈍化層308以及設(shè)置在鈍化層308上接觸電極309。
在其中的一個實施方式中，陣列基板包含氧化物薄膜晶體管30，陣列基板還包含掃描線和驅(qū)動電路，掃描線的一端與驅(qū)動電路連接，掃描線的另一端與若干個氧化物薄膜晶體管30的控制端柵極302連接，其中，與同一條掃描線連接的氧化物薄膜晶體管30的柵極絕緣層303的厚度與對應(yīng)柵極302所連接的掃描線，從掃描線與驅(qū)動電路的連接點到掃描線與對應(yīng)柵極302的連接點之間的長度成反比。
進(jìn)一步地，柵極絕緣層303可以是通過沿掃描線的延伸方向，透光量按照設(shè)定條件依次增大的光罩所形成。具體地，可通過在柵極絕緣層303上覆蓋光阻層，通過透光量按照設(shè)定條件依次增大的掩膜板定義柵極絕緣層303的圖形，再通過蝕刻所述光阻層而形成。在另一個實施方式中，也可以通過沿掃描線的延伸方向，光強(qiáng)依次增大的入射光進(jìn)行光罩而形成。
在此，需要強(qiáng)調(diào)的是，圖3中所示的氧化物薄膜晶體管30是單個氧化物薄膜晶體管30的具體結(jié)構(gòu)示意圖，用于解釋本實施方式中氧化物薄膜晶體管30的具體膜層之間的結(jié)構(gòu)。
在實際情況下，制造陣列基板時由于工藝制成的限制，氧化物薄膜晶體管會存在寄生電容cgs，而寄生電容cgs的大小與氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度有關(guān)。在使用顯示裝置的時候，由于寄生電容cgs的存在使顯示裝置出現(xiàn)顯示的亮度不均勻的問題。
上述實施方式的陣列基板中氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度不相同，使得氧化物薄膜晶體管的寄生電容cgs不相同，從而可以改善顯示的均一性問題。
為了詳細(xì)的解釋通過設(shè)計柵極絕緣層的厚度改善顯示的均一性問題的工作原理，參閱圖4，圖4是圖1陣列基板像素區(qū)域一實施方式的電路示意圖。
如圖4所示，在本實施方式中，像素區(qū)域包括氧化物薄膜晶體管405和氧化物薄膜晶體管410，氧化物薄膜晶體管405和氧化物薄膜晶體管410的對應(yīng)柵極與同一條掃描線402的一端連接，掃描線402的另一端與驅(qū)動電路401連接。
氧化物薄膜晶體管405的漏極與數(shù)據(jù)線403連接，氧化物薄膜晶體管405的源極與存儲電容cst406和像素電容clc407的一端連接，存儲電容cst406的另一端與公共電極端404連接，像素電容clc407的另一端與像素電極409連接。同時，氧化物薄膜晶體管405的柵極與源極和漏極之間存在寄生電容cgs408。
氧化物薄膜晶體管410的漏極與數(shù)據(jù)線415連接，氧化物薄膜晶體管410的源極與存儲電容cst411和像素電容clc412的一端連接，存儲電容cst411的另一端與公共電極端404連接，像素電容clc412的另一端與像素電極414連接。同時，氧化物薄膜晶體管410的柵極與源極和漏極之間存在寄生電容cgs413。
需要說明的是，由于氧化物薄膜晶體管410的柵極與掃描線402的連接點與掃描線402與驅(qū)動電路401的連接點之間的長度比氧化物薄膜晶體管405的柵極與掃描線402的連接點與掃描線402與驅(qū)動電路401的連接點之間的長度要大，故按照上述實施方式形成氧化物薄膜晶體管410的柵極絕緣層的厚度比按照上述實施方式形成氧化物薄膜晶體管405的柵極絕緣層的厚度要小。因此，寄生電容cgs413比寄生電容cgs408大。
陣列基板在工作時，通過掃描線402給氧化物薄膜晶體管405和氧化物薄膜晶體管410的對應(yīng)柵極施加特定的電壓vghl控制氧化物薄膜晶體管405和氧化物薄膜晶體管410的通斷。由于掃描線402一般為金屬層，從而存在一定電阻，隨著信號傳輸距離的增加，掃描線402信號會逐步削弱，這種現(xiàn)象稱為壓降，對應(yīng)壓降的理論計算公式為
由于寄生電容cgs413比寄生電容cgs408大，存儲電容cst406和存儲電容cst411大小相等，像素電容clc407和像素電容clc412大小相等。根據(jù)
區(qū)別現(xiàn)有技術(shù)，本實施方式的陣列基板中所包含的氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從所述驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的長度成反比。而氧化物薄膜晶體管的柵絕緣層的厚度與寄生電容cgs的大小成反比，因此可以降低了壓降效應(yīng)的影響，改善顯示面板均一性問題，從而提高了顯示面板的質(zhì)量。
