本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種金屬圖形的制備方法。

背景技術(shù)：

光刻工藝作為制作圖形的方法之一，在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用十分廣泛。光刻（photolithograph）是通過一系列生產(chǎn)步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后，晶圓表面會留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留的是特征圖形部分。

采用光刻工藝制作金屬圖形，一般都是在目標(biāo)材料表面直接涂覆光刻膠，實(shí)施光刻和剝離工藝。對于一些要求不高的領(lǐng)域，采用此種方法制作的金屬圖形，簡單有效。但是，在一些對制作的金屬圖形粘附性要求較高的領(lǐng)域，采用此種方法制作的金屬圖形并不能達(dá)到目的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種金屬圖形的制備方法，有效提高了目標(biāo)材料表面和金屬圖形之間的粘附性。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案包括：

一種金屬圖形的制備方法，包括：

S1 在目標(biāo)材料上覆蓋一保護(hù)層；

S2 在保護(hù)層表面涂覆光刻膠層并對所述光刻膠層處理預(yù)留出金屬圖形區(qū)域；

S3 去除所述金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料，裸露出目標(biāo)材料；

S4 在所述金屬圖形區(qū)域、目標(biāo)材料表面蒸鍍金屬材料；

S5 去除非金屬圖形區(qū)域的光刻膠，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料表面金屬圖形的制備。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S2中具體包括：

在保護(hù)層表面涂覆光刻膠層；

對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，在所述光刻膠層中預(yù)留出金屬圖形區(qū)域。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S3中具體包括：

采用腐蝕的方法去除所述金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料，裸露出該區(qū)域的目標(biāo)材料。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S5中具體包括：

采用酒精、丙酮和去膠液中的一種或幾種去除非金屬圖形區(qū)域的光刻膠，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料表面金屬圖形的制備。

在本技術(shù)方案中，如果非金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料在設(shè)計(jì)過程中可以發(fā)揮別的作用，那么在步驟S5中不去除保護(hù)層材料。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S5中具體包括：

采用酒精、丙酮和去膠液中的一種或幾種去除非金屬圖形區(qū)域的光刻膠；

采用腐蝕的方法去除非金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料表面金屬圖形的制備。

本發(fā)明提供的一種金屬圖形的制備方法，其有益效果為：

在本發(fā)明提供的金屬圖形的制備方法中，在使用光刻工藝之前，首先在目標(biāo)材料表面覆蓋一層保護(hù)層，之后再在保護(hù)層表面涂覆光刻膠層進(jìn)行后續(xù)的步驟，目標(biāo)材料表面的保護(hù)層有效避免了光刻、清洗等過程中引入的污染，提高了金屬圖形和目標(biāo)材料表面間的粘附性；再有，本發(fā)明提供的制備方法可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，如半導(dǎo)體照明、IC等需要采用光刻膠剝離工藝來制作金屬圖形的產(chǎn)品。

附圖說明

圖1為本發(fā)明中金屬圖形的制備方法流程示意圖；

圖2(a)~圖2(f)為本發(fā)明中金屬圖形的制備過程示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

1-目標(biāo)材料，2-保護(hù)層，3-光刻膠層，4-金屬材料。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

如圖1所示為本發(fā)明提供的金屬圖形的制備方法流程示意圖，包括：

S1 在目標(biāo)材料1上覆蓋一保護(hù)層2，如圖2(a)所示。具體，該保護(hù)層表面適合光刻工藝，即在光刻工藝中具有化學(xué)和物理穩(wěn)定性，并且與光刻膠層具有很好的粘附性。另外，保護(hù)層易被選擇性腐蝕，即后續(xù)在腐蝕保護(hù)層的過程中對光刻膠、目標(biāo)材料以及金屬材料不會有任何影響。在一個(gè)具體實(shí)施例中，通過沉積的方法江保護(hù)層2覆蓋在目標(biāo)材料1上。

S2 在保護(hù)層2表面涂覆光刻膠層3并對光刻膠層處理預(yù)留出金屬圖形區(qū)域，如圖2(b)所示。具體包括：在保護(hù)層表面涂覆光刻膠層；對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，在光刻膠層中形成光刻膠圖形，預(yù)留出金屬圖形區(qū)域。

S3 去除金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料，裸露出目標(biāo)材料，如圖2(c)所示。具體，在該步驟中，采用腐蝕的方法去除金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料，裸露出該區(qū)域的目標(biāo)材料。

S4 在金屬圖形區(qū)域、目標(biāo)材料表面蒸鍍金屬材料4，如圖2(d)所示。

S5 去除非金屬圖形區(qū)域的光刻膠（此實(shí)施方式中非金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料在設(shè)計(jì)過程中可以發(fā)揮別的作用，故不去除），實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料表面金屬圖形的制備。具體，在該步驟中：采用酒精、丙酮或去膠液等去除非金屬圖形區(qū)域的光刻膠，如圖2(e)所示。在其他實(shí)施方式中，首先，采用酒精、丙酮和去膠液中的一種或幾種去除非金屬圖形區(qū)域的光刻膠，如圖2(e)所示；隨后采用腐蝕的方法去除非金屬圖形區(qū)域的保護(hù)層材料，如圖2(f)所示，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料表面金屬圖形的制備。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，上述目標(biāo)材料為GaN層，保護(hù)層為SiO₂，金屬圖形為Ni-Ag反射鏡，則在GaN層表面制備Ni-Ag反射鏡的過程中具體包括：

首先，在GaN層表面生長SiO₂保護(hù)層；之后，在SiO₂保護(hù)層表面涂覆負(fù)性光刻膠層，通過烘烤、曝光、顯影等流程對光刻膠層進(jìn)行形成光刻膠圖形，預(yù)留出金屬圖形區(qū)域；接著，腐蝕金屬圖形區(qū)域中SiO₂保護(hù)層，使SiO₂保護(hù)層圖形與光刻膠圖形相同；之后，在金屬圖形區(qū)域中、GaN層表面蒸鍍Ni-Ag金屬；最后，采用酒精、丙酮和去膠液中的一種或多種剝離非金屬圖形區(qū)域的光刻膠之后，采用BOE（Buffered Oxide Etch，緩沖氧化物刻蝕液）溶液腐蝕該非金屬圖形區(qū)域的SiO₂保護(hù)層，使Ni-Ag形成需要的圖形。完成了Ni-Ag反射鏡的制備，且提高了Ni-Ag反射鏡與GaN層之間粘附性。

在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，上述非金屬圖形區(qū)域的SiO₂保護(hù)層沒有被腐蝕，而是保留下來，以起到電流阻擋層的作用。具體實(shí)施過程如下：

首先，在GaN層表面生長SiO₂保護(hù)層；之后，在SiO₂保護(hù)層表面涂覆負(fù)性光刻膠層，通過烘烤、曝光、顯影等流程對光刻膠層進(jìn)行形成光刻膠圖形，預(yù)留出金屬圖形區(qū)域；接著，腐蝕金屬圖形區(qū)域中SiO₂保護(hù)層，使SiO₂保護(hù)層圖形與光刻膠圖形相同；之后，在金屬圖形區(qū)域中、GaN層表面蒸鍍Ni-Ag金屬；最后，采用酒精、丙酮和去膠液剝離非金屬圖形區(qū)域的光刻膠，使Ni-Ag形成需要的圖形。完成了Ni-Ag反射鏡的制備，不但提高了Ni-Ag反射鏡與GaN層之間粘附性，同時(shí)非金屬圖形區(qū)域的SiO₂可以起到電流阻擋的作用。

以上所述，僅為本發(fā)明中的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變換或替換都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。