本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板和液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

在形成陣列基板的整個過程中，為了保證每一道工序的工藝結(jié)果都在管控范圍之內(nèi)，避免不合格產(chǎn)品在生產(chǎn)線上大面積出現(xiàn)，一般在完成一道工序后都要進(jìn)行相應(yīng)的工程檢查。工程檢查即檢查各道工序及完整的產(chǎn)品是否發(fā)生不良現(xiàn)象，從而根據(jù)檢查結(jié)果判斷是否進(jìn)行陣列修補(bǔ)(Array Repair)。

在陣列修補(bǔ)的過程中，經(jīng)常會遇到如圖1所示的多晶硅(Ploy Si)殘留(即圖1中的110)問題。在圖1所示的這種情況下，由于被柵極(Gate)線覆蓋的多晶硅無法使用激光器(Laser)移除，從而造成了相鄰數(shù)據(jù)線間的短路(Data-Data Short)，使得整個陣列基板報廢，造成產(chǎn)能的浪費。

綜上，亟需一種新的陣列基板設(shè)計方案以解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種陣列基板、液晶顯示面板和液晶顯示裝置，通過移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線的第一部分之間的多晶硅來實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，從而有利于減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線和多個像素單元，每條數(shù)據(jù)線被劃分為多段連續(xù)的子數(shù)據(jù)線，每個像素單元包括一個像素開關(guān)，且每段子數(shù)據(jù)線對應(yīng)一個像素開關(guān)和一條掃描線；其中，

每段子數(shù)據(jù)線被劃分為首尾相連的第一部分和第二部分；所述第二部分位于其所屬的子數(shù)據(jù)線對應(yīng)的像素開關(guān)的區(qū)域內(nèi)，且所述第二部分的形狀為曲線。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二部分的形狀為軸對稱圖形。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二部分的形狀的對稱軸為所述第二部分所屬的子數(shù)據(jù)線對應(yīng)的掃描線。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二部分的形狀為中心對稱圖形。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二部分的形狀的對稱中心為所述第二部分所屬的子數(shù)據(jù)線與所述第二部分所屬的子數(shù)據(jù)線對應(yīng)的掃描線的交叉點。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二部分的形狀為弧形、梯形或三角形。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二部分的形狀為S形。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一部分的形狀為直線。

根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，還提供了一種液晶顯示面板，包括：

以上所述的陣列基板；

彩膜基板；以及

設(shè)置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。

根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，還提供了一種液晶顯示裝置，包括以上所述的液晶顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個或多個實施例可以具有如下優(yōu)點或有益效果：

在由掃描線(即柵極線)下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線短路的情況下，本發(fā)明通過將像素開關(guān)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線設(shè)置為曲線形狀，來移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線的第一部分之間的多晶硅，從而消除了相鄰數(shù)據(jù)線之間的短路問題，進(jìn)而實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的陣列極板由殘留的多晶硅引起的相鄰數(shù)據(jù)線短路的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的實施中第一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的實施中第一種陣列基板由殘留的多晶硅引起的相鄰數(shù)據(jù)線短路的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的實施中第一種陣列基板修復(fù)后的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的實施中第二種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的實施中第三種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明的實施中第四種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明的實施中第五種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

實施例一

為解決現(xiàn)有技術(shù)中由掃描線下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線短路且無法修復(fù)的難題，本實施例提供了一種陣列基板。圖2是本發(fā)明的實施中第一種陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。下面結(jié)合圖2詳細(xì)地說明該陣列基板200的具體結(jié)構(gòu)。

該陣列基板200，包括多條數(shù)據(jù)線210、多條掃描線220、多個U型多晶硅230、多個過孔240和多個像素單元(圖中未顯示)。其中，縱橫交錯的數(shù)據(jù)線210和掃描線220將整個顯示區(qū)域劃分成多個像素單元。每個像素單元對應(yīng)一個U型多晶硅230和一個過孔240。具體地，過孔240覆蓋在U型多晶硅230左側(cè)的上端，用于使U型多晶硅230和像素單元的像素電極相連通。

在本實施例中，每條數(shù)據(jù)線210優(yōu)選地被劃分為多段連續(xù)的子數(shù)據(jù)線211。具體地，每條數(shù)據(jù)線210優(yōu)選地被等間距的劃分為多段(每段稱為一段子數(shù)據(jù)線211)，且每段子數(shù)據(jù)線211與每段子數(shù)據(jù)線211之間首尾相連。同時，每個像素單元包括一個像素開關(guān)，且每段子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)一個像素開關(guān)、一條掃描線220和一個U型多晶硅230。