在另一個實施方式，參閱圖5，圖5是本發(fā)明顯示面板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，顯示面板50包括本發(fā)明任一所述的陣列基板502，還包括與陣列基板502相對設(shè)置的彩膜基板501和彩膜基板503，以及設(shè)置在彩膜基板與陣列基板之間的液晶層。
關(guān)于陣列基板502的結(jié)構(gòu)前述已詳盡描述，在此不再贅談。
區(qū)別現(xiàn)有技術(shù)，本實施方式的陣列基板中所包含的氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從所述驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的長度成反比。而氧化物薄膜晶體管的柵絕緣層的厚度與寄生電容cgs的大小成反比，因此可以降低了壓降效應(yīng)的影響，改善顯示面板均一性問題，從而提高了顯示面板的質(zhì)量。
在又一個實施方式中，參閱圖6，圖6是本發(fā)明陣列基板一實施方式的形成方法的流程示意圖。
601：在基板上形成柵極。
在本實施方式中，通過光罩顯影或蝕刻在基板上形成柵極。
602：在柵極上形成柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從所述掃描線與驅(qū)動電路的連接點到所述柵極連接點的長度成反比。
在其中的一個實施方式中，參閱圖7,圖7是圖6陣列基板的形成方法一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖7所示，在基板701上形成柵極702，在柵極702上覆蓋薄膜703，在薄膜703上覆蓋光阻層704，該光阻層704的厚度與從驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的之間的長度成反比。通過光強(qiáng)一樣的入射光a對光阻層704進(jìn)行光罩。再對光阻層704進(jìn)行蝕刻，從而形成厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的長度成反比的柵極絕緣層。
在另一個實施方式中，參閱圖8，圖8是圖6陣列基板的形成方法另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖8所示，在基板801上形成柵極802，在柵極802上覆蓋薄膜803，在薄膜803上覆蓋光阻層804，該光阻層804的厚度一樣，采用沿著掃描線的延伸方向，使用透光量按照設(shè)定條件依次增大的光罩d對柵極絕緣層進(jìn)行光罩，形成柵極絕緣層。如圖8所示，入射光b的光強(qiáng)是一樣的，透過光罩d之后的入射光c的光強(qiáng)沿著掃描線的方向依次增大。通過本實施方式形成的柵極絕緣層的厚度對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的長度成反比的柵極絕緣層。
可選地，在又一個實施方式中，參閱圖9，圖9是圖6陣列基板的形成方法又一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖9所示，在基板901上形成柵極902，在柵極902上覆蓋薄膜903，在薄膜903上覆蓋光阻層904，該光阻層904的厚度一樣，對光阻層904進(jìn)行光罩，其中入射光e的光強(qiáng)不一樣，沿著掃描線的方向依次增大，通過本實施方式形成的柵極絕緣層的厚度對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的長度成反比的柵極絕緣層。
需要說明的是，上述任一實施方式可以相互結(jié)合從而形成與上述任一實施方式等效的柵極絕緣層，在此不再具體說明。
進(jìn)一步地，在一個實施方式，陣列基板中所包含薄膜晶體管為頂柵
型結(jié)構(gòu)時，也可以使用上述任一實施方式中的形成方法來制備。
區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，通過本實施方式的陣列基板的形成方法所形成的陣列基板中所包含的氧化物薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度與對應(yīng)柵極所連接的掃描線，從所述驅(qū)動電路的連接點到柵極連接點的長度成反比。而氧化物薄膜晶體管的柵絕緣層的厚度與寄生電容cgs的大小成反比，因此可以降低了壓降效應(yīng)的影響，改善顯示面板均一性問題，從而提高了顯示面板的質(zhì)量。
以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
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