在本實施例中，每段子數(shù)據(jù)線211優(yōu)選地被劃分為首尾相連的第一部分211.1和第二部分211.2。具體而言，第一部分211.1的底端與第二部分211.2的頂端相連。

進(jìn)一步地，第二部分211.2位于其所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的像素開關(guān)的區(qū)域內(nèi)，且第二部分211.2的形狀為曲線，以使第二部分211.2與其所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的U型多晶硅230的右側(cè)邊緣在同一平面(例如子數(shù)據(jù)線211所在平面、U型多晶硅230所在平面、或者與上述平面平行的平面)上的投影不完全重合。在此需要說明以下三點：

首先，本實施例中的像素開關(guān)指的是像素單元中的薄膜晶體管。因此本實施例中的像素開關(guān)區(qū)域即指薄膜晶體管所在的區(qū)域。具體地，薄膜晶體管所在的區(qū)域是指僅包含一個薄膜晶體管的區(qū)域。因此本實施例中像素開關(guān)區(qū)域指的是僅包含一個薄膜晶體管的區(qū)域。

其次，本實施例中第二部分211.2的形狀為曲線是指，只要第二部分211.2的長度大于相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的最短距離(此時第二部分211.2的形狀一定為彎曲的圖形)即可。換句話說，本實施例中第二部分211.2的形狀為非直線形狀。

最后，第二部分211.2與過孔240絕緣設(shè)置。具體而言，第二部分211.2與過孔240無交集，即第二部分211.2與過孔240無連接。并且，第二部分211.2與其余的U型多晶硅230(除去第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的多晶硅230)在同一平面(例如子數(shù)據(jù)線211所在平面、U型多晶硅230所在平面、或者與上述平面平行的平面)上的投影無交集。具體地，整個第二部分211.2完全沒有覆蓋在其余的U型多晶硅230的上方。

本實施例為了簡化制作工藝，優(yōu)選地將第一部分211.1的形狀設(shè)置為直線。需要指出的是，在其它的實施例中，第一部分211.1的形狀也可以為曲線。例如，當(dāng)陣列基板為柔性陣列基板時，可以優(yōu)選地將第一部分的形狀211.1設(shè)置為曲線。這是由于當(dāng)柔性陣列基板在拉伸力的作用下發(fā)生彎折時，采用上述設(shè)計能夠有效地避免數(shù)據(jù)線210發(fā)生斷裂。因此，在具體實施過程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需求來設(shè)定第一部分211.1的形狀。

進(jìn)一步地，為了清楚地說明本實施例中陣列基板的設(shè)計原理以及其達(dá)到的有益效果，下面結(jié)合圖3和圖4詳細(xì)地說明在由掃描線220下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線210短路的情況下，如何實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)。

在具體展開說明之前，首先對圖3中殘留的多晶硅110進(jìn)行說明。殘留的多晶硅110為一個整體，因此掃描線220中的一段掃描線221的下方覆蓋著部分多晶硅(以圖3視角未能示出)。由于現(xiàn)有技術(shù)無法去除該段掃描線221下方覆蓋的多晶硅(現(xiàn)有技術(shù)可以直接利用激光器將殘留的多晶硅110的其余部分去除)，從而導(dǎo)致相鄰的數(shù)據(jù)線210短路，如圖3所示。

針對于此，本實施例將第二部分211.2的形狀設(shè)置為曲線，然后利用激光器將連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的多晶硅移除(具體請見圖4中的區(qū)域A，此時與U型多晶硅430所連通的像素電極對應(yīng)的像素做暗點)，同時直接利用激光器將未被掃描線220覆蓋的多晶硅(即殘留的多晶硅110中未被掃描線220覆蓋的部分)斷開或者完全移除，從而消除相鄰數(shù)據(jù)線210之間的短路問題，實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)。應(yīng)指出的是，本實施例將第二部分211.2設(shè)置為曲線對數(shù)據(jù)線210的導(dǎo)電性無影響，對其他像素(即除去與U型多晶硅430所連通的像素電極對應(yīng)的像素)的正常顯示無影響，同時對制程也無影響。

綜上，在由掃描線220下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線210短路情況下，應(yīng)用本實施例所述的陣列基板能夠移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的多晶硅，消除相鄰數(shù)據(jù)線210之間的短路問題，從而實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

實施例二

本實施例對實施例一中的第二部分211.2的形狀進(jìn)行了進(jìn)一步優(yōu)化。

實施例一中第二部分211.2的形狀為曲線。在此基礎(chǔ)上，本實施例對第二部分211.2的形狀進(jìn)行了進(jìn)一步地限定。優(yōu)選地，第二部分211.2的形狀為軸對稱圖形，并且對稱軸為第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的掃描線220。進(jìn)一步地，第二部分211.2的形狀的對稱軸為第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的掃描線220的中心軸。

在本實施例中，第二部分211.2的形狀可以選優(yōu)地為弧形、梯形或三角形。如圖5所示，第二部分211.2的形狀為弧形。如圖6所示，第二部分211.2的形狀為梯形。如圖7所示，第二部分211.2的形狀為三角形。當(dāng)然，在其它的實施例中，還可以將第二部分211.2的形狀設(shè)置為其他的軸對稱圖形。本實施例中的三種優(yōu)選圖形僅用于教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員如何具體實施本發(fā)明，但并不意味著僅能將第二部分211.2的形狀設(shè)置為上述三種圖形。在具體實施過程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合實際需要來確定。

另外，需要說明的是，本實施例的具體實施方式與實施例一的具體實施方式類似，具體請參見實施例一部分的描述。為了減少冗余，在此不做贅述。

綜上，在由掃描線220下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線210短路情況下，應(yīng)用本實施例所述的陣列基板能夠移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的多晶硅，消除相鄰數(shù)據(jù)線210之間的短路問題，從而實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

實施例三

本實施例對實施例一中的第二部分211.2的形狀進(jìn)行了進(jìn)一步優(yōu)化。

實施例一中第二部分211.2的形狀為曲線。在此基礎(chǔ)上，本實施例對第二部分211.2的形狀進(jìn)行了進(jìn)一步地限定。優(yōu)選地，第二部分211.2的形狀為中心對稱圖形，并且對稱中心為第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211與第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的掃描線220的交叉點。進(jìn)一步地，第二部分211.2的形狀的對稱中心為第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211的中心軸與第二部分211.2所屬的子數(shù)據(jù)線211對應(yīng)的掃描線220的中心軸的交叉點。

在本實施例中，第二部分211.2的形狀優(yōu)選地為S形，如圖8所示。當(dāng)然，在其它的實施例中，還可以將第二部分211.2的形狀設(shè)置為其他的中心對稱圖形。本實施例中的S形僅用于教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員如何具體實施本發(fā)明，但并不意味著僅能將第二部分的形狀設(shè)置為S形。在具體實施過程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合實際需要來確定。

另外，需要說明的是，本實施例的具體實施方式與實施例一的具體實施方式類似，具體請參見實施例一部分的描述。為了減少冗余，在此不做贅述。

綜上，在由掃描線220下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線210短路情況下，應(yīng)用本實施例所述的陣列基板能夠移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的多晶硅，消除相鄰數(shù)據(jù)線210之間的短路問題，從而實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

實施例四

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板。本實施例的液晶顯示面板包括實施例一至實施例三中任一實施例所述的陣列基板，還包括彩膜基板以及設(shè)置在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。

綜上，在由掃描線220下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線210短路情況下，應(yīng)用本實施例所述的液晶顯示面板能夠移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的多晶硅，消除相鄰數(shù)據(jù)線210之間的短路問題，從而實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

實施例五

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置。本實施例的液晶顯示裝置包括實施例四所述的液晶顯示面板。該液晶顯示裝置優(yōu)選地為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)以及導(dǎo)航儀等具有顯示功能的產(chǎn)品。

綜上，在由掃描線220下方覆蓋的多晶硅導(dǎo)致的相鄰數(shù)據(jù)線210短路情況下，應(yīng)用本實施例所述的液晶顯示裝置能夠移除連接相鄰的兩子數(shù)據(jù)線211的第一部分211.1之間的多晶硅，消除相鄰數(shù)據(jù)線210之間的短路問題，從而實現(xiàn)對陣列基板的修復(fù)，減少陣列基板的報廢，降低產(chǎn)能的損失。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